CN106341764A - 微机械声转换器装置以及相应的制造方法 - Google Patents
微机械声转换器装置以及相应的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106341764A CN106341764A CN201510530178.1A CN201510530178A CN106341764A CN 106341764 A CN106341764 A CN 106341764A CN 201510530178 A CN201510530178 A CN 201510530178A CN 106341764 A CN106341764 A CN 106341764A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- front side
- micromechanics
- winding
- acoustical convertor
- openings
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims abstract description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 4
- QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N dioxomolybdenum Chemical compound O=[Mo]=O QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 4
- 241000219289 Silene Species 0.000 claims description 3
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 3
- 239000002127 nanobelt Substances 0.000 claims description 3
- CFJRPNFOLVDFMJ-UHFFFAOYSA-N titanium disulfide Chemical compound S=[Ti]=S CFJRPNFOLVDFMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ITRNXVSDJBHYNJ-UHFFFAOYSA-N tungsten disulfide Chemical compound S=[W]=S ITRNXVSDJBHYNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 1
- 239000002305 electric material Substances 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 3
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- LLYXJBROWQDVMI-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-4-nitrotoluene Chemical compound CC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1Cl LLYXJBROWQDVMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000209140 Triticum Species 0.000 description 1
- 235000021307 Triticum Nutrition 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000037007 arousal Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000002618 waking effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Micromachines (AREA)
Abstract
本发明涉及一种微机械声转换器装置和一种相应的制造方法。所述微机械声转换器装置包括具有前侧和背侧的衬底,其中衬底具有在背侧和前侧之间延伸的贯通开口,以及具有构造在前侧上的具有线圈轴线的线圈装置,所述线圈轴线基本上平行于前侧延伸,其中线圈装置至少部分跨越贯通开口。此外设置磁体装置,其如此设置,使得通过所述磁体装置可以产生穿过线圈装置的轴向磁通量。所述线圈装置具有绕组装置,所述绕组装置至少具有由低维的导电材料层构成的第一绕组区段,其中线圈装置如此构造,使得其能够感应地检测和/或产生声。
Description
技术领域
本发明涉及一种微机械声转换器装置以及一种相应的制造方法。
背景技术
尽管原则上可应用于任何微机械声转换器装置、例如扬声器和麦克风,但是本发明和本发明所基于的问题借助基于硅的微机械麦克风装置来阐述。
微机械麦克风装置通常具有集成在一种MEMS芯片上的声转换器装置,以便将声能转换成电能,其中可以通过声能偏转的第一电极与固定的、打孔的第二电极容性地共同作用。第一电极的偏转通过第一电极前方和后方的声压的差确定。如果偏转发生变化,则通过第一电极和第二电极构成的电容器的电容发生变化,这可以测量技术地检测出。
长久以来,已经已知带式麦克风。它们借助感应的工作原理工作,其中膜片的偏转引起穿过线圈装置的磁通量的变化,这又在线圈装置中感应出电压。
通过感应出相应于所感应的电压的电流,取消产生和调节容性的作用原理的高运行电压的必要性,这通过产生高压的电路部件的取消引起功率消耗的明显降低和成本降低。
与容性的作用原理相比,由此得到多个优点。因此,能够实现带式麦克风的方向相关性,因为存在作为压差式麦克风运行的可能。由于其小的功率消耗,感应的原理能够实现永久接通功能性和唤醒的功能性。灵敏度借助带长度和带数量来标度,而不是如在容性的原理中那样借助偏转面积来标度。因此,在没有性能损耗的情况下不能使容性的MEMS麦克风变小。此外,由于有振动能力的材料的小的质量,所以存在增大的机械稳健性。
由US 6,434,252 B1和WO 2006/047048 A2已知带式麦克风,其中位于磁场中的带通过声波引起振动,由此在带中感应出电压。
US 8,031,889 B2公开了一种微型化的带式麦克风,其具有低的灵敏度,因为线圈构造在一个平面中并且仅仅通过垂直方向上的偏转分量感应出电压。
发明内容
本发明创造根据权利要求1所述的声转换器装置和根据权利要求15所述的相应的制造方法。
优选的扩展方案是从属权利要求的主题。
发明优点:
本发明创造一种非常省电的、微型化的且灵敏的微机械声转换器装置。所述声转换器装置具有低的电流消耗,因为不发生有源的运行。根据本发明的微机械声转换器装置尤其适于具有唤醒功能的永久接通应用。能够实现更小的声转换器装置,因为标度方法区别于容性的作用原理的标度方法。由于低维的能导电的带材料的小的质量能够实现大的动态范围。
通过在带的静止位置附近放置可磁化的层的可能性,在带的偏转时大的磁通量和因此穿过线圈装置的大的磁通量变化能够实现穿过线圈装置的大的磁通量。所使用的新式的低维材料能够在同时高的断裂应力时实现最小的刚性。此外,低维材料的小的质量密度也能够实现非常大动态的测量范围、尤其直至高频率。
根据一种优选的扩展方案,低维的导电材料是一维或二维的。所述材料能够不易折断且高弹性地构造。
根据另一种优选的扩展方案,从以下组中选择低维的导电材料:石墨烯、硅烯、碳纳米管、碳纳米带、五氧化二钒、二硫属化物(Dichalkogenide)、尤其二硫化钼、二硫化钨、二硫化钛、二硫化钼。可以好地控制所述材料的析出过程(Abscheidungsprozesse)。
根据另一种优选的扩展方案,线圈装置的第一绕组区段是条带状的并且跨越贯通开口因此,能够覆盖大的区域并且达到相应的高的灵敏度。为了达到尽量高的灵敏度,带上的空气泄漏应当尽可能少,即具有一个共同的流体流入孔的两个带之间的间距必须尽可能小,并且带应当完全横向跨越流体流入孔。
根据另一种优选的扩展方案,贯通开口上的第一绕组区段基本上平行于前侧。这提供通过所出现的声压的最大的可偏转性。
根据另一种优选的扩展方案,第一绕组区段延伸直至到贯通开口在前侧上的外围中。因此,能够设置稳定的固定。
根据另一种优选的扩展方案,将第一绕组区段施加在跨越贯通开口的膜片区域上。这提高滞止压力(Staudruck)并且因此提高动态。膜片区域可以由低维的不能导电的材料、例如六角氮化硼构成。
根据另一种优选的扩展方案,第二绕组区段与第一绕组区段连接,它们基本上垂直于前侧延伸,其中第三绕组区段与第二绕组区段连接,它们基本上与前侧共面地与第一绕组区段间隔开地延伸。这种几何学可以有利地制造。
根据另一种优选的扩展方案,第二和第三绕组区段由与低维的导电材料不同的材料制造。例如支持稳定性的刚性的金属适合于此。
根据另一种优选的扩展方案,第三绕组区段具有用于声穿过的穿孔。因此,能够降低第一绕组区域后方的滞止压力。
根据另一种优选的扩展方案,衬底借助其背侧安装在具有承载开口的承载部上,其中所述承载开口与贯通开口流体连通,其中在前侧上在承载部上安置盖部,所述盖部限定封闭的背侧容积。所述背侧容积减小不期望的衰减效果。
根据另一种优选的扩展方案,所述磁体装置以线圈轴线的方向布置在衬底上的前侧上并且被磁化。这种布置能够简单地制造并且提供穿过线圈的大的磁通量。
根据另一种优选的扩展方案,所述磁体装置以线圈轴线的方向集成在盖部的壁中。这降低制造耗费。
根据另一种优选的扩展方案,背侧上的贯通开口具有空腔和与所述空腔连接的贯通孔(Durchgangsloch)。因此,可以构成适合的前侧容积以提高灵敏度。
附图说明
以下借助在附图中示出的实施例进一步阐述本发明。
附图示出:
图1a)-c):根据本发明的第一实施方式的微机械声转换器装置的示意图,即图1)是第一垂直剖面图,图1b)是沿着线条A-A′的第二垂直剖面图,图1c)是俯视图;
图2:根据本发明的第二实施方式的微机械声转换器的示意性垂直剖面图;
图3:根据本发明的第三实施方式的微机械声转换器的示意性垂直剖面图。
具体实施方式
在附图中,相同的参考标记表示相同或功能相同的元件。
图1a)-c)示出根据本发明的第一实施方式的微机械声转换器装置的示意图,即图1)是第一垂直剖面图,图1b)是沿着线条A-A′的第二垂直剖面图,图1c)是俯视图。
在图1a)-c)中,参考标记1表示具有前侧VS和背侧RS的衬底,其例如由半导体材料(例如硅)、玻璃或者陶瓷构成。衬底1具有在背侧RS和前侧VS之间延伸的贯通开口K、FZ,所述贯通开口在所述背侧上包括空腔K和与所述空腔连接的贯通孔FZ。这种衬底几何学能够通过已知的背侧蚀刻借助相应的蚀刻停止层构造。
例如由氧化物构成的绝缘层I位于前侧VS上在贯通孔FZ的外围中。在所述绝缘层I上方构造具有线圈轴线X的线圈装置SA,所述线圈轴线基本上平行于前侧VS延伸,其中所述线圈装置SA跨越贯通开口K、FZ的贯通孔FZ。所述线圈装置具有绕组装置,所述绕组装置具有多个绕组W1、W2、W3、W4,它们具有第一绕组区段N1、N2、N3,所述第一绕组区段由至少一个低维的导电材料层构成。
所述低维的导电材料例如是石墨烯、硅烯、五氧化二钒、碳纳米管、碳纳米带、二硫属化物、尤其二硫化钼、二硫化钨、二硫化钛、二氧化钼等。
所述第一绕组区段N1、N2、N3固定在前侧VS上在绝缘层I上并且几乎完全覆盖贯通孔FZ,除各个绕组W1、W2、W3、W4之间的小的间隙S1、S2、S3以外。
第二绕组区段VA与第一绕组区段N1、N2、N3连接,它们基本上垂直于前侧VS延伸,而第三绕组区段HA与第二绕组区段VA连接,它们基本上与前侧VS共面地与第一绕组区段N1、N2、N3间隔开地延伸。由此,限定线圈装置SA的开口O。第二和第三绕组区段VA、HA的材料由与低维的导电材料不同的材料、例如金属、如镍制造。这种线圈几何学可以通过与牺牲层过程结合的沉积过程来制造。
在线圈装置SA在线圈轴线X方向上的纵向端部处构造永磁体区域M1、M2,它们产生穿过线圈装置SA的轴向磁通量F。所述永磁体区域M1、M2可以通过相应的永磁材料或者铁磁材料的沉积和随后的结构化来制造。
如果声SC通过贯通开口K、FZ,则第一绕组区段N1、N2、N3可以通过所述声SC偏转,并且在线圈装置SA中感应出相应的电压,其分接到与线圈装置SA的端部连接的连接盘P1、P2上。在本实施例中,第一、第二和第三绕组区段N1、N2、N3、VA、HA条带状地构造,以便它们能够以小的间隙S1、S2、S3覆盖大的区域。这提高声转换器装置的灵敏度。
相应的分析处理ASIC没有示出并且例如也可以集成在所述衬底上或者集成在分离的芯片中。
图2示出根据本发明的第二实施方式的微机械声转换器装置的示意性垂直剖面图。
在根据图2的第二实施方式中,衬底1根据第一实施方式构型,其中线圈装置SA仅仅示意性示出并且安置在具有承载开口TL的承载部TR上,其中所述承载开口与所述贯通开口流体连通,使得声SC可以从外部通过承载开口TL和贯通开口K、FZ到达线圈装置SA。在承载部TR上的前侧VS上安置盖部D,所述盖部在前侧VS上限定封闭的背侧容积BV。这种背侧容积BV有利于降低不期望的衰减效果。同样,在线圈轴线X的方向上示出永久磁化。
在所述实施方式中,磁体装置M1′、M2′以线圈轴线X的方向集成在盖部D的壁DW中,例如通过相应的铁磁材料的嵌入。
附加地在第二实施方式的衬底1中示出与衬底1的前侧上的键合区域B的贯通接通DK,所述贯通接通可以用于建立与承载部TR的电连接。
图3示出根据本发明的第三实施方式的微机械声转换器装置的示意性垂直剖面图。
在根据图3的第三实施方式中,绝缘层标记有参考标记1′。所述绝缘层在贯通开口K、FZ的贯通孔FZ上构造膜片区域M,所述膜片区域跨越贯通孔FZ。在所述实施方式中,第一绕组区段N1、N2、N3由所述膜片区域M承载,其中膜片区域M可以通过声SC偏转。因此,对于声SC可以产生更大的滞止压力。在所述实施方式中,绕组W2′、W3′的第三绕组区段HA′附加地设置有用于声通过的穿孔L1至L6,这减小在膜片部分M后方构成的滞止压力,从而提高动态。
否则,第三实施方式与第一实施方式相同地构造。
尽管以上根据优选实施例完整地阐述了本发明,但其并不局限于此,而是能够以多种方式方法调整。
所示出的几何学和材料尤其仅仅是示例性的并且可以根据应用几乎任意改变。
尽管在以上的实施方式中磁体装置由铁磁材料组成,但其并不局限于此,而是也可以通过电磁性线圈装置来实现。
本发明并不局限于麦克风,而是可以应用于其他声转换器、例如扬声器。
Claims (15)
1.一种微机械声转换器装置,其具有:
具有前侧(VS)和背侧(RS)的衬底(1);
其中,所述衬底(1)具有在所述背侧(RS)和所述前侧(VS)之间延伸的贯通开口(K,FZ);
构造在所述前侧(VS)上的具有线圈轴线(X)的线圈装置(SA;SA′),所述线圈轴线基本上平行于所述前侧(VS)延伸,其中,所述线圈装置(SA;SA′)至少部分跨越所述贯通开口(K,FZ);
磁体装置(M1,M2;M1′,M2′),其如此设置,使得通过所述磁体装置能够产生穿过所述线圈装置(SA;SA′)的轴向磁通量(F);
其中,所述线圈装置(SA;SA′)具有绕组装置(W1,W2,W3,W4;W1′,W2′,W3′,W4′),所述绕组装置具有至少第一绕组区段(N1,N2,N3),所述第一绕组区段由低维的导电材料层构成;
其中,所述线圈装置(SA;SA′)如此构造,使得其能够感应地检测和/或产生声(SC)。
2.根据权利要求1所述的微机械声转换器装置,其中,所述低维的导电材料是一维或二维的。
3.根据权利要求1或2所述的微机械声转换器装置,其中,从以下组中选择所述低维的导电材料:石墨烯、硅烯、碳纳米管、碳纳米带、五氧化二钒、二硫属化物、尤其二硫化钼、二硫化钨、二硫化钛、二氧化钼。
4.根据以上权利要求中任一项所述的微机械声转换器装置,其中,所述第一绕组区段(N1,N2,N3)是条带状的并且跨越所述贯通开口(K,FZ)。
5.根据权利要求4所述的微机械声转换器装置,其中,所述第一绕组区段(N1,N2,N3)在所述贯通开口(K,FZ)上基本上与所述前侧(VS)共面地延伸。
6.根据权利要求4所述的微机械声转换器装置,其中,所述第一绕组区段(N1,N2,N3)延伸直至到所述贯通开口(K,FZ)在所述前侧(VS)上的外围中。
7.根据权利要求5或6所述的微机械声转换器装置,其中,所述第一绕组区段(N1,N2,N3)施加在跨越所述贯通开口(K,FZ)的膜片区域(M)上。
8.根据权利要求5至7中任一项所述的微机械声转换器装置,其中,第二绕组区段(VA)与所述第一绕组区段(N1,N2,N3)连接,它们基本上垂直于所述前侧(VS)延伸,其中,第三绕组区段(HA;HA′)与所述第二绕组区段(VA)连接,它们基本与所述前侧(VS)共面地与所述第一绕组区段(N1,N2,N3)间隔开地延伸。
9.根据权利要求8所述的微机械声转换器装置,其中,所述第二和第三绕组区段(VA;HA,HA′)由与所述低维的导电材料不同的材料制造。
10.根据权利要求8或9所述的微机械声转换器装置,其中,所述第三绕组区段(HA′)具有用于声通过的穿孔(L1-L6)。
11.根据以上权利要求中任一项所述的微机械声转换器装置,其中,所述衬底(1)借助其背侧(RS)安置在具有承载开口(TL)的承载部(TR)上,其中,所述承载开口(TL)与所述贯通开口(K,FZ)流体连通,其中,在所述前侧(VS)上在所述支承部(TR)上安置盖部(D),所述盖部限定封闭的背侧容积(BV)。
12.根据以上权利要求中任一项所述的微机械声转换器装置,其中,所述磁体装置(M1,M2)以线圈轴线(X)的方向布置在所述衬底(1)上的前侧(VS)上。
13.根据权利要求11所述的微机械声转换器装置,其中,所述磁体装置(M1′,M2′)以所述线圈轴线(X)的方向集成在所述盖部(D)的壁(DW)中。
14.根据以上权利要求中任一项所述的微机械声转换器装置,其中,所述贯通开口(K,FZ)在所述背侧(RS)上具有空腔(K)和与所述空腔连接的贯通孔(FZ)。
15.一种用于制造微机械声转换器装置的方法,所述方法具有以下步骤:
提供具有前侧(VS)和背侧(RS)的衬底(1);
构造在所述背侧(RS)和所述前侧(VS)之间延伸经过所述衬底(1)的贯通开口(K,FZ);
构造在所述前侧(V)上的具有线圈轴线(X)的线圈装置(SA;SA′),所述线圈轴线基本上平行于所述前侧(VS)延伸,其中,所述线圈装置(SA;SA′)至少部分跨越所述贯通开口(K,FZ),其中,所述线圈装置(SA;SA′)具有绕组装置(W1,W2,W3,W4;W1′,W2′,W3′,W4′),所述绕组装置具有至少第一绕组区段(N1,N2,N3),所述第一绕组区段由至少一个低维的导电材料层构成;
布置磁体装置(M1,M2;M1′,M2′),通过所述磁体装置能够产生通过所述线圈装置(SA;SA′)的轴向磁通量(F);
其中,如此构造所述线圈装置(SA,SA′),使得所述线圈装置能够感应地检测和/或产生声(SC)。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510530178.1A CN106341764B (zh) | 2015-07-10 | 2015-07-10 | 微机械声转换器装置以及相应的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510530178.1A CN106341764B (zh) | 2015-07-10 | 2015-07-10 | 微机械声转换器装置以及相应的制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106341764A true CN106341764A (zh) | 2017-01-18 |
CN106341764B CN106341764B (zh) | 2020-12-01 |
Family
ID=57826795
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510530178.1A Active CN106341764B (zh) | 2015-07-10 | 2015-07-10 | 微机械声转换器装置以及相应的制造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106341764B (zh) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1640187A (zh) * | 2002-02-28 | 2005-07-13 | 古河电气工业株式会社 | 平面扬声器 |
TW200942067A (en) * | 2008-03-26 | 2009-10-01 | Univ Nat Chunghsing | Voice-electric conversion chip of ribbon microphone |
CN102483445A (zh) * | 2009-08-21 | 2012-05-30 | 罗伯特·博世有限公司 | 磁场传感器和用于制造磁场传感器的方法 |
-
2015
- 2015-07-10 CN CN201510530178.1A patent/CN106341764B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1640187A (zh) * | 2002-02-28 | 2005-07-13 | 古河电气工业株式会社 | 平面扬声器 |
TW200942067A (en) * | 2008-03-26 | 2009-10-01 | Univ Nat Chunghsing | Voice-electric conversion chip of ribbon microphone |
CN102483445A (zh) * | 2009-08-21 | 2012-05-30 | 罗伯特·博世有限公司 | 磁场传感器和用于制造磁场传感器的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106341764B (zh) | 2020-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7188824B2 (ja) | 磁気抵抗慣性センサ・チップ | |
US6722206B2 (en) | Force sensing MEMS device for sensing an oscillating force | |
CN104918169B (zh) | 静电电容型转换器、音响传感器及传声器 | |
EP2164280B1 (en) | Acoustic sensor | |
CN104203806B (zh) | 用于微机电的测量变换器的膜片装置和用于制造膜片装置的方法 | |
CN110178385A (zh) | 具有电极组装件的mems传声器系统 | |
CN104902412B (zh) | 单隔膜换能器结构 | |
KR20150047046A (ko) | 음향 변환기 및 패키지 모듈 | |
US20070222006A1 (en) | Micromechanical component and corresponding manufacturing method | |
CN102918874B (zh) | 音响转换器、及利用该音响转换器的传声器 | |
JP4645732B2 (ja) | アンテナ装置、受信装置および電波時計 | |
EP3118597B1 (en) | Pressure sensor | |
CN206640794U (zh) | Mems声换能器及电子设备 | |
CN101294844B (zh) | 弯曲压电式氧化锌纳米棒微电机(mems)振动传感器 | |
CN108650606A (zh) | 麦克风 | |
JP2007194913A (ja) | コンデンサマイクロホン及びその製造方法 | |
US9621996B2 (en) | Micromechanical sound transducer system and a corresponding manufacturing method | |
KR101514567B1 (ko) | 음향 소자 및 이를 구비하는 마이크로폰 패키지 | |
CN106341764A (zh) | 微机械声转换器装置以及相应的制造方法 | |
US11490186B2 (en) | Edge patterns of microelectromechanical systems (MEMS) microphone backplate holes | |
US20110116663A1 (en) | Magnetostrictive microloudspeaker | |
JP4302824B2 (ja) | 自励振型マイクロフォン | |
US20220070590A1 (en) | Piezoresistive microphone with arc-shaped springs | |
JP2003294547A (ja) | 歪みセンサ | |
CN111487567B (zh) | 基于洛伦兹力的压电磁传感器及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |