CN106665106A - 一种甘草种植方法 - Google Patents

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    • A01AGRICULTURE; FORESTRY; ANIMAL HUSBANDRY; HUNTING; TRAPPING; FISHING
    • A01GHORTICULTURE; CULTIVATION OF VEGETABLES, FLOWERS, RICE, FRUIT, VINES, HOPS OR SEAWEED; FORESTRY; WATERING
    • A01G22/00Cultivation of specific crops or plants not otherwise provided for

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  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Botany (AREA)
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Abstract

本发明属于苗木种植技术领域,提供了一种甘草种植方法,包括步骤(1)整地;步骤(2)施肥;步骤(3)覆膜;步骤(4)播种,所述步骤(1)整地包括深松、碎土和成垄环节,在进行整地时,深松土壤,深松沟宽,沟上自然起垄;所述步骤(2)施肥时,进行垄上机械集中施肥;所述步骤(4)播种采用膜下精量点播技术,在播种前,甘草种子经稀盐酸搅拌浸泡,经稀盐酸搅拌浸泡,在甘草茎部长至4‑6cm时,掐去甘草顶端幼芽,破坏其顶端生长点,可使甘草纵向长势停止。本发明提高了甘草产量和品质,缩短了生长周期并降低了生产成本。

Description

一种甘草种植方法
技术领域
本发明属于苗木种植技术领域,具体地,一种甘草种植方法。
背景技术
甘草,(学名:Glycyrrhiza uralensis Fisch)别名:国老、甜草、乌拉尔甘草、甜根子。豆科、甘草属多年生草本,根与根状茎粗壮,是一种补益中草药。对人体很好的一种药,药用部位是根及根茎,药材性状根呈圆柱形,长25-100cm,直径0.6-3.5cm。外皮松紧不一,表面红棕色或灰棕色。根茎呈圆柱形,表面有芽痕,断面中部有髓。气微,味甜而特殊。功能主治清热解毒、祛痰止咳、脘腹等。喜阴暗潮湿,日照长气温低的干燥气候。甘草多生长在干旱、半干旱的荒漠草原、沙漠边缘和黄土丘陵地带。根和根状茎供药用。
甘草为常用大宗药材,药食兼用品种,年需要量约6万t左右,位列诸药前列。近年来,家种甘草的生产和销售量趋增,市场较野生品畅销。甘草国之药老,有“十方九草”之美誉,被大量用于临床配方,同时,甘草提取物被广泛地工业、化工等领域,并有大量的出口。甘草数量巨大,行情人为性不强,随着家种品的市场占有量增加,关注力明显在增加。
家种甘草9月上旬开始采挖,并延续11月底。野生品一般在春秋两季采挖,以秋冬季为主。有性繁殖的甘草一般生长3-4年后采收,育苗移栽一般生长2-3年后采收。采挖以秋季为好。甘草喜光照充足,雨量较少,夏季酷热,冬季严寒,昼夜温差大的生态条件,具有喜光、耐旱、耐热、耐盐碱和耐寒的特性。甘草的生产一般不受自然灾害的影响。
野生甘草数量受资源量的严重减少和生产能力、劳动成本等诸多因素的影响,产量明显下降,市场份额趋降。而近年以甘肃产区为主的家种甘草,在一定程度上弥补了野生资源的不足,由于家种生产存在不稳定性,也使得甘草的行情较以前变化更加频繁,变化的幅度会增大。甘草大批量经营的难度较大,甘草品种巨大,规格杂乱,野生品生产弹性大,分布广泛,且每年国外都有一定数量的进口。
目前甘草人工种植分布于我国西北、华北、和东北地区,其具有干旱、少雨、 光照强,昼夜温差大,冬季寒冷、夏季炎热等独特的地理环境气候条件。随着我国甘草需求量不断增长,通过人工采挖野生资源的方式难以满足社会需求发展,也造成对野生资源的破坏。目前种植甘草采用传统的人工种植或人工移栽,机械育苗,需三年采收,亩产在900-950kg。此种植方法劳动强度大,生长周期长,毛草比例大,成品率底,根颈不长,侧根侧颈多,根颈直径均匀度差,效益低。
申请号为201010114751.8的中国专利公开了“甘草种植方法”,包括整地、施肥、覆膜、播种,其特征在于 :所述整地包括深松、碎土和成垄,所述播种采用膜下精量点播技术。上述甘草种植方法存在育苗、移栽和生长周期长、产品质量差的问题。
发明内容
针对现有技术中的缺陷,本发明的目的是提供一种甘草种植方法,以克服育苗、移栽和生长周期长、产品质量差的问题。
根据本发明提供的一种甘草种植方法,包括:
步骤(1)整地;
步骤(2)施肥;
步骤(3)覆膜;
步骤(4)播种,
所述步骤(1)整地包括深松、碎土和成垄环节,在进行整地时,深松土壤,深松沟宽,沟上自然起垄;
所述步骤(2)施肥时,进行垄上机械集中施肥;
所述步骤(4)播种采用膜下精量点播技术,进行膜下精量点播时,采用一垄多行点播技术,播种深度3.0cm以下,种穴轻微覆土2.0cm以下,在播种前,甘草种子经稀盐酸搅拌浸泡,经稀盐酸搅拌浸泡,
在甘草茎部长至4-6cm时,掐去甘草顶端幼芽,破坏其顶端生长点,可使甘草纵向长势停止。
优选地,所述(1)整地包括深松、碎土和成垄环节,在进行整地时,深松土壤0.5-2.5m,深松沟宽20-60cm,沟上自然起垄。
优选地,所述(2)施肥时,进行垄上机械集中施肥,施肥深度10-16cm。
优选地,所述(4)播种采用膜下精量点播技术,进行膜下精量点播时,采用一垄双行点播或一垄四行点播技术,播种深度1.6-1.9cm,种穴轻微覆土1.4-1.8cm。
优选地,在播种前,甘草种子经稀盐酸搅拌浸泡,经稀盐酸搅拌浸泡 18-25min,浸泡温度为20-30℃。
优选地,所述步骤(2)所施用肥料为液态有机肥。
优选地,在甘草茎部长至4-6cm时,掐去甘草顶端幼芽后,在顶端进行表面消毒。
优选地,所述表面消毒步骤包括,(1)用消毒液将甘草顶端表面擦拭干净;(2)用蒸馏水清洗。
优选地,所述消毒液为酒精。
与现有技术相比,本发明具有如下的有益效果:
(1)本发明提供的一种甘草种植方法可有效改善甘草根部深层土壤结构,减少了甘草根颈生长阻力,控制了侧根侧颈水平发展空间,创造出良好的甘草根颈独立生长的条件。在这种土壤环境条件下生长出的甘草独颈无杈,毛草量少,从而提高了甘草产量和品质,缩短了生长周期并降低了了生产成本;
(2)本发明提供的种植方法在甘草茎部长至4-6cm时,掐去甘草顶端幼芽,破坏其顶端生长点,可使甘草纵向长势停止,长度保持不变,后期生长产生的营养成分聚集在原有植株内,从而生成药用价值极高的甘草。
具体实施方式
下面结合具体实施例,进一步阐述本发明。应理解,这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。
本发明提供的一种甘草种植方法,包括:
步骤(1)整地;
步骤(2)施肥;
步骤(3)覆膜;
步骤(4)播种,
所述步骤(1)整地包括深松、碎土和成垄环节,在进行整地时,深松土壤,深松沟宽,沟上自然起垄;
所述步骤(2)施肥时,进行垄上机械集中施肥;
所述步骤(4)播种采用膜下精量点播技术,进行膜下精量点播时,采用一垄多行点播技术,播种深度3.0cm以下,种穴轻微覆土2.0cm以下,在播种前,甘草种子经稀盐酸搅拌浸泡,经稀盐酸搅拌浸泡,
在甘草茎部长至4-6cm时,掐去甘草顶端幼芽,破坏其顶端生长点,可使甘草纵向长势停止。
所述(1)整地包括深松、碎土和成垄环节,在进行整地时,深松土壤0.5-2.5m,深松沟宽20-60cm,沟上自然起垄。
所述(2)施肥时,进行垄上机械集中施肥,施肥深度10-16cm。
所述(4)播种采用膜下精量点播技术,进行膜下精量点播时,采用一垄双行点播或一垄四行点播技术,播种深度1.6-1.9cm,种穴轻微覆土1.4-1.8cm。
在播种前,甘草种子经稀盐酸搅拌浸泡,经稀盐酸搅拌浸泡 18-25min,浸泡温度为20-30℃。
所述步骤(2)所施用肥料为液态有机肥。
在甘草茎部长至4-6cm时,掐去甘草顶端幼芽后,在顶端进行表面消毒。
所述表面消毒步骤包括,(1)用消毒液将甘草顶端表面擦拭干净;(2)用蒸馏水清洗。
所述消毒液为酒精。
与现有技术相比,本发明具有如下的有益效果:
(3)本发明提供的一种甘草种植方法可有效改善甘草根部深层土壤结构,减少了甘草根颈生长阻力,控制了侧根侧颈水平发展空间,创造出良好的甘草根颈独立生长的条件。在这种土壤环境条件下生长出的甘草独颈无杈,毛草量少,从而提高了甘草产量和品质,缩短了生长周期并降低了了生产成本;
(4)本发明提供的种植方法在甘草茎部长至4-6cm时,掐去甘草顶端幼芽,破坏其顶端生长点,可使甘草纵向长势停止,长度保持不变,后期生长产生的营养成分聚集在原有植株内,从而生成药用价值极高的甘草。
实施例1
本实施例提供的一种甘草种植方法,包括:
步骤(1)整地;
步骤(2)施肥;
步骤(3)覆膜;
步骤(4)播种,
所述步骤(1)整地包括深松、碎土和成垄环节,在进行整地时,深松土壤,深松沟宽,沟上自然起垄;
所述步骤(2)施肥时,进行垄上机械集中施肥;
在甘草茎部长至6cm时,掐去甘草顶端幼芽,破坏其顶端生长点,可使甘草纵向长势停止。
所述(1)整地包括深松、碎土和成垄环节,在进行整地时,深松土壤0.5m,深松沟宽60cm,沟上自然起垄。
所述(2)施肥时,进行垄上机械集中施肥,施肥深度10cm。
所述(4)播种采用膜下精量点播技术,进行膜下精量点播时,采用一垄双行点播或一垄四行点播技术,播种深度1.9cm,种穴轻微覆土1.4cm。
在播种前,甘草种子经稀盐酸搅拌浸泡,经稀盐酸搅拌浸泡 25min,浸泡温度为20℃。
所述步骤(2)所施用肥料为液态有机肥。
在甘草茎部长至6cm时,掐去甘草顶端幼芽后,在顶端进行表面消毒。
所述表面消毒步骤包括,(1)用消毒液将甘草顶端表面擦拭干净;(2)用蒸馏水清洗。
所述消毒液为酒精。
实施例2
本实施例提供的一种甘草种植方法,包括:
步骤(1)整地;
步骤(2)施肥;
步骤(3)覆膜;
步骤(4)播种,
所述步骤(1)整地包括深松、碎土和成垄环节,在进行整地时,深松土壤,深松沟宽,沟上自然起垄;
所述步骤(2)施肥时,进行垄上机械集中施肥;
在甘草茎部长至4cm时,掐去甘草顶端幼芽,破坏其顶端生长点,可使甘草纵向长势停止。
所述(1)整地包括深松、碎土和成垄环节,在进行整地时,深松土壤2.5m,深松沟宽20cm,沟上自然起垄。
所述(2)施肥时,进行垄上机械集中施肥,施肥深度16cm。
所述(4)播种采用膜下精量点播技术,进行膜下精量点播时,采用一垄双行点播或一垄四行点播技术,播种深度1.6cm,种穴轻微覆土1.8cm。
在播种前,甘草种子经稀盐酸搅拌浸泡,经稀盐酸搅拌浸泡 18min,浸泡温度为30℃。
所述步骤(2)所施用肥料为液态有机肥。
在甘草茎部长至4cm时,掐去甘草顶端幼芽后,在顶端进行表面消毒。
所述表面消毒步骤包括,(1)用消毒液将甘草顶端表面擦拭干净;(2)用蒸馏水清洗。
所述消毒液为酒精。
实施例3
本实施例提供的一种甘草种植方法,包括:
步骤(1)整地;
步骤(2)施肥;
步骤(3)覆膜;
步骤(4)播种,
所述步骤(1)整地包括深松、碎土和成垄环节,在进行整地时,深松土壤,深松沟宽,沟上自然起垄;
所述步骤(2)施肥时,进行垄上机械集中施肥;
在甘草茎部长至5cm时,掐去甘草顶端幼芽,破坏其顶端生长点,可使甘草纵向长势停止。
所述(1)整地包括深松、碎土和成垄环节,在进行整地时,深松土壤1.5m,深松沟宽40cm,沟上自然起垄。
所述(2)施肥时,进行垄上机械集中施肥,施肥深度14cm。
所述(4)播种采用膜下精量点播技术,进行膜下精量点播时,采用一垄双行点播或一垄四行点播技术,播种深度1.7cm,种穴轻微覆土1.6cm。
在播种前,甘草种子经稀盐酸搅拌浸泡,经稀盐酸搅拌浸泡 19min,浸泡温度为25℃。
所述步骤(2)所施用肥料为液态有机肥。
在甘草茎部长至5cm时,掐去甘草顶端幼芽后,在顶端进行表面消毒。
所述表面消毒步骤包括,(1)用消毒液将甘草顶端表面擦拭干净;(2)用蒸馏水清洗。
所述消毒液为酒精。
实施例4
本实施例提供的一种甘草种植方法,包括:
步骤(1)整地;
步骤(2)施肥;
步骤(3)覆膜;
步骤(4)播种,
所述步骤(1)整地包括深松、碎土和成垄环节,在进行整地时,深松土壤,深松沟宽,沟上自然起垄;
所述步骤(2)施肥时,进行垄上机械集中施肥;
在甘草茎部长至5cm时,掐去甘草顶端幼芽,破坏其顶端生长点,可使甘草纵向长势停止。
所述(1)整地包括深松、碎土和成垄环节,在进行整地时,深松土壤2.0m,深松沟宽50cm,沟上自然起垄。
所述(2)施肥时,进行垄上机械集中施肥,施肥深度13cm。
所述(4)播种采用膜下精量点播技术,进行膜下精量点播时,采用一垄双行点播或一垄四行点播技术,播种深度1.8cm,种穴轻微覆土1.6cm。
在播种前,甘草种子经稀盐酸搅拌浸泡,经稀盐酸搅拌浸泡 22min,浸泡温度为23℃。
所述步骤(2)所施用肥料为液态有机肥。
在甘草茎部长至6cm时,掐去甘草顶端幼芽后,在顶端进行表面消毒。
所述表面消毒步骤包括,(1)用消毒液将甘草顶端表面擦拭干净;(2)用蒸馏水清洗。
所述消毒液为酒精。
以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是,本发明并不局限于上述特定实施方式,本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改,这并不影响本发明的实质内容。

Claims (9)

1.一种甘草种植方法,包括:
步骤(1)整地;
步骤(2)施肥;
步骤(3)覆膜;
步骤(4)播种,
所述步骤(1)整地包括深松、碎土和成垄环节,在进行整地时,深松土壤,深松沟宽,沟上自然起垄;
所述步骤(2)施肥时,进行垄上机械集中施肥;
所述步骤(4)播种采用膜下精量点播技术,进行膜下精量点播时,采用一垄多行点播技术,播种深度3.0cm以下,种穴轻微覆土2.0cm以下,在播种前,甘草种子经稀盐酸搅拌浸泡,经稀盐酸搅拌浸泡,
其特征在于:在甘草茎部长至4-6cm时,掐去甘草顶端幼芽,破坏其顶端生长点,可使甘草纵向长势停止。
2.根据权利要求1所述的甘草种植方法,其特征在于:所述步骤(1)整地包括深松、碎土和成垄环节,在进行整地时,深松土壤0.5-2.5m,深松沟宽20-60cm,沟上自然起垄。
3.根据权利要求1所述的甘草种植方法,其特征在于:所述步骤(2)施肥时,进行垄上机械集中施肥,施肥深度10-16cm。
4.根据权利要求1所述的甘草种植方法,其特征在于:所述步骤(4)播种采用膜下精量点播技术,进行膜下精量点播时,采用一垄双行点播或一垄四行点播技术,播种深度1.6-1.9cm,种穴轻微覆土1.4-1.8cm。
5. 根据权利要求1所述的甘草种植方法,其特征在于:在播种前,甘草种子经稀盐酸搅拌浸泡,经稀盐酸搅拌浸泡 18-25min,浸泡温度为20-30℃。
6.根据权利要求1所述的甘草种植方法,其特征在于:所述步骤(2)所施用肥料为液态有机肥。
7.根据权利要求1所述的甘草种植方法,其特征在于:在甘草茎部长至4-6cm时,掐去甘草顶端幼芽后,在顶端进行表面消毒。
8.根据权利要求7所述的甘草种植方法,其特征在于:所述表面消毒步骤包括,(1)用消毒液将甘草顶端表面擦拭干净;(2)用蒸馏水清洗。
9.根据权利要求8所述的甘草种植方法,其特征在于:所述消毒液为酒精。
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