CN106595896A - 一种碳陶瓷温度传感器温度监测控制装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种碳陶瓷温度传感器温度监测控制装置，包括：1)高温超导磁体系统，所述高温超导磁体系统包括：高温超导带材和传导冷却超导磁体骨架；所述高温超导带材绕制在所述传导冷却超导磁体骨架上；2)传导冷却制冷系统，所述传导冷却制冷系统包括：制冷机冷头、铜导冷连接盘和铜导冷骨架；所述制冷机冷头与所述铜导冷连接盘连接；所述铜导冷骨架的一端与所述铜导冷连接盘连接，所述铜导冷骨架用于对所述高温超导磁体系统进行传导冷却。本发明可以快速、直接、精确的对在高电压、强磁场、传导冷却条件下的高温超导磁体内部的高温超导带材上的温度进行监测，并确保不会因为温度传感器的安装而引入外部热量。

Description

一种碳陶瓷温度传感器温度监测控制装置

技术领域

本发明涉及一种监测装置，具体是一种碳陶瓷温度传感器温度监测控制装置。

背景技术

1911年，荷兰物理学家卡麦林·昂尼斯发现了超导体。超导体具有零电阻、完全抗磁性和量子隧道效应等奇特的物理特性，超导体自从其被发现一来，超导电性及其应用一直是当代科学技术中最活跃的前沿研究领域之一，在能源、信息、交通、科学仪器、医疗技术、国防以及重大科学工程等方面均具有重要的应用价值。超导电性是1911年由荷兰物理学家Onnes首先在汞中发现的。它指超导体在温度下降到某一值时，电阻突然消失的现象。这个特征温度被定义为临界转变温度Tc。自从那时起，物理学家和材料科学家们在超导电性的实验和理论研究方面进行了不懈的努力。超导体具有三种基本特性：零电阻、抗磁性和宏观量子特性。1986年以前，人们发现的Tc最高的超导体是Nb3Ge，23.2K。1986年4月Bednorz和Muller发现了LaBaCuO超导体，其Tc超过30K，随后发现了Tc高于90K的YBCO超导体，从而揭开了超导电性研究的新纪元。超导材料是超导技术得以广泛应用的基础，超导材料主要分为低温超导材料(以NbTi和Nb3Sn为代表)和高温超导材料(以YBCO、BSCCO、TBCCO等为代表)。几十年来的努力使超导材料研究和实用化都取得了很大进展。传统的低温超导材料，特别是以NbTi合金和Nb3Sn合金为主的低温超导材料，由于其具有优良的机械加工性能及超导电性，从上实际80年代开始一直处于超导市场的主导地位。一些科研工程项目，如加速器、热核聚变堆以及质子对撞机等都需要大量的NbTi和Nb3Sn超导材料；目前，医学核磁共振成像的磁体大都用的是低温超导材料。但是，由于低温超导材料只能工作在4.2K的液氦温区，低温环境成为超导技术大规模应用的瓶颈。以YBCO、BSCCO、TBCCO等为代表的高温超导材料可以工作在液氮温区(77K)、甚至液化天然气温区(113K)，由于氮气资源的极其丰富以及77K的液氮温区比液氦温度高出73度，带来制冷成本的大大降低，使得超导技术的大规模工业化应用成为可能。目前以BSCCO高温超导带材为代表的第一代高温超导带材已经进入产业化阶段，并开始用于实用化超导设备及装置研发。以YBCO涂层导体为代表的第二代高温超导带材，由于其在高场下载流能力大大优于第一代BSCCO高温超导带材，在近年来成为超导材料领域的研究热点，美国和日本相继开展了大规模研究计划，投入了大量的人力物力，同时也取得了很好的研究成果。超导电力技术是利用超导体的无阻高密度载流能力及超导体的超导态-正常态相变的物理特性发展起来的应用技术。近二十年来，采用超导电力技术，已在超导输电，限流器，变压器，储能，电机等超导电力装置的研制与示范应用方面取得了良好的成绩。利用超导电力技术，不仅可以明显改善电能的质量，提高电力系统运行的稳定性和可靠性，降低电压等级，提高电网的安全性，使超大规模电网的实现成为可能，而且还可以大大提高单机容量和电网的输送容量，并大大降低电网的损耗。不仅如此，通过超导储能还可以大大改善可再生能源的电能质量，并使其与大电网有效地联结。近年来，我国也在超导电力技术方面取得了重大进展，在高温超导限流器方面，先后研制出10.5kV/1.5kA三相改进桥路型、35kV/90MVA饱和铁芯型和220kV/800A饱和铁芯型高温超导限流器样机，并挂网试验运行；在高温超导变压器方面，先后研制成功了我国首台630kVA、10.5kV/400V三相变压器和300kVA、25kV/860V单相变压器样机；以及在高温超导储能方面，先后研制出100kJ/25kV、500kJ/150kVA和35kJ/7kW的高温超导储能样机等等。而以上这些高温超导电力装置的核心部件，就是高温超导磁体系统。随着高温超导技术的不断发展，以及第二代高温超导带材制备技术的突破，基于第二代高温超导带材所研发的高温超导磁体系统正在进入实用化的新阶段，并具有广泛的应用前景。而第二代高温超导带材所绕制的高温超导磁体局部过热是可能导致高温超导磁体失超或者烧毁的关键因素，从而有侧重的对高温超导磁体内部的温度薄弱点进行监控，对于基于第二代高温超导带材所研制的高温超导磁体来说非常重要。然而，高温超导磁体的主要构成部分高温超导带材一般都处于高电压、强磁场的环境下，对于温度监测比较困难。尤其对于传导冷却条件下的高温超导磁体，不但需要对其进行局部是否过热的温度监控，而且监控系统的本身要保证不能随便引入外部热量，而加剧潜在的过热点的危险性，因为针对第二代高温超导带材，带材本身超导层非常薄，单位长度超导带材体积小，从而热容小，失超时温度上升快，一旦温度过热，非常容易烧断，从而导致整个磁体系统的失超并烧毁。

发明内容

本发明的目的在于提供一种碳陶瓷温度传感器温度监测控制装置，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种碳陶瓷温度传感器温度监测控制装置，包括：1)高温超导磁体系统，所述高温超导磁体系统包括：高温超导带材和传导冷却超导磁体骨架；所述高温超导带材绕制在所述传导冷却超导磁体骨架上；2)传导冷却制冷系统，所述传导冷却制冷系统包括：制冷机冷头、铜导冷连接盘和铜导冷骨架；所述制冷机冷头与所述铜导冷连接盘连接；所述铜导冷骨架的一端与所述铜导冷连接盘连接，所述铜导冷骨架用于对所述高温超导磁体系统进行传导冷却；3)低温杜瓦系统，所述低温杜瓦系统包括低温杜瓦和低温杜瓦盖板；所述的高温超导磁体系统、制冷机冷头、铜导冷连接盘和铜导冷骨架置于所述的低温杜瓦内；所述的低温杜瓦盖板覆盖在所述低温杜瓦的开口上，形成真空密封结构；4)温度测试装置，所述温度测试装置包括：安装在所述高温超导带材的表面的渗碳陶瓷温度传感器，在所述高温超导带材绕制完毕并且所述渗碳陶瓷温度传感器安装后，用环氧固化剂对所述传导冷却超导磁体骨架、所述高温超导带材和所述渗碳陶瓷温度传感器进行浸渍固化；测量用锰铜线，所述测量用锰铜线的一端与所述渗碳陶瓷温度传感器的引出线通过焊接而彼此连接；导热绝缘层，所述导热绝缘层被包覆在所述铜导冷骨架的外周上，所述测量用锰铜线的中间部分被大致螺旋形状地缠绕在所述导热绝缘层上；温度变送器，所述测量用锰铜线的另一端和所述温度变送器电连接；第一光纤转换器，所述第一光纤转换器通过信号线与所述温度变送器电连接，所述第一光纤转换器用于将电信号转化成光信号；光纤，所述光纤的一端与所述第一光纤转换器光连接，所述光纤用于进行光信号的传输；第二光纤转换器，所述光纤(的另一端与所述第二光纤转换器光连接，所述第二光纤转换器用于将光信号再转化为电信号；计算机，所述计算机通过信号线与所述第二光纤转换器电连接，用于对由所述第二光纤转换器转化过来的电信号进行采集、显示、分析和处理；压接铜片，所述压接铜片的中间部分将所述渗碳陶瓷温度传感器直接压靠在所述高温超导带材的表面，所述压接铜片的两端通过焊接直接固定在所述高温超导带材的表面，用以将所述渗碳陶瓷温度传感器紧固在所述高温超导带材的表面；低温高真空脂，所述低温高真空脂填充在所述压接铜片与所述渗碳陶瓷温度传感器和所述高温超导带材之间的缝隙中，用于辅助固定所述渗碳陶瓷温度传感器；所述温度测试装置还包括整流桥Q、负载RL、二极管D1、三极管VT1、单向可控硅VS、芯片U1和热敏电阻VR1，其特征在于，所述负载RL一端分别连接二极管D1正极和220V交流电一端，二极管D1负极连接电阻R1，电阻R1另一端分别连接三极管VT1集电极、芯片U1引脚4、芯片U1引脚8、电位器RP1、二极管D4负极和电容C3，所述负载RL另一端分别连接电容C1和整流桥Q引脚1，电容C1另一端连接电阻R2，电阻R2另一端分别连接整流桥Q引脚3和220V交流电另一端，整流桥Q引脚4分别连接单向可控硅VS的K极、三极管VT2发射极、电阻R5、电容C2、芯片U1引脚1、热敏电阻VR2、二极管D4正极和电容C3另一端，所述整流桥Q引脚2分别连接单向可控硅VS的A极、二极管D3负极和电阻R3，单向可控硅VS的G极连接二极管D2负极，二极管D2正极连接三极管VT1发射极，三极管VT1基极分别连接二极管D3正极、三极管VT2集电极和电阻R4，三极管VT2基极分别连接电阻R3另一端和电阻R5另一端，所述电阻R4另一端连接芯片U1引脚3，芯片U1引脚5连接电容C2另一端，芯片U1引脚6分别连接待完全RP1滑片、电位器RP1另一端和热敏电阻VR1，芯片U1引脚2分别连接热敏电阻VR1另一端和热敏电阻VR2另一端。

作为本发明进一步的方案：所述导热绝缘层由环氧树脂掺杂氮化铝粉末的混合物制作。

作为本发明进一步的方案：所述低温杜瓦盖板中密封安装有真空过渡插头，所述测量用锰铜线与所述真空过渡插头密封固定，并通过所述真空过渡插头和所述温度变送器电连接。

作为本发明进一步的方案：所述芯片U1型号为NE555。

作为本发明再进一步的方案：所述二极管D4为稳压二极管。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明适用于高电压、强磁场、低温传导冷却条件下的高温超导磁体的温度测试。本发明可以快速、直接、精确的对在高电压、强磁场、传导冷却条件下的高温超导磁体内部的高温超导带材上的温度进行监测，并确保不会因为温度传感器的安装而引入外部热量。

附图说明

图1为碳陶瓷温度传感器温度监测控制装置的结构示意图。

图2为碳陶瓷温度传感器温度监测控制装置中温度传感器的安装情况的正视图。

图3为碳陶瓷温度传感器温度监测控制装置中的温度传感器的安装情况的侧视图。

图4为碳陶瓷温度传感器温度监测控制装置中温度测试装置的电路图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。

请参阅图1～4，本发明实施例中，一种碳陶瓷温度传感器温度监测控制装置，包括：1)高温超导磁体系统6，所述高温超导磁体系统6包括：高温超导带材1和传导冷却超导磁体骨架2；所述高温超导带材1绕制在所述传导冷却超导磁体骨架2上；2传导冷却制冷系统，所述传导冷却制冷系统包括：制冷机冷头10、铜导冷连接盘9和铜导冷骨架8；所述制冷机冷头10与所述铜导冷连接盘9连接；所述铜导冷骨架8的一端与所述铜导冷连接盘9连接，所述铜导冷骨架8用于对所述高温超导磁体系统6进行传导冷却；3低温杜瓦系统，所述低温杜瓦系统包括低温杜瓦13和低温杜瓦盖板12；所述的高温超导磁体系统6、制冷机冷头10、铜导冷连接盘9和铜导冷骨架8置于所述的低温杜瓦13内；所述的低温杜瓦盖板12覆盖在所述低温杜瓦13的开口上，形成真空密封结构；4温度测试装置，所述温度测试装置包括：安装在所述高温超导带材1的表面的渗碳陶瓷温度传感器4，在所述高温超导带材1绕制完毕并且所述渗碳陶瓷温度传感器4安装后，用环氧固化剂3对所述传导冷却超导磁体骨架2、所述高温超导带材1和所述渗碳陶瓷温度传感器4进行浸渍固化；测量用锰铜线5，所述测量用锰铜线5的一端与所述渗碳陶瓷温度传感器4的引出线通过焊接而彼此连接；导热绝缘层7，所述导热绝缘层7被包覆在所述铜导冷骨架8的外周上，所述测量用锰铜线5的中间部分被大致螺旋形状地缠绕在所述导热绝缘层7上；温度变送器14，所述测量用锰铜线5的另一端和所述温度变送器14电连接；第一光纤转换器15，所述第一光纤转换器15通过信号线与所述温度变送器14电连接，所述第一光纤转换器15用于将电信号转化成光信号；光纤16，所述光纤16的一端与所述第一光纤转换器15光连接，所述光纤16用于进行光信号的传输；第二光纤转换器17，所述光纤16的另一端与所述第二光纤转换器17光连接，所述第二光纤转换器17用于将光信号再转化为电信号；计算机18，所述计算机18通过信号线与所述第二光纤转换器17电连接，用于对由所述第二光纤转换器17转化过来的电信号进行采集、显示、分析和处理；压接铜片19，所述压接铜片19的中间部分将所述渗碳陶瓷温度传感器4直接压靠在所述高温超导带材1的表面，所述压接铜片19的两端通过焊接直接固定在所述高温超导带材1的表面，用以将所述渗碳陶瓷温度传感器4紧固在所述高温超导带材1的表面；低温高真空脂20，所述低温高真空脂20填充在所述压接铜片19与所述渗碳陶瓷温度传感器4和所述高温超导带材1之间的缝隙中，用于辅助固定所述渗碳陶瓷温度传感器4；所述温度测试装置还包括整流桥Q、负载RL、二极管D1、三极管VT1、单向可控硅VS、芯片U1和热敏电阻VR1，其特征在于，所述负载RL一端分别连接二极管D1正极和220V交流电一端，二极管D1负极连接电阻R1，电阻R1另一端分别连接三极管VT1集电极、芯片U1引脚4、芯片U1引脚8、电位器RP1、二极管D4负极和电容C3，所述负载RL另一端分别连接电容C1和整流桥Q引脚1，电容C1另一端连接电阻R2，电阻R2另一端分别连接整流桥Q引脚3和220V交流电另一端，整流桥Q引脚4分别连接单向可控硅VS的K极、三极管VT2发射极、电阻R5、电容C2、芯片U1引脚1、热敏电阻VR2、二极管D4正极和电容C3另一端，所述整流桥Q引脚2分别连接单向可控硅VS的A极、二极管D3负极和电阻R3，单向可控硅VS的G极连接二极管D2负极，二极管D2正极连接三极管VT1发射极，三极管VT1基极分别连接二极管D3正极、三极管VT2集电极和电阻R4，三极管VT2基极分别连接电阻R3另一端和电阻R5另一端，所述电阻R4另一端连接芯片U1引脚3，芯片U1引脚5连接电容C2另一端，芯片U1引脚6分别连接待完全RP1滑片、电位器RP1另一端和热敏电阻VR1，芯片U1引脚2分别连接热敏电阻VR1另一端和热敏电阻VR2另一端。所述导热绝缘层7由环氧树脂掺杂氮化铝粉末的混合物制作。所述低温杜瓦盖板12中密封安装有真空过渡插头11，所述测量用锰铜线5与所述真空过渡插头11密封固定，并通过所述真空过渡插头11和所述温度变送器14电连接。所述芯片U1型号为NE555。所述二极管D4为稳压二极管。

1)高温超导磁体系统6，所述高温超导磁体系统6包括：高温超导带材1和传导冷却超导磁体骨架2。高温超导带材1的温度是本发明在线温度监测系统的测试对象。所述高温超导带材1绕制在所述传导冷却超导磁体骨架2上，如图1、图2所示。2)传导冷却制冷系统，所述传导冷却制冷系统包括：制冷机冷头10、铜导冷连接盘9和铜导冷骨架8。所述制冷机冷头10与所述铜导冷连接盘9连接。所述铜导冷骨架8的一端与所述铜导冷连接盘9连接，所述铜导冷骨架8用于对所述高温超导磁体系统6进行传导冷却；3)低温杜瓦系统，如图1所示，所述低温杜瓦系统包括：低温杜瓦13和低温杜瓦盖板12。所述的高温超导磁体系统6、所述制冷机冷头10、所述铜导冷连接盘9和所述铜导冷骨架8置于所述低温杜瓦13内。所述低温杜瓦盖板12覆盖在所述低温杜瓦13的开口上，形成真空密封结构，用于保持高温超导磁体所需冷量；4)温度测试装置。所述的温度测试装置包括：安装在所述高温超导带材1的表面的渗碳陶瓷温度传感器4，在所述高温超导带材1绕制完毕并且安装所述渗碳陶瓷温度传感器4后，用环氧固化剂3对所述传导冷却超导磁体骨架2、所述高温超导带材1和所述渗碳陶瓷温度传感器4进行浸渍固化，从而形成一个整体。图1是所述碳陶瓷温度传感器4的安装示意图，具体安装方式如图2和图3所示。测量用锰铜线5，如图1和图2所示，所述测量用锰铜线5的一端与所述渗碳陶瓷温度传感器4的引出线通过焊接而彼此连接，所述测量用锰铜线5为4根，即用四引线法与所述渗碳陶瓷温度传感器4连接，并可以选用非双绞结构或双绞结构，建议选用双绞结构来降低信号的干扰。导热绝缘层7，如图1所示，所述导热绝缘层7被包覆在所述铜导冷骨架8的外周上，所述测量用锰铜线5的中间部分被缠绕在所述导热绝缘层7上。所述导热绝缘层7是导热性能非常好的绝缘层，所述测量用锰铜线5的中间部分以大致螺旋形状缠绕在所述导热绝缘层7上；温度变送器14，所述测量用锰铜线5的另一端和所述温度变送器14电连接。在实际使用中所述温度变送器14由电池供电或者用隔离电源供电，并可以用加屏蔽室的方法，以保证强磁场条件下测试数据的精确性；第一光纤转换器15，所述第一光纤转换器15通过信号线与所述温度变送器14电连接。所述第一光纤转换器15用于将电信号转化成光信号。在实际使用中所述第一光纤转化器15由电池供电或者用隔离电源供电，并可以用加屏蔽室的方法，以保证强磁场条件下测试数据的精确性；光纤16，所述光纤16的一端与所述第一光纤转换器15光连接，所述光纤16用于进行光信号的传输；第二光纤转换器17，所述光纤16的另一端与所述第二光纤转换器17光连接。所述第二光纤转换器17用于将光信号再转化为电信号。第一光纤转换器15、光纤16、第二光纤转换器17实现了光信号的传递，通过光信号的传递则起到了高电压隔离的作用，并且由于光纤传输距离能达几十公里，则通过光纤传输可以将第二光纤转换器17及下游设备放置于远离被测信号的地方；计算机18，所述计算机18通过信号线与所述第二光纤转换器17电连接，用于对由所述第二光纤转换器17转化过来的电信号进行采集、显示、分析和处理；压接铜片19，如图2和图3所示，所述压接铜片19的中间部分将所述渗碳陶瓷温度传感器4直接压靠在所述高温超导带材1的表面，所述压接铜片19的两端通过焊接被直接固定到所述高温超导带材1的表面，用以将所述渗碳陶瓷温度传感器4紧固在所述高温超导带材1的表面；低温高真空脂20，如图3所示，所述低温高真空脂20填充在所述压接铜片19与所述渗碳陶瓷温度传感器4和所述高温超导带材1之间的缝隙中，用于辅助固定所述渗碳陶瓷温度传感器4并且起到导热作用。本发明设置了压接铜片19，并且填充了低温高真空脂20，是为了保证使渗碳陶瓷温度传感器4紧密贴合在高温超导带材1的表面，以确保渗碳陶瓷温度传感器4和所测试的高温超导带材1之间的温度的一致性，从而可以直接、精确地对高温超导带材1上的温度进行精准的测量。所述测量用锰铜线5的中间部分可以以大致螺旋形状缠绕在所述导热绝缘层7上。这一方面相当于设置了热沉，所述热沉即是所述铜导冷骨架8和导热绝缘层7的组合，可以促进热交换，另一方面可以防止引线受力拉断。具体而言，对于传导冷却高温超导磁体，不但必须考虑测量线传导热对测量精度的影响，还要尽量减少通过测量线从外部引入的热量，如果从外部引入的热量过大，有可能引起传导冷却制冷系统的总体效率下降，使得高温超导磁体不能够被冷却到预定温度，另外还可能对于局部导热点引发高温超导带材的局部温升，增加高温超导带材被烧断的危险，所以，一方面需要使用导热率低、电阻率高的锰铜线作为测量用引线，一方面必须要在测量用锰铜线5上设置热沉，促使测量用锰铜线5与热沉充分进行热交换，避免外部热量的导入，防止测量线传导热的影响。热沉必须置于导冷路径的上游端，尽量远离高温超导磁体，尽量保证传导至渗碳陶瓷温度传感器4上的热负荷为0。用大致螺旋形状缠绕方式固定在所述导热绝缘层7上，则增加了测量用锰铜线5的安全裕度，可以有效地防止因热胀冷缩引起的测量线受力拉断的危险。所述的“大致螺旋形状”是指测量用锰铜线5的延伸路径可以是严格的螺旋形状，也可以是稍微偏离严格的螺旋形状，只要满足测量用锰铜线5不彼此重叠且缠绕在导热绝缘层7上，并从导热绝缘层7的一端附近延伸到另外一端附近即可。进一步，所述导热绝缘层7可以由环氧树脂掺杂氮化铝粉末的混合物制作。氮化铝粉末是一种热导率高、热膨胀系数小，电绝缘性能良好的陶瓷材料，用在环氧树脂中掺杂氮化铝粉末制作的混合物，不但可以有效地将测量用锰铜线5上的热量导出到所述铜导冷骨架8上，还可以有效地对测量用锰铜线5和铜导冷骨架8之间进行绝缘，以起到高电压隔离的作用。所述的测量用锰铜线5、高温超导磁体系统6处于高电压端，铜导冷骨架8及传导冷却制冷系统所包含的其它部分都处于低电压端。如图1所示，所述低温杜瓦盖板12中密封安装有真空过渡插头11，所述测量用锰铜线5密封固定到所述真空过渡插头11上，并且通过所述真空过渡插头11和所述温度变送器14电连接。所述温度变送器14与真空过渡插头11电连接，本发明的温度测试可以通过四引线法进行。即，在本发明中，所述测量用锰铜线5的一端与所述渗碳陶瓷温度传感器4的引出线焊接到一起；进而所述测量用锰铜线5的接下来的中间部分被缠绕在所述导热绝缘层7上，所述导热绝缘层7被包覆在所述铜导冷骨架8的外周上；然后，所述测量用锰铜线5密封固定到所述真空过渡插头11，此处密封固定方法是焊接或者环氧浸渍固定，所述真空过渡插头11密封安装在所述低温杜瓦盖板12中；之后，所述测量用锰铜线5的另一端和所述温度变送器14电连接，所述高温超导带材1、传导冷却超导磁体骨架2、渗碳陶瓷温度传感器4、压接铜片19、低温高真空脂20、所述制冷机冷头10、所述铜导冷连接盘9、导热绝缘层7以及所述铜导冷骨架8容纳在低温杜瓦13内，而温度变送器14、第一光纤转换器15、光纤16、第二光纤转换器17、计算机18则位于低温杜瓦13之外。低温高真空脂是本领域内的已知术语，本领域普通技术人员能够理解其含义，它能将制冷系统的冷量快速传递给超导磁体、低温恒温器、温度传感器或其它需要快速获得低温的系统，并且能够起到固定作用。本发明中的环氧固化剂3由环氧树脂构成。

电路中芯片U1接成双稳态触发电路，当环境温度增加时，热敏电阻VR1和VR2阻值变化，使芯片U1引脚2电位下降至1/3阀值电压，芯片U1置位，芯片U1引脚3呈高电平，使整流桥Q、单向可控硅VS和二极管D2等组成的可控硅交流零压开关导通，负载RL通电工作；当环境温度下降时，热敏电阻RV1和RV2阻值变大，使芯片U1引脚2电位高于1/3阀值电压，芯片U1复位，使可控硅交流零压开关导通截止，负载RL失电。

对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (5)

1.一种碳陶瓷温度传感器温度监测控制装置，其特征在于，包括：1)高温超导磁体系统(6)，所述高温超导磁体系统(6)包括：高温超导带材(1)和传导冷却超导磁体骨架(2)；所述高温超导带材(1)绕制在所述传导冷却超导磁体骨架(2)上；2)传导冷却制冷系统，所述传导冷却制冷系统包括：制冷机冷头(10)、铜导冷连接盘(9)和铜导冷骨架(8)；所述制冷机冷头(10)与所述铜导冷连接盘(9)连接；所述铜导冷骨架(8)的一端与所述铜导冷连接盘(9)连接，所述铜导冷骨架(8)用于对所述高温超导磁体系统(6)进行传导冷却；3)低温杜瓦系统，所述低温杜瓦系统包括低温杜瓦(13)和低温杜瓦盖板(12)；所述的高温超导磁体系统(6)、制冷机冷头(10)、铜导冷连接盘(9)和铜导冷骨架(8)置于所述的低温杜瓦(13)内；所述的低温杜瓦盖板(12)覆盖在所述低温杜瓦(13)的开口上，形成真空密封结构；4)温度测试装置，所述温度测试装置包括：安装在所述高温超导带材(1)的表面的渗碳陶瓷温度传感器(4)，在所述高温超导带材(1)绕制完毕并且所述渗碳陶瓷温度传感器(4)安装后，用环氧固化剂(3)对所述传导冷却超导磁体骨架(2)、所述高温超导带材(1)和所述渗碳陶瓷温度传感器(4)进行浸渍固化；测量用锰铜线(5)，所述测量用锰铜线(5)的一端与所述渗碳陶瓷温度传感器(4)的引出线通过焊接而彼此连接；导热绝缘层(7)，所述导热绝缘层(7)被包覆在所述铜导冷骨架(8)的外周上，所述测量用锰铜线(5)的中间部分被大致螺旋形状地缠绕在所述导热绝缘层(7)上；温度变送器(14)，所述测量用锰铜线(5)的另一端和所述温度变送器(14)电连接；第一光纤转换器(15)，所述第一光纤转换器(15)通过信号线与所述温度变送器(14)电连接，所述第一光纤转换器(15)用于将电信号转化成光信号；光纤(16)，所述光纤(16)的一端与所述第一光纤转换器(15)光连接，所述光纤(16)用于进行光信号的传输；第二光纤转换器(17)，所述光纤(16)的另一端与所述第二光纤转换器(17)光连接，所述第二光纤转换器(17)用于将光信号再转化为电信号；计算机(18)，所述计算机(18)通过信号线与所述第二光纤转换器(17)电连接，用于对由所述第二光纤转换器(17)转化过来的电信号进行采集、显示、分析和处理；压接铜片(19)，所述压接铜片(19)的中间部分将所述渗碳陶瓷温度传感器(4)直接压靠在所述高温超导带材(1)的表面，所述压接铜片(19)的两端通过焊接直接固定在所述高温超导带材(1)的表面，用以将所述渗碳陶瓷温度传感器(4)紧固在所述高温超导带材(1)的表面；低温高真空脂(20)，所述低温高真空脂(20)填充在所述压接铜片(19)与所述渗碳陶瓷温度传感器(4)和所述高温超导带材(1)之间的缝隙中，用于辅助固定所述渗碳陶瓷温度传感器(4)；所述温度测试装置还包括整流桥Q、负载RL、二极管D1、三极管VT1、单向可控硅VS、芯片U1和热敏电阻VR1，其特征在于，所述负载RL一端分别连接二极管D1正极和220V交流电一端，二极管D1负极连接电阻R1，电阻R1另一端分别连接三极管VT1集电极、芯片U1引脚4、芯片U1引脚8、电位器RP1、二极管D4负极和电容C3，所述负载RL另一端分别连接电容C1和整流桥Q引脚1，电容C1另一端连接电阻R2，电阻R2另一端分别连接整流桥Q引脚3和220V交流电另一端，整流桥Q引脚4分别连接单向可控硅VS的K极、三极管VT2发射极、电阻R5、电容C2、芯片U1引脚1、热敏电阻VR2、二极管D4正极和电容C3另一端，所述整流桥Q引脚2分别连接单向可控硅VS的A极、二极管D3负极和电阻R3，单向可控硅VS的G极连接二极管D2负极，二极管D2正极连接三极管VT1发射极，三极管VT1基极分别连接二极管D3正极、三极管VT2集电极和电阻R4，三极管VT2基极分别连接电阻R3另一端和电阻R5另一端，所述电阻R4另一端连接芯片U1引脚3，芯片U1引脚5连接电容C2另一端，芯片U1引脚6分别连接待完全RP1滑片、电位器RP1另一端和热敏电阻VR1，芯片U1引脚2分别连接热敏电阻VR1另一端和热敏电阻VR2另一端。

2.根据权利要求1所述的碳陶瓷温度传感器温度监测控制装置，其特征在于，所述导热绝缘层(7)由环氧树脂掺杂氮化铝粉末的混合物制作。

3.根据权利要求1所述的碳陶瓷温度传感器温度监测控制装置，其特征在于，所述低温杜瓦盖板(12)中密封安装有真空过渡插头(11)，所述测量用锰铜线(5)与所述真空过渡插头(11)密封固定，并通过所述真空过渡插头(11)和所述温度变送器(14)电连接。

4.根据权利要求1所述的碳陶瓷温度传感器温度监测控制装置，其特征在于，所述芯片U1型号为NE555。

5.根据权利要求1所述的碳陶瓷温度传感器温度监测控制装置，其特征在于，所述二极管D4为稳压二极管。