CN106601895A - 一种特殊光谱的发光二极管及其应用 - Google Patents

一种特殊光谱的发光二极管及其应用 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种特殊光谱的发光二极管及其应用，荧光粉组合物与封装胶混合，荧光粉组合物和封装胶的混合物中，荧光粉组合物和封装胶的混合物涂布于蓝色与紫色与红外 LED芯片上；蓝色与紫色与红外LED芯片为蓝色与紫色与红外发光二极管芯片，所述蓝色发光二极管芯片为两个,所述蓝色发光二极管芯片至少为两个以上，所述紫色发光二极管芯片为一个,所述紫色发光二极管芯片为一个以上所述红外发光二极管芯片为一个,所述红外发光二极管芯片为一个以上,所述荧光粉组合物包含至少两种不同波长的荧光粉，激发出的光谱为接近植物光合作用曲线与和生物生长曲线，可以调整特殊光谱发光二级管光源，来模拟自然光照射，激发出的光谱为接近植物光合作用曲线接近，使植物进行光合作用，可达到最佳的植物成长效果和生物生长最佳效果。

Description

一种特殊光谱的发光二极管及其应用
技术领域
本发明涉及光源调配技术领域，具体的说是一种特殊光谱的发光二极管及其应用。
背景技术
一种特殊光谱的发光二极管，为模拟自然光的光谱,里面有植物成长中所需的光谱，其特性经研究，证明在不同的光强度、光谱及光周期条件下，对植物的成长各有不同的需求及条件，而其中最重要的光合作用，对绿色植物影响至巨，光源对植物光合作用的效率作用，经美、日学者研究，其最适合光谱，植物成长光源越符合其最适合的光谱图，则对植物光合作用效益越大，另外正确的光谱也会加速生物生长,在生物生长光谱也需特别调制,目前特种光谱主要应用在LED照明领域，应用范围较窄，对于照生物生长及植物生长的照射领域并没有相关的技术。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明的目的是提供一种特殊光谱的发光二极管及其应用，其结构简单，使用方便，本发明可以调整特殊光谱发光二级管光源，来模拟自然光照射，使植物进行光合作用生长和生物生长，有非常好的实用价值。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种特殊光谱的发光二极管，其包括蓝色与紫光LED芯片与红外LED芯片、荧光粉组合物、封装胶，所述荧光粉组合物与封装胶混合，所述荧光粉组合物和封装胶的混合物中，荧光粉组合物重量百分比为0-40，所述封装胶重量百分比为60-100，所述荧光粉组合物和封装胶胶的混合物涂布于蓝色与紫色LED芯片上；所述蓝色LED芯片为蓝色发光二极管芯片，所述蓝色发光二极管芯片为两个,所述蓝色发光二极管芯片至少为两个以上，蓝色发光二极管芯片波长400-480nm,所述紫色发光二极管芯片为一个,所述紫色发光二极管芯片为一个以上，紫色发光二极管芯片波长320～400nm, 所述红外发光二极管芯片为一个,所述红外发光二极管芯片为一个以上，红外发光二极管芯片波长700～850nm；所述两个蓝色发光二极管芯片与一个紫色发光二极管芯片与一个红外发光二极管芯片采用头尾串接，头对头、脚对脚并接中的任意一种方式连接；所述荧光粉组合物包含至少两种不同颜色的荧光粉；所述荧光粉组合物中包含有两种波段所混合的红色荧光粉，红色荧光粉经激发后发射波长一种其波长为610-650nm，另外一种为650-700nm。
进一步，所述用于特殊光谱的发光二极管，其中，该荧光粉组成物包含两种波段所混合的红色荧光粉，经激发后发射波长一种其波长为610-650nm,另外一种为650-700nm，所述红色荧光粉重量为百分之百。
进一步，所述用于特殊光谱的发光二极管，其中，该荧光粉组成物包含绿色荧光粉，经激发后发射波长为510-540nm，及两种波段所混合的红色荧光粉，经激发后发射波长一种其波长为610-650nm,另外一种为650-700nm，所述绿色荧光粉重量百分比为0-40，所述红色荧光粉重量百分比为60-100。
进一步，所述用于特殊光谱的发光二极管，其中，荧光粉组成物为绿色荧光粉，经激发后发射波长为510-540nm，黄色荧光粉，经激发后发射波长为540-580nm，及两种波段所混合的红色荧光粉，经激发后发射波长一种其波长为610-650nm,另外一种为650-700nm，所述绿色荧光粉重量百分比为0-60，所述黄色荧光粉重量百分比为0-70，所述红色荧光粉重量百分比为0-40。
进一步，所述用于特殊光谱的发光二极管，其中，该荧光粉组合物为黄色荧光粉，经激发后发射波长为540-580nm，及两种波段所混合的红色荧光粉，经激发后发射波长一种其波长为610-650nm,另外一种为650-700nm，所述黄色荧光粉重量百分比为60-100，所述红色荧光粉重量百分比例为0-40。
一种特殊光谱的发光二极管的应用，所述全光谱的发光二极管可以用于但不限于植物成长照射、生物生长照射。
进一步，用于植物成长的发光二极管，其中，该荧光粉组成物为绿色荧光粉，经激发后发射波长为510-540nm，及两种波段所混合的红色荧光粉，经激发后发射波长一种其波长为610-650nm，另外一种为650-700nm；用于植物成长的发光二极管，该光谱的色度区块CIE坐标X值为0.33-0.5，Y值为0.17-0.37。
进一步，用于生物生长照射的发光二极管，其中，该荧光粉组成物为绿色荧光粉，经激发后发射波长为510-540nm，及两种波段所混合的红色荧光粉，经激发后发射波长一种其波长为610-650nm,另外一种为650-700nm；用于生物生长照射的发光二极管，其中，该光谱的色度区块CIE坐标X值为0.31-0.58，Y值为0.21-0.5。
本发明的有益效果是：
本发明激发出的特殊光谱为接近植物光合作用曲线与和生物生长曲线可以调整特殊光谱发光二级管光源，来模拟自然光照射，激发出的光谱为接近植物光合作用曲线接近，使植物进行光合作用，可达到最佳的植物成长效果和生物生长达到最佳效果。
【附图说明】
图1是本发明结构示意图。
附图标记说明：11-基座；12-蓝色LED芯片；13紫色LED芯片；
14红外LED芯片；17-绝缘层;15线路层;16-荧光粉组合物。
【具体实施方式】
下面结合具体实施例，进一步阐述本发明，应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落在申请所附权利要求书所限定的范围。
参见图1为本发明结构示意图，一种特殊光谱的发光二极管，其包括蓝色LED芯片、紫色LED芯片、红外LED芯片、荧光粉组合物、封装胶，所述荧光粉组合物与封装胶混合，所述荧光粉组合物和封装胶的混合物中，荧光粉组合物重量百分比为0-40，所述封装胶重量百分比为60-100，所述荧光粉组合物和封装胶的混合物涂布于蓝色与紫色与红外LED芯片上；所述蓝色LED芯片为蓝色发光二极管芯片，所述蓝色发光二极管芯片至少为两个，所述蓝色发光二极管芯片至少为两个以上，蓝色发光二极管芯片波长分别为400-480nm；所述紫色LED芯片为紫色发光二极管芯片，所述紫色发光二极管芯片至少为一个，所述紫色发光二极管芯片至少为一个以上，紫色发光二极管芯片波长分别为320-400nm所述红外发光二极管芯片为一个,所述红外发光二极管芯片为一个以上，红外发光二极管芯片波长700～850nm，;所述两个蓝色与一个紫色发光二极管芯片与一个红外发光二极管芯片采用头尾串接，头对头、脚对脚并接中的任意一种方式连接；所述荧光粉组合物包含至少两种不同颜色的荧光粉，；所述荧光粉组合物中包含有两种波段所混合的红色荧光粉，红色荧光粉经激发后发射波长一种其波长为610-650nm，另外一种为650-700nm。
具体实施例一：
进一步，所述用于特殊光谱的发光二极管，其中，该荧光粉组成物包含两种波段所混合的红色荧光粉，经激发后发射波长一种其波长为610-650nm,另外一种为650-700nm，，所述红色荧光粉重量为百分之百。
具体实施例二：
进一步，所述用于特殊光谱的发光二极管，其中，该荧光粉组成物包含绿色荧光粉，经激发后发射波长为510-540nm，及两种波段所混合的红色荧光粉，经激发后发射波长一种其波长为610-650nm,另外一种为650-700nm，所述绿色荧光粉重量百分比为0-40，所述红色荧光粉重量百分比为60-100。
具体实施例三：
所述用于特殊光谱的发光二极管，其中，荧光粉组成物为绿色荧光粉，经激发后发射波长为510-540nm，黄色荧光粉，经激发后发射波长为540-580nm，及两种波段所混合的红色荧光粉，经激发后发射波长一种其波长为610-650nm,另外一种为650-700nm，所述绿色荧光粉重量百分比为0-60，所述黄色荧光粉重量百分比为0-70，所述红色荧光粉重量百分比为0-40。
具体实施例四：
所述用于特殊光谱的发光二极管，其中，该荧光粉组合物为黄色荧光粉，经激发后发射波长为540-580nm，及两种波段所混合的红色荧光粉，经激发后发射波长一种其波长为610-650nm,另外一种为650-700nm，所述黄色荧光粉重量百分比为60-100，所述红色荧光粉重量百分比例为0-40。
一种特殊光谱的发光二极管的应用，所述特殊光谱的发光二极管可以用于但不限于植物成长照射、生物生长照射。
具体实施例五：
用于植物成长的发光二极管，其中，该荧光粉组成物为绿色荧光粉，经激发后发射波长为510-550nm，及两种波段所混合的红色荧光粉，经激发后发射波长一种其波长为610-650nm，另外一种为650-700nm；用于植物成长的发光二极管，该光谱的色度区块CIE坐标X值为0.33-0.5，Y值为0.17-0.37。
具体实施例六：
用于生物生长照射的发光二极管，其中，该荧光粉组成物为绿色荧光粉，经激发后发射波长为50-540nm，及两种波段所混合的红色荧光粉，经激发后发射波长一种其波长为610-650nm,另外一种为650-700nm；用于生物生长的发光二极管，其中，该光谱的色度区块CIE坐标0.31-0.58，Y值为0.21-0.5。

Claims (10)

1.一种特殊光谱的发光二极管，其特征在于：其包括蓝色与紫色与红外LED芯片、荧光粉组合物、封装胶，所述荧光粉组合物与封装胶混合，所述荧光粉组合物和封装胶的混合物中，荧光粉组合物重量百分比为0-40，所述封装胶重量百分比为60-100，所述荧光粉组合物和封装胶的混合物涂布于蓝色与紫色与红外 LED芯片上；所述蓝色与紫色与红外LED芯片为蓝色与紫色与红外发光二极管芯片，所述蓝色发光二极管芯片为两个,所述蓝色发光二极管芯片至少为两个以上，蓝色发光二极管芯片波长400-480nm,所述紫色发光二极管芯片为一个,所述紫色发光二极管芯片为一个以上，紫色发光二极管芯片波长320～400nm，所述红外发光二极管芯片为一个,所述红外发光二极管芯片为一个以上，红外发光二极管芯片波长700～850nm；所述两个蓝色发光二极管芯片与一个紫光发光二极管芯片与一个红外发光二极管芯片采用头尾串接，头对头、脚对脚并接中的任意一种方式连接,其功能性为可实现低功率至高功率不同需求运用,；所述荧光粉组合物包含至少两种不同波长的荧光粉；所述荧光粉组合物中包含有两种波段所混合的红色荧光粉，红色荧光粉经激发后发射波长一种其波长为610-650nm，另外一种为650-700nm。
2.根据权利要求1一种特殊光谱的发光二极管，其特征在于：所述用于特种光谱的发光二极管，其中封装胶可以是硅胶,也可以是环氧塑酯。
3.根据权利要求1一种特殊光谱的发光二极管，其特征在于：所述用于特殊光谱的发光二极管，其中，两种波段所混合的红色荧光粉，经激发后发射波长一种其波长为610-650nm,另外一种为650-700nm，所述红色荧光粉重量为百分之百。
4.根据权利要求1一种特殊光谱的发光二极管，其特征在于：所述用于特殊光谱的发光二极管，其中，该荧光粉组成物包含绿色荧光粉，经激发后发射波长为510-540nm，及两种波段所混合的红色荧光粉，经激发后发射波长一种其波长为610-650nm,另外一种为650-700nm，所述绿色荧光粉重量百分比为0-40，所述红色荧光粉重量百分比为60-100。
5.根据权利要求1一种特种殊光谱的发光二极管，其特征在于：所述用于特种殊光谱的发光二极管，其中，荧光粉组成物为绿色荧光粉，经激发后发射波长为510-540nm，黄色荧光粉，经激发后发射波长为540-580nm，及两种波段所混合的红色荧光粉，经激发后发射波长一种其波长为610-650nm,另外一种为650-700nm，所述绿色荧光粉重量百分比为0-60，所述黄色荧光粉重量百分比为0-70，所述红色荧光粉重量百分比为0-40。
6.根据权利要求1一种特殊光谱的发光二极管，其特征在于：所述用于特殊光谱的发光二极管，其中，该荧光粉组合物为黄色荧光粉，经激发后发射波长为540-580nm，及两种波段所混合的红色荧光粉，经激发后发射波长一种其波长为610-650nm,另外一种为650-700nm，所述黄色荧光粉重量百分比为60-100，所述红色荧光粉重量百分比例为0-40。
7.根据权利要求1一种特殊光谱的发光二极管的应用，其特征在于：所述特殊光谱发光二极管用于但不限于植物成长照射、生物生长照射。
8.根据权利要求3一种特殊光谱的发光二极管的应用，其特征在于：用于植物成长的发光二极管，其中，该荧光粉组成物为两种波段所混合的红色荧光粉，经激发后发射波长一种其波长为610-650nm，另外一种为650-700nm；用于植物成长的发光二极管，该光谱的色度区块CIE坐标X值为0.35-0.5，Y值为0.15-0.3。
9.根据权利要求4一种特殊光谱的发光二极管的应用，其特征在于：用于植物成长的发光二极管，其中，该荧光粉组成物为绿色荧光粉，经激发后发射波长为510-540nm，及两种波段所混合的红色荧光粉，经激发后发射波长一种其波长为610-650nm，另外一种为650-700nm；用于植物成长的发光二极管，该光谱的色度区块CIE坐标X值为0.3-0.5，Y值为0.17-0.37。
10.根据权利要求4一种特殊光谱的发光二极管的应用，其特征在于：用于生物生长照射的发光二极管，其中，该荧光粉组成物为绿色荧光粉，经激发后发射波长为510-540nm，及两种波段所混合的红色荧光粉，经激发后发射波长一种其波长为610-650nm,另外一种为650-700nm；用于生物生长照射的发光二极管，其中，该光谱的色度区块CIE坐标X值为0.31-0.58，Y值为0.21-0.5。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN108269794A (zh) * 2018-01-05 2018-07-10 福建天电光电有限公司 一种集成式植物生长光源封装结构及其制作工艺
CN110970541A (zh) * 2018-09-29 2020-04-07 有研稀土新材料股份有限公司 一种半导体光源及其制备的光学装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108269794A (zh) * 2018-01-05 2018-07-10 福建天电光电有限公司 一种集成式植物生长光源封装结构及其制作工艺
CN110970541A (zh) * 2018-09-29 2020-04-07 有研稀土新材料股份有限公司 一种半导体光源及其制备的光学装置
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