CN106239356A - 研磨垫修整方法、研磨垫修整装置及化学机械研磨设备 - Google Patents

Abstract

研磨垫修整方法、研磨垫修整装置及化学机械研磨设备，属于研磨垫修整技术领域。先硬化位于一研磨垫的一抛光面上的一待修整区内的多个软质微结构；以及利用一修整器切削位于所述待修整区内的被硬化的多个所述软质微结构，以修整所述研磨垫的所述抛光面。硬化位于所述待修整区内的多个所述软质微结构的步骤是通过急速冷冻来完成；所述急速冷冻是在所述待修整区内喷洒一冷冻剂；所述冷冻剂为液态氮、液态氧、干冰或是冷媒。可通过在利用修整器对待修整区进行修整前，先硬化待修整区内的软质微结构，而使修整器可更容易地切削软质微结构。

Description

研磨垫修整方法、研磨垫修整装置及化学机械研磨设备

技术领域

本发明涉及研磨垫修整方法、研磨垫修整装置及化学机械研磨设备，属于研磨垫修整技术领域。

背景技术

在化学机械研磨制程(chemical mechanical polishing；CMP)中，通常会利用研磨垫配合研磨浆料来平坦化晶圆表面。研磨垫系为一由高分子聚合而成的软垫。在微观下，研磨垫的结构体内是一种多孔性的微结构，而研磨垫表面具有许多绒毛。当研磨垫连续研磨数片晶圆之后，在化学机械研磨制程中所产生的副产物将会附着于研磨垫的表面，甚至嵌入其表面的微孔洞内，造成孔洞填塞，或者是黏附于绒毛中，而使绒毛倾倒，进而造成研磨垫的抛光能力大幅下降。因此，当研磨垫使用一段时间之后，须利用研磨垫修整器于研磨垫上沿着径向(Radial)来回的摆动，并配合研磨垫自身的旋转，以产生新的绒毛结构，并清除化学机械研磨制程中所附着的残留物。

另外，随着芯片尺寸缩小，对晶圆表面平坦度的要求也越来越高。若是位于研磨垫表面的绒毛高低落差太大，突起的绒毛极有可能会刮伤晶圆表面，而被称为杀手纤毛(killer Asperities)。因此，这些杀手纤毛也必须通过研磨垫修整器去除。

请参照图1，在已知的技术中，修整器10的工作表面100上会设有多个刃部100a，以切除在研磨垫11表面上的过长的绒毛11s，即杀手纤毛。然而，当研磨垫修整器10的刃部100a接触到这些绒毛11s时，由于绒毛11s的材质较软且易弯曲，导致绒毛11s不易被刃部100a切除，而仍残留于研磨垫11的表面。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种研磨垫修整方法、研磨垫修整装置及使用其的化学机械研磨设备。

一种研磨垫修整方法，其包括：

先硬化位于一研磨垫的一抛光面上的一待修整区内的多个软质微结构；以及

利用一修整器切削位于所述待修整区内的被硬化的多个所述软质微结构，以修整所述研磨垫的所述抛光面。

其中，硬化位于所述待修整区内的多个所述软质微结构的步骤是通过急速冷冻来完成；所述急速冷冻是在所述待修整区内喷洒一冷冻剂；所述冷冻剂为液态氮、液态氧、干冰或是冷媒。

其中，利用所述修整器修整所述研磨垫的所述抛光面时，所述研磨垫通过一转轴以产生自转，且喷洒所述冷冻剂的步骤与利用所述修整器修整所述抛光面的步骤是沿着同一方向同步进行。

其中，在喷洒所述冷冻剂的步骤中，还进一步包括：沿着所述研磨垫的一径向方向移动，并且连续地或间歇地喷洒所述冷冻剂在所述研磨垫的所述抛光面上，在喷洒所述冷冻剂的步骤中，还进一步包括：在所述研磨垫的一径向方向上连续地或间歇地喷洒所述冷冻剂于所述研磨垫的所述抛光面上。

一种研磨垫修整装置，其包括：

一修整器，其用以修整一研磨垫的一抛光面；以及

一抛光面处理单元，其设置于所述研磨垫的上方，其中，在所述修整器修整所述抛光面上的一待修整区之前，先利用所述抛光面处理单元硬化位于所述待修整区内的多个软质微结构。

其中，所述抛光面处理单元包括一用于供应一冷冻剂的供应单元以及一与所述供应单元互相连通的喷嘴，且所述供应单元所供应的所述冷冻剂通过所述喷嘴以喷洒在所述待修整区；还包括一移动臂及一能自转地连接于所述移动臂的自转轴；所述抛光面处理单元设置于所述移动臂上，且所述修整器通过所述自转轴以设置于移动臂上，以使得所述抛光面处理单元与所述修整器两者通过所述移动臂以同步移动；所述抛光面处理单元与所述修整器相邻，当所述研磨垫通过一转轴以朝一自转方向自转时，所述抛光面处理单元与所述修整器沿着所述自转方向依序设置。

一种化学机械研磨设备，其包括：

一载台，其连接于一转轴以产生自转；

一研磨垫，其设置于所述载台上，所述研磨垫具有一抛光面；以及

一研磨垫修整装置，其包括：

一修整器，其设置于所述研磨垫上，用以修整所述抛光面；以及

一抛光面处理单元，其设置于所述研磨垫的上方，其中，在所述修整器通过所述抛光面上的一待修整区之前，先利用所述抛光面处理单元硬化位于所述待修整区内的多个软质微结构。

其中，所述抛光面处理单元包括一用于供应一冷冻剂的供应单元以及一与所述供应单元互相连通的喷嘴，且所述供应单元所供应的所述冷冻剂通过所述喷嘴以喷洒在所述待修整区；还包括一清洁单元，其通过喷洒一清洁液，以清洗所述研磨垫并使所述研磨垫的所述待修整区内被硬化的多个所述软质微结构解冻。

其中，所述研磨垫修整装置还包括一移动臂以及一能自转地连接于所述移动臂的自转轴；所述抛光面处理单元设置于所述移动臂上，且所述修整器通过所述自转轴以设置于移动臂上，以使得所述抛光面处理单元与所述修整器两者通过所述移动臂而同步移动。

其中，所述抛光面处理单元与所述修整器彼此相邻，当所述研磨垫通过所述转轴以朝一自转方向自转时，所述抛光面处理单元与所述修整器沿着所述自转方向依序设置。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是，提供一种研磨垫修整方法。先硬化位于研磨垫的抛光面上的待修整区内的多个软质微结构，再利用修整器切削位于待修整区内的被硬化的多个软质微结构，以修整研磨垫的抛光面。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外一技术方案是，提供一种研磨垫修整装置包括修整器以及抛光面处理单元。修整器是用以修整一研磨垫的一抛光面，抛光面处理单元设置于研磨垫的上方，以在修整器修整抛光面上的一待修整区之前，先利用抛光面处理单元硬化位于待修整区内的多个软质微结构。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外再一技术方案是，提供一种化学机械研磨设备，其包括一载台、一研磨垫以及上述的研磨垫修整装置。

本发明的有益效果在于，本发明技术方案所提供的研磨垫修整方法、研磨垫修整装置及使用其的化学机械研磨设备，其可通过在利用修整器对待修整区进行修整前，先硬化待修整区内的软质微结构，而使修整器可更容易地切削软质微结构。

综上所述，本发明的有益效果在于，本发明实施例所提供的化学机械研磨设备、研磨垫修整装置以及方法，可通过“在利用修整器修整待修整区之前，先硬化位于待修整区内的软质微结构”的技术特征，可使修整器可更容易地切削被硬化的软质微结构，可提升修整器修整抛光面的效率，并降低修整后的抛光面的不平整度。在利用研磨垫对晶圆抛光或研磨时，可进一步避免研磨垫的抛光面不平整而对晶圆表面造成损伤。

另外，由于研磨垫仅有表层被冷冻硬化，因此在经过修整器修整之后，被冷冻而硬化的区域可迅速被解冻而恢复原本的材料特性，并可继续用于抛光或研磨晶圆。

附图说明

当结合附图考虑时，通过参照下面的详细描述，能够更完整更好地理解本发明以及容易得知其中许多伴随的优点，但此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定，如图其中：

图1为现有技术的研磨垫修整器修整研磨垫的局部放大图。

图2为本发明实施例的研磨垫修整方法的流程图。

图3为本发明其中一实施例的化学机械研磨设备的立体示意图。

图4为图3的化学机械研磨设备的俯视示意图。

图5为图3的化学机械研磨设备的侧视示意图。

图6为利用本发明实施例的研磨垫修整装置修整研磨垫的局部放大图。

图7为本发明另一实施例的化学机械研磨设备的俯视示意图。

图8为图7的化学机械研磨设备的侧视示意图。

【符号说明】

修整器10；工作表面100；刃部100a；研磨垫11；绒毛11s；化学机械研磨设备2；载台20；研磨垫21；抛光面210；软质微结构210s；冰晶层3；晶圆座22；旋转轴22s；浆料配送单元23；研磨垫修整装置24；修整器240；工作面240a；移动臂242；自转轴243；抛光面处理单元241、抛光面处理单元241’；供应单元241p；喷嘴241s、喷嘴241S；悬臂241h；支架241L；转轴25；清洁单元26；晶圆W1；待修整区R1；被硬化的待修整区R1’；径向方向D1；自转方向D2；流程步骤S100～S200。

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。

具体实施方式

显然，本领域技术人员基于本发明的宗旨所做的许多修改和变化属于本发明的保护范围。

本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、组件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、组件、组件和/或它们的组。应该理解，当称组件、组件被“连接”到另一组件、组件时，它可以直接连接到其它组件或者组件，或者也可以存在中间组件或者组件。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的任一单元和全部组合。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样定义，不会用理想化或过于正式的含义来解释。

为便于对本发明实施例的理解，下面将做进一步的解释说明，且各个实施例并不构成对本发明实施例的限定。

实施例1：以下是通过特定的具体实施例来说明本发明所公开有关“研磨垫修整方法、研磨垫修整装置以及化学机械研磨设备”的实施方式。通常研磨垫具有一抛光面，且抛光面具有多个软质微结构。研磨垫被多次使用之后，可通过本发明实施例的研磨垫修整装置执行研磨垫修整方法，以去除在化学机械研磨制程中所产生的残余物，并修整研磨垫的抛光面，以减少软质微结构的高低落差。前述的软质微结构例如是绒毛或是其它软质突起物。

请参照图2。图2为本发明实施例的研磨垫修整方法的流程图。如图2所示，在步骤S100中，硬化研磨垫的抛光面上的一待修整区中的多个软质微结构。接着，在步骤S200中，通过修整器修整待修整区。前述的待修整区可以指整个抛光面或者是局部的抛光面。也就是说，可以先将抛光面局部或全部硬化，从而硬化多个软质微结构。之后，再利用修整器切削待修整区内的软质微结构，以修整研磨垫的抛光面。

在本发明实施例中，是通过急速冷冻来硬化研磨垫的抛光面。详细而言，可先将冷冻剂喷洒在抛光面上的待修整区，以使研磨垫的局部表层被急速冷冻而硬化。

实施例2：在一实施例中，冷冻剂可以是液态氮、液态氧、干冰或是冷媒。冷媒例如是液态氯乙烷或是由二氟甲烷(R-32)和五氟乙烷(R-125)混合而成的近共沸制冷剂。冷冻剂可以使抛光面降温至最大冰结晶生成带(zone of maximum crystallization of ice)，大约介于0℃至-5℃之间，以使抛光面因结冻而硬化。

此外，由于研磨垫上通常会附着水气，因此在喷洒冷冻剂之后，会使水气瞬间结冰而形成覆盖抛光面的冰晶层。冰晶层会包覆并固定软质微结构。

因此，以修整器修整研磨垫时，抛光面的软质微结构因被硬化且被冰晶层固定，而可以保持直立而不会倾倒或弯曲，进而使修整器更容易切削软质微结构。须说明的是，只要研磨垫被硬化的深度略大于修整器切削的深度即可达成本发明之目的。在一实施例中，研磨垫被硬化的深度，大约是介于0.01mm至0.2mm之间。换言之，研磨垫的底层并未被冷冻硬化，而仍保持初始的材料特性。

须说明的是，经过修整器修整之后，修整器和研磨垫接触摩擦会产生热能，又可使因冷冻而硬化的抛光面以及冰晶层解冻及融化，而使研磨垫在修整后即可恢复原本的材料特性。在一实施例中，在修整器修整研磨垫的过程中，会同步地在研磨垫上喷洒清洁液，如:水。如此，除了可清洗在修整过程中所产生的残留物之外，也可以促使冷冻硬化的抛光面被迅速解冻。

须说明的是，只要能够在修整器修整抛光面之前，先将抛光面冷冻硬化，本发明并不限制冷冻剂被喷洒的时间点、每次的喷洒范围以及喷洒的路径。

举例而言，在硬化研磨垫的抛光面上的多个软质微结构的步骤中，可以先对整个研磨垫喷洒冷冻剂，以使整个研磨垫的抛光面被硬化，之后再利用修整器修整研磨垫。也就是说，喷洒冷冻剂的步骤以及修整步骤并不是同步进行。

在这种情况下，冷冻剂的每次喷洒范围可以涵盖整个或局部研磨垫的抛光面。另外，在喷洒冷冻剂时，研磨垫可以静止或者通过转轴产生自转。

实施例3：但是，在另一实施例中，喷洒冷冻剂的步骤与利用修整器修整研磨垫的步骤可同步进行。详细而言，当利用修整器修整抛光面时，研磨垫会通过一转轴产生自转。因此，抛光面可沿着研磨垫的一自转方向依序区分为多个待修整区。喷洒冷冻剂的步骤与利用修整器修整研磨垫的步骤是沿着同一方向同步进行。

进一步而言，在研磨垫自转时，修整器是沿着研磨垫的一径向方向移动并依序对多个待修整区进行修整。在一实施例中，冷冻剂也会沿着径向方向，被喷洒在修整器即将通过的区域，以先硬化抛光面的软质微结构。

冷冻剂可以是连续地或间歇地喷洒于抛光面上，基于喷洒范围的大小而定。当抛光面在每次喷洒冷冻剂之后被硬化的范围远大于修整器的工作表面时，可以间歇地喷洒冷冻剂。而当抛光面在每次喷洒冷冻剂之后被硬化的范围接近或小于修整器的工作表面时，可以连续地喷洒冷冻剂。

实施例4：在另一实施例中，在研磨垫自转时，是在研磨垫的径向方向上连续地或间歇地喷洒冷冻剂于每一个待修整区。在本实施例中，冷冻剂的每次喷洒范围仅涵盖其中一个待修整区，其中待修整区是由研磨垫的中心延伸到研磨垫的边缘。

请配合参照图3，显示本发明实施例的化学机械研磨设备的立体示意图。图3的化学机械研磨设备可用来对晶圆执行化学机械研磨制程，也可以在化学机械研磨制程之后，执行图2所示的研磨垫修整方法。

如图3所示，化学机械研磨设备2包括载台20、研磨垫21、晶圆座22、浆料配送单元23以及研磨垫修整装置24。载台20用以承载研磨垫21并连接一转轴25以产生自转。

研磨垫21具有抛光面210，用以抛光或研磨晶圆。晶圆座22用以抓取晶圆W1，并将晶圆W1放置在研磨垫21上，并压抵接触抛光面210。晶圆座22并可通过一旋转轴22s产生自转。当执行化学机械研磨制程时，研磨垫21与晶圆W1可分别通过转轴25以及旋转轴22s相对转动。

浆料配送单元23设置于研磨垫21上方，用以将研磨浆料(未标号)分布至研磨垫21的抛光面210。研磨浆料含有一蚀刻和/或研磨颗粒的溶液，而可与晶圆W1表面产生化学作用或者对晶圆W1表面进行机械研磨。

研磨垫修整装置24用以使研磨垫21的抛光面210具有预定的粗糙度。然而，当化学机械研磨设备2运作时，抛光面210会逐渐变光滑。研磨垫修整装置可用来使抛光面210维持预定的粗糙度，并移除抛光面210上的残留物。在一实施例中，会在晶圆W1的表面被抛光时或抛光后，利用研磨垫修整装置24对抛光面210进行修整。

研磨垫修整装置24包括修整器240与抛光面处理单元241。修整器240设置于研磨垫21上，用以刮擦及修整抛光面210。进一步而言，研磨垫修整装置24还包括一移动臂242以及能自转地连接于移动臂242的自转轴243，前述的修整器240是通过自转轴243设置于移动臂242上，并可通过自转轴243产生自转。

请参照图4及图5，分别为图3的化学机械研磨设备的俯视示意图及侧视示意图。移动臂242可带动修整器240在抛光面210上，沿着研磨垫21的径向方向移动。当修整器240在抛光面210上移动时，也会通过自转轴243产生自转，以修整抛光面210。

另外，抛光面处理单元241设置于研磨垫21的上方，以在修整器240修整抛光面210上的一待修整区R1之前，先硬化位于待修整区R1内的多个软质微结构。在本实施例中，抛光面处理单元241是和修整器240共同设置在移动臂242上，以使抛光面处理单元241与修整器240两者可通过移动臂242沿着研磨垫21的径向方向D1同步移动。

如图5所示，抛光面处理单元241包括可供应冷冻剂的供应单元241p以及和供应单元241p相连通的喷嘴241s，且供应单元241p所供应的冷冻剂是通过喷嘴241s喷洒在待修整区R1。如前所述，冷冻剂可以是液态氮、液态氧、干冰或是冷媒。当冷冻剂为干冰时，是将极低温的干冰通过喷嘴241s至研磨垫21，使抛光面210冷冻至硬化。另外，供应单元241p与喷嘴241s之间的连通可通过管路或者是其它已知的方式达成，本发明并不限制。

在本实施例中，喷嘴241s是通过一悬臂241h固定于移动臂242上，并位于修整器240靠近研磨垫21中心的一侧，以将冷冻剂喷洒在修整器240即将通过的待修整区R1。在待修整区R1被解冻之前，利用修整器240修整被硬化的待修整区R1，以使抛光面210回复原本的材料特性。在其它实施例中，只要可以在修整器240修整之前，对修整器240即将通过的区域喷洒冷冻剂，喷嘴241s和修整器240的相对位置并没有限制。

请参照图5及图6，显示图5在区域A的局部放大图。如图6所示，由于抛光面210被喷洒冷冻剂，使抛光面210的多个软质微结构210s被硬化。另外，抛光面210上的水气也会瞬间结冰而形成覆盖软质微结构210s的冰晶层3。

修整器240的工作面240a上分布多个钻石颗粒(未标号)。因此，当修整器240的工作面240a接触抛光面210以进行修整时，软质微结构210s可保持直立而不会被修整器240压倒或弯曲，从而使修整器240更容易切削软质微结构210s。如此，经过修整器240修整之后，可降低抛光面210的不平整度，以避免在化学机械研磨制程中，突起的杀手纤毛对晶圆W1表面造成损伤。

请再参照图3，本发明实施例的化学机械研磨设备2还包括一清洁单元26，用以清洗经修整后的研磨垫21。清洁单元26可喷洒清洁液，如:水至抛光面210，以去除修整后残留于抛光面210上的残渣，并有助于使研磨垫21的待修整区R1被结冻的软质微结构210s解冻，以恢复研磨垫21表层原本的材料特性。

请参照图7及图8。图7为本发明另一实施例的化学机械研磨设备的俯视示意图。图8为图7的化学机械研磨设备的侧视示意图。和前一实施例不同的是，本实施例的抛光面处理单元241’并未设置在移动臂242上，而是和修整器240相邻设置。并且，当研磨垫21通过转轴25朝一自转方向D2自转时，抛光面处理单元241’与修整器240是沿着自转方向D2依序设置在研磨垫21上。

如图7所示，研磨垫21是朝逆时针方向转动，因此抛光面处理单元241’与修整器240是沿着逆时针方向依序设置在抛光面210上，以使抛光面处理单元241可在利用修整器240修整之前，先将冷冻剂喷洒至一待修整区R1中，以硬化待修整区R1内的多个软质微结构。被硬化的待修整区R1’会因为研磨垫240的自转而被转动至修整器240所设置的位置。修整器240即可对硬化后的待修整区R1’进行修整。也就是说，喷洒冷冻剂的步骤与修整步骤是同步进行。

详细而言，在本实施例中，抛光面处理单元241’包括设置在研磨垫21上的支架241L，以及设置于支架241L上的多个喷嘴241S。这些喷嘴241S是沿着研磨垫21的径向方向排列，并连通于一供应冷冻剂的供应单元241p。在一实施例中，喷嘴241S喷洒冷冻剂的喷洒范围可以由研磨垫21的中心延伸至边缘，而涵盖整个待修整区R1。

在利用本实施例的研磨垫修整装置24修整抛光面210时，研磨垫21会通过转轴25产生自转。并且，通过喷嘴241s喷洒冷冻剂的步骤与利用修整器240修整抛光面210的步骤是同步进行，其中冷冻剂可以通过喷嘴241s被连续地或间歇地喷洒于待修整区R1，已硬化位于待修整区R1内的软质微结构。

实施例6：在另一实施例中，若研磨垫21是朝顺时针方向转动，则抛光面处理单元241’与修整器240可沿着顺时针方向依序设置在抛光面210上。事实上，只要能够在修整器240修整抛光面210上的待修整区R1之前，先硬化待修整区R1，本发明中并没有限制抛光面处理单元241’与修整器240的相对位置。

在其它实施例中，喷洒冷冻剂的步骤与修整步骤不一定同步进行。详细而言，可以先使研磨垫240自转，并通过喷嘴241S将冷冻剂喷洒于整个抛光面210，使整个抛光面210被冷冻之后，停止喷洒冷冻剂。接着，再利用修整器240来修整被冷冻硬化的抛光面210。在这种情况下，修整器240与抛光面处理单元241’的相对位置并不特别限制。

以上所公开的内容仅为本发明的优选可行实施例，并非因此局限本发明的申请专利范围，故凡运用本发明说明书及附图内容所做的等效技术变化，均包含于本发明的申请专利范围内。

Claims (10)

1.一种研磨垫修整方法，其特征在于其包括：

先硬化位于一研磨垫的一抛光面上的一待修整区内的多个软质微结构；以及

利用一修整器切削位于所述待修整区内的被硬化的多个所述软质微结构，以修整所述研磨垫的所述抛光面。

2.根据权利要求1所述的研磨垫修整方法，其中，硬化位于所述待修整区内的多个所述软质微结构的步骤是通过急速冷冻来完成；所述急速冷冻是在所述待修整区内喷洒一冷冻剂；所述冷冻剂为液态氮、液态氧、干冰或是冷媒。

3.根据权利要求2所述的研磨垫修整方法，其中，利用所述修整器修整所述研磨垫的所述抛光面时，所述研磨垫通过一转轴以产生自转，且喷洒所述冷冻剂的步骤与利用所述修整器修整所述抛光面的步骤是沿着同一方向同步进行。

4.根据权利要求3所述的研磨垫修整方法，其中，在喷洒所述冷冻剂的步骤中，还进一步包括：沿着所述研磨垫的一径向方向移动，并且连续地或间歇地喷洒所述冷冻剂在所述研磨垫的所述抛光面上，在喷洒所述冷冻剂的步骤中，还进一步包括：在所述研磨垫的一径向方向上连续地或间歇地喷洒所述冷冻剂于所述研磨垫的所述抛光面上。

5.一种研磨垫修整装置，其包括：

一修整器，其用以修整一研磨垫的一抛光面；以及

一抛光面处理单元，其设置于所述研磨垫的上方，其中，在所述修整器修整所述抛光面上的一待修整区之前，先利用所述抛光面处理单元硬化位于所述待修整区内的多个软质微结构。

6.根据权利要求5所述的研磨垫修整装置，其中，所述抛光面处理单元包括一用于供应一冷冻剂的供应单元以及一与所述供应单元互相连通的喷嘴，且所述供应单元所供应的所述冷冻剂通过所述喷嘴以喷洒在所述待修整区；还包括一移动臂及一能自转地连接于所述移动臂的自转轴；所述抛光面处理单元设置于所述移动臂上，且所述修整器通过所述自转轴以设置于移动臂上，以使得所述抛光面处理单元与所述修整器两者通过所述移动臂以同步移动；所述抛光面处理单元与所述修整器相邻，当所述研磨垫通过一转轴以朝一自转方向自转时，所述抛光面处理单元与所述修整器沿着所述自转方向依序设置。

7.一种化学机械研磨设备，其包括：

一载台，其连接于一转轴以产生自转；

一研磨垫，其设置于所述载台上，所述研磨垫具有一抛光面；以及

一研磨垫修整装置，其包括：

一修整器，其设置于所述研磨垫上，用以修整所述抛光面；以及

一抛光面处理单元，其设置于所述研磨垫的上方，其中，在所述修整器通过所述抛光面上的一待修整区之前，先利用所述抛光面处理单元硬化位于所述待修整区内的多个软质微结构。

8.根据权利要求7所述的化学机械研磨设备，其中，所述抛光面处理单元包括一用于供应一冷冻剂的供应单元以及一与所述供应单元互相连通的喷嘴，且所述供应单元所供应的所述冷冻剂通过所述喷嘴以喷洒在所述待修整区；还包括一清洁单元，其通过喷洒一清洁液，以清洗所述研磨垫并使所述研磨垫的所述待修整区内被硬化的多个所述软质微结构解冻。

9.根据权利要求7所述的化学机械研磨设备，其中，所述研磨垫修整装置还包括一移动臂以及一能自转地连接于所述移动臂的自转轴；所述抛光面处理单元设置于所述移动臂上，且所述修整器通过所述自转轴以设置于移动臂上，以使得所述抛光面处理单元与所述修整器两者通过所述移动臂而同步移动。

10.根据权利要求7所述的化学机械研磨设备，其中，所述抛光面处理单元与所述修整器彼此相邻，当所述研磨垫通过所述转轴以朝一自转方向自转时，所述抛光面处理单元与所述修整器沿着所述自转方向依序设置。