CN106276854A - 一种用于制备量子碳素的离子嵌入装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于制备量子碳素的离子嵌入装置，包括泵体，以及通过若干水平管道和L形以及法兰组成的管道系统；管道系统的一端与泵体输出端连接，另一端的管道端头配接有至少一组离子嵌入器。本发明结构简单、成本低、易于控制，容易实现大规模化生产，且无三废产生，生产的单层石墨烯、多层石墨烯、以及碳结构粒子颗粒度均匀，纯度高、产品质量稳定。

Description

一种用于制备量子碳素的离子嵌入装置
技术领域
本发明涉及一种离子嵌入装置，尤其是涉及一种用于制备量子碳素的离子嵌入装置。
背景技术
众所周知，碳元素是自然界中存在的与人类最密切相关、最重要的元素之一。它具有SP、SP2、SP3杂化的多样电子轨道特性，尤其是碳碳双键sp2杂化的异向性导致晶体的各向导性，使得以碳元素为唯一构成元素的碳素结构材料具有各式各样的性质，而且，新碳素材料还在不断被发现和人工制得。可以说，没有任何元素能像碳这样作为单一元素可形成像三维金刚石晶体、二维石墨层片、一维卡宾和碳纳米管、零维富勒烯分子等如此之多的结构与性质完全不同的物质。譬如碳素结构体中的石墨烯片材料就有太多优越性，而且在太阳能电池、传感器方面、纳米电子学、高性能纳电子器件、复合材料、场发射材料、气体传感器及能量存储等领域具有广泛的应用。近年来，科学家和致力于探索制备单层石墨烯的途径，尤其是要制备高质量、产率高、成本低、结构稳定的石墨烯的方法。目前公知比较成熟的制备石墨烯的方法主要有以下几种：①剥离法，包括微机械剥离法和溶剂剥离法等；②生长法，包括晶体外延生长、取向附生法、化学气相沉积等；③氧化还原石墨法，包括常用的Hummers法、Standenmaier法、Brodie法等；④其它方法，主要有电弧放电法、石墨层间化学物途径法、目前非常新颖的高温淬火法与碳纳米管剥开法等。其中氧化还原石墨法具有简单且多元化的工艺，是常用的制备石墨烯的方法，但只适合于实验室少量制备用于研究，大量制备容易产生大量废酸、废水等引起环境污染。
同样，碳素结构体这些具有优秀性质的材料，到目前为止，其各种制备方法在成本和环保等方面还没有根本性的突破。
规模化制备高质量、低成本、环保型的碳素晶体材料是所有应用的基础,发展低成本可控的制备方法是当下最急需解决的问题。
量子碳素包括了粒径为0.3-100nm的碳素粒子的单层石墨烯、多层石墨烯、纳米碳结构体，在所述碳素粒子的表层具有含有碳、氢、氧、氮的化合物，所述含有碳、氢、氧、氮的化合物包括稠环芳烃、含有碳氧单键的化合物、含有碳氧双键的化合物、含有碳氢键的化合物。
量子碳素是碳元素的一种热力学不稳定但动力学较稳定的亚稳定物质。构成量子碳素的基材是单分散碳原子或碳原子簇。以石墨烯为例，当石墨烯片层产生一定的弯曲结构时，则使处于平衡状态的碳原子具有一定的应力能并处于较高能量状态。不同碳同素异性体中碳元素所具有的能量各不相同，石墨中碳原子的能量为零为最稳定状态，富勒烯球C60中碳原子的能量最高达0.45eV，C240约为0.15eV，纳米碳管和金刚石中碳原子能量在0.02～0.03eV，要克服石墨烯弯曲结构的应力能,不同的碳同素异体的生成热有差别。最稳定的石墨其生成热Hf(g·c)为零；金刚石为1.67KJ/mol；C60为42.51KJ/mol；C70为40.38KJ/mol碳，要使石墨变成弯曲结构形成不同碳同素异体，必须从外部施加更高能量使之在受激状态下形成能量更高的单分散碳原子或碳原子簇.这些可控式激态能量的供给，可以通过本发明的特殊加工方法实现，并可以选择性的制备出不同碳结构体。
发明内容
本发明的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：
一种用于制备量子碳素的离子嵌入装置，包括泵体，以及通过若干水平管道和L形以及法兰组成的管道系统；管道系统的一端与泵体输出端连接，另一端的管道端头配接有至少一组离子嵌入器。
优选地，所述L形管道的转角处设置有激振棒。
优选地，所述离子嵌入器为可调式大功率聚焦式超声波换能器。
因此，本发明具有如下优点：本发明结构简单、成本低、易于控制，容易实现大规模化生产，且无三废产生，生产的单层石墨烯、多层石墨烯、以及碳结构粒子颗粒度均匀，纯度高、产品质量稳定。
附图说明
图1为离子嵌入装置的结构示意图。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步具体的说明。
实施例：
本发明涉及的量子碳素包括了粒径为0.3-100nm的碳素粒子的单层石墨烯、多层石墨烯、纳米碳结构体，在所述碳素粒子的表层具有含有碳、氢、氧、氮的化合物，所述含有碳、氢、氧、氮的化合物包括稠环芳烃、含有碳氧单键的化合物、含有碳氧双键的化合物、含有碳氢键的化合物。
该量子碳素包括量子碳素液，所述量子碳素液为含有量子碳素的水溶液，所述量子碳素液的ORP为280mv-500mv、电导率σ为1-10ms/cm、电动势为280mv-380mv、pH值为1.2-3.2、浓度为0.1％-0.45％。
量子碳素由如下质量百分比的碳素粒子构成：0.6≤粒径≤50nm单层石墨烯，0.6≤粒径≤100多层石墨烯，0.6nm≤粒径≤200nm的碳素结构粒子，0.6＜粒径＜200nm的量子碳素；所述含有碳、氢、氧、氮的化合物为稠环芳烃、含有碳氧单键的化合物、含有碳氧双键的化合物、含有碳氢键的化合物的一种或几种的混合物，其中各元素比例为：C 45％-55％，H 0.2％-2.0％，O 45％-65％。
离子嵌入装置部分3包括泵体3-4、管道3-1、法兰管接头、以及设置于管道3-1端头的至少一组离子嵌入装置组成。所述离子嵌入装置为可调式大功率聚焦式超声波换能器(频率20KHz-120KHz，功率1KW—5KW)。
本文中所描述的具体实施例仅仅是对本发明精神作举例说明。本发明所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本发明的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。

Claims (3)

1.一种用于制备量子碳素的离子嵌入装置，其特征在于：包括泵体(3-4)，以及通过若干水平管道和L形以及法兰(3-2)组成的管道系统；管道系统的一端与泵体(3-4)输出端连接，另一端的管道(3-1)端头配接有至少一组离子嵌入器。
2.根据权利要求1所述的一种用于制备量子碳素的离子嵌入装置，其特征在于：所述L形管道的转角处设置有激振棒(3-3)。
3.根据权利要求1所述的一种用于制备量子碳素的离子嵌入装置，其特征在于：所述离子嵌入器为可调式大功率聚焦式超声波换能器。
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KR1020197002386A KR20190021413A (ko) 2016-08-10 2016-08-22 퀀텀 카본 및 이의 제조 방법과 장치
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7981396B2 (en) * 2003-12-03 2011-07-19 Honda Motor Co., Ltd. Methods for production of carbon nanostructures
CN202715407U (zh) * 2012-06-20 2013-02-06 福建锦江石化有限公司 一种解决肟化反应系统循环液中催化剂粘壁结垢的装置
CN104261383A (zh) * 2014-09-04 2015-01-07 朱光华 量子碳素及其制备方法和实施设备
CN105819420A (zh) * 2016-03-10 2016-08-03 天津市烯腾科技有限公司 一种石墨烯杂化碳纳米管的制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7981396B2 (en) * 2003-12-03 2011-07-19 Honda Motor Co., Ltd. Methods for production of carbon nanostructures
CN202715407U (zh) * 2012-06-20 2013-02-06 福建锦江石化有限公司 一种解决肟化反应系统循环液中催化剂粘壁结垢的装置
CN104261383A (zh) * 2014-09-04 2015-01-07 朱光华 量子碳素及其制备方法和实施设备
CN105819420A (zh) * 2016-03-10 2016-08-03 天津市烯腾科技有限公司 一种石墨烯杂化碳纳米管的制备方法

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