CN106301200A - 一种实现直流与交流防反灌的控制装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种实现直流与交流防反灌的控制装置，其包括直流与交流防反灌PCB控制板、密封腔体、安装座和硅胶密封垫，所述直流与交流防反灌PCB控制板插置固定在安装座的夹座上。本发明结构设计巧妙、合理，利用硅胶密封垫使密封腔体与安装座的相接触面上形成有效的封闭密封结构，配合紧密，然后将直流与交流防反灌PCB控制板置于该封闭密封结构内，防水防尘效果佳，从而使控制装置具备了在高湿环境下长期作业，而不受侵蚀的功能，大大提升控制装置的环境适应能力、使用稳定性及使用寿命，确保直流与交流防反灌PCB控制板的正常工作，实现直流与交流防反灌控制，工作稳定性好，另外整体结构简单，易于实现，利于广泛推广应用。
Description
技术领域
本发明涉及防反灌技术领域，具体涉及一种实现直流与交流防反灌的控制装置。
背景技术
光伏提灌站，也称为太阳能提灌站，作为重要的农业基础设施，为农业生产与生活提供用水。太阳能提灌站主要由太阳能发电系统、提灌系统组成。太阳能发电系统包括太阳能电池板、光伏控制器以及光伏逆变器；提灌系统主要包括水泵机组、管道、控制房和蓄水池。其中，水泵机组主要包括潜水泵和电机。太阳能电池板将采集的太阳光能，转化为直流电，输入光伏控制器，再通过光伏逆变器，转换为AC380V的交流电，为水泵机组提供动力。水泵机组将水加压后送入管道，将水输送至大容量蓄水池，用水时直接从蓄水池取水，该太阳能提灌站控制装置具有自动引水功能。
在太阳能和市电切换的过程中，需要设置有实现直流与交流防反灌的控制装置，然而现有的控制装置密封效果差，其的工作使用环境大多是高湿环境下长期作业，易出现被侵蚀现象，工作稳定性差，使用寿命短。
发明内容
针对上述不足，本发明的目的在于，提供一种结构设计巧妙、合理，密封效果好，工作稳定性高，使用寿命长的实现直流与交流防反灌的控制装置。
为实现上述目的，本发明所提供的技术方案是：
一种实现直流与交流防反灌的控制装置，其包括直流与交流防反灌PCB控制板、密封腔体、安装座和硅胶密封垫，所述密封腔体的底面设有开口，所述安装座封闭在该开口上，该安装座封闭的上表面设有能将直流与交流防反灌PCB控制板夹持固定的夹座，所述直流与交流防反灌PCB控制板插置固定在夹座上，所述硅胶密封垫位于安装座和密封腔体之间。
作为本发明的一种改进，所述密封腔体的外侧壁上设有连接座，该连接座上设有安装孔，并在所述安装座上设有与该安装孔相对应的装配孔。
作为本发明的一种改进，所述直流与交流防反灌PCB控制板的周缘位置包覆有防震硅胶。
作为本发明的一种改进，所述安装座与夹座为一体连接结构，该夹座上设有与所述直流与交流防反灌PCB控制板相适配的固定槽。
作为本发明的一种改进，所述硅胶密封垫的上表面设有与所述装配凹槽，该硅胶密封垫通过装配凹槽包覆在所述密封腔体的侧壁下边缘上。
作为本发明的一种改进，所述直流与交流防反灌PCB控制板包括PCB基板及设置在该PCB基板上的参考电压提供电路、电压比较电路及防反灌电路，电压比较电路包括电流检测电阻，参考电压提供电路的输出端与电压比较电路的第一输入端连接，输入电路的负极经由电流检测电阻与输出电路负极连接，电流检测电阻上形成回馈电压作用于电压比较电路的第二输入端，防反灌电路包括一P沟道MOSFET、第一电阻、第一稳压管及三极管，P沟道MOSFET的漏极与输入电路正极连接，P沟道MOSFET的源极与输出电路的正极连接，第一稳压管连接于P沟道MOSFET的源极与P沟道MOSFET的栅极之间，第一稳压管的正极与P沟道OSFET的栅极连接，第一电阻与所述第一稳压管并联，P沟道MOSFET的栅极经由三极管接地，电压比较电路的输出端与三极管的基极连接，电压比较电路对参考电压及回馈电压进行比较，通过电压比较电路的输出端控制P沟道MOSFET工作状态，防止反灌电流从输出电路进入输入电路。
作为本发明的一种改进，所述密封腔体上设有航空接头。
作为本发明的一种改进，所述密封腔体采用铝合金材料制成；所述安装座采用铝合金材料制成。
本发明的有益效果为：本发明结构设计巧妙、合理，利用硅胶密封垫使密封腔体与安装座的相接触面上形成有效的封闭密封结构，配合紧密，然后将直流与交流防反灌PCB控制板置于该封闭密封结构内，防水防尘效果佳，从而使控制装置具备了在高湿环境下长期作业，而不受侵蚀的功能，大大提升控制装置的环境适应能力、使用稳定性及使用寿命，确保直流与交流防反灌PCB控制板的正常工作，实现直流与交流防反灌控制，工作稳定性好，另外整体结构简单，易于实现，利于广泛推广应用。
下面结合附图与实施例，对本发明进一步说明。
附图说明
图1是本发明的结构示意图。
图2是本发明中直流与交流防反灌PCB控制板的模块结构示意图。
具体实施方式
实施例，参见图1和图2，本实施例提供的一种一种实现直流与交流防反灌的控制装置，其包括直流与交流防反灌PCB控制板1、密封腔体2、安装座3和硅胶密封垫4，所述密封腔体2的底面设有开口，所述安装座3封闭在该开口上，该安装座3封闭的上表面设有能将直流与交流防反灌PCB控制板1夹持固定的夹座5，所述直流与交流防反灌PCB控制板1插置固定在夹座5上，所述硅胶密封垫4位于安装座3和密封腔体2之间。在所述密封腔体2上设有航空接头，方便接线，防水效果好。
具体的，所述密封腔体2的外侧壁上设有连接座21，该连接座21上设有安装孔，并在所述安装座3上设有与该安装孔相对应的装配孔31，通过螺丝进行锁紧固定，配合紧密，连接牢固。
较佳的，在所述直流与交流防反灌PCB控制板1的周缘位置包覆有防震硅胶6，固定稳定性好，且防震。
所述密封腔体2和安装座3均采用铝合金材料制成，易于实现，且结构强度大，方便散热。所述安装座3与夹座5为一体连接结构，该夹座5上设有与所述直流与交流防反灌PCB控制板1相适配的固定槽，结构简单，设计合理。
为进一步提升配合的紧密性，在所述硅胶密封垫4的上表面设有与所述装配凹槽，该硅胶密封垫4通过装配凹槽包覆在所述密封腔体2的侧壁下边缘上。
具体的，所述直流与交流防反灌PCB控制板包括PCB基板及设置在该PCB基板上的参考电压提供电路、电压比较电路及防反灌电路，电压比较电路包括电流检测电阻，参考电压提供电路的输出端与电压比较电路的第一输入端连接，输入电路的负极经由电流检测电阻与输出电路负极连接，电流检测电阻上形成回馈电压作用于电压比较电路的第二输入端，防反灌电路包括一P沟道MOSFET、第一电阻、第一稳压管及三极管，P沟道MOSFET的漏极与输入电路正极连接，P沟道MOSFET的源极与输出电路的正极连接，第一稳压管连接于P沟道MOSFET的源极与P沟道MOSFET的栅极之间，第一稳压管的正极与P沟道OSFET的栅极连接，第一电阻与所述第一稳压管并联，P沟道MOSFET的栅极经由三极管接地，电压比较电路的输出端与三极管的基极连接，电压比较电路对参考电压及回馈电压进行比较，通过电压比较电路的输出端控制P沟道MOSFET工作状态，防止反灌电流从输出电路进入输入电路。
安装时，利用硅胶密封垫4使密封腔体2与安装座3的相接触面上形成有效的封闭密封结构，配合紧密，然后将直流与交流防反灌PCB控制板置于该封闭密封结构内，防水防尘效果佳，从而使控制装置具备了在高湿环境下长期作业，而不受侵蚀的功能，大大提升控制装置的环境适应能力、使用稳定性及使用寿命，确保直流与交流防反灌PCB控制板的正常工作，实现直流与交流防反灌控制，工作稳定性好。
根据上述说明书的揭示和教导，本发明所属领域的技术人员还可以对上述实施方式进行变更和修改。因此，本发明并不局限于上面揭示和描述的具体实施方式，对本发明的一些修改和变更也应当落入本发明的权利要求的保护范围内。此外，尽管本说明书中使用了一些特定的术语，但这些术语只是为了方便说明，并不对本发明构成任何限制。如本发明上述实施例所述，采用与其相同或相似的步骤或结构而得到的其它装置，均在本发明保护范围内。
Claims (9)
1.一种实现直流与交流防反灌的控制装置，其特征在于：其包括直流与交流防反灌PCB控制板、密封腔体、安装座和硅胶密封垫，所述密封腔体的底面设有开口，所述安装座封闭在该开口上，该安装座封闭的上表面设有能将直流与交流防反灌PCB控制板夹持固定的夹座，所述直流与交流防反灌PCB控制板插置固定在夹座上，所述硅胶密封垫位于安装座和密封腔体之间。
2.根据权利要求1所述的实现直流与交流防反灌的控制装置，其特征在于：所述密封腔体的外侧壁上设有连接座，该连接座上设有安装孔，并在所述安装座上设有与该安装孔相对应的装配孔。
3.根据权利要求1或2所述的实现直流与交流防反灌的控制装置，其特征在于：所述直流与交流防反灌PCB控制板的周缘位置包覆有防震硅胶。
4.根据权利要求1所述的实现直流与交流防反灌的控制装置，其特征在于：所述安装座与夹座为一体连接结构，该夹座上设有与所述直流与交流防反灌PCB控制板相适配的固定槽。
5.根据权利要求1所述的实现直流与交流防反灌的控制装置，其特征在于：所述硅胶密封垫的上表面设有与所述装配凹槽，该硅胶密封垫通过装配凹槽包覆在所述密封腔体的侧壁下边缘上。
6.根据权利要求1所述的实现直流与交流防反灌的控制装置，其特征在于：所述直流与交流防反灌PCB控制板包括PCB基板及设置在该PCB基板上的参考电压提供电路、电压比较电路及防反灌电路，电压比较电路包括电流检测电阻，参考电压提供电路的输出端与电压比较电路的第一输入端连接，输入电路的负极经由电流检测电阻与输出电路负极连接，电流检测电阻上形成回馈电压作用于电压比较电路的第二输入端，防反灌电路包括一P沟道MOSFET、第一电阻、第一稳压管及三极管，P沟道MOSFET的漏极与输入电路正极连接，P沟道MOSFET的源极与输出电路的正极连接，第一稳压管连接于P沟道MOSFET的源极与P沟道MOSFET的栅极之间，第一稳压管的正极与P沟道OSFET的栅极连接，第一电阻与所述第一稳压管并联，P沟道MOSFET的栅极经由三极管接地，电压比较电路的输出端与三极管的基极连接，电压比较电路对参考电压及回馈电压进行比较，通过电压比较电路的输出端控制P沟道MOSFET工作状态，防止反灌电流从输出电路进入输入电路。
7.根据权利要求1所述的实现直流与交流防反灌的控制装置，其特征在于：所述密封腔体上设有航空接头。
8.根据权利要求1所述的实现直流与交流防反灌的控制装置，其特征在于：所述密封腔体采用铝合金材料制成。
9.根据权利要求1或8所述的实现直流与交流防反灌的控制装置，其特征在于：所述安装座采用铝合金材料制成。
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