CN106796099B - 用于加工期间的晶片控制的表面轮廓测定的设备和方法 - Google Patents

用于加工期间的晶片控制的表面轮廓测定的设备和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106796099B
CN106796099B CN201580052115.8A CN201580052115A CN106796099B CN 106796099 B CN106796099 B CN 106796099B CN 201580052115 A CN201580052115 A CN 201580052115A CN 106796099 B CN106796099 B CN 106796099B
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
imaging
profilometry
measurement
shape
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201580052115.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106796099A (zh
Inventor
吉莱斯·弗莱斯阔特
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Unity Semiconductor Corp
Original Assignee
Unity Semiconductor SAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Unity Semiconductor SAS filed Critical Unity Semiconductor SAS
Publication of CN106796099A publication Critical patent/CN106796099A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106796099B publication Critical patent/CN106796099B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
    • G01B11/2441—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures using interferometry
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/30—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
    • G01B11/303—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces using photoelectric detection means
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B21/00—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant
    • G01B21/30—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant for measuring roughness or irregularity of surfaces
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
    • G01B9/02—Interferometers
    • G01B9/02015—Interferometers characterised by the beam path configuration
    • G01B9/02029—Combination with non-interferometric systems, i.e. for measuring the object
    • G01B9/0203—With imaging systems
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B2210/00—Aspects not specifically covered by any group under G01B, e.g. of wheel alignment, caliper-like sensors
    • G01B2210/56—Measuring geometric parameters of semiconductor structures, e.g. profile, critical dimensions or trench depth
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
    • G01N2021/8841—Illumination and detection on two sides of object
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Instruments For Measurement Of Length By Optical Means (AREA)

Abstract

本发明涉及一种用于相对于存在于晶片(12)的第一表面(13)下方的结构(14)对所述第一表面(13)进行形状测量的设备或仪器，其包括(i)轮廓测定装置(10)，其被布置为根据至少一个测量区域对晶片(12)的所述第一表面(13)进行形状测量；(ii)成像装置(11)，其面对所述轮廓测定装置(10)，并且被布置为根据至少一个成像区域在晶片(12)的与所述第一表面(13)相对的第二表面上或通过所述第二表面获取所述结构(14)的参考图像；所述轮廓测定装置(10)和所述成像装置(11)被布置成使得测量区域和成像区域在公共参考系(15)内参照就位。本发明还涉及在所述设备或仪器中实施的方法。

Description

用于加工期间的晶片控制的表面轮廓测定的设备和方法
技术领域
本发明涉及一种用于在加工期间对晶片进行表面轮廓测量的设备。其还涉及由该设备实施的测量方法。
本发明的领域更具体地而非限制性地为微系统(MEMS)和微电子领域中对设备的测量和尺寸控制。
现有技术说明
在微电子学中实施的制造方法通常依赖于沉积层和蚀刻的连续步骤，这导致生产堆叠形式的部件。
层的极高平面度常常是必要的。因此，实现测量这种平面度的技术、特别是光学轮廓测定是已知的。
在光学轮廓测定技术中，被称为“全场(full-field)”的测定技术是众所周知的，其使得可以直接在一次或少数次的测量中获得表面的形状。特别地，存在使用由待测表面反射的测量光束和参考光束之间的干涉的干涉测量技术。不同的干涉仪架构是可能的，其中一些以名称Linnik、Mirau，Michelson或Fizeau干涉仪而为人所知。
光学干涉测量技术也是已知的，其基于利用对表面进行扫描的点测量光束的点对点距离测量。在这种情况下实施的检测技术能够特别地包括共焦、彩色共焦技术或者基于干涉测量或低相干干涉测量(利用宽谱源)的技术。然而，其缺点是比全场技术慢得多。
所有这些技术共同的约束是待测量的表面在工作波长下的反射率必须高，以便获得良好的测量。不受隐埋层上的杂散反射干扰对测量也是必要的。因此，通常使用不穿透或仅轻微穿透到材料中的波长(对于硅的可见光波长)，或者，当待测层在可见光谱中是透明的时，预先在其上进行金属沉积(钽)。
在某些情况下，有必要面向已经生产的部件或芯片来测量和表征覆盖这些部件的层的平面度。然后出现的问题是这些部件从测量面不可见。因此，在不使用预先的设计信息的情况下，难以将平面度测量与这些部件的精确位置进行联系或参照。
本发明的目的在于提出一种轮廓测量设备和方法，使得可以对表面的形状进行测量，相对于隐埋在晶片中或至少位于待测表面下方的部件对所述表面进行精确记录或参照。
本发明的目的还在于提出一种轮廓测量设备和方法，使得可以在与隐埋在晶片中或至少位于待测表面下方的部件相关联的参考系内对表面的形状进行测量。
发明内容
利用用于相对存在于晶片的第一表面下方的结构对所述第一表面进行形状测量的设备来实现该目的，其特征在于，所述设备包括：
-轮廓测定装置，其被布置为根据至少一个测量区域对晶片的所述第一表面进行形状测量；
-成像装置，其面对所述轮廓测定装置，并且被布置为根据至少一个成像区域在晶片的与所述第一表面相对的第二表面上或通过该第二表面获取所述结构的参考图像；
所述轮廓测定装置和所述成像装置被布置成使得测量区域和成像区域在公共参考系内参照就位。
该结构能够例如是隐埋在晶片层中的或可选地在晶片的与第一表面相对的面上生成的部件、轨道或芯片。这些是在第一表面上不可见并且因此从轮廓测定装置的视角来看位于该表面下方的结构。
当将待测量晶片定位在本发明的设备中时，面对轮廓测定装置的成像装置可以相对于待测量晶片的与第一表面相对的第二表面而被定位。其使得可以对该结构进行成像，或者至少获得允许对该结构进行定位的图像，即使这些结构不能通过第一表面来辨别。
根据本发明，对轮廓测定装置和成像装置在空间上进行校准或参照，使得其各自的测量区域和成像区域的位置和范围相对于彼此分别已知，或者换句话说，在同一参考系内被参照。
优选地，测量区域和成像区域能够以基本彼此平行的平面的形状来表示。它们能够以参考平面的形式在公共参考系内被参照。
因此，可以将轮廓测量与结构的位置相联系或关联，而无需预先了解晶片在本发明的设备中的精确位置。
根据实施例，根据本发明的设备能够包括能够以红外波长生成图像的成像装置。
因此，可以对“隐埋”在晶片的层中的结构进行成像，包括通过在可见光波长下不透明的材料，比如硅。
特别是可以通过衬底对结构进行成像，所述结构在所述衬底上进行生产。
根据实施例，根据本发明的设备能够包括使用全场干涉仪的轮廓测定装置。
其能够特别地包括以下类型之一的全场干涉仪：Michelson、Mirau、Linnik、Fizeau。
全场干涉仪是使得可以处理表示待测表面的至少一部分的测量信号或二维干涉结构的干涉仪。
根据实施例，轮廓测定装置和成像装置能够具有基本平行的光轴。
根据实施例，轮廓测定装置和成像装置能够沿着公共光轴对齐。
根据实施例，根据本发明的设备能够包括使用点距离传感器的轮廓测定装置以及利用所述点距离传感器来扫描第一表面的扫描装置。
其能够特别包括以下类型之一的距离传感器：共焦传感器、彩色共焦传感器、干涉测量仪、谱域低相干干涉仪、时域低相干干涉仪、频率扫描低相干干涉仪、机械探头和原子力显微镜(AFM)探头。
在这种情况下，从点到点地测量表面的高度以便重构形状信息。
距离传感器能够包括能够生成关于表面的高度或局部高度的信息项的任何传感器。其还可以特别包含光学传感器(共焦、干涉测量的)、机械传感器(探头)或利用探头点和待测表面之间的原子水平的相互作用的传感器(“原子力显微镜”AFM)。
根据本发明的设备还能够包括用于将晶片定位为第一面面对轮廓测定装置而第二面面对成像装置的支撑件。
晶片支撑件能够包括卡盘。
根据另一方面，提出一种用于相对于存在于晶片的第一表面下方的结构对所述第一表面进行形状测量的方法，其包括以下步骤：
-通过实施轮廓测定装置，根据至少一个测量区域来获取对晶片的所述第一表面的形状测量；
-实施面向所述轮廓测定装置的成像装置，根据晶片的与第一表面相对的第二表面上的或通过该第二表面的成像区域来获取结构的参考图像；
所述测量区域和成像区域在公共参考系内参照就位。
根据实施例，本发明的方法还能够包括识别结构在参考图像中的位置的步骤。
其能够包括在至少一个所识别的结构位置附近获取形状测量的步骤。
根据实施例，根据本发明的方法还能够包括在公共参考系内以参考平面的形式校准测量区域和成像区域的位置的在先步骤。
附图和实施例说明
通过阅读绝非限制性的对实施方式和实施例的详细描述，本发明的其他优点和特征将从附图中变得显而易见，在附图中：
-图1示出根据本发明的设备的实施例，
-图2示出具有Michelson型全场干涉仪的轮廓仪的实施例，
-图3示出具有Mirau型全场干涉仪的轮廓仪的实施例，
-图4示出根据本发明的方法的第一实施例，
-图5示出根据本发明的方法的第二实施例，
-图6示出利用根据本发明的设备获得的测量的示例。
充分理解的是，下文将要描述的实施例绝非限制性的。能够设想本发明的变型，其仅包括对下文所描述的特征的选择而与所描述的其他特征隔离，只要这种对特征的选择足以赋予技术优点或使本发明区分于现有技术状态。该选择包括没有结构细节或仅具有一部分结构细节的、优选为功能性的至少一个特征，只要该部分单独足以赋予技术优点或使本发明区分于现有技术状态。
特别地，所描述的所有变型和所有实施例能够组合在一起，只要从技术角度来看不存在对这种组合的反对理由。
在附图中，几个附图所共有的元件具有相同的附图标记。
首先，参照图1，将描述根据本发明的设备的实施例。
在优选实施例中，根据本发明的设备旨在对晶片12的表面13进行形状测量，晶片12还包括表面13下方所隐埋的层中的结构14。
然后，根据本发明的设备使得可以在公共参考系15内记录或表示表面13和结构14的形状(或其位置)的测量。
因此，通过非限制性示例，根据本发明的设备能够用于监测接触层的平面度，所述接触层沉积在晶片12的衬底上所生成的结构14之上或以这种方式覆盖该结构14。这些结构14能够特别地是集成电路14。在这种情况下，重要的是精确地监测集成电路14之上的接触层的平面度。此时，该接触层不允许集成电路的位置在表面13的一侧可见，特别是当其覆盖有金属层时。
因此，利用根据本发明的设备可以通过衬底来可视化和定位集成电路14，并且可以对于集成电路14的位置进行或记录形状测量，所述衬底构成晶片12的与待测表面13相对的部分。
根据本发明的设备因此包括轮廓测定装置10，其使得可以在将晶片定位在晶片支撑件(图1中未示出)中时对该晶片12的表面13进行形状测量。
根据本发明的设备还包括成像装置11，其旨在对相对于表面13存在于晶片12中或其下方的结构14进行成像。
当将晶片12定位于晶片支撑件中时，轮廓测定装置10和成像装置11彼此相对布置在晶片12的任一侧上。
晶片支撑件设置有移动和平移和/或转动的装置，其使得可以相对于轮廓测定装置10和成像装置11移动和精确定位晶片12。
计算机28控制该设备并处理数据。
在所呈现的实施例中，轮廓测定装置10是具有目标水平的全场干涉仪20的显微镜的形式，其因此构成全场轮廓仪10。
例如基于发光二极管或卤素源的光源16生成可见光的和/或近红外波长的光束19。该光束19通过立方体或分束器18朝向全场干涉仪20定向。
在全场干涉仪20中，光束19被分离为照射参考镜的参考光束和照射晶片12的表面13的测量光束。分别由晶片的表面13和参考镜反射的光被再定向到例如CCD或CMOS型的阵列检测器17。
轮廓仪10包括光学器件和透镜，包括成像物镜，其被配置为将晶片的表面13成像在阵列检测器17上。当测量光束和参考光束之间的光路差小于光源16的相干长度时，测量光束和参考光束之间的干涉所引起的干涉条纹也是可见的。根据本领域技术人员已知的技术对这些干涉条纹的解调使得可以根据测量区域来重构表面13的形状，所述测量区域基本对应于成像在检测器17上的该表面13的区域。
存在能够在本发明的语境中使用的不同种类的全场干涉仪20。
参照图2，全场干涉仪20能够是Michelson配置。这时其包括布置在成像物镜40和待测表面13之间的分离器立方体41(或分束器)。该分离器立方体41将入射光束19的一部分反射到参考镜42，以便产生参考光束。
参照图3，全场干涉仪20也能够是Mirau配置。这时其包括定位在成像物镜40和待测表面13之间的半反射分束器51。该分束器将入射光的一部分反射到定位在光束中心处的参考镜52。
全场干涉仪也能够采用Linnik配置。该配置是Michelson配置的变体，其中将成像物镜引入到干涉仪的每个臂中。在这种情况下，分离器立方体41在光束中位于成像物镜的前方。
当然，在本发明的语境内，其他配置的全场干涉仪20也是可能的。
轮廓仪还包括例如通过实施压电致动器的平移装置43，其使得可以相对于待测表面13非常精确地移动由干涉仪20和成像物镜40组成的组件。这些平移装置43使得可以改变分离元件(例如，图2中的分离器立方体41或图3中的分束器51)与待测表面13之间的测量光束光路，而不改变该分离器元件和参考镜之间的参考光束光路。因此，可以以已知或受控的方式改变在检测器17上获得的干涉结构的相位，并且实施“相位步进”型的重构算法，该算法使得可以基于具有不同失相条件的所获取图像的序列来非常精确无疑地重构表面13的形状。
成像装置11为具有光源23、成像物镜26、阵列检测器27(例如CCD或CMOS型)和分束器或分离器立方体型(例如)的分离器元件24的成像显微镜的形状。
来自光源23的光25通过分离器元件24朝向晶片的后表面定向。由晶片21反射并被成像物镜26收集的光被朝向阵列检测器27传送。具有成像物镜26的光学系统被布置成允许根据成像区域在阵列检测器22上形成晶片的图像。
光源23被设计为呈现出在近红外区内延伸以达到大于1微米的波长的发射光谱，因此硅对于其不再是完全不透明的。该光源23能够是卤素源。于是，即使使用基于硅的阵列检测器22，也可以通过硅层(比如衬底)获得晶片12的结构14的图像。
如前所述，轮廓测定装置10和成像装置11被布置成使得测量区域和成像区域在公共参考系15内参照就位。
为此，轮廓测定装置10和成像装置11被牢固地固定到支撑件，该支撑件允许它们相对于彼此以精确和稳定的方式被保持和/或定位。
此外，它们被布置成使得轮廓测定装置10的光轴21和成像装置11的光轴27基本重合，或者至少是接近且基本平行的。以这种方式，测量区域和成像区域基本在晶片12的平面处叠加，并且避免了由于晶片的厚度导致的视差误差。
然后例如借助在两个面上包括图案的样品或校准晶片12来校准该设备，所述图案中的一些相对于其他图案的位置是已知的。应当注意，由于轮廓仪10也是成像系统，因此通过借助在两面上包括可见图案的晶片12来进行成像，能够简单地进行校准。
因此，测量区域和成像区域能够位于二维的(X-Y)或参考平面的公共参考系15内。事实上，如果已经注意将轮廓测定装置和成像装置的光轴21、27定位为基本平行，就不必知道轮廓测定和成像测量之间在高度(相对于晶片12的厚度)上的差。
例如，可以将参考平面15与成像区域相关联，使得可以定位晶片的结构14并通过校准来计算平面中的传递函数(基于平移、转动和位似变换)，其使得可以将测量区域的像素定位在成像区域内。
本发明的设备可以以不同的方式来获取和处理测量。
例如，图4示出根据本发明的用于测量表面形状的方法，其包括：
-利用成像装置11获取参考图像的步骤60：
-通过实施例如用于分割已知图像的技术来识别参考图像中晶片12的结构14的位置(以及可选地，其形状)的步骤61；
-考虑到在校准期间获得的传递函数，利用轮廓仪10来获取对应于所识别的结构14的位置的一个或多个区域中的晶片表面13的形状的步骤62。
另外例如，图5示出根据本发明的用于测量轮廓的方法，其包括：
-利用成像装置11根据成像区域获取参考图像70的步骤60：
-通过实施例如用于分割已知图像的技术来识别参考图像中晶片12的结构14的位置(以及可选地，其形状)的步骤61；
-在从晶片12的平面处至少部分地叠加在所使用的成像区域上的测量区域中，利用轮廓仪10获取晶片表面13的形状的步骤63；
-通过使用在校准期间获得的传递函数来匹配对形状和结构14的测量的步骤64。
在该实施例中，如果仅寻求视觉匹配，则能够省略对结构进行识别的步骤61。
图6图示能够利用本发明获得的测量结果，特别是在参照图5所描述的实施方法中。其示出：
-利用成像装置11获得的具有晶片12的结构14的表示73的图像70；
-晶片12的表面13的形状的表示71，其利用轮廓测定装置10来获得，并且其中表面的形状以轮廓线74来表示；
-在将图像70记录在参考系15中之后将以轮廓线74的表面形状表示与结构14的表示73相组合的图像72。
因此，晶片12的表面13关于结构14的平面度缺陷的良好可视化是可能的。
当然，本发明不限于刚才已经描述的示例，并且能够在不超出本发明的范围的情况下对这些示例进行若干调整。

Claims (9)

1.一种用于相对于存在于晶片(12)的第一表面(13)下方的结构(14)对所述第一表面(13)进行形状测量的设备，其特征在于，所述设备包括：
-具有全场干涉仪(20)的轮廓测定装置(10)，其被布置为根据至少一个测量区域对所述晶片(12)的所述第一表面(13)进行形状测量；
-成像装置(11)，其面对所述轮廓测定装置(10)，并且被布置为根据至少一个成像区域在所述晶片(12)的与所述第一表面(13)相对的第二表面上或通过所述第二表面获取所述结构(14)的参考图像；
所述轮廓测定装置(10)和所述成像装置(11)被布置成使得所述测量区域和所述成像区域在公共参考系(15)内参照就位。
2.根据权利要求1所述的设备，包括能够在红外波长下生成图像的成像装置(11)。
3.根据权利要求1或2所述的设备，包括以下类型之一的全场干涉仪(20)：Michelson、Mirau、Linnik、Fizeau。
4.根据权利要求1所述的设备，其中所述轮廓测定装置(10)和成像装置(11)具有基本平行的光轴(21、27)。
5.根据权利要求1所述的设备，还包括用于将晶片(12)定位为第一表面(13)面对所述轮廓测定装置(10)而第二表面面对成像装置(11)的支撑件。
6.一种用于相对于存在于晶片(12)的第一表面(13)下方的结构(14)对所述第一表面(13)进行形状测量的方法，其特征在于包括以下步骤：
-通过实施具有全场干涉仪(20)的轮廓测定装置(10)，根据至少一个测量区域来获取对所述晶片(12)的所述第一表面(13)的形状测量；
-通过实施面对所述轮廓测定装置(10)的成像装置(11)，根据至少一个成像区域在所述晶片(12)的与所述第一表面(13)相对的第二表面上或通过所述第二表面获取所述结构(14)的参考图像；
所述测量区域和所述成像区域在公共参考系(15)内参照就位。
7.根据权利要求6所述的方法，还包括在所述参考图像中识别所述结构(14)的位置的步骤。
8.根据权利要求7所述的方法，包括在至少一个所识别的结构位置附近获取形状测量的步骤。
9.根据权利要求6至8中任一项所述的方法，还包括在参考平面形式的公共参考系(15)内对所述测量区域和所述成像区域的位置的定位进行校准的在先步骤。
CN201580052115.8A 2014-09-25 2015-09-18 用于加工期间的晶片控制的表面轮廓测定的设备和方法 Active CN106796099B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1459086 2014-09-25
FR1459086A FR3026481B1 (fr) 2014-09-25 2014-09-25 Dispositif et procede de profilometrie de surface pour le controle de wafers en cours de process
PCT/EP2015/071407 WO2016046072A1 (fr) 2014-09-25 2015-09-18 Dispositif et procede de profilometrie de surface pour le controle de wafers en cours de process

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106796099A CN106796099A (zh) 2017-05-31
CN106796099B true CN106796099B (zh) 2020-11-03

Family

ID=51897335

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580052115.8A Active CN106796099B (zh) 2014-09-25 2015-09-18 用于加工期间的晶片控制的表面轮廓测定的设备和方法

Country Status (9)

Country Link
US (1) US9958261B2 (zh)
EP (1) EP3198220B1 (zh)
JP (1) JP2017530358A (zh)
KR (1) KR20170059450A (zh)
CN (1) CN106796099B (zh)
FR (1) FR3026481B1 (zh)
SG (1) SG11201702440VA (zh)
TW (1) TW201614191A (zh)
WO (1) WO2016046072A1 (zh)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11562502B2 (en) 2015-11-09 2023-01-24 Cognex Corporation System and method for calibrating a plurality of 3D sensors with respect to a motion conveyance
US10757394B1 (en) 2015-11-09 2020-08-25 Cognex Corporation System and method for calibrating a plurality of 3D sensors with respect to a motion conveyance
US10812778B1 (en) 2015-11-09 2020-10-20 Cognex Corporation System and method for calibrating one or more 3D sensors mounted on a moving manipulator
FR3045813B1 (fr) * 2015-12-22 2020-05-01 Unity Semiconductor Dispositif et procede de mesure de hauteur en presence de couches minces
FR3052869B1 (fr) * 2016-06-17 2018-06-22 Unity Semiconductor Dispositif de positionnement d'une plaquette de circuit integre, et appareil d'inspection d'une plaquette de circuit integre comprenant un tel dispositif de positionnement
JP6704831B2 (ja) * 2016-10-20 2020-06-03 株式会社ミツトヨ クロマティック共焦点センサ
CN109672878A (zh) * 2017-10-13 2019-04-23 康耐视公司 对校准物体两相对侧成像的视觉系统的场校准系统和方法
FR3077631B1 (fr) * 2018-02-05 2021-01-01 Unity Semiconductor Procede et dispositif d'inspection d'une surface d'un objet comportant des materiaux dissimilaires
US10782120B2 (en) * 2018-07-03 2020-09-22 Kla Corporation Dual-interferometry wafer thickness gauge
KR102280558B1 (ko) * 2018-07-10 2021-07-23 울산과학기술원 라만-원자간력 현미경
KR102256790B1 (ko) * 2018-07-10 2021-05-28 울산과학기술원 라만-원자간력 현미경의 광축 얼라이너
CN109916347A (zh) * 2019-04-16 2019-06-21 合肥工业大学 一种基于近红外低相干光掺杂硅晶片表面形貌测量方法
DE102019114167A1 (de) * 2019-05-27 2020-12-03 Precitec Optronik Gmbh Optische Messvorrichtung und Verfahren
FR3101702B1 (fr) * 2019-10-07 2021-11-19 Fogale Nanotech Dispositif et procédé de mesures d’imagerie et d’interférométrie
CN111664802A (zh) * 2020-06-03 2020-09-15 中国科学院西安光学精密机械研究所 基于动态定量相位成像的半导体晶圆表面形貌测量装置
US11521874B2 (en) * 2020-09-30 2022-12-06 Kla Corporation Systems and methods for determining measurement location in semiconductor wafer metrology
CN112857238B (zh) * 2021-04-16 2022-11-29 中国工程物理研究院机械制造工艺研究所 一种大口径平行平晶厚度分布的干涉测量方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070148792A1 (en) * 2005-12-27 2007-06-28 Marx David S Wafer measurement system and apparatus
CN101915547A (zh) * 2010-07-28 2010-12-15 深圳市斯尔顿科技有限公司 一种时域oct测量的方法和时域oct系统
CN102686973A (zh) * 2010-01-14 2012-09-19 普雷茨特激光技术有限公司 用于监视半导体晶片的薄化的原位测量晶片厚度的监视设备和方法、以及包括湿蚀刻设备和监视设备的薄化设备
CN102713504A (zh) * 2010-12-17 2012-10-03 松下电器产业株式会社 表面形状测定方法及表面形状测定装置
CN102893121A (zh) * 2010-04-26 2013-01-23 纳米技术公司 用于检查结构化对象的光学设备和方法
WO2014029703A1 (fr) * 2012-08-21 2014-02-27 Fogale Nanotech Dispositif et procede pour faire des mesures dimensionnelles sur des objets multi-couches tels que des wafers

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6847458B2 (en) * 2003-03-20 2005-01-25 Phase Shift Technology, Inc. Method and apparatus for measuring the shape and thickness variation of polished opaque plates
JP2008083059A (ja) * 2006-09-26 2008-04-10 David S Marx ウェーハの測定システム及び測定装置
JP2009049122A (ja) * 2007-08-17 2009-03-05 Fujifilm Corp 光半導体素子、該光半導体素子を用いた波長可変光源および光断層画像取得装置
GB2489722B (en) * 2011-04-06 2017-01-18 Precitec Optronik Gmbh Apparatus and method for determining a depth of a region having a high aspect ratio that protrudes into a surface of a semiconductor wafer

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070148792A1 (en) * 2005-12-27 2007-06-28 Marx David S Wafer measurement system and apparatus
CN102686973A (zh) * 2010-01-14 2012-09-19 普雷茨特激光技术有限公司 用于监视半导体晶片的薄化的原位测量晶片厚度的监视设备和方法、以及包括湿蚀刻设备和监视设备的薄化设备
CN102893121A (zh) * 2010-04-26 2013-01-23 纳米技术公司 用于检查结构化对象的光学设备和方法
CN101915547A (zh) * 2010-07-28 2010-12-15 深圳市斯尔顿科技有限公司 一种时域oct测量的方法和时域oct系统
CN102713504A (zh) * 2010-12-17 2012-10-03 松下电器产业株式会社 表面形状测定方法及表面形状测定装置
WO2014029703A1 (fr) * 2012-08-21 2014-02-27 Fogale Nanotech Dispositif et procede pour faire des mesures dimensionnelles sur des objets multi-couches tels que des wafers

Also Published As

Publication number Publication date
FR3026481B1 (fr) 2021-12-24
EP3198220B1 (fr) 2023-06-07
SG11201702440VA (en) 2017-04-27
EP3198220A1 (fr) 2017-08-02
WO2016046072A1 (fr) 2016-03-31
EP3198220C0 (fr) 2023-06-07
US9958261B2 (en) 2018-05-01
JP2017530358A (ja) 2017-10-12
FR3026481A1 (fr) 2016-04-01
KR20170059450A (ko) 2017-05-30
TW201614191A (en) 2016-04-16
US20170299376A1 (en) 2017-10-19
CN106796099A (zh) 2017-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106796099B (zh) 用于加工期间的晶片控制的表面轮廓测定的设备和方法
JP6273142B2 (ja) 構造物体を検査するための光学装置及び方法
US9798130B2 (en) Measuring topography of aspheric and other non-flat surfaces
US9714825B2 (en) Wafer shape thickness and trench measurement
EP1460374B1 (en) Method and apparatus for measuring the shape and thickness variation of polished opaque plates
US20180364028A1 (en) Device and method for measuring height in the presence of thin layers
KR102456213B1 (ko) 이미징 기반 오버레이 계측을 위한 포커스 최적화를 위한 시스템 및 방법
WO2006036711A2 (en) Feature isolation for frequency-shifting interferometry
US20110261347A1 (en) Method for interferometric detection of surfaces
JP2009509150A (ja) 干渉測定装置
US20090296099A1 (en) Interferometric Layer Thickness Determination
CN107894204B (zh) 干涉仪及其成像方法
Guo et al. A nanomeasuring machine based white light tilt scanning interferometer for large scale optical array structure measurement
Berger et al. Measurement errors of mirrorlike, tilted objects in white-light interferometry
Apostol et al. Nanometrology of microsystems: Interferometry
CN111868471B (zh) 用于检查包括非相似材料的对象的表面的方法和装置
KR20120016419A (ko) 3ｄ 검사기를 이용한 시료의 너비측정방법
Hall Rapid thickness and profile measurement of bonded multi-layer structures
TW202411152A (zh) 用於通過基板特徵化結構之方法和系統

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20180323

Address after: French Mongolia Maharashtra Aoution maltan

Applicant after: Unity Semiconductor Corp.

Address before: Nimes, France

Applicant before: FOGALE Nanotechnology Corporation

TA01 Transfer of patent application right
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant