CN106527987A - 一种不带dram的ssd主控可靠性提升系统及方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种不带DRAM的SSD主控可靠性提升系统及方法,提升系统包括:FtoH反向映射表:用于记录当前正在写入数据的NAND Flash块到主机的反向映射关系;FTL HtoF二级表:用于记录一段连续主机逻辑地址到NAND Flash的正向映射关系;FTL一级映射表:用于记录一段连续的NAND Flash地址到主机的反向映射关系。本发明能有效的减少不带DRAM的SSD主控在随机IO模型下,表项的换入换出频率,尽可能避免由于不带DRAM设计所引发的写放大系数增加问题,使不带DRAM的SSD固态硬盘寿命逼近带DRAM的固态硬盘的寿命;可以极大地提升SSD主控的性能。

Description

一种不带DRAM的SSD主控可靠性提升系统及方法
技术领域
本发明涉及SSD固态硬盘应用领域,特别是一种不带DRAM的SSD主控可靠性提升系统及方法。
背景技术
当今在SSD固态硬盘消费级市场,SSD固态硬盘价格已经逐渐逼近传统机械硬盘HDD的价格。为了更进一步的减小SSD固态硬盘的成本,当前消费级SSD固态硬盘已经逐渐由原来的外挂DRAM(见图1,其中:DRAM:动态随机存取存储器,用于存放SSD的整张全部FTL映射表;FTL: Flash映射表,记录主机逻辑地址到NAND Flash物理地址的映射关系;HIF:主机接口,用于接收来自主机的IO命令和数据;NFC:Nand Flash控制器,用于适配NAND Flash颗粒;Buffer:SSD主控内部缓存空间,一般只有几百K空间。)的架构设计演变为不外挂DRAM的架构设计(见图2,其中,FTL一级表:记录所有FTL H2F二级表在NAND Flash上的物理地址。一级表常驻buffer;FTL H2F二级表:主机逻辑地址按照等同空间大小切分成多张二级表,每张二级表描述同样大小的主机逻辑地址空间。每张二级表用于存放这部分逻辑地址空间的主机逻辑地址到flash物理地址的映射关系。所有FTL H2F二级表一起,记录整个主机逻辑地址到物理地址的映射关系。FTL H2F表较大,只能在buffer中缓存很小一部分。通常在IO过程中,需要不停的将buffer中的二级表换出到NAND Flash和从NAND Flash换入到buffer)。这样设计的好处是,整个SSD固态硬盘可以节省掉一个,甚至多个DRAM的价格,进而进一步降低SSD固态硬盘成本。
但是,在节省掉DRAM过后,原本存放于DRAM里面的SSD主控所必须的FTL映射表项,需要利用另一种方法来解决存放问题。而整张FTL映射表项大小,通常为SSD盘容量的千分之一。拿512G的SSD固态硬盘来讲,其FTL映射表项大小通常需要512M的DRAM空间。而在不带DRAM的SSD主控设计下,这么大的FTL表项数据,是无法全部存放在SSD主控内部的buffer中的。
为了解决不带DRAM的SSD主控设计下FTL映射表项的缓存问题,当前几乎所有的不带DRAM的SSD主控,其FTL表项都被设计成2级映射表。其中,第二级映射表根据主机逻辑地址等大小切分成多张表,每张二级表独立描述一个固定主机逻辑地址范围。每个二级表里面的表项,记录一条主机逻辑地址与NAND Flash物理地址的映射关系。所有二级表一起完成记录所有映射关系。
所有二级表存放在NAND Flash上,SSD主控缓存部分二级映射表。当IO对应的FTL表项未命中buffer缓存中的二级表项时,需要先将buffer缓存的原二级映射表下发到NANDFlash,释放buffer后再读取当前IO对应的二级表项到该buffer,得到其映射关系后再行处理。而一级映射表常驻buffer,用来记录每张二级映射表对应的NAND Flash地址,保证二级映射表的换入换出。
二级映射表HtoF的映射关系示意图见图3,由于主机侧IO地址和顺序的不确定性,造成连续主机逻辑块地址对应的flash物理映射块可能完全离散分布。
在上述两级FTL映射表项的设计当中,一旦IO对应的FTL表项未命中buffer缓存,此时就会触发二级表的换入换出,增加二级表写入NAND Flash的数据量。对于随机IO来讲,几乎百分百无法命中FTL表项缓存,由此每一个随机IO都会触发一次二级表的换入换出动作。
一方面,这种系统内数据(非用户数据)的写入会抢占资源,降低性能;另一方面,此种数据写入会增加写放大系数,消耗NAND Flash寿命,从而降低SSD整盘的系统可靠性和寿命。例如,如果每张二级表占4K空间大小,写IO也为4K,那么每一次IO将会触发8K的数据写入NAND,写放大系数达到2。在写放大系数为1的情况下,如果一个SSD固态硬盘的寿命为10年,那么在写放大系数为2的情况下,其寿命将只有5年。
比如,假设buffer只能存放一张二级表HtoF table。分属两个不同HtoF表的IO交叉写数据下来。由于先后两个IO分属两张不同二级表HtoF table,那么每次IO都会触发一次二级表HtoF的下刷行为。假设每次IO大小为4K,每张二级表大小为4K,那么,一次主机4K写IO将会触发8K的数据写入NAND Flash。如果主机前后以这种IO模型一共写入1T的数据,那么实际上写入NAND Flash的数据量将达到2T,写放大系数为2。
本发明中用到的名词解释如下:
SSD主控:用于管理NAND存储介质以及负责数据在主机和NAND间进行数据传输的装置,一方面向主机提供数据的输入输出接口,一方面利用NAND的接口将数据写入NAND或从NAND读取数据。
DRAM:Dynamic Random Access Memory, 动态随机存取存储器。在SSD主控里面,通常用于存放FTL映射表项。
FTL映射表:用于记录数据从主机地址到NANDFlash地址的映射关系,每一种映射关系对应FTL映射表中的一条表项。FTL映射表所占的存储空间通常与SSD盘的容量成正比关系,一般情况下大约为SSD容量的千分之一。
写放大系数:写放大系数是判断SSD固态硬盘可靠性的重要指标,该值越小,表示SSD固态硬盘可靠性越高。写放大系数= NAND Flash实际数据写入总量 / 主机数据写入总量。
NAND Flash:用于存放数据的flash介质。
IO: SSD主控和主机接口的基本处理单元,包括命令协议部分和数据部分。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,针对现有技术不足,提供一种不带DRAM的SSD主控可靠性提升系统及方法。
为解决上述技术问题,本发明所采用的技术方案是:一种不带DRAM的SSD主控可靠性提升系统,包括:
FtoH反向映射表:用于记录当前正在写入数据的NAND Flash块到主机的反向映射关系;
FTL HtoF二级表:用于记录一段连续主机逻辑地址到NAND Flash的正向映射关系;
FTL一级映射表:用于记录一段连续的NAND Flash地址到主机的反向映射关系。
相应地,本发明还提供了一种不带DRAM的SSD主控可靠性提升方法,该方法的主要实现过程为:在SSD主控中增加FtoH反向映射表,以记录当前正在写入数据的NAND Flash块到主机的反向映射关系,使得主机侧的IO数据顺序写入NAND Flash上的连续空间,并在FtoH反向映射表描述的物理空间写满后,才触发FTL HtoF二级表的下刷行为。
本发明中,主机侧的IO数据顺序写入NAND Flash上的连续空间,并在FtoH反向映射表描述的物理空间写满后,触发FTL HtoF二级表的下刷行为的具体实现流程包括以下步骤:
1)收到主机IO数据;
2)将所述主机IO数据写入NAND Flash;
3)更新FtoH反向映射表;
4)判断FtoH反向映射表是否已满,若是,则进入步骤5);否则,进入步骤9);
5)依次遍历FtoH反向映射表里逻辑地址段相同的FTL HtoF二级表的映射关系;
6)将从FtoH反向映射表里遍历出来的FTL HtoF二级表映射关系更新到FTL HtoF二级表;
7)下刷FTL HtoF二级表;
8)遍历下刷是否结束,若是,则进入步骤9);否则,遍历FtoH反向映射表里下一个FTLHtoF二级表的内容,然后返回步骤5);
9)结束。
与现有技术相比,本发明所具有的有益效果为:本发明能有效的减少不带DRAM的SSD主控在随机IO模型下,表项的换入换出频率,尽可能避免由于不带DRAM设计所引发的写放大系数增加问题,使不带DRAM的SSD固态硬盘寿命逼近带DRAM的固态硬盘的寿命;可以极大地提升SSD主控的性能。
附图说明
图1为现有的带DRAM SSD系统的设计框图;
图2为现有的不带DRAM的SSD系统的设计框图;
图3为二级表H2F映射关系示意图;
图4为本发明的SSD系统设计框图;
图5为本发明F2H反向映射示意图;
图6为本发明表项更新下刷流程图。
具体实施方式
如图4所示,本发明采用FtoH反向映射表记录当前正在写入数据的NAND Flash块到主机的反向映射关系。HtoF映射表记录的是一段连续主机逻辑地址到NAND Flash的正向映射关系;F2H记录的是一段连续的NAND Flash地址到主机的反向映射关系。
FtoH反向映射示意图见图5,无论主机侧的IO地址和顺序如何不确定,其对应的数据都是顺序写入NAND flash上的连续空间的。
本发明的表项下刷流程图见图6,具体包括以下步骤:
1)收到主机IO数据;
2)将所述主机IO数据写入NAND Flash;
3)更新FtoH反向映射表;
4)判断FtoH反向映射表是否已满,若是,则进入步骤5);否则,进入步骤9);
5)依次遍历FtoH反向映射表里逻辑地址段相同的FTL HtoF二级表的映射关系;
6)将从FtoH反向映射表里遍历出来的FTL HtoF二级表映射关系更新到FTL HtoF二级表;
7)下刷FTL HtoF二级表;
8)遍历是否下刷结束,若是,则进入步骤9);否则,遍历FtoH反向映射表里下一个FTLHtoF二级表的内容,然后返回步骤5);
9)结束。
本发明可以有效解决不带DRAM的SSD主控在随机带热点IO模型下,由于IO无法命中表项导致二级表HtoF频繁换入换出带来的写放大系数较大的问题。本发明使用了FtoH反向映射表来缓存映射关系,即使前后IO分属不同的二级表HtoF table,但其写入NANDFlash的地址是顺序递增的,所以用FtoH表可以描述一段连续flash物理空间所对应的任意主机写入数据。而仅仅当FtoH表描述的物理空间写满过后,才会触发二级表HtoF的下刷行为。
假设FtoH反向映射表可以存放8K个映射关系,其所描述的Flash物理空间范围为32M。那么仅当主机写入32M数据后FtoH才会占满,此时触发映射关系从反向映射表FtoH刷新到二级表HtoF,再触发HtoF的下刷。如果这32M的物理空间范围只包含两个二级表HtoF的数据内容,那么只会触发2次二级表HtoF的下刷。也即主机写入32M数据,实际写入NANDFlash的数据量为32M + 2 * 4K。如果主机写入数据量为1T,那么实际写入NAND Flash的数据量不到1.05T,基本逼近,写放大系数接近1。

Claims (3)

1.一种不带DRAM的SSD主控可靠性提升系统,其特征在于,包括:
FtoH反向映射表:用于记录当前正在写入数据的NAND Flash块到主机的反向映射关系;
FTL HtoF二级表:用于记录一段连续主机逻辑地址到NAND Flash的正向映射关系;
FTL一级映射表:用于记录一段连续的NAND Flash地址到主机的反向映射关系。
2.一种不带DRAM的SSD主控可靠性提升方法,其特征在于,该方法的主要实现过程为:在SSD主控中增加FtoH反向映射表,以记录当前正在写入数据的NAND Flash块到主机的反向映射关系,使得主机侧的IO数据顺序写入NAND Flash上的连续空间,并在FtoH反向映射表描述的物理空间写满后,才触发FTL HtoF二级表的下刷行为。
3.根据权利要求2所述的不带DRAM的SSD主控可靠性提升方法,其特征在于,主机侧的IO数据顺序写入NAND Flash上的连续空间,并在FtoH反向映射表描述的物理空间写满后,触发FTL HtoF二级表的下刷行为的具体实现流程包括以下步骤:
1)收到主机IO数据;
2)将所述主机IO数据写入NAND Flash;
3)更新FtoH反向映射表;
4)判断FtoH反向映射表是否已满,若是,则进入步骤5);否则,进入步骤9);
5)依次遍历FtoH反向映射表里逻辑地址段相同的FTL HtoF二级表的映射关系;
6)将从FtoH反向映射表里遍历出来的FTL HtoF二级表映射关系更新到FTL HtoF二级表;
7)下刷FTL HtoF二级表;
8)遍历下刷是否结束,若是,则进入步骤9);否则,遍历FtoH反向映射表里下一个FTLHtoF二级表的内容,然后返回步骤5);
9)结束。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107832013A (zh) * 2017-11-03 2018-03-23 中国科学技术大学 一种管理固态硬盘映射表的方法
CN108647157A (zh) * 2018-03-14 2018-10-12 深圳忆联信息系统有限公司 一种基于相变存储器的映射管理方法及固态硬盘
CN108733576A (zh) * 2017-04-20 2018-11-02 立而鼎科技(深圳)有限公司 一种固态硬盘的内存转换层对映架构及方法
CN108804338A (zh) * 2017-04-28 2018-11-13 爱思开海力士有限公司 数据存储装置及其操作方法
TWI645330B (zh) * 2017-05-26 2018-12-21 上海寶存信息科技有限公司 固態硬碟存取方法以及使用該方法的裝置
CN109684238A (zh) * 2018-12-19 2019-04-26 湖南国科微电子股份有限公司 一种固态硬盘映射关系的存储方法、读取方法及固态硬盘

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101604227A (zh) * 2009-07-17 2009-12-16 杭州华三通信技术有限公司 数据存储的方法及设备
CN102063274A (zh) * 2010-12-30 2011-05-18 成都市华为赛门铁克科技有限公司 存储阵列和存储系统及数据访问方法
US20140195749A1 (en) * 2013-01-10 2014-07-10 Pure Storage, Inc. Deduplication of Volume Regions
CN103942010A (zh) * 2013-01-22 2014-07-23 Lsi公司 用于写入非易失性存储器的管理及区域选择
US20140289458A1 (en) * 2012-04-10 2014-09-25 Sandisk Technologies Inc. System and method for micro-tiering in non-volatile memory

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101604227A (zh) * 2009-07-17 2009-12-16 杭州华三通信技术有限公司 数据存储的方法及设备
CN102063274A (zh) * 2010-12-30 2011-05-18 成都市华为赛门铁克科技有限公司 存储阵列和存储系统及数据访问方法
US20140289458A1 (en) * 2012-04-10 2014-09-25 Sandisk Technologies Inc. System and method for micro-tiering in non-volatile memory
US20140195749A1 (en) * 2013-01-10 2014-07-10 Pure Storage, Inc. Deduplication of Volume Regions
CN103942010A (zh) * 2013-01-22 2014-07-23 Lsi公司 用于写入非易失性存储器的管理及区域选择

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108733576A (zh) * 2017-04-20 2018-11-02 立而鼎科技(深圳)有限公司 一种固态硬盘的内存转换层对映架构及方法
CN108804338A (zh) * 2017-04-28 2018-11-13 爱思开海力士有限公司 数据存储装置及其操作方法
CN108804338B (zh) * 2017-04-28 2021-11-12 爱思开海力士有限公司 数据存储装置及其操作方法
US11249917B2 (en) 2017-04-28 2022-02-15 SK Hynix Inc. Data storage device and operating method thereof
TWI645330B (zh) * 2017-05-26 2018-12-21 上海寶存信息科技有限公司 固態硬碟存取方法以及使用該方法的裝置
US10936482B2 (en) 2017-05-26 2021-03-02 Shannon Systems Ltd. Methods for controlling SSD (solid state disk) and apparatuses using the same
CN107832013A (zh) * 2017-11-03 2018-03-23 中国科学技术大学 一种管理固态硬盘映射表的方法
CN107832013B (zh) * 2017-11-03 2019-10-25 中国科学技术大学 一种管理固态硬盘映射表的方法
CN108647157A (zh) * 2018-03-14 2018-10-12 深圳忆联信息系统有限公司 一种基于相变存储器的映射管理方法及固态硬盘
CN108647157B (zh) * 2018-03-14 2021-10-01 深圳忆联信息系统有限公司 一种基于相变存储器的映射管理方法及固态硬盘
CN109684238A (zh) * 2018-12-19 2019-04-26 湖南国科微电子股份有限公司 一种固态硬盘映射关系的存储方法、读取方法及固态硬盘

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