CN106300298A - 一种电压源型并网逆变器的直流侧故障保护装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种电压源型并网逆变器的直流侧故障保护装置,该装置用于连接交直流混合微电网的变流器侧和直流侧,包括由绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和二极管(D)组成的保护单元,其中,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的集电极和交直流混合微电网的变流器侧相连,其发射极和直流侧相连,二极管(D)与绝缘栅双极型晶体管(IGBT)反向并联;该装置还包括检测单元、反馈单元和驱动单元。该装置能在交直流混合微电网系统直流侧发生短路故障时,完成对故障电流的快速有效隔离,起到隔离保护的作用。该故障保护装置动作迅速,动作时间在微秒数量级,同时,该装置在故障清除后具有可恢复性,能够反复使用,延长系统的使用寿命。

Description

一种电压源型并网逆变器的直流侧故障保护装置
技术领域
本发明涉及电力系统、逆变器技术领域。更具体地,涉及一种电压源型并网逆变器的直流侧故障保护装置。
背景技术
现全世界供电系统是以大机组、大电网、高电压为主要特征的集中式单一供电系统。虽然全世界90%的电力负荷都由这种集中单一的大电网供电,但是当今社会对能源与电力供应的质量与安全可靠性要求越来越高,大电网由于自身的缺陷已经不能满足这种要求。由于大电网中任何一点的故障所产生的扰动都会对整个电网造成较大影响,严重时可能引起大面积停电甚至是全网崩溃,造成灾难性后果;而且这种大电网又极易受到战争或恐怖势力的破坏,严重时将危害国家的安全,;另外集中式大电网还不能跟踪电力负荷的变化,而为了短暂的峰荷建造发电厂其花费是巨大的,经济效益也非常低。
近年来,在环境保护与能源需求的双重压力下,分布式发电成为了电力系统发展的重要推力,并在未来电力系统中扮演越来越重要的角色。为了协调大电网与分布式发电间的矛盾,充分挖掘分布式发电为电网和用户带来的价值和效益,学者们提出并不断发展了微电网的概念,其主要包括交流微电网、直流微电网与交直流混合微电网三种形式。与单纯的交流微电网和直流微电网相比,交直流混合微电网可以减少AC/DC和DC/AC等变换环节,并且可以同时满足交流负荷和直流负荷供电需求,节省了用户设备内的变频装置,有效降低了设备的生产成本。因此,交直流混合微电网作为一种典型的微电网应用结构得到了越来越多的研究与应用,其典型结构可用图1来表示。对于交流部分,各个分布式微源分别通过电力电子接口变换器装置分布式并入公共交流母线。同样,对于直流部分,各个分布式微源也通过相应的电力电子接口变换器装置将输出电压调整到直流母线水平后分布式并入公共直流母线。而对于两条母线间各AC/DC接口变换器同样呈现并联结构,满足交流母线和直流母线之间交互连接的要求。
交直流混合微电网在同时满足交流负荷和直流负荷供电需求时,其直流侧会相应变的比较复杂,这也客观导致了其直流侧出现故障的机率变大。而连接交流电网与直流电网的AC/DC变换装置多为电压源型的并网逆变器,其主电路开关管两端存在反并联二极管,这使得当系统直流侧出现短路故障时,相当于二极管导通,这时紧靠封锁AC/DC变换装置本身的开关管脉冲无法抑制从直流侧流向变流器侧的短路电流,其最终会导致AC/DC变换装置跳闸停机,严重时甚至会直接影响整个交流电网侧的安全运行,造成大面积的安全事故。
因此,需要提供一种针对这种情况的在电压源型AC/DC变换装置的直流侧接入的故障限流装置进行直流侧故障保护。
发明内容
为了克服上述缺陷,本发明的目的在于提供一种使用绝缘栅双极型晶体管IGBT、反并联二极管以及相应的驱动与检测电路复合组成的电压源型并网逆变器的直流侧故障保护装置,来实现电压源型并网逆变器的直流侧故障保护,达到对故障电流的快速抑制和自动恢复的目的。
为达到上述目的,本发明采用下述技术方案:
一种电压源型并网逆变器的直流侧故障保护装置,该故障保护装置用于连接交直流混合微电网的变流器侧和直流侧来实现直流侧的故障保护功能,包括
保护单元,保护单元包括绝缘栅双极型晶体管IGBT和反向并联二极管D,绝缘栅双极型晶体管IGBT的集电极和二极管D的负极电连接后与交直流混合微电网的变流器侧相连,绝缘栅双极型晶体管IGBT的发射极和二极管D的正极电连接后与交直流混合微电网的直流侧相连;
检测单元,与保护单元电连接,用于对保护单元进行采样并将采样结果与保护值进行比较,得出比较结果;
反馈单元,与检测单元电连接,用于根据比较结果生成高电平或低电平;以及
驱动单元,与反馈单元电连接,并将高电平或低电平馈送至保护单元的绝缘栅双极型晶体管IGBT的栅极。
变流器侧和直流侧为交直流混合微电网的同一端的变流器侧和直流侧。对于两电平的并网逆变器,故障保护装置设置于直流侧的正极端或负极端;对于三电平的并网逆变器,故障保护装置设置于直流侧的P极端或N极端。
优选地,采样结果为绝缘栅双极型晶体管IGBT的集电极-发射极饱和电压Vce
优选地,保护值为根据电路保护要求设定的集电极-发射极饱和电压Vce的最大电压值。
优选地,检测单元包括
电压采样电路,用于采集绝缘栅双极型晶体管IGBT的集电极-发射极饱和电压Vce
电压比较电路,用于将采样结果与保护值进行比较,得出比较结果,比较结果包括采样结果高于保护值和采样结果低于保护值。
优选地,当比较结果为采样结果高于保护值时,反馈单元生成高电平;
当比较结果为采样结果低于保护值时,反馈单元生成低电平。
优选地,当驱动单元将高电平馈送至保护单元的绝缘栅双极型晶体管IGBT的栅极时,绝缘栅双极型晶体管IGBT导通;
当驱动单元将低电平馈送至保护单元的绝缘栅双极型晶体管IGBT的栅极时,绝缘栅双极型晶体管IGBT关断。
本发明的有益效果如下:
本发明的电压源型并网逆变器的直流侧故障保护装置,能在交直流混合微电网系统直流侧发生短路故障时,完成对故障电流的快速有效隔离,起到隔离保护的作用。该故障保护装置动作迅速,动作时间在微秒数量级,同时,该装置在故障清除后具有可恢复性,能够反复使用,延长系统的使用寿命。
附图说明
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。
图1示出典型交直流混合微网结构示意图。
图2示出典型两电平逆变器的拓扑结构图。
图3示出两电平逆变器的直流侧故障影响机理示意图。
图4示出典型三电平逆变器的拓扑结构图。
图5示出三电平逆变器的直流侧故障影响机理示意图。
图6示出电压源型并网逆变器的直流侧故障保护装置示意图。
图7示出电压源型并网逆变器的直流侧故障保护装置工作原理图。
图8示出装有直流侧故障保护装置的两电平电压源型并网逆变器拓扑图。
图9示出装有直流侧故障保护装置的三电平电压源型并网逆变器拓扑图。
具体实施方式
为了更清楚地说明本发明,下面结合优选实施例和附图对本发明做进一步的说明。附图中相似的部件以相同的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解,下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的,不应以此限制本发明的保护范围。
典型的交直流混合微电网结构如图1所示。直流电网与交流电网接口部分通过电压源型的AC/DC变换装置进行连接,常用的电压源型AC/DC变换装置有两电平、三电平等拓扑结构。
典型两电平逆变器的拓扑结构如图2所示,图中T1-T6为IGBT开关管,D1-D4为反并联续流二极管,Cd为直流侧支撑电容。当交直流混合微电网系统中的直流侧发生短路故障时,将在直流母线即AC/DC变换器的直流侧瞬间形成较大的故障电流。若在故障时刻时,交流电网侧向直流电网侧传输功率,此时紧靠封锁AC/DC变换装置本身的IGBT驱动脉冲,无法完成对故障电流的隔离,该故障电流会通过变换装置中的反并联二极管形成故障电流回路,如图3所示。因此,若不能及时对此故障电流进行隔离,该故障电流会到导致AC/DC变换装置因过流而跳闸停机,严重时该故障电流甚至会对整个交流电网侧的安全运行造成影响,导致交流电网的大面积停机运行。
典型三电平逆变器的拓扑结构如图4所示,图中Ta1-Tc4为IGBT开关管,Da1-Dc4为反并联续流二极管,D1-D6为钳位二极管,C1与C2为中间支撑电容。同样地,当交直流混合微电网系统中的直流侧发生短路故障时,将在直流母线即AC/DC变换器的直流侧瞬间形成较大的故障电流。若在故障时刻时,交流电网侧向直流电网侧传输功率,此时紧靠封锁AC/DC变换装置本身的IGBT驱动脉冲,无法完成对故障电流的隔离,该故障电流会通过变换装置中的反并联二极管形成故障电流回路,其直流侧可能会出现PO之间、ON之间与PN之间三种短路方式,如图5所示。
为了在公共直流母线发生接地或短路故障时,完成对故障电流的隔离,实现电压源型并网逆变器直流侧的故障保护,保证变换器安全的退出运行。本发明通过在连接交、直流电网的各电压源型AC/DC变换装置中额外附加直流侧故障保护装置完成直流侧故障后对故障电流以及变换装置本身的安全隔离,提高整个系统的稳定性。
如图6所示,一种电压源型并网逆变器的直流侧故障保护装置,该故障保护装置用于连接交直流混合微电网的变流器侧和直流侧来实现直流侧的故障保护功能。
本发明中,保护单元包括绝缘栅双极型晶体管IGBT和反向并联二极管D,绝缘栅双极型晶体管IGBT的集电极和二极管D的负极电连接后与交直流混合微电网的变流器侧相连,绝缘栅双极型晶体管IGBT的发射极和二极管D的正极电连接后与交直流混合微电网的直流侧相连。变流器侧和直流侧为交直流混合微电网的同一端的变流器侧和直流侧。对于两电平的并网逆变器,故障保护装置设置于直流侧的正极端或负极端;对于三电平的并网逆变器,故障保护装置设置于直流侧的P极端或N极端。
本发明中检测单元,与保护单元电连接,用于对保护单元进行采样并将采样结果与保护值进行比较,得出比较结果。本发明中,采样结果为绝缘栅双极型晶体管IGBT的集电极-发射极饱和电压Vce,通过该电压值能确定系统中电流是否正常,即系统是否正常工作。保护值为根据电路保护要求设定的集电极-发射极饱和电压Vce的最大电压值。
本发明中检测单元包括电压采样电路,用于采集绝缘栅双极型晶体管IGBT的集电极-发射极饱和电压Vce;电压比较电路,用于将采样结果与保护值进行比较,得出比较结果,比较结果包括采样结果高于保护值和采样结果低于保护值。
本发明中,反馈单元与检测单元电连接,用于根据比较结果生成高电平或低电平。当比较结果为采样结果高于保护值时,反馈单元生成高电平;当比较结果为采样结果低于保护值时,反馈单元生成低电平。
本发明中,驱动单元与反馈单元电连接,并将高电平或低电平馈送至保护单元的绝缘栅双极型晶体管IGBT的栅极。当驱动单元将高电平馈送至保护单元的绝缘栅双极型晶体管IGBT的栅极时,绝缘栅双极型晶体管IGBT导通;当驱动单元将低电平馈送至保护单元的绝缘栅双极型晶体管IGBT的栅极时,绝缘栅双极型晶体管IGBT关断,完成对交直流混合微电网系统直流侧的隔离保护。
其工作原理如图7所示:
一、当整个系统都处于正常运行状态时,通过状态检测装置可判定保护装置中IGBT的集电极-发射极饱和电压Vce正常,即系统中电流正常,状态反馈装置向驱动装置反馈高电平信号,驱动装置下发控制脉冲,控制该保护装置中IGBT开关管工作于开通状态,此时AC/DC变换器正常工作;
二、当系统发生直流侧故障时,直流侧线路上将瞬间形成较高的故障电流。首先,该电流会导致直流侧保护装置中IGBT的集电极-发射极饱和电压Vce瞬间过高,由于IGBT自身工作特性将导致IGBT出现退饱和现象,其会从正常开通状态时的饱和区工作到线性放大区,对故障电流形成初步抑制;同时,由于状态检测装置检测到直流侧保护装置中IGBT的集电极-发射极饱和电压VCE超过保护设定值,通过状态反馈装置向驱动装置反馈低电平信号,驱动装置即立即下发IGBT关断控制脉冲,实现保护装置中IGBT的可靠关断,从而完成故障电流的彻底隔离。
三、当直流侧系统故障清除后,驱动装置重新给该装置中IGBT下发的正常脉冲信号,控制其导通,AC/DC变换装置又可重新正常接入,开始正常工作,完成故障清除后的自恢复。
具体实施例
实施例1,如图8所示,对于包括两电平逆变器的拓扑结构的交直流混合微电网系统,该直流侧故障保护装置设置于变流器侧和直流侧为交直流混合微电网的同一端的变流器侧和直流侧,即直流侧的正极端或负极端。
实施例2,如图9所示,对于包括两电平逆变器的拓扑结构的交直流混合微电网系统,其直流侧可能会出现PO之间、ON之间与PN之间三种短路方式,因此为实现三电平并网逆变器的直流侧故障保护,需在其P线和N线侧均串入直流侧故障保护装置。
本发明幅图中交流母线侧ua、ub和uc为交流母线的三个端子。
显然,本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例,而并非是对本发明的实施方式的限定,对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动,这里无法对所有的实施方式予以穷举,凡是属于本发明的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之列。

Claims (6)

1.一种电压源型并网逆变器的直流侧故障保护装置,其特征在于,所述故障保护装置用于连接交直流混合微电网的变流器侧和直流侧,包括
保护单元,所述保护单元包括绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和二极管(D),所述绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的集电极和所述二极管(D)的负极电连接后与交直流混合微电网的变流器侧相连,所述绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的发射极和所述二极管(D)的正极电连接后与交直流混合微电网的直流侧相连;所述变流器侧和直流侧为交直流混合微电网的同一端的变流器侧和直流侧;
检测单元,与所述保护单元电连接,用于对所述保护单元进行采样并将所述采样结果与保护值进行比较,得出比较结果;
反馈单元,与所述检测单元电连接,用于根据所述比较结果生成高电平或低电平;以及
驱动单元,与所述反馈单元电连接,并将所述高电平或低电平馈送至所述保护单元的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的栅极。
2.根据权利要求1所述的故障保护装置,其特征在于,所述采样结果为所述绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的集电极-发射极饱和电压Vce
3.根据权利要求2所述的故障保护装置,其特征在于,所述保护值为根据电路保护要求设定的集电极-发射极饱和电压Vce的最大电压值。
4.根据权利要求3所述的故障保护装置,其特征在于,所述检测单元包括
电压采样电路,用于采集所述绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的集电极-发射极饱和电压Vce
电压比较电路,用于将所述采样结果与保护值进行比较,得出比较结果,所述比较结果包括所述采样结果高于保护值和所述采样结果低于保护值。
5.根据权利要求4所述的故障保护装置,其特征在于,当所述比较结果为采样结果高于保护值时,所述反馈单元生成高电平;当所述比较结果为采样结果低于保护值时,所述反馈单元生成低电平。
6.根据权利要求1所述的故障保护装置,其特征在于,当所述驱动单元将所述高电平馈送至所述保护单元的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的栅极时,所述绝缘栅双极型晶体管(IGBT)导通;当所述驱动单元将所述低电平馈送至所述保护单元的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的栅极时,所述绝缘栅双极型晶体管(IGBT)关断。
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