CN106255021A - 一种二硫化钼振膜传声器 - Google Patents

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Abstract

本发明提出一种传声器,包括:振膜(1),用于进行声电转换;至少两个电极(2),与振膜固定连接,用于给振膜供电及传导信号;供电及放大单元(3),用于为振膜供电及对信号进行放大并输出;供电及放大单元(3)与电极(2)间有电连接(4),特征在于:振膜(1)为二硫化钼材料制成;本发明的传声器的灵敏度、频率响应、瞬态响应等电声特性较现有传声器均可得到较大提升。

Description

一种二硫化钼振膜传声器
技术领域
本发明属于传声器零部件领域,特别涉及一种二硫化钼振膜传声器。
背景技术
现有技术中的传声器振膜其材料通常选用高分子材料、具有金属镀层的高分子材料、金属等,受到材料限制,传声器性能有时依然无法满足日益严苛的使用需要。
发明内容
为了克服现有技术的缺陷,本发明提出一种具有二硫化钼制成的振膜的传声器,该传声器的灵敏度、频率响应、瞬态响应等电声特性较现有传声器均可得到较大提升。
提供一种传声器,包括:振膜,用于进行声电转换;至少两个电极,与振膜固定连接,用于给振膜供电及传导信号;供电及放大单元,用于为振膜供电及对信号进行放大并输出;供电及放大单元与电极间有电连接,特征在于:振膜为二硫化钼材料制成;其中,振膜为单层二硫化钼结构或多层二硫化钼结构;其中,所述的二硫化钼结构使用机械层剥法或其他化学方法得到。
进一步的,二硫化钼振膜随着声压的变化进行振动,其电阻变化率与声压绝对值具有正相关关系,即具有式(a)的关系:
Δ R R ∝ | p | ... ( a )
其中,为二硫化钼振膜的电阻的变化率,p为声压;根据式(a)即可进行声电转换并输出得到变化的电压或电流信号以实现传声器功能。
进一步的,电连接为导线连接、印刷电路连接或其他电连接方式。
提出一种手机、计算机、耳机,包括上述传声器。
附图说明
图1为本发明的二硫化钼振膜传声器的电连接原理图
具体实施方式
结合附图,对本发明的二硫化钼振膜传声器进行详细说明。附图1所示,本发明的二硫化钼振膜传声器包括:单层二硫化钼薄膜作为振膜1,用于进行声电转换,该单层二硫化钼薄膜可使用机械层剥法或其他化学方法得到;至少两个电极2,与振膜固定连接,用于给振膜供电及传导信号;供电及放大单元3,用于为振膜供电及对信号进行放大并输出;供电及放大单元3与电极2间有电连接4。
本发明的传声器的工作原理是,二硫化钼振膜1随着声压的变化进行振动,其电阻变化率与声压绝对值具有正相关关系,即具有式(1)的关系:
Δ R R ∝ | p | ... ( 1 )
其中,为二硫化钼振膜1的电阻的变化率,p为声压。由此,将二硫化钼振膜1设置于本发明的传声器电路后,即可进行声电转换并输出得到变化的电压或电流信号从而实现传声器功能。
作为本发明的进一步改进,其中,振膜1包括多层二硫化钼结构;电连接4为导线连接、印刷电路连接或其他电连接方式。
本发明的传声器可以用于手机、平板电脑、计算机、耳机及其他便携式电子产品中。

Claims (9)

1.一种传声器,包括:振膜(1),用于进行声电转换;至少两个电极(2),与振膜固定连接,用于给振膜供电及传导信号;供电及放大单元(3),用于为振膜供电及对信号进行放大并输出;供电及放大单元(3)与电极(2)间有电连接(4),特征在于:振膜(1)为二硫化钼材料制成。
2.如权利要求1所述的传声器,特征在于,振膜(1)为单层二硫化钼结构。
3.如权利要求1所述的传声器,特征在于,振膜(1)为多层二硫化钼结构。
4.如权利要求2、3之一所述的传声器,特征在于:所述的二硫化钼结构使用机械层剥法或其他化学方法得到。
5.如权利要求1所述的传声器,其中,二硫化钼振膜(1)随着声压的变化进行振动,其电阻变化率与声压绝对值具有正相关关系,即具有式(a)的关系:
Δ R R ∝ | p | ... ( a )
其中,为二硫化钼振膜(1)的电阻的变化率,p为声压;根据式(a)即可进行声电转换并输出得到变化的电压或电流信号以实现传声器功能。
6.如权利要求1所述的传声器,其中,电连接(4)为导线连接、印刷电路连接或其他电连接方式。
7.一种手机,包括如权利要求1-6所述的传声器。
8.一种计算机,包括如权利要求1-6所述的传声器。
9.一种耳机,包括如权利要求1-6所述的传声器。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1180093A (en) * 1966-09-22 1970-02-04 Pierre Huet Pressure Sensitive Electro-mechanical Devices.
CN103630286A (zh) * 2012-08-23 2014-03-12 Nxp股份有限公司 压力传感器
US20160258824A1 (en) * 2015-03-02 2016-09-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Strain sensing element, pressure sensor, and microphone

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Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right
PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right

Denomination of invention: A molybdenum disulfide diaphragm microphone, mobile phone, computer and earphone

Effective date of registration: 20220906

Granted publication date: 20200410

Pledgee: Beijing first financing Company limited by guarantee

Pledgor: BEIJING SABINE TECHNOLOGIES Ltd.

Registration number: Y2022980014641