CN106300950B - 启动电路及其启动方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种启动电路及其启动方法。其中，该方法包括：待启动的电路，待启动的电路包括第一输入端、第二输入端和第三输入端；开关SW1，开关SW1的第一端与第一输入端相连接，第一输入端连接高电平；电容C1，电容C1的一端与开关SW1的第二端相连接，电容C1的另一端连接低电平，第三输入端连接低电平；开关SW2，开关SW2的第一端与开关SW1的第二端相连接，开关SW2的第二端连接第二输入端。本发明解决了现有的启动电路耗费功耗的技术问题。

Description

启动电路及其启动方法

技术领域

本发明涉及电路领域，具体而言，涉及一种启动电路及其启动方法。

背景技术

现有的启动电路如图1和图2所示。如图1所示，在断电时，开关SW3和开关SW4闭合，把PB的电位拉到avss，把PC的电位拉到avdd。此时，开关SW5是断开的。

如图2所示，在上电时，开关SW3和开关SW4断开，开关SW5闭合对PB点充电，PB点的电压经过一个反馈(feedback)的电力产生SW5_ctl信号，控制SW5的开关。当PB充电到一定过得电压后，整个偏置电路启动成功，SW5_ctl信号就会把SW5开关断开，从而使启动电路对偏置电路不造成工作点的影响。但是在SW5开关断开以后，I1的电流会继续对地进行放电，耗费一定的功耗。

针对上述的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

发明内容

本发明实施例提供了一种启动电路及其启动方法，以至少解决现有的启动电路耗费功耗的技术问题。

根据本发明实施例的一个方面，提供了一种启动电路，包括：待启动的电路，所述待启动的电路包括第一输入端、第二输入端和第三输入端；开关SW1，所述开关SW1的第一端与所述第一输入端相连接，所述第一输入端连接高电平；电容C1，所述电容C1的一端与所述开关SW1的第二端相连接，所述电容C1的另一端连接低电平，所述第三输入端连接所述低电平；开关SW2，所述开关SW2的第一端与所述开关SW1的第二端相连接，所述开关SW2的第二端连接所述第二输入端。

进一步地，所述启动电路还包括：电阻R1，所述电阻R1的一端连接所述开关SW2的第二端，所述电阻R1的另外一端连接所述第二输入端。

进一步地，所述待启动的电路为偏置电路。

进一步地，所述偏置电路包括：第一偏置部分，所述第一偏置部分包括所述第一输入端；第二偏置部分，所述第二偏置部分包括所述第三输入端，其中，所述第一偏置部分与所述第二偏置部分连接成所述偏置电路，所述第二输入端作为所述第一偏置部分和所述第二偏置部分的输入端。

进一步地，所述第一偏置部分包括：晶体管M1，所述晶体管M1的漏极连接所述高电平，栅极连接晶体管M2的栅极，源极连接所述第二输入端；所述晶体管M2，所述晶体管M2的源极连接所述高电平，源极连接所述第二偏置部分，所述晶体管M2的栅极和所述晶体管M2的源极相连接；开关SW3，一端连接所述高电平，另外一端连接所述晶体管M1的栅极。

进一步地，所述第二偏置部分包括：晶体管M3，所述晶体管M3的源极连接所述晶体管M1的源极，所述晶体管M3的漏极连接低电平，所述晶体管M3的栅极连接晶体管M4的栅极，所述晶体管M3的栅极连接所述晶体管M3的源极；所述晶体管M4的源极连接所述晶体管M2的源极，所述晶体管M3的漏极通过电阻R2连接所述低电平；开关SW4，一端连接所述晶体管M4的栅极，另外一端连接所述低电平。

根据本发明实施例的另一方面，还提供了一种启动电路的启动方法，包括：在断电时，控制开关SW1闭合导通且开关SW2断开，向电容C1充电；在上电时，控制所述开关SW1断开且开关SW2闭合导通，所述电容C1向待启动电路放电，以启动所述待启动电路工作。

进一步地，所述待启动电路为偏置电路，所述启动方法还包括：在断电时，控制所述偏置电路的开关SW3和开关SW4闭合导通。

进一步地，所述待启动电路为偏置电路，所述启动方法还包括：在上电时，控制所述偏置电路的开关SW3和开关SW4断开，开关SW1断开，开关SW2闭合导通。

在本发明实施例中，采用包括待启动的电路，待启动的电路包括第一输入端、第二输入端和第三输入端；开关SW1，开关SW1的第一端与第一输入端相连接，第一输入端连接高电平；电容C1，电容C1的一端与开关SW1的第二端相连接，电容C1的另一端连接低电平，第三输入端连接低电平；开关SW2，开关SW2的第一端与开关SW1的第二端相连接，开关SW2的第二端连接第二输入端的启动电路，使得启动部分的PA和PB的电位相同，使得在偏置电路稳定上电后，启动部分不会进行充放电，也就不会有功耗，避免了偏置电路在稳定上电后启动电路继续消耗功耗，解决了现有技术耗费功耗的技术问题，达到了减少功耗耗费的技术效果。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1是根据现有技术的一种启动电路在断电时的示意图；

图2是根据现有技术的一种启动电路在上电时的示意图；

图3是根据本发明实施例的一种偏置电路在断电时的示意图；

图4是根据本发明实施例的一种偏置电路在上电时的示意图；

图5是根据本发明实施例的一种启动电路在断电时的示意图；

图6是根据本发明实施例的一种启动电路在上电时的示意图；

图7是根据本发明实施例的启动电路的启动方法的流程图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。

需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

根据本发明实施例，提供了一种启动电路的实施例。该启动电路可以应用于偏置电路，用于实现偏置电路的启动，还可以应用于其他需要启动的电路中。本实施例以启动电路应用于偏置电路为例进行说明书。

本实施例中的启动电路所应用的偏置电路可以是图3和图4中的偏置电路。如图3所示，在断电时，开关SW3和开关SW4闭合，晶体管M2和晶体管M3被短路，把PB的电位拉到avss，把PC的电位拉到avdd。如图4所示，在上电时，开关SW3和开关SW4断开，如果没有外部的信号把PC向下(avss)拉，或者把PB向上(avdd)拉的话，PC将会保持在接近avdd的电平，PB将会保持在接近avss的电平，那么晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3和晶体管M4都将处于关断状态，整个偏置电路就没有启动。

为了使得偏置电路可以自动启动，并且避免启动后的功耗损耗，本实施例提供了如图5和图6所示的启动电路。图5示出了启动电路的断电状态，图6示出了启动电路的上电状态。以下结合图5和图6对本实施例的启动电路进行说明。本实施例中的待启动电路为偏置电路。

如图5和图6所示，开关SW1，开关SW1的第一端与第一输入端(偏置电路连接avdd的一端)相连接，第一输入端连接高电平(avdd)；电容C1，电容C1的一端与开关SW1的第二端相连接，电容C1的另一端连接低电平(avss)，第三输入端(偏置电路连接avss的一端)连接低电平；开关SW2，开关SW2的第一端与开关SW1的第二端相连接，开关SW2的第二端连接第二输入端(图中PB端)。

进一步地，该启动电路还包括：电阻R1，电阻R1的一端连接开关SW2的第二端，电阻R1的另外一端连接第二输入端。该电阻R1可以是开关SW2的内阻，也可以是额外的限流电阻。

以下进一步说明图3至图6中的偏置电路的结构。如图所示，偏置电路包括：第一偏置部分，第一偏置部分包括第一输入端；第二偏置部分，第二偏置部分包括第三输入端，其中，第一偏置部分与第二偏置部分连接成偏置电路，第二输入端作为第一偏置部分和第二偏置部分的输入端。每个偏置部分都包括两个晶体管和一个开关。

具体地，第一偏置部分包括：晶体管M1，晶体管M1的漏极连接高电平，栅极连接晶体管M2的栅极，源极连接第二输入端；晶体管M2，晶体管M2的源极连接高电平，源极连接第二偏置部分，晶体管M2的栅极和晶体管M2的源极相连接；开关SW3，一端连接高电平，另外一端连接晶体管M1的栅极。

具体地，第二偏置部分包括：晶体管M3，晶体管M3的源极连接晶体管M1的源极，晶体管M3的漏极连接低电平，晶体管M3的栅极连接晶体管M4的栅极，晶体管M3的栅极连接晶体管M3的源极；晶体管M4的源极连接晶体管M2的源极，晶体管M3的漏极通过电阻R2连接低电平；开关SW4，一端连接晶体管M4的栅极，另外一端连接低电平。

参考图5和图6可知，在断电时(如图5)，开关SW3和开关SW4闭合，把PB的电位拉到avss,把PC的电位拉到avdd。同时，开关SW1闭合导通，开关SW2断开，将PA的电容C1上极板充电到avdd(或者某个电压)附件，将PA和PB断开。

在上电时，开关SW3和开关SW4断开，开关SW1断开，开关SW2闭合导通。这个时候电容PA上的电荷通过SW2和电阻R1对PB点放电，R1可以是SW2的内阻也可以是额外限流的电阻。PA点的电荷会把PB点的电压拉高，当PB的电压高于晶体管M3的阈值电压时，晶体管M3导通，同时晶体管M4也同时导通。晶体管M4导通以后会把PC点的电压拉低，从而使晶体管M2导通，同时晶体管M1也导通，整个偏置电路正常工作。当电路达到稳定的工作状态时，PA与PB的电位是相同的，启动电路的启动部分没有充放电，因此启动部分在偏置电路上电稳定以后就不会有任何功耗。

也就是说，由于该启动电路使得启动部分的PA和PB的电位相同，使得在偏置电路稳定上电后，启动部分不会进行充放电，也就不会有功耗，避免了偏置电路在稳定上电后启动电路继续消耗功耗，解决了现有技术耗费功耗的技术问题，达到了减少功耗耗费的技术效果。

根据本发明实施例，提供了一种启动电路的启动方法的方法实施例。该启动方法是应用本实施例所提供的启动电路的启动方法。

图7是根据本发明实施例的启动电路的启动方法的流程图，如图1所示，该方法包括如下步骤：

步骤S102，在断电时，控制开关SW1闭合导通且开关SW2断开，向电容C1充电；

步骤S104，在上电时，控制开关SW1断开且开关SW2闭合导通，电容C1向待启动电路放电，以启动待启动电路工作。

通过上述步骤，可以实现在上电后，保持开关SW2两端的电位相同，使得待启动电路稳定上电后，电容C1不再持续充放电，避免了充放电所导致的持续消耗功耗，解决了现有技术耗费功耗的技术问题，达到了减少功耗耗费的技术效果。

进一步地，在待启动电路为偏置电路的情况下，在断电时，控制偏置电路的开关SW3和开关SW4闭合导通。

在断电时，闭合导通的开关SW3和开关SW4将PB的电位拉到avss,把PC的电位拉到avdd，同时，开关SW1导通，将PA的电容C1上极板充电到avdd(或者某个电压)附近，开关SW2断开，将PA和PB断开。

进一步地，在待启动电路为偏置电路的情况下，在上电时，控制偏置电路的开关SW3和开关SW4断开，同时，开关SW1断开，开关SW2闭合导通。

这个时候电容PA上的电荷通过SW2和电阻R1对PB点放电，R1可以是SW2的内阻也可以是额外限流的电阻。PA点的电荷会把PB点的电压拉高，当PB的电压高于晶体管M3的阈值电压时，晶体管M3导通，同时晶体管M4也同时导通。晶体管M4导通以后会把PC点的电压拉低，从而使晶体管M2导通，同时晶体管M1也导通，整个偏置电路正常工作。当电路达到稳定的工作状态时，PA与PB的电位是相同的，启动电路的启动部分没有充放电，因此启动部分在偏置电路上电稳定以后就不会有任何功耗。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (4)

1.一种启动电路，其特征在于，包括：

待启动的电路，所述待启动的电路包括第一输入端、第二输入端和第三输入端；

开关SW1，所述开关SW1的第一端与所述第一输入端相连接，所述第一输入端连接高电平；

电容C1，所述电容C1的一端与所述开关SW1的第二端相连接，所述电容C1的另一端连接低电平，所述第三输入端连接所述低电平；

开关SW2，所述开关SW2的第一端与所述开关SW1的第二端相连接，所述开关SW2的第二端连接所述第二输入端；

在上电时，开关SW3和开关SW4断开，所述开关SW1断开，所述开关SW2闭合导通；所述开关SW1的第二端的电容上的电荷通过所述开关SW2和电阻R1对所述第二输入端放电，所述电阻R1包括：所述开关SW2的内阻，或，额外限流的电阻；所述开关SW1的第二端的电容的电荷会把所述第二输入端的电压拉高，当所述第二输入端的电压高于晶体管M3的阈值电压时，所述晶体管M3导通，同时晶体管M4也同时导通；所述晶体管M4导通以后会把晶体管M2的源极的电压拉低，以使得晶体管M2导通，同时晶体管M1也导通；

其中,电阻R1，所述电阻R1的一端连接所述开关SW2的第二端，所述电阻R1的另外一端连接所述第二输入端；

所述待启动的电路为偏置电路,其中,所述偏置电路包括：第一偏置部分，所述第一偏置部分包括所述第一输入端；第二偏置部分，所述第二偏置部分包括所述第三输入端，其中，所述第一偏置部分与所述第二偏置部分连接成所述偏置电路，所述第二输入端作为所述第一偏置部分和所述第二偏置部分的输入端；

其中，所述第一偏置部分包括:所述晶体管M1、所述晶体管M2和所述开关SW3；所述第二偏置部分包括:所述晶体管M3、所述晶体管M4和所述开关SW4；

所述第一偏置部分包括：晶体管M1，所述晶体管M1的漏极连接所述高电平，栅极连接晶体管M2的栅极，源极连接所述第二输入端；所述晶体管M2，所述晶体管M2的源极连接所述高电平，源极连接所述第二偏置部分，所述晶体管M2的栅极和所述晶体管M2的源极相连接；开关SW3，一端连接所述高电平，另外一端连接所述晶体管M1的栅极；

所述第二偏置部分包括：晶体管M3，所述晶体管M3的源极连接所述晶体管M1的源极，所述晶体管M3的漏极连接低电平，所述晶体管M3的栅极连接晶体管M4的栅极，所述晶体管M3的栅极连接所述晶体管M3的源极；所述晶体管M4的源极连接所述晶体管M2的源极，所述晶体管M3的漏极通过电阻R2连接所述低电平；开关SW4，一端连接所述晶体管M4的栅极，另外一端连接所述低电平。

2.一种权利要求1所述的启动电路的启动方法，其特征在于，包括：

在断电时，控制开关SW1闭合导通且开关SW2断开，向电容C1充电；

在上电时，控制所述开关SW1断开且开关SW2闭合导通，所述电容C1向待启动电路放电，以启动所述待启动电路工作。

3.根据权利要求2所述的启动方法，其特征在于，所述待启动电路为偏置电路，所述启动方法还包括：

在断电时，控制所述偏置电路的开关SW3和开关SW4闭合导通。

4.根据权利要求2所述的启动方法，其特征在于，所述待启动电路为偏置电路，所述启动方法还包括：

在上电时，控制所述偏置电路的开关SW3和开关SW4断开，开关SW1断开，开关SW2闭合导通。