CN106684570B - 可调谐全介质单向电磁波隐身器件 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种可调谐全介质单向电磁波隐身器件，包括：高介电常数的电介质颗粒阵列，高介电常数的电介质颗粒阵列包括多个长方体的几何尺寸相同的单位晶格，其中，多个单位晶格中每个晶格内设置有长方体的电介质颗粒；温度控制系统，用于控制隐身器件所处环境的环境温度，以改变电介质颗粒的介电常数，以隐身使器件的频率特性曲线发生移动。该隐身器件可以通过调节温度使器件的频率特性曲线发生移动，实现对不同频段的电磁波的隐身，提高器件的适用性，简单易实现。

Description

可调谐全介质单向电磁波隐身器件

技术领域

本发明涉及电磁波控制技术领域，特别涉及一种可调谐全介质单向电磁波隐身器件。

背景技术

隐身从古到今一直是人们所向往的目标。科学家在飞机表面上覆盖吸波材料，并通过对飞机外形、几何尺寸的设计，使雷达波照射到飞机上后被吸收，减少飞机对雷达波的反射，实现了隐形战机。但随着雷达技术的发展以及地空雷达的广泛运用，通过吸收入射波的隐身方式已逐渐显露其不足之处，已无法再实现“隐身”。

相关技术中，一种基于变换光学的非吸收的隐身方式逐渐兴起，其原理是利用超材料构造出具有自然界中不存在的电磁参数的材料，控制电磁波在隐身区域内的传播路径，并且在电磁波出射时对其幅值和相位进行修复，使出射波与该区域内没有物体时无异。

然而，基于变换光学的隐身器件需要非均匀及各向异性的复杂电磁参数，对超材料的制造技术提出了很高的要求。目前所实现的光学隐身器件一般采用近似的方法减小非均匀性，并将隐身器件的隐身范围从三维降至二维，以使参数得到简化。另外，目前的光学隐身器件一般都是小尺寸，利用超材料结构单元实现特定的电磁参数，其结构一旦确定，工作频段也随之确定，工作频率不可调。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。

为此，本发明的目的在于提出一种可调谐全介质单向电磁波隐身器件，该器件提高器件的适用性，简单易实现。

为达到上述目的，本发明实施例提出了一种可调谐全介质单向电磁波隐身器件，包括：高介电常数的电介质颗粒阵列，所述高介电常数的电介质颗粒阵列包括多个长方体的几何尺寸相同的单位晶格，其中，所述多个单位晶格中每个晶格内设置有长方体的电介质颗粒；温度控制系统，用于控制隐身器件所处环境的环境温度，以改变所述电介质颗粒的介电常数，以所述隐身使器件的频率特性曲线发生移动。

本发明实施例的可调谐全介质单向电磁波隐身器件，通过控制隐身器件所处环境的环境温度，从而改变所述电介质颗粒的介电常数，实现使得隐身使器件的频率特性曲线发生移动的目的，实现对不同频段的电磁波的隐身，提高器件的适用性，简单易实现。

另外，根据本发明上述实施例的可调谐全介质单向电磁波隐身器件还可以具有以下附加的技术特征：

进一步地，在本发明的一个实施例中，所述隐身器件通过所述电介质颗粒的谐振效应控制电磁波传播路径与相位，以对隐身区域内部的障碍物进行隐身。

进一步地，在本发明的一个实施例中，上述器件还包括：多个颗粒框架，所述多个颗粒框架中每个颗粒框架用于支撑所述电介质颗粒。

进一步地，在本发明的一个实施例中，所述多个颗粒框架的介电常数大于等于0.8且小于等于1.2，并且所述多个颗粒框架的磁导率为1。

进一步地，在本发明的一个实施例中，所述电介质颗粒为长方体颗粒，所述电介质颗粒的几何尺寸小于工作频率下电磁波波长的1/5。

进一步地，在本发明的一个实施例中，所述电介质颗粒的介电常数随温度变化而改变，并且所述介电常数的数值大于50。

进一步地，在本发明的一个实施例中，所述电介质颗粒的谐振频率和工作频率随所述电介质颗粒的几何尺寸的等比缩小或放大而等比放大或缩小。

进一步地，在本发明的一个实施例中，所述隐身器件的工作频率随所述环境温度变化而改变。

进一步地，在本发明的一个实施例中，所述隐身器件的工作频率反比于所述电介质颗粒和对应的单位晶格的几何尺寸。

可选地，在本发明的一个实施例中，所述隐身器件可以为菱形。

本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为根据本发明一个实施例的可调谐全介质单向电磁波隐身器件的结构示意图；

图2为根据本发明一个实施例的可调谐全介质单向电磁波隐身器件的效果示意图；

图3为根据本发明一个实施例的可调谐全介质单向电磁波隐身器件中一个由电介质颗粒和颗粒框架构成的单位晶格的示意图。

附图标记：

1-电介质颗粒、2-颗粒框架、3-隐身区域、4-隐身介质、5-温度控制系统、6-电磁波等相位面、7-平面波发射源。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

首先描述根据本发明实施例提出的可调谐全介质单向电磁波隐身器件。

具体地，该可调谐全介质单向电磁波隐身器件包括：高介电常数的电介质颗粒阵列和温度控制系统。

其中，高介电常数的电介质颗粒阵列包括多个长方体的几何尺寸相同的单位晶格，其中，多个单位晶格中每个晶格内设置有长方体的电介质颗粒。温度控制系统用于控制隐身器件所处环境的环境温度，以改变电介质颗粒的介电常数，以使隐身使器件的频率特性曲线发生移动。本发明实施例的隐身器件可以通过调节温度使器件的频率特性曲线发生移动，实现对不同频段的电磁波的隐身，提高器件的适用性，简单易实现。

可以理解的是，高介电常数的电介质颗粒阵列包括多个长方体的几何尺寸相同的单位晶格，每个晶格内部有一个长方体的电介质颗粒，而温度控制系统能够控制隐身器件所处的环境温度，使隐身器件能够稳定存在于不同的环境温度下，从而改变电介质颗粒的介电常数，以使器件的频率特性曲线发生移动。

其中，在本发明的一个实施例中，隐身器件通过电介质颗粒的谐振效应控制电磁波传播路径与相位，以对隐身区域内部的障碍物进行隐身。

进一步地，在本发明的一个实施例中，本发明实施例的隐身器件还包括：多个颗粒框架。其中，多个颗粒框架中每个颗粒框架用于支撑电介质颗粒。

需要说明的是，颗粒框架用于支撑所述电介质颗粒，即电介质颗粒填充于颗粒框架中或采用其他方式以保持电介质颗粒的周期性空间阵列结构。

进一步地，在本发明的一个实施例中，多个颗粒框架的介电常数大于等于0.8且小于等于1.2，并且多个颗粒框架的磁导率为1。

即言，颗粒框架材料的介电常数范围为0.8～1.2，磁导率为1。

进一步地，在本发明的一个实施例中，电介质颗粒为长方体颗粒，电介质颗粒的几何尺寸小于工作频率下电磁波波长的1/5。

进一步地，在本发明的一个实施例中，电介质颗粒的介电常数随温度变化而改变，并且介电常数的数值大于50。

进一步地，在本发明的一个实施例中，电介质颗粒的谐振频率和工作频率随电介质颗粒的几何尺寸的等比缩小或放大而等比放大或缩小。

也就是说，电介质颗粒的谐振频率和工作频率与电介质颗粒的尺寸成反比，电介质颗粒的谐振频率和工作频率随所述电介质颗粒尺寸的等比缩小或放大而等比放大或缩小。

进一步地，在本发明的一个实施例中，隐身器件的工作频率随环境温度变化而改变。

进一步地，在本发明的一个实施例中，隐身器件的工作频率反比于电介质颗粒和对应的单位晶格的几何尺寸。

可选地，在本发明的一个实施例中，隐身器件可以为菱形，不但工作频率可调，而且结构简单，易于控制，在此不作具体限制。

其次参照附图描述根据本发明实施例提出的可调谐全介质单向电磁波隐身器件。

其中，本发明实施例的可调谐全介质单向电磁波隐身器件为直四菱柱体结构。隐身器件由直四菱柱体的空心隐身区域3和位于隐身区域3外侧的隐形介质区域4组成。隐身介质由电介质颗粒1和颗粒框架2组成。隐身器件所处的环境温度置于温度控制系统5的调控下。

具体地，电介质颗粒1被填充在颗粒框架2中加以固定，整个隐身器件被置于环境温度可控的条件下，环境温度由温度控制系统5控制。温度控制系统5控制环境温度，从而改变电介质颗粒的介电常数，以使器件的频率特性曲线发生移动。另外，将电介质颗粒的尺寸和晶格常数等比放大或缩小，器件的频率特性曲线也随之发生移动，工作频率等比缩小或放大。

在本发明的实施例中，本发明实施例的隐身器件的目的在于利用电介质颗粒在交变电磁场中会产生电磁谐振，在谐振峰附近能实现一定范围内的介电常数和磁导率，来实现特定的各向异性的介电常数与磁导率，以满足对电磁波传播路径与相位的控制，从而实现对隐身区域内部障碍物的隐身。本发明实施例的隐身器件利用特定电介质材料的介电常数随其所处温度的变化而改变的特性，通过温度控制系统调节环境温度，改变电介质颗粒的电磁特性，使其频率特性曲线发生移动，从而实现对不同频段的电磁波的隐身。另外，在不改变温度的情况下，将电介质颗粒的尺寸和晶格常数等比放大或缩小，并将新设计的电介质颗粒和颗粒框架重新排布于隐身介质区域4中，重新得到的隐身器件工作频率相比原工作频率将等比缩小或放大，从而实现对不同频段的电磁波的隐身。

具体而言，如图1所示，本发明实施例的隐身器件外形为一大菱形，菱形的每条边与水平方向的夹角为β，内部隐身区域3为一小菱形，菱形的每条边与水平方向的夹角为α；由分布在四周的四部分相同或对称的三角形隐身介质4组成，每部分包括电介质颗粒1及相应的颗粒框架2，以右上部分为例，该部分的电介质颗粒1沿两个相互垂直的方向x轴与y轴方向排列，其中x轴与水平方向夹角为θ。为保证电介质颗粒1能够在空间中按照设计要求排布，使用颗粒框架2支撑电介质颗粒1，将电介质颗粒1填充入颗粒框架2中或采用其他方式保持电介质颗粒1的周期性空间阵列结构。颗粒框架2由电磁参数接近于空气的材料构成，其介电常数范围为0.8～1.2，磁导率为1，以减小对入射电磁波的干扰。

进一步地，在本发明的一个实施例中，电介质颗粒1为长方体颗粒，其几何尺寸小于工作频率下电磁波波长的1/5。

具体而言，如图3所示，电介质颗粒1的几何尺寸l_x，l_y和l_z以及阵列的晶格常数a要小于工作频率下电磁波波长的1/5。

进一步地，在本发明的一个实施例中，电介质颗粒1的介电常数随温度变化而改变，在正常工作范围内其介电常数值大于50。

进一步地，在本发明的一个实施例中，可调谐全介质单向电磁波隐身器件的工作频率随环境温度变化而改变。

也就是说，电介质颗粒1应选取某种高介电常数的材料，并且其介电常数随温度的变化而改变。当温度变化导致电介质颗粒1的介电常数发生改变时，其频率特性曲线将发生平移，即工作频率将发生改变，因而实现了频率可调谐功能。

进一步地，在本发明的一个实施例中，电介质颗粒1的谐振频率和工作频率与所述电介质颗粒的尺寸成反比，电介质颗粒1的谐振频率和工作频率随所述电介质颗粒尺寸的等比缩小或放大而等比放大或缩小。

进一步地，在本发明的一个实施例中，可调谐全介质单向电磁波隐身器件的工作频率反比于所述电介质颗粒1及其晶格的几何尺寸。

应理解，将电介质颗粒1的尺寸l_x，l_y和l_z以及晶格常数a等比放大或缩小，并将新设计的电介质颗粒和颗粒框架重新排布于隐身介质区域4中，重新得到的隐身器件工作频率相比原工作频率将等比缩小或放大，从而能够实现对不同频段的电磁波的隐身。

根据本发明实施例提出的可调谐全介质单向电磁波隐身器件通过电介质颗粒的谐振效应实现特定的各向异性的介电常数与磁导率，以满足对电磁波传播路径与相位的控制，从而实现对隐身区域内部障碍物的隐身，并且通过温度控制系统调节隐身器件所处的环境温度，从而改变电介质颗粒的介电常数，使其频率特性曲线发生移动，实现对于不同频段的平面单向入射电磁波的隐身，此外，电介质颗粒的谐振频率和工作频率与所述电介质颗粒的尺寸成反比，通过等比放大或缩小电介质颗粒的几何尺寸可以等比缩小或放大电介质颗粒的谐振频率和工作频率，从而实现对于不同频段的平面单向入射电磁波的隐身，结构简单，易于控制。

最后，为了本领域的技术人员容易理解，下面以一个具体实施例对本发明提出的可调谐全介质单向电磁波隐身器件进行详细赘述。

在本发明的一个具体实施例中，如图1所示，本发明实施例的电磁波隐身器件由电介质颗粒1阵列、固定电介质颗粒1的颗粒框架2以及温度控制系统5组成。电介质颗粒1在交变电磁场中会产生电磁谐振，在谐振峰附近能实现一定范围内的介电常数和磁导率，该隐身器件利用电介质颗粒1的谐振效应实现特定的各向异性的介电常数与磁导率，以满足对电磁波传播路径与相位的控制，从而实现对隐身区域内部障碍物的隐身；该隐身器件利用特定电介质颗粒1的介电常数随其环境温度的变化而改变的特性，通过温度控制系统5调节环境温度，改变电介质颗粒1的电磁特性，使其频率特性曲线发生移动，从而实现对不同频段的电磁波的隐身。

其中，本发明实施例的隐身器件的核心是利用电介质颗粒的电磁谐振特性来实现变换光学原理所要求的特定各向异性的介电常数和磁导率，从而通过电介质颗粒的阵列排布实现对电磁波传播路径与相位的控制，使电磁波在隐身介质内传播，绕过隐身区域，达到隐身的效果；其次是利用特定电介质颗粒的介电常数值随其环境温度的变化而变化的特性实现电磁波隐身器件工作频段的可调控性。

进一步地，根据变换光学原理，当确定菱形隐身器件内部与外部边界和水平方向的夹角α和β后，要求隐身介质具有特定的各向异性的介电常数和磁导率。以隐身器件右上部分的隐身介质区域为例，该区域内的隐身介质需要具有各向异性的电磁参数：x轴方向的磁导率μ_x、y轴方向的磁导率μ_y以及z轴方向的介电常数ε_z，其中x轴与水平方向夹角为θ，θ与α和β满足关系式：

由于电介质颗粒在x轴和y轴方向上的尺寸不一样，因而在这两个方向上会产生各向异性的Mie谐振，从而产生各向异性的磁导率，因此利用电介质颗粒的Mie谐振来分别实现x轴方向和y轴方向上的磁导率μ_x和μ_y，利用等效媒质理论计算电介质颗粒和颗粒框架的等效介电常数来实现z轴方向的介电常数ε_z。

电介质颗粒单位晶格的等效介电常数和磁导率是入射电磁波频率的函数，利用电介质颗粒的电磁谐振特性，调节电介质颗粒单位晶格不同方向上的几何参数(l_x，l_y，l_z和a)，使得在某一工作频段下，几个不同方向上的磁导率和介电常数同时达到变换光学理论所要求的值，此时介质中的电磁波将绕过隐身区域出射，从而实现对电磁波的隐身。由于在温度变化的环境下，电介质颗粒的本征介电常数会发生改变，从而导致电介质颗粒的等效电磁参数的频率特性曲线发生平移，因此，在隐身器件外部加入温度控制系统，利用温度改变电介质颗粒的本征介电常数，可以改变其对入射电磁波的频率响应特性，达到调谐其工作频率的目的。

图2为可调谐全介质单向电磁波隐身器件隐身效果示意图。用机加工的方法加工出所需尺寸的电介质颗粒1及相应的颗粒框架2，将电介质颗粒1放入颗粒框架2中的相应位置以形成空间阵列结构，并将其放置在温度控制系统5中，得到可调谐全介质单向电磁波隐身器件。实际工作中，将障碍物放在隐身区域3内部，对于平面波发射源7发射的在平面内沿水平方向从右侧入射的平面波，该隐身器件能控制出射波的等相位面仍为平面，且传播方向与入射波一致，即实现了对电磁波的隐身。

图3为可调谐全介质单向电磁波隐身器件中一个由电介质颗粒1和颗粒框架2构成的单位晶格。以隐身器件右上部分的隐身区域为例，该区域内有若干行/列平行于x轴或y轴的电介质颗粒单位晶格，每行/列的长度不同，依据设计及所处位置确定电介质颗粒阵列在x轴和y轴方向的周期个数。

举例而言，取α角为30度，β角为60度，则右上部分隐身介质需要具有各向异性的电磁参数如下：x轴方向与水平方向夹角θ为39.6度，x轴方向的磁导率μ_x为2.2154，y轴方向的磁导率μ_y为0.4514，z轴方向的磁导率ε_z为1.5000。

进一步地，取α角为45度，β角为60度，则右上部分隐身介质需要具有各向异性的电磁参数如下：x轴方向与水平方向夹角θ为47.6度，x轴方向的磁导率μ_x为4.9528，y轴方向的磁导率μ_y为0.2019，z轴方向的磁导率ε_z为2.3660。

进一步地，取α角为30度，β角为45度，则右上部分隐身介质需要具有各向异性的电磁参数如下：x轴方向与水平方向夹角θ为28.9度，x轴方向的磁导率μ_x为3.2717，y轴方向的磁导率μ_y为0.3507，z轴方向的磁导率ε_z为2.3660。

本发明实施例的隐身器件可以通过如下制备方法进行制备，包括以下步骤：

步骤S1，用机械加工的方式加工具有所需尺寸的电介质颗粒以及对应尺寸的颗粒框架。

步骤S2，将电介质颗粒放入颗粒框架中的相应位置固定，以形成所设计的空间阵列结构。

步骤S3，将拼装好的电介质颗粒和颗粒框架放入温度控制系统中，得到可调谐全介质单向电磁波隐身器件。

根据本发明实施例提出的可调谐全介质单向电磁波隐身器件，通过电介质颗粒在交变电磁场中会产生电磁谐振，在谐振峰附近能实现一定范围内的介电常数和磁导率，来实现特定的各向异性的介电常数与磁导率，以满足对电磁波传播路径与相位的控制，从而实现对隐身区域内部障碍物的隐身。本发明实施例的隐身器件利用特定电介质材料的介电常数随其所处温度的变化而改变的特性，通过温度控制系统调节环境温度，改变电介质颗粒的电磁特性，使其频率特性曲线发生移动，从而实现对不同频段的电磁波的隐身。另外，在不改变温度的情况下，将电介质颗粒的尺寸和晶格常数等比放大或缩小，并将新设计的电介质颗粒和颗粒框架重新排布于隐身介质区域中，重新得到的隐身器件工作频率相比原工作频率将等比缩小或放大，从而实现对不同频段的电磁波的隐身。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (10)

1.一种可调谐全介质单向电磁波隐身器件，其特征在于，所述隐身器件由直四菱柱体的空心隐身区域和位于隐身区域外侧的隐形介质区域组成，隐身介质由电介质颗粒和颗粒框架组成，所述位于隐身区域外侧的隐形介质区域由分布在四周的四部分相同或对称的三角形隐身介质组成，每部分隐身介质的电介质颗粒沿两个相互垂直的方向排列，并使用颗粒框架支撑电介质颗粒，将电介质颗粒填充入颗粒框架中保持电介质颗粒的周期性空间阵列结构，其中，所述隐身器件包括：

高介电常数的电介质颗粒阵列，所述高介电常数的电介质颗粒阵列包括多个几何尺寸相同的含有长方体电介质颗粒的单位晶格，单位晶格沿两个相互垂直的方向周期性排列，其中，所述多个单位晶格的几何结构为立方体，且每个晶格内设置有一个长方体的电介质颗粒及相应的颗粒框架，所述长方体的电介质颗粒在不同方向上的边长不同，在不同方向上激励产生不同的电磁谐振，以实现隐身器件所需的各向异性电磁参数；

温度控制系统，用于控制隐身器件所处环境的环境温度，以改变所述电介质颗粒的介电常数，以使所述隐身器件的频率特性曲线发生移动。

2.根据权利要求1所述的可调谐全介质单向电磁波隐身器件，其特征在于，所述隐身器件通过所述电介质颗粒的谐振效应控制电磁波传播路径与相位，以对隐身区域内部的障碍物进行隐身。

3.根据权利要求1所述的可调谐全介质单向电磁波隐身器件，其特征在于，还包括：

多个颗粒框架，所述多个颗粒框架中每个颗粒框架用于支撑所述电介质颗粒。

4.根据权利要求3所述的可调谐全介质单向电磁波隐身器件，其特征在于，所述多个颗粒框架的介电常数大于等于0.8且小于等于1.2，并且所述多个颗粒框架的磁导率为1。

5.根据权利要求1所述的可调谐全介质单向电磁波隐身器件，其特征在于，所述电介质颗粒为长方体颗粒，所述电介质颗粒的几何尺寸小于工作频率下电磁波波长的1/5。

6.根据权利要求5所述的可调谐全介质单向电磁波隐身器件，其特征在于，所述电介质颗粒的介电常数随温度变化而改变，并且所述介电常数的数值大于50。

7.根据权利要求5所述的可调谐全介质单向电磁波隐身器件，其特征在于，所述电介质颗粒的谐振频率和工作频率随所述电介质颗粒的几何尺寸的等比缩小或放大而等比放大或缩小。

8.根据权利要求1所述的可调谐全介质单向电磁波隐身器件，其特征在于，所述隐身器件的工作频率随所述环境温度变化而改变。

9.根据权利要求1所述的可调谐全介质单向电磁波隐身器件，其特征在于，所述隐身器件的工作频率反比于所述电介质颗粒和对应的单位晶格的几何尺寸。

10.根据权利要求1所述的可调谐全介质单向电磁波隐身器件，其特征在于，所述隐身器件为菱形。