CN106303888B - 麦克风的制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种麦克风的制造方法，包括：提供一麦克风基底，所述麦克风基底具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面，在所述第一表面上形成电容结构，在所述第二表面上形成双层结构背腔，所述背腔由相连通的第一开口及第二开口构成，所述第二开口的尺寸大于所述第一开口的尺寸；所述背腔形成方法包括：在所述第二表面分别形成形状、尺寸与第二开口相同的氧化层及形状、尺寸与第一开口相同的光刻胶层，同时以所述氧化层及光刻胶层为掩膜刻蚀所述第二表面以形成开口，湿法去除所述光刻胶层及开口侧壁的等离子体聚合物后继续以氧化层为掩膜刻蚀第二表面及开口以形成所述双层结构背腔的第一开口和第二开口。所述具有双层结构背腔的麦克风具有较高信噪比。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种麦克风的制造方法。
背景技术
麦克风是一种将声音信号转换成电信号的转换器件，是电声系统中至关重要的器件，麦克风的性能直接影响到电声系统的音质。随着无线通讯和多媒体技术的发展，麦克风已经由驻极体电容器麦克风(Electret Capacitance Microphone，ECM)发展为微型机电系统(Micro Electro Mechanic System，MEMS)麦克风。微型机电系统麦克风是基于微型机电系统技术制造的麦克风，与驻极体电容器麦克风相比，微型机电系统麦克风具备有更强的耐热、抗振、防射频干扰的能力，为了满足便携式电子产品的应用需求的增多，微型机电系统麦克风现已被越来越多地运用到手机、耳机和电脑等日常设备中。
图1为现有技术中一种微型机电系统麦克风的结构示意图。所述微型机电系统麦克风主要包括：
麦克风基底100，所述麦克风基底100具有第一表面101以及与第一表面相对的第二表面102；位于所述第一表面101上的振膜110；位于所述振膜110上的背板120，所述背板120中形成有多个贯穿所述背板且暴露出所述振膜的通孔121；所述背板120和所述振膜110之间形成有空腔130；所述麦克风基底100内形成有背腔103。
在微型机电系统麦克风，所述振膜110位于所述背腔103和所述背板120中间，所述振膜110与所述背板120之间具有空腔130，从而形成了由所述振膜110与所述背板120构成的电容结构。麦克风工作时，声音信号经过所述背腔103到达所述麦克风的振膜110，所述麦克风振膜110发生振动，使所述振膜110与所述麦克风背板120之间的距离发生改变，从而使所述电容结构的电容值发生相应改变，进而将声音信号转换为电信号。
但是，现有技术中的微型机电系统麦克风的信噪比较低，无法满足对麦克风高性能的要求。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种麦克风的制造方法，避免现有技术下麦克风信噪比低的缺陷。
为解决上述问题，本发明的实施例提供一种麦克风的制造方法，包括：提供一基底，所述基底具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面；在所述基底的第一表面形成电容结构，在所述基底的第二表面内形成背腔；所述背腔为双层结构，包括位于基底第一表面且背离电容结构的第一开口，以及位于第一开口顶部的第二开口，所述第一开口底部暴露出所述电容结构，所述第二开口与所述第一开口相连通，且所述第二开口的顶部和底部尺寸大于所述第一开口的顶部尺寸和底部尺寸。
可选的，形成所述第二开口的刻蚀工艺及形成所述第一开口的刻蚀工艺均为深反应离子刻蚀工艺。
可选的，所述深反应离子刻蚀工艺所采用的气体为SF6、CF4、NF3、C4F8、AR中的任意几种的组合。
可选的，所述背腔的形成工艺包括：
在基底第二表面形成氧化层；
在所述氧化层表面形成第一光刻胶层后，图形化所述第一光刻胶层，暴露的氧化层区域与第二开口顶部的位置、形状及尺寸一致；
以所述第一光刻胶层为掩膜，沿暴露的氧化层区域刻蚀氧化层直至露出基底的第二表面，在所述氧化层内形成第二开口图形；
去除所述第一光刻胶层，在所述氧化层表面涂布第二光刻胶层；
图形化所述第二光刻胶层，暴露的基底区域与第一开口顶部的位置、形状及尺寸一致；
以所述第二光刻胶层为掩膜，刻蚀所述基底，形成第一开口图形，所述第一开口图形的尺寸小于所述第二开口的尺寸；
去除所述第二光刻胶层后，同时沿第一开口图形和第二开口图形刻蚀基底直至贯穿所述基底厚度，形成相互连通的第一开口和第二开口。
可选的，在基底表面形成的氧化层厚度与背腔深度的比例为1:140-1:100。
可选的，形成所述第一光刻胶层和第二光刻胶层的方法为滴涂涂胶法。
可选的，在去除所述第二光刻胶层后，还包括：进行等离子体聚合物清洗工艺。
可选的，所述清洗工艺所采用的溶液为稀释氢氟酸溶液，所述清洗工艺的工艺时间为50秒-150秒。
可选的，所述背腔的形成工艺包括：
在基底第二表面形成氧化层；
在所述氧化层表面形成第一光刻胶层后，图形化所述第一光刻胶层，暴露的氧化层区域与第一开口顶部的位置、形状及尺寸一致；
以所述第一光刻胶层为掩膜，沿暴露的氧化层区域刻蚀氧化层直至露出基底的第二表面，在所述氧化层内形成第一开口图形，所述第一开口图形与第一开口顶部的位置、形状及尺寸一致；
去除所述第一光刻胶层，在所述氧化层表面涂布第二光刻胶层；
图形化所述第二光刻胶层，暴露的氧化层区域和基底区域形成第二开口图形，所述第二开口图形与第二开口顶部的位置、形状及尺寸一致，所述第二开口图形的尺寸大于所述第一开口的尺寸
同时以所述第二光刻胶层和所述氧化层为掩膜，刻蚀所述第二光刻胶层暴露出的部分氧化层和所述基底，形成第三开口；
去除所述第二光刻胶层后，同时沿第三开口和第二开口图形刻蚀基底直至贯穿所述基底厚度，形成相互连通的第一开口和第二开口。
可选的，在基底表面形成的氧化层厚度与背腔深度的比例为1:140-1:100。
可选的，形成所述第一光刻胶层和第二光刻胶层的方法为滴涂涂胶法。
可选的，所述背腔的形成工艺包括：
在基底的第二表面形成第一光刻胶层；
图形化所述第一光刻胶层，暴露出的基底区域与第二开口顶部的位置、形状及尺寸一致；
以所述第一光刻胶层为掩膜，沿暴露的基底区域刻蚀基底的第二表面，在基底内形成第二开口；
去除第一光刻胶层后，在基底第二表面和第二开口部分表面涂布第二光刻胶层；
图形化所述第二光刻胶层，暴露的第二开口区域与第一开口顶部的位置、形状及尺寸一致；
以所述第二光刻胶层为掩膜，沿暴露的第二开口区域刻蚀所述第二开口的底面直至贯穿所述基底厚度，形成相互连通的第一开口和第二开口。
可选的，形成所述第二光刻胶层的方法为喷雾涂胶法。
可选的，所述背腔的形成工艺包括：
在基底的第二表面形成第一光刻胶层；
图形化所述第一光刻胶层，暴露出的基底区域与第一开口顶部的位置、形状及尺寸一致；
以所述第一光刻胶层为掩膜，沿暴露的基底区域刻蚀基底的第二表面，在基底内形成第一开口图形；
去除第一光刻胶层后，在基底的部分第二表面涂布第二光刻胶层；
图形化所述第二光刻胶层，暴露的第二表面区域与第二开口顶部的位置、形状及尺寸一致；
以所述第二光刻胶层为掩膜，沿暴露的第二表面区域和第一开口图形刻蚀基底直至贯穿所述基底厚度，形成相互连通的第一开口和第二开口。
可选的，形成所述第二光刻胶层的方法为喷雾涂胶法。
可选的，所述电容结构包括：位于麦克风基底第一表面的第一绝缘层，位于所述第一绝缘层表面的振膜，位于所述振膜表面的第二绝缘层，位于所述第二绝缘层表面的背板，所述背板完全覆盖第二绝缘层、振膜和第一绝缘层的侧面，所述背板内形成有多个贯穿所述背板且暴露出所述第二绝缘层表面的通孔。
可选的，还包括：在形成所述背腔之后，所述第一开口底部暴露出部分第一绝缘层，去除所述第一开口底部的部分第一绝缘层和第二绝缘层，在所述第一开口底部暴露出所述振膜，使所述振膜和背板之间形成空腔。
可选的，去除所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的工艺为湿法刻蚀工艺。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：
在麦克风基底的第一表面形成电容结构，在麦克风基底的第二表面形成双层结构背腔且所述双层结构背腔暴露出所述电容结构。所述背腔包括位于所述电容结构表面的第一开口、以及位于所述第一开口顶部的第二开口，所述第二开口与所述第一开口相通且所述第二开口的侧壁与第一开口的侧壁相连接。在麦克风工作时，声音信号经过所述背腔到达所述麦克风的振膜，所述背腔内的空气与所述电容结构接触，使麦克风振膜发生振动，引起所述振膜与所述麦克风背板之间的距离发生改变，进而使电容结构的电容值发生相应改变，以达到将声音信号转换为电信号的功效。相对于现有技术的单层背腔来说，双层背腔的体积更大，因此能够使更多的空气流入所述背腔中，进而使得电容结构接触到更多的空气。同时，由于所述双层结构背腔的第一开口的顶部尺寸和底部尺寸均小于所述第二开口的尺寸，因此所述第一开口暴露出的电容结构的面积较小，从而无需增大所述电容结构的面积即可增加所述电容结构接触到的空气量。因此，通过本发明形成的双层结构背腔的麦克风具有较高信噪比。
进一步，在去除第二光刻胶层后再湿法去除因深反应离子刻蚀工艺而在基底内开口侧壁形成的等离子体聚合物，从而避免在形成第一开口和第二开口的深度反应离子刻蚀工艺时因所述开口侧壁的等离子体聚合物，导致该侧壁的麦克风基底无法刻蚀而被保留，最终引起栅栏式缺陷，进而引起麦克风低良率问题。
进一步，形成第一光刻胶层和第二光刻胶层的工艺为滴涂涂胶法。由于在基底内的开口深度为100微米至300微米，一旦在基底内形成开口，再涂布光刻胶层时只能采用喷雾涂胶法，而喷雾涂胶法成本较高；在本发明方案中，先在基底表面形成氧化层，所述氧化层的厚度较薄，所述氧化层厚度与背腔深度的比例为1:140-1:100，即与基底的高度差很小，采用滴涂涂胶法便可实现光刻胶层的涂布，因此通过以氧化层代替光刻胶层作为掩膜层，在后续涂布光刻胶层时可以采用滴涂涂胶法代替喷雾涂胶法，节省了麦克风的制造成本。
附图说明
图1为现有技术中硅基微型机电系统麦克风的结构示意图；
图2-图9为本发明第一实施例的麦克风制造方法各步骤对应结构示意图。
图10-图14为本发明第二实施例的麦克风制造方法各步骤对应结构示意图。
图15-图18为本发明第三实施例的麦克风制造方法各步骤对应结构示意图。
图19-图22为本发明第四实施例的麦克风制造方法各步骤对应结构示意图。
具体实施方式
由背景技术可知，现有技术下麦克风基底内为单层结构背腔，此结构的麦克风信噪比较低，但随着麦克风的使用面不断被推广，对麦克风性能的要求不断提升，提高信噪比成为麦克风制造必须突破的重要技术问题。
参考图1，为了解决现有技术下麦克风信噪比低的问题，本发明的发明人基于麦克风将声音信号转换为电信号的工作原理，发现麦克风电容结构中振膜110接触到的空气量越多，麦克风的信噪比越高。为了增大所述振膜110接触到的空气量，发现可以通过增加麦克风背腔103暴露出的振膜110的面积得以实现。但增加所述振膜110的面积势必引起麦克风体积的增大，阻碍电子产品微型化的发展趋势。
为了提高麦克风信噪比且保证麦克风微型化发展不受阻碍，本发明的发明人又对麦克风背腔103的形貌进行了研究，提供了一种麦克风的制作方法，将现有技术下单层背结构背腔改为双层结构背腔，所述双层结构背腔包括麦克风基底第一表面且背离电容结构的第一开口，以及位于第一开口顶部的第二开口，所述第一开口底部暴露出所述电容结构，所述第二开口底部暴露出所述第一开口，所述第二开口与所述第一开口相连通，所述第二开口的侧壁与第一开口的侧壁相连接且所述第二开口的顶部尺寸和底部尺寸大于所述第一开口的顶部尺寸和底部尺寸。由于所述第二开口的顶部尺寸和底部尺寸大于所述第一开口的顶部尺寸和底部尺寸，相对于现有技术的单层背腔来说，双层背腔的体积更大，因此能够使更多的空气流入所述背腔中，进而使得电容结构接触到更多的空气。同时，由于所述第一开口的顶部尺寸和底部尺寸均小于所述第二开口的顶部尺寸和底部尺寸，因此所述第一开口暴露出的电容结构的面积较小，从而无需增大所述电容结构的面积即可增加所述电容结构接触到的空气量。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
第一实施例
图2-图9为本发明第一实施例的麦克风制造方法各步骤对应结构示意图。
参考图2，提供一麦克风基底200，所述麦克风基底200具有第一表面201以及与第一表面相对的第二表面202。所述第一表面上形成电容结构216。
所述基底200可以为含硅衬底。本实施例中，所述基底200为<100>晶向且掺杂硼的P型硅衬底。
本实施例中，所述电容结构216包括：位于所述第一表面的第一绝缘层210；位于所述第一绝缘层210部分表面的振膜211；位于所述振膜211表面的第二绝缘层212，所述第二绝缘层212覆盖所述振膜211且与所述第一绝缘层210相接触；位于所述第二绝缘层212表面的背板213，所述背板213完全覆盖所述第一绝缘层210、振膜211和第二绝缘层212的侧面，且所述背板213中形成有多个贯穿所述背板213且暴露出所述第二绝缘层212表面的通孔214；位于背板213上表面的电极215；所述振膜211至所述基底200方向上的投影完全覆盖所述通孔214至所述基底200方向上的投影和后续在基底200内形成的背腔。所述电容结构216用于将声音信号转换为电信号来输出，后续对所述麦克风基底200的第二表面202进行刻蚀后，能够在所述麦克风基底200内形成暴露出所述电容结构的背腔，使得空气进入所述背腔内，从而将声音信号传递到所述电容结构。
本实施例中，所述第一绝缘层210和第二绝缘层212为氧化硅层。所述第一绝缘层210和所述第二绝缘层212的材料与所述振膜211以及背板213的材料之间具有较高的刻蚀选择比，以保证后续去除背腔底部的第一绝缘层210和第二绝缘层212时，振膜211和背板213基本不受影响。通过后续工艺去除部分所述第一绝缘层210和部分所述第二绝缘层212后，在所述振膜211和背板213之间形成空腔，所述空腔与背板213中的通孔214连通，当声波引发振膜211振动时，空腔内的空气自所述通孔214排出，从而使所述振膜211和背板213之间的距离发生变化，进而使所述振膜211和背板213之间的电容值发生变化，最终以此将声波转化为电信号输出
参考图3，在所述第二表面202上形成氧化层240，在所述氧化层240上形成图形化的第一光刻胶层250，所述第一光刻胶层250暴露出部分所述氧化层240表面且暴露的氧化层240区域与第二开口顶部的位置、形状及尺寸一致。
本实施例中，所述氧化层的形成工艺为低温化学气相沉积法，所述化学气相沉积法的主要反应气体为甲烷及含氧气体，反应温度为100℃-300℃，反应腔体压力为2Torr-6Torr，具体工艺条件及所述氧化层240的厚度及实际麦克风背腔特征尺寸决定。
本实施例中，所述第一光刻胶层250可以为正光刻胶层或负光刻胶层，所述第一光刻胶层的涂胶方法为滴涂涂胶法。所述第一光刻胶层250的形成工艺包括：在所述氧化层240表面形成光刻胶层后，对所述光刻胶层进行曝光显影，去除需要形成第二开口的对应区域的光刻胶层，形成所述第一光刻胶层250，所述第一光刻胶层250暴露出部分所述氧化层240表面且暴露的氧化层240区域与第二开口顶部的位置、形状及尺寸一致。
参考图4，以所述第一光刻胶层250为掩膜，沿暴露的氧化层区域刻蚀所述氧化层240，在氧化层240内形成第二开口图形260，所述第二开口图形260底面暴露出第二表面202的区域与后续形成的第二开口顶部的位置、形状及尺寸一致；形成第二开口图形260后，去除所述第一光刻胶层250。
本实施例中，刻蚀所述氧化层240的工艺为等离子体干法刻蚀工艺。所述等离子体干法刻蚀工艺采用CF4/CHF3作为刻蚀气体，氧气可选用来调整轮廓。所述等离子体刻蚀工艺也可通入一定量的氩气作为辅助气体，所述氩气的流量为200sccm-600sccm。所述等离子体干法刻蚀工艺的具体工艺条件根据所述氧化层240的材质、厚度及第二开口图形260的尺寸决定。
参考图5，在所述氧化层240和部分第二表面202形成图形化的第二光刻胶层260，所述第二光刻胶层260暴露出部分所述第二表面202表面且暴露的第二表面202区域与第一开口顶部的位置、形状及尺寸一致。
本实施例中，所述第二光刻胶260可以为正光刻胶层或负光刻胶层，所述光刻胶层的涂胶方法为滴涂涂胶法。由于所述氧化层240的厚度与基底内开口的深度比为1:140-1:100，所述第二开口图形260的底部至所述氧化层240顶部的高度差很小，可以直接采用滴涂涂胶法而不必采用浸渍涂胶法。对所述光刻胶层进行曝光显影，去除需要形成第一开口的对应区域的光刻胶层，形成所述第二光刻胶层260，所述第二光刻胶层260暴露出部分第二表面202且暴露的第二表面202区域与第一开口顶部的位置、形状及尺寸一致。
参考图6，以所述第二光刻胶层260为掩膜，沿所述暴露的基底区域刻蚀所述第二表面202，在所述第二表面202内形成第一开口图形270，所述第一开口图形270与后续形成的第一开口顶部的位置、形状及尺寸一致且所述第一开口图形270的尺寸小于所述第二开口图形260(如图4所示)的尺寸。
在本实施例中，形成所述第一开口图形270的刻蚀工艺为深反应离子刻蚀工艺。通过所述深反应离子刻蚀工艺，刻蚀第二光刻胶层260暴露出的第二表面202，在所述麦克风基底200内形成深宽比较大的第一开口图形270。
本实施例中，所述深反应离子刻蚀工艺，包括刻蚀步骤和聚合物沉积步骤，所述刻蚀步骤和聚合物沉积步骤交替进行。所述深反应离子刻蚀工艺所采用的气体为SF6、CF4、NF3、C4F8中的任意几种的组合。
本实施例中，所述气体为SF6和C4F8的混合气体。所述刻蚀步骤采用的气体为SF6，所述刻蚀步骤的功率为15瓦-2000瓦，气压为50-200毫托；所述沉积步骤采用的气体为C4F8，所述沉积步骤的功率为10瓦-2000瓦，气压为50-150毫托；具体工艺条件由刻蚀所述第一开口图形270的特征尺寸、所述第一开口图形270的形貌、所述基底200的材质、所述第二光刻胶层260的材质及厚度决定。
参考图7，去除所述第二光刻胶层260(如图6所示)和所述第一开口图形270侧壁的等离子体聚合物。
在本实施例中，所述第二光刻胶层260(如图6所示)和等离子体聚合物的去除工艺可以为湿法刻蚀法。
先运用ST44溶解第二光刻胶层260，所需工艺时间为100分钟-200分钟。此外，为了降低湿法去胶的负担，可以在湿法去胶前增加一步低温干法去胶，所述低温干法去胶法的工艺温度需小于220℃。
再运用稀释氢氟酸溶液清洗所述基底。形成第一开口图形270后，会在所述第一开口图形270侧壁形成等离子体聚合物，在后续形成麦克风基底200内的第一开口和第二开口的深度反应离子刻蚀工艺中，会因第一开口图形270侧壁的等离子残留物，导致该侧壁的麦克风基底无法刻蚀而被保留，最终引起栅栏式缺陷，进而导致麦克风低良率问题。通过稀释氢氟酸溶溶液清洗所述基底200，可以去除所述第一开口图形270侧壁上形成的等离子体聚合物，避免栅栏式缺陷。本实施例中，所述稀释氢氟酸溶液的稀释比例低于1:100，所需工艺时间为50秒-150秒。在去除第二光刻胶层260时需确保去除所述氧化层240的量小于
去除所述第二光刻胶层260(如图6所示)及所述第一开口图形270侧壁的等离子体聚合物后以去离子水进行清洗。
参考图8，以所述氧化层240为掩膜，沿所述暴露的基底区域刻蚀暴露出的部分第二表面202以及第一开口图形270(如图7所示)底部，直至贯穿所述基底厚度并暴露出电容结构216的第一绝缘层210表面，刻蚀第一开口图形270底部形成的第一开口231，刻蚀暴露出的部分第二表面202形成的第二开口230。
本实施例中，刻蚀所述部分第二表面202及所述第一开口图形270底面以形成第二开口230、第一开口231的工艺均为深反应离子刻蚀工艺。所述第二开口230与第一开口231相互贯通且所述第二开口230的侧壁与第一开口231的侧壁相连接，所形成的第二开口230顶部及底部的尺寸大于所述第一开口231的底部及顶部的尺寸，所述第二开口230与第一开口231构成麦克风基底200内的背腔232。
本实施例中，所述深反应离子刻蚀工艺，包括刻蚀步骤和聚合物沉积步骤，所述刻蚀步骤和聚合物沉积步骤交替进行。所述深反应离子刻蚀工艺所采用的气体为SF6、CF4、NF3、C4F8中的任意几种的组合。
本实施例中，所述气体为SF6和C4F8的混合气体。所述刻蚀步骤采用的气体为SF6，所述刻蚀步骤的功率为25瓦-2000瓦，气压为50-150毫托；所述沉积步骤采用的气体为C4F8，所述沉积步骤的功率为25瓦-2000瓦，气压为50-150毫托；具体工艺条件由刻蚀所述第一开口231和第二开口230的特征尺寸、所述第一开口231和第二开口230的形貌、所述麦克风基底200的材质、所述氧化层240材质及厚度决定。
参考图9，在形成所述麦克风双层结构背腔232以后，所述第一开口231底部暴露出部分第一绝缘层210表面，用氟化酸或氟化铵中的一种或混合溶液湿法去除所述第一开口210底部的部分第一绝缘层210和第二绝缘层212然后通过声孔214释放部分第一绝缘层210和部分第二绝缘层212以形成第一通孔233和第二通孔234；所述第一开口231底部暴露出所述振膜211，所述第一通孔233和第二通孔234构成麦克风电容结构216的空腔235。同时，在湿法去除所述第一开口210底部的部分第一绝缘层210和第二绝缘层212形成第一通孔233和第二通孔234的同时去除所述氧化层240(如图8所示)。
第二实施例
图10-图14为本发明第二实施例的麦克风制造方法中双层结构背腔形成各步骤对应结构示意图。
在图2的基础上，参考图10，在所述第二表面202上形成氧化层300，在所述氧化层300上形成图形化的第一光刻胶层310，所述第一光刻胶层310暴露出部分所述氧化层300表面且暴露的氧化层区域与第一开口顶部的位置、形状及尺寸一致。
本实施例中，所述氧化层300的形成工艺为低温化学气相沉积法。所述化学气相沉积法的主要反应气体为甲烷及含氧气体，反应温度为100℃-300℃，反应腔体压力为2Torr-6Torr，具体工艺条件及所述氧化层300的厚度及实际麦克风背腔特征尺寸决定。
本实施例中，所述第一光刻胶层310可以为正光刻胶层或负光刻胶层，所述第一光刻胶层310的涂胶方法可以为滴涂涂胶法。所述第一光刻胶层310的形成工艺包括：在所述氧化层300表面形成光刻胶层后，对所述光刻胶层进行曝光显影，去除需要形成第一开口的对应区域的光刻胶层，形成所述第一光刻胶层310，所述第一光刻胶层310暴露出部分所述氧化层300表面且暴露的氧化层区域与第一开口顶部的位置、形状及尺寸一致。
参考图11，以所述第一光刻胶层310为掩膜，沿所述暴露的氧化层区域刻蚀所述氧化层300，在氧化层300内形成第一开口图形320，所述第一开口图形320底面暴露出第二表面202的区域与后续形成的第一开口顶部的位置、形状及尺寸一致；形成第一开口图形320后，去除所述第一光刻胶层310。
本实施例中，刻蚀所述氧化层300的工艺为等离子体干法刻蚀工艺。所述等离子体干法刻蚀工艺采用CF4/CHF3作为刻蚀气体，氧气可选用来调整轮廓。所述等离子体刻蚀工艺也可通入一定量的氩气作为辅助气体，所述氩气的流量为200sccm-2000sccm。所述等离子体干法刻蚀工艺的具体工艺条件根据所述氧化层300的材质、厚度及第一开口图形320的尺寸决定。
参考图12，去除所述第一光刻胶层310(如图11所示)后，在所述氧化层300的部分表面形成第二光刻胶层330，图形化所述第二光刻胶层330，所述第二光刻胶层330暴露出部分所述氧化层300表面和所述第一开口图形320底部，暴露的基底区域和氧化层区域形成第二开口图形340，所述第二开口图形340与第二开口顶部的位置、形状及尺寸一致且所述第二开口图形340的尺寸大于第一开口图形320的尺寸。
本实施例中，所述第二光刻胶层330可以为正光刻胶层或负光刻胶层，所述光刻胶层330的涂胶方法为滴涂涂胶法。由于所述氧化层300的厚度与背腔的深度比为1:140-1:100，所述第一开口图形320的底部至所述氧化层300顶部的高度差很小，可以直接采用滴涂涂胶法而不必采用浸渍涂胶法。对所述光刻胶层进行曝光显影，去除需要形成第二开口的对应区域的光刻胶层，形成所述第二光刻胶层330，所述第二光刻胶层330暴露出部分所述氧化层300表面和所述第一开口图形320底部且暴露的基底区域和氧化层区域与第二开口顶部的位置、形状及尺寸一致。
在本实施例中，所述第二光刻胶层330所暴露出的部分氧化层300将在后续刻蚀工艺中被去除，且所述第二光刻胶层330和氧化层300还要作为后续继续刻蚀麦克风基底200直至暴露出电容结构216的第一绝缘层210表面的掩膜，因此所述第二光刻胶层330的厚度比所述氧化层300更厚。
参考图13，同时以所述第二光刻胶层330和氧化层300为掩膜，沿所述暴露的基底区域和氧化层区域刻蚀所述第二表面202和第二光刻胶层330暴露出的氧化层300的部分，直至所述第二光刻胶层330暴露出的氧化层300被去除为止，暴露出部分麦克风基底200的第二表面202，在麦克风基底200内形成第三开口350，所述第三开口350底部与第一开口顶部的位置、形状及尺寸一致。
在本实施例中，形成所述第三开口350的刻蚀工艺为深反应离子刻蚀工艺。所述氧化层300为氧化硅层，所述麦克风基底200为硅基底，所述深反应离子刻蚀工艺对氧化硅与硅具有很高的选择比，硅与氧化硅的刻蚀速率比远远大于100:1，因此通过所述深反应离子刻蚀工艺，使所述第二光刻胶层330暴露出的氧化层300被去除后，在所述麦克风基底200内形成深宽比较大的第三开口350，所述深反应离子刻蚀工艺，包括刻蚀步骤和聚合物沉积步骤，所述刻蚀步骤和聚合物沉积步骤交替进行。所述深反应离子刻蚀工艺所采用的气体为SF6、CF4、NF3、C4F8中的任意几种的组合。
本实施例中，所述气体为SF6和C4F8的混合气体。所述刻蚀步骤采用的气体为SF6，所述刻蚀步骤的功率为15瓦-2000瓦，气压为50-200毫托；所述沉积步骤采用的气体为C4F8，所述沉积步骤的功率为10瓦-2000瓦，气压为50-200毫托；具体工艺条件由刻蚀所述第三开口350的特征尺寸、所述第三开口350的形貌、所述麦克风基底200的材质、氧化层300的材质及厚度决定。
参考图14，继续以所述氧化层300和所述第二光刻胶层330为掩膜，刻蚀所暴露出的部分第二表面202以及第三开口350(如图13所示)底部，直至贯穿所述基底厚度并暴露出电容结构216的第一绝缘层210表面，刻蚀第三开口350底部形成的第一开口231，刻蚀暴露出的部分第二表面202形成第二开口230。所述第一开口231和所述第二开口230构成麦克风双层结构背腔232。形成所述背腔232后，去除所述第二光刻胶层330。
本实施例中，刻蚀所述第二表面202及所述第三开口350(如图13所示)底面以形成第二开口230、第一开口231的工艺均为深反应离子刻蚀工艺。所述第二开口230的侧壁与第一开口231的侧壁相连接，所形成的第二开口230顶部及底部的尺寸大于所述第一开口231的底部及顶部的尺寸，第二开口230与第一开口231相互贯通，所述第二开口230与第一开口231构成麦克风基底200内的背腔232。
本实施例中，所述深反应离子刻蚀工艺，包括刻蚀步骤和聚合物沉积步骤，所述刻蚀步骤和聚合物沉积步骤交替进行。所述深反应离子刻蚀工艺所采用的气体为SF6、CF4、NF3、C4F8中的任意几种的组合。
本实施例中，所述气体为SF6和C4F8的混合气体。所述刻蚀步骤采用的气体为SF6，所述刻蚀步骤的功率为15瓦-2000瓦，气压为50-200毫托；所述沉积步骤采用的气体为C4F8，所述沉积步骤的功率为10瓦-2000瓦，气压为50-200毫托；具体工艺条件由刻蚀所述第一开口231和第二开口230的特征尺寸、所述第一开口231和第二开口230的形貌、所述麦克风基底200的材质、所述氧化层300和第二光刻胶层330的材质及厚度决定。
本实施例中，去除所述第二光刻胶层330的工艺可以为湿法去胶法或等离子体干法去胶法。当采用湿法去胶法时，运用有机溶剂溶解剩余第二光刻胶层330并去除；当采用等离子体干法去胶法时，利用低压放电，把氧分子电离成激发态的氧原子，然后氧原子和抗蚀剂反应生成挥发性气体，用机械泵抽走以去第二光刻胶层330。去除第二光刻胶层330后以去离子水进行清洗。
再次参考图9，在形成所述麦克风双层结构背腔232以后，所述第一开口231底部暴露出部分第一绝缘层210表面，用氟化酸或氟化铵中的一种或混合溶液湿法去除所述第一开口210底部的部分第一绝缘层210和第二绝缘层212然后通过声孔214释放部分第一绝缘层210和部分第二绝缘层212以形成第一通孔233和第二通孔234；所述第一开口231底部暴露出所述振膜211，所述第一通孔233和第二通孔234构成麦克风电容结构216的空腔235。同时，在湿法去除所述第一开口210底部的部分第一绝缘层210和第二绝缘层212形成第一通孔233和第二通孔234时去除所述氧化层300(如图14所示)。
第三实施例
图15-图18为本发明第三实施例的麦克风制造方法中双层结构背腔形成各步骤对应结构示意图。
在图2的基础上，参考图15，在所述第二表面202上形成图形化的第一光刻胶层420，所述第一光刻胶层420暴露出所述麦克风基底200的部分第二表面202且所述暴露的基底区域与后续形成的第二开口顶部的位置、形状及尺寸一致。
本实施例中，所述第一光刻胶层420，可以为正光刻胶层或负光刻胶层。所述第一光刻胶层420的形成工艺包括：在所述麦克风基底200的第二表面202涂布光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光显影，去除需要形成第二开口的对应区域的光刻胶层，形成所述第一光刻胶层420，所述第一光刻胶层420暴露出第二表面202的区域与后续形成的第二开口顶部的位置、形状及尺寸一致。
参考图16，以所述第一光刻胶层420为掩膜，沿所述暴露的基底区域刻蚀麦克风基底200的第二表面202，在麦克风基底200内相应位置形成第二开口230，形成第二开口230后，去除所述第一光刻胶层420。
本实施例中，刻蚀麦克风基底200的工艺为深反应离子刻蚀工艺。所述深反应离子刻蚀工艺，包括刻蚀步骤和聚合物沉积步骤，所述刻蚀步骤和聚合物沉积步骤交替进行。所述深反应离子刻蚀工艺所采用的气体为SF6、CF4、NF3、C4F8中的任意几种的组合。
本实施例中，所述气体为SF6和C4F8的混合气体。所述刻蚀步骤采用的气体为SF6，所述刻蚀步骤的功率为15瓦-2000瓦，气压为90-1000毫托；所述沉积步骤采用的气体为C4F8，所述沉积步骤的功率为10瓦2000瓦，气压为90-1000毫托；具体工艺条件由刻蚀所述第二开口230的特征尺寸、所述第二开口230的形貌、所述麦克风基底200的材质和第一光刻胶层420的厚度决定。
本实施例中，去除所述第一光刻胶层420的工艺可以为湿法去胶法或等离子体干法去胶法。当采用湿法去胶法时，运用有机溶剂溶解剩余第一光刻胶层420并去除；当采用等离子体干法去胶法时，利用低压放电，把氧分子电离成激发态的氧原子，然后氧原子和抗蚀剂反应生成挥发性气体，用机械泵抽走以去除第一光刻胶层420。去除所述第一光刻胶层420后以去离子水进行清洗。
参考图17，在所述第二表面202和第二开口230部分表面形成图形化的第二光刻胶层421，所述第二光刻胶层421暴露出所述第二开口230的部分底面且暴露的基底区域与第一开口顶部的位置、形状及尺寸一致。
本实施例中，所述第二光刻胶层421可以为正光刻胶层或负光刻胶层，所述光刻胶层的涂胶方式为喷雾涂胶法。所述第二光刻胶层421的形成工艺包括：运用喷头直接向第二表面202和第二开口230表面喷小滴液直至形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光显影，去除需要形成第一开口的对应区域的光刻胶层，形成所述第二光刻胶层421，所述第二光刻胶层421暴露出基底200的区域与后续形成的第一开口顶部的位置、形状及尺寸一致。
参考图18，以所述第二光刻胶层421为掩膜，沿所述暴露的第二开口区域刻蚀第二开口230底部直至贯穿所述基底厚度并暴露出所述电容结构216的第一绝缘层210为止，在麦克风基底200内相应位置形成第一开口231，所述第一开口231的侧壁与第二开口230的侧壁相连接，所述第一开口231和第二开口230相连通以形成麦克风背腔232；形成所述背腔232后，去除所述第二光刻胶层421。
本实施例中，刻蚀第二开口230底部的麦克风基底200的工艺为深反应离子刻蚀工艺，所述深反应离子刻蚀工艺，包括刻蚀步骤和聚合物沉积步骤，所述刻蚀步骤和聚合物沉积步骤交替进行。所述深反应离子刻蚀工艺所采用的气体为SF6、CF4、NF3、C4F8中的任意几种的组合。
本实施例中，所述气体为SF6和C4F8的混合气体。所述刻蚀步骤采用的气体为SF6，所述刻蚀步骤的功率为15瓦-2000瓦，气压为50-200毫托；所述沉积步骤采用的气体为C4F8，所述沉积步骤的功率为10瓦-2000瓦，气压为50-200毫托；具体工艺条件由刻蚀所述第一开口231的特征尺寸、所述第一开口231的形貌、所述麦克风基底200的材质、第二光刻胶层421的材质和第二光刻胶层421的厚度决定。
本实施例中，去除所述第二光刻胶层421的工艺可以为湿法去胶法或等离子体干法去胶法。当采用湿法去胶法时，运用有机溶剂溶解剩余第二光刻胶层421并去除；当采用等离子体干法去胶法时，利用低压放电，把氧分子电离成激发态的氧原子，然后氧原子和抗蚀剂反应生成挥发性气体，用机械泵抽走以去除第二光刻胶层421。去除第二光刻胶层421后以去离子水进行清洗。
再次参考图9，在形成所述麦克风双层结构背腔232以后，所述第一开口231底部暴露出部分第一绝缘层210表面，用氟化酸或氟化铵中的一种或混合溶液湿法去除所述第一开口210底部的部分第一绝缘层210和第二绝缘层212然后通过声孔214释放部分第一绝缘层210和部分第二绝缘层212以形成第一通孔233和第二通孔234；所述第一开口231底部暴露出所述振膜211，所述第一通孔233和第二通孔234构成麦克风电容结构216的空腔235。
第四实施例
图19-图22为本发明第四实施例的麦克风制造方法各步骤对应结构示意图。
此实施例与第三实施例的区别在于：本实施例通过先形成第一开口后形成第二开口的工艺形成麦克风的双层结构背腔。具体工艺如下：
在图2的基础上，参考图19，在所述第二表面202上形成图形化的第一光刻胶层520，所述第一光刻胶层520暴露出所述麦克风基底200的部分第二表面202且所述暴露的基底区域与后续形成的第一开口顶部的位置、形状及尺寸一致。
本实施例中，所述第一光刻胶层520可以为正光刻胶层或负光刻胶层，所述第一光刻胶层520的形成工艺包括：在第二表面202表面涂布光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光显影，去除需要形成第一开口的对应区域的光刻胶层，形成所述第一光刻胶层520，所述第一光刻胶层520暴露出的基底区域与后续形成的第一开口顶部的位置、形状及尺寸一致。
参考图20，以所述第一光刻胶层520为掩膜，沿所述暴露的基底区域刻蚀基底200的第二表面202，在基底200内相应位置形成第一开口图形330，所述第一开口图形330底面暴露出第二表面202的区域与后续形成的第一开口顶部的位置、形状及尺寸一致；形成第一开口图形330后，去除所述第一光刻胶层520。
本实施例中，刻蚀麦克风基底200以形成第一开口图形330的工艺为深反应离子刻蚀工艺，所述深反应离子刻蚀工艺，包括刻蚀步骤和聚合物沉积步骤，所述刻蚀步骤和聚合物沉积步骤交替进行。所述深反应离子刻蚀工艺所采用的气体为SF6、CF4、NF3、C4F8中的任意几种的组合。
本实施例中，所述气体为SF6和C4F8的混合气体。所述刻蚀步骤采用的气体为SF6，所述刻蚀步骤的功率为15瓦-2000瓦，气压为50-200毫托；所述沉积步骤采用的气体为C4F8，所述沉积步骤的功率为10瓦-2000瓦，气压为50-200毫托；具体工艺条件由刻蚀所第一开口图形330的特征尺寸、所述第一开口图形330的形貌、所述基底200的材质、第一光刻胶层520的材质和厚度决定。
本实施例中，去除所述第一光刻胶层520的工艺可以为湿法去胶法或等离子体干法去胶法。当采用湿法去胶法时，运用有机溶剂溶解剩余第一光刻胶层520并去除；当采用等离子体干法去胶法时，利用低压放电，把氧分子电离成激发态的氧原子，然后氧原子和抗蚀剂反应生成挥发性气体，用机械泵抽走以去第一光刻胶层520。去除第一光刻胶层520后以去离子水进行清洗。
参考图21，在所述部分第二表面202形成图形化的第二光刻胶层521，所述第二光刻胶层521暴露出所述第一开口图形330和部分所述第二表面202且暴露的第一开口图形330和部分所述第二表面202的区域与第二开口顶部的位置、形状及尺寸一致。
本实施例中，所述第二光刻胶层521可以为正光刻胶层或负光刻胶层，所述光刻胶层的涂胶方式为喷雾涂胶法。所述第二光刻胶层521的形成工艺包括：运用喷头直接向第二表面202表面和第一开口图形330内喷小滴液直至在所述第二表面202及第一开口图形330内形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光显影，去除需要形成第二开口的对应区域的光刻胶层，形成所述第二光刻胶层521，所述第二光刻胶层521暴露出部分第二表面202和第一开口图形330的区域与后续形成的第二开口顶部的位置、形状及尺寸一致。
参考图22，以所述第二光刻胶层521为掩膜，沿所述暴露的第二表面区域和第一开口图形区域刻蚀第二表面202和所述第一开口图形330底部的基底200直至贯穿所述基底厚度并暴露出所述电容结构216的第一绝缘层210为止，在基底200内相应位置形成第二开口230和第一开口231，所述第一开口231与所述第二开口230相连通且第一开口231的侧壁与第二开口230的侧壁相连接，所述第一开口231和第二开口230构成麦克风双层结构背腔232。形成所述背腔232后，去除所述第二光刻胶层521。
本实施例中，刻蚀麦克风基底200以形成第二开口230、第一开口231的工艺均为深反应离子刻蚀工艺。所述深反应离子刻蚀工艺，包括刻蚀步骤和聚合物沉积步骤，所述刻蚀步骤和聚合物沉积步骤交替进行。所述深反应离子刻蚀工艺所采用的气体为SF6、CF4、NF3、C4F8中的任意几种的组合。
本实施例中，所述气体为SF6和C4F8的混合气体。所述刻蚀步骤采用的气体为SF6，所述刻蚀步骤的功率为15瓦-2000瓦，气压为50-200毫托；所述沉积步骤采用的气体为C4F8，所述沉积步骤的功率为10瓦-2000瓦，气压为50-200毫托；具体工艺条件由刻蚀所述第二开口230和所述第一开口231的特征尺寸、所述第二开口230和所述第一开口231的形貌、所述麦克风基底200的材质、第二光刻胶层521的材质和厚度决定。
本实施例中，去除所述第二光刻胶层521的工艺可以为湿法去胶法或等离子体干法去胶法。当采用湿法去胶法时，运用有机溶剂溶解剩余第二光刻胶层521并去除；当采用等离子体干法去胶法时，利用低压放电，把氧分子电离成激发态的氧原子，然后氧原子和抗蚀剂反应生成挥发性气体，用机械泵抽走以去除第二光刻胶层521。去除第二光刻胶层521后以去离子水进行清洗。
再次参考图9，在形成所述麦克风双层结构背腔232以后，所述第一开口231底部暴露出部分第一绝缘层210表面，用氟化酸或氟化铵中的一种或混合溶液湿法去除所述第一开口210底部的部分第一绝缘层210和第二绝缘层212，然后通过声孔214释放部分第一绝缘层210和部分第二绝缘层212以形成第一通孔233和第二通孔234；所述第一开口231底部暴露出所述振膜211，所述第一通孔233和第二通孔234构成麦克风电容结构216的空腔235。
第一、第一、第三和第四实施例中，通过湿法工艺形成空腔235时采用的溶液为稀释氢氟酸。所述湿法刻蚀工艺具有各向同性刻蚀特性，在各个方向上均具有较高的刻蚀速率，因此，参考图9，在去除第一开口231底部暴露出的所述第一绝缘层210时，还能够以平行于麦克风基底200表面的方向进行刻蚀，形成第一通孔233；又由于所述第一绝缘层210和第二绝缘层212相接触，因此，所述各向同性的湿法刻蚀工艺在去除第一开口231底部的第一绝缘层210之后，对暴露出的第二绝缘层212继续刻蚀，直至去除背板213和振膜211之间的第二绝缘层212，形成第二通孔234；所述第二通孔234在所述背板213至振膜211方向上的投影覆盖所述第一通孔233在所述背板213至振膜211方向上的投影，所述第一通孔233和所述第二通孔234构成所述麦克风电容结构216的空腔235。
本发明实施例中，麦克风基底具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面；在所述麦克风基底的第一表面形成有电容结构，在所述麦克风基底的第二表面形成双层结构背腔，所述背腔包括位于所述电容结构表面的第一开口、以及位于所述第一开口顶部的第二开口，所述第二开口与所述第一开口相通，所述第二开口的侧壁与第一开口的侧壁相连接且所述双层结构背腔暴露出电容结构。根据麦克风的工作原理，声音信号经过所述背腔到达所述麦克风的振膜，所述背腔内的空气与所述电容结构接触，使麦克风振膜发生振动，引起所述振膜与所述麦克风背板之间的距离发生改变，进而使电容结构的电容值发生相应改变，以达到将声音信号转换为电信号的功效，如果要增加麦克风的信噪比，可增加背腔内与电容结构接触的空气量。由于所述第二开口的顶部尺寸大于所述第一开口的顶部尺寸和底部尺寸，相对于现有技术的单层结构背腔来说，双层结构背腔的体积更大，因此能够使更多的空气流入所述背腔中，进而使得电容结构接触到更多的空气。同时，由于所述第一开口的顶部尺寸和底部尺寸均小于所述第二开口的尺寸，即所述第一开口暴露出的电容结构的面积较小，无需增大所述电容结构的面积即可增加所述电容结构接触到的空气量。因此通过本发明的第一至第四实施例的麦克风制造方法，优化麦克风背腔为双层结构背腔，通过该双层结构背腔，不影响麦克风微型化发展即可增加所述电容结构接触到的空气量，进而提高麦克风的信噪比。
进一步，在基底内形成开口图形后，去除光刻胶层，然后对基底进行清洗工艺，以去除所述开口图形侧壁上的等离子体聚合物。避免在后续形成第一开口和第二开口的深度反应离子刻蚀工艺中，因开口图形侧壁的等离子残留物而导致该侧壁的基底无法刻蚀，最终引起栅栏式缺陷，进而导致麦克风低良率问题。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (7)
1.一种麦克风的制造方法，其特征在于，包括：
提供一基底，所述基底具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面；
在所述基底的第一表面上形成电容结构；
在所述基底的第二表面形成背腔，所述背腔包括位于基底第一表面的第一开口，以及位于第一开口顶部的第二开口，所述第一开口底部暴露出所述电容结构，所述第二开口与所述第一开口相连通，且所述第二开口的顶部尺寸大于所述第一开口的顶部尺寸和底部尺寸；在麦克风工作时，声音信号经过所述背腔到达所述电容结构；
所述背腔的形成工艺包括：
在基底第二表面形成氧化层；
在所述氧化层表面形成第一光刻胶层后，图形化所述第一光刻胶层，暴露的氧化层区域与第二开口顶部的位置、形状及尺寸一致；
以所述第一光刻胶层为掩膜，沿暴露的氧化层区域刻蚀氧化层直至露出基底的第二表面，在所述氧化层内形成第二开口图形；
去除所述第一光刻胶层，在所述氧化层表面涂布第二光刻胶层；
图形化所述第二光刻胶层，暴露的基底区域与第一开口顶部的位置、形状及尺寸一致；
以所述第二光刻胶层为掩膜，刻蚀所述基底，形成第一开口图形，所述第一开口图形的尺寸小于所述第二开口的尺寸；
去除所述第二光刻胶层后，同时沿第一开口图形和第二开口图形刻蚀基底直至贯穿所述基底厚度，形成相互连通的第一开口和第二开口。
2.如权利要求1所述的麦克风的制造方法，其特征在于，还包括：在去除所述第二光刻胶层后，进行等离子体聚合物清洗工艺。
3.如权利要求2所述的麦克风的制造方法，其特征在于，所述清洗工艺所采用的溶液为稀释氢氟酸溶液。
4.如权利要求2所述的麦克风的制造方法，其特征在于，所述清洗工艺的工艺时间为50秒-150秒。
5.一种麦克风的制造方法，其特征在于，包括：
提供一基底，所述基底具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面；
在所述基底的第一表面上形成电容结构；
在所述基底的第二表面形成背腔，所述背腔包括位于基底第一表面的第一开口，以及位于第一开口顶部的第二开口，所述第一开口底部暴露出所述电容结构，所述第二开口与所述第一开口相连通，且所述第二开口的顶部尺寸大于所述第一开口的顶部尺寸和底部尺寸；在麦克风工作时，声音信号经过所述背腔到达所述电容结构；
所述背腔的形成工艺包括：
在基底第二表面形成氧化层；
在所述氧化层表面形成第一光刻胶层后，图形化所述第一光刻胶层，暴露的氧化层区域与第一开口顶部的位置、形状及尺寸一致；
以所述第一光刻胶层为掩膜，沿暴露的氧化层区域刻蚀氧化层直至露出基底的第二表面，在所述氧化层内形成第一开口图形，所述第一开口图形与第一开口顶部的位置、形状及尺寸一致；
去除所述第一光刻胶层，在所述氧化层表面涂布第二光刻胶层；
图形化所述第二光刻胶层，暴露的氧化层区域和基底区域形成第二开口图形，所述第二开口图形与第二开口顶部的位置、形状及尺寸一致，所述第二开口图形的尺寸大于所述第一开口图形的尺寸；
同时以所述第二光刻胶层和所述氧化层为掩膜，刻蚀所述第二光刻胶层暴露出的部分氧化层和所述基底直至去除所述第二光刻胶层暴露出的氧化层，形成第三开口；
同时沿第三开口和第二开口图形刻蚀基底直至贯穿所述基底厚度，形成相互连通的第一开口和第二开口。
6.如权利要求5所述的麦克风的制造方法，其特征在于，在基底表面形成的氧化层厚度与第一开口和第二开口的总深度的比例为1:100-1:25。
7.如权利要求5所述的麦克风的制造方法，其特征在于，形成所述第一光刻胶层和第二光刻胶层的方法为滴涂涂胶法。
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| CN109286886B (zh) * | 2017-07-20 | 2020-09-08 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Mems麦克风及其形成方法 |
| CN112153544A (zh) * | 2020-09-28 | 2020-12-29 | 瑞声新能源发展(常州)有限公司科教城分公司 | 一种电容式麦克风及其制造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1728888A (zh) * | 2004-07-30 | 2006-02-01 | 三洋电机株式会社 | 声敏元件 |
| CN103107066A (zh) * | 2011-11-10 | 2013-05-15 | 无锡华润上华科技有限公司 | 一种光刻胶去除方法及半导体生产方法 |
| CN103972186A (zh) * | 2014-05-22 | 2014-08-06 | 南通富士通微电子股份有限公司 | 封装结构 |
| CN104347477A (zh) * | 2013-07-24 | 2015-02-11 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体结构的形成方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100327336B1 (ko) * | 1999-08-03 | 2002-03-06 | 윤종용 | 미세 구조물 제조에 사용되는 물질층 식각 방법 및 이를 이용한 리소그래피 마스크 제조 방법 |
| JP4215076B2 (ja) * | 2006-07-10 | 2009-01-28 | ヤマハ株式会社 | コンデンサマイクロホン及びその製造方法 |
-
2015
- 2015-05-26 CN CN201510274789.4A patent/CN106303888B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1728888A (zh) * | 2004-07-30 | 2006-02-01 | 三洋电机株式会社 | 声敏元件 |
| CN103107066A (zh) * | 2011-11-10 | 2013-05-15 | 无锡华润上华科技有限公司 | 一种光刻胶去除方法及半导体生产方法 |
| CN104347477A (zh) * | 2013-07-24 | 2015-02-11 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体结构的形成方法 |
| CN103972186A (zh) * | 2014-05-22 | 2014-08-06 | 南通富士通微电子股份有限公司 | 封装结构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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