CN106155941A - 利用sram缓存降低eeprom无效擦除写入操作的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种利用SRAM缓存降低EEPROM无效擦除写入操作的方法，包括以下步骤：步骤1，在SRAM中定义缓存Cache1、缓存Cache2，并将EEPROM中所有应用数据分别存入至所述缓存Cache1和所述缓存Cache2中；步骤2，当需要对EEPROM进行擦除写入操作时，在所述缓存Cache1中修改相应的应用数据；步骤3，当监测到供电电源的压降超过限制额度或运行结束时，遍历并比对所述缓存Cache1和所述缓存Cache2中对应位置处的应用数据，若所述缓存Cache1和所述缓存Cache2中对应位置处的应用数据不同，则用所述缓存Cache1中对应的应用数据更新EEPROM中对应的应用数据。

Description

利用SRAM缓存降低EEPROM无效擦除写入操作的方法
技术领域
本发明涉及一种降低EEPROM无效擦除写入操作的方法，尤其涉及一种利用SRAM缓存降低EEPROM无效擦除写入操作的方法。
背景技术
EEPROM是一种掉电后数据不丢失的只读存储芯片，其作为系统的一种非易失存储设备，一般是MCU直接对EEPROM进行读写操作。然而，目前工艺水平一般只能保证独立的EEPROM每个存储单元一兆次的擦除写入寿命，而嵌入式的EEPROM的一般只能保证十万次的擦除写入寿命。当EEPROM的存储单元达到擦除写入寿命时，就意味着这个EEPROM的存储单元的擦除写入的操作并不再可靠可信，因此为延长EEPROM的擦出写入寿命，需避免无为的EEPROM擦除写入次数。
为了解决以上存在的问题，人们一直在寻求一种理想的技术解决方案。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术的不足，从而提供了一种利用SRAM缓存降低EEPROM无效擦除写入操作的方法，通过在EEPROM擦除写入操作前进行必要性的有效甄别，降低了无效的EEPROM擦除写入次数。
为了实现上述目的，本发明所采用的技术方案是：一种利用SRAM缓存降低EEPROM无效擦除写入操作的方法，包括以下步骤：
步骤1，在SRAM中定义缓存Cache1，并将EEPROM中所有应用数据存入至所述缓存Cache1中；在SRAM中定义缓存Cache2，并将EEPROM中所有应用数据存入至所述缓存Cache2中；
步骤2，当需要对EEPROM进行擦除写入操作时，在所述缓存Cache1中修改相应的应用数据；
步骤3，监测供电电源的压降是否超过限制额度或运行是否结束；
当供电电源的压降超过限制额度或者运行结束后，遍历并比对所述缓存Cache1和所述缓存Cache2中所有对应位置处的应用数据，若所述缓存Cache1和所述缓存Cache2中对应位置处的应用数据不同时，用所述缓存Cache1中对应的应用数据更新EEPROM中对应的应用数据。
本发明相对现有技术具有突出的实质性特点和显著的进步，具体的说，本发明在对EEPROM的存储单元进行擦除写入的操作前，通过在SRAM中建立缓存1和缓存2来甄别是否真的需要进行擦除操作，避免了浪费EEPROM的擦除写入次数，从而延长了EEPROM的使用寿命。
附图说明
图1是本发明的流程示意图。
具体实施方式
下面通过具体实施方式，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
如图1所示，一种利用SRAM缓存降低EEPROM无效擦除写入操作的方法，包括以下步骤：
步骤1，在SRAM中定义缓存Cache1，并将EEPROM中所有应用数据存入至所述缓存Cache1中，在SRAM中定义缓存Cache2，并将EEPROM中所有应用数据存入至所述缓存Cache2中；
步骤2，当需要对EEPROM进行擦除写入操作时，在所述缓存Cache1中修改相应的应用数据；
步骤3，监测供电电源的压降是否超过限制额度或运行是否结束，从而判断是否启动真正擦除写入操作程序；当供电电源的压降超过限制额度或者运行结束后，遍历并比对所述缓存Cache1和所述缓存Cache2中所有对应位置处的应用数据是否一一对应相同，若所述缓存Cache1和所述缓存Cache2中对应位置处的应用数据不同时，用所述缓存Cache1中对应的应用数据更新EEPROM中对应的应用数据。
综上所述，本发明的原理是：MCU在对EEPROM进行擦除和写入操作前，先通过定义缓存Cache1建立EEPROM中的所有应用数据的映射1，通过定义缓存Cache2建立EEPROM中的所有应用数据的映射2；然后通过修改SRAM中的映射1来代替EEPROM相应位置的擦写；修改结束后，监测电源压降是否超限或运行是否结束，从而判断是否真正启动对EEPROM的擦除和写入动作；当检测到电源压降超过限制额度或运行已经结束时，则比对映射1和映射2中对应位置处的应用数据，找出映射1中相对于映射2的变化部分并在EEPROM相应位置重现。这种方法避免了无效的EEPROM的擦除写入动作，延长了EEPROM的使用寿命。
最后应当说明的是:以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其限制；尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细的说明，所属领域的普通技术人员应当理解：依然可以对本发明的具体实施方式进行修改或者对部分技术特征进行等同替换；而不脱离本发明技术方案的精神，其均应涵盖在本发明请求保护的技术方案范围当中。

Claims (1)

1.一种利用SRAM缓存降低EEPROM无效擦除写入操作的方法，包括以下步骤：
步骤1，在SRAM中定义缓存Cache1，并将EEPROM中所有应用数据存入至所述缓存Cache1中；在SRAM中定义缓存Cache2，并将EEPROM中所有应用数据存入至所述缓存Cache2中；
步骤2，当需要对EEPROM进行擦除写入操作时，在所述缓存Cache1中修改相应的应用数据；
步骤3，监测供电电源的压降是否超过限制额度或运行是否结束；
当供电电源的压降超过限制额度或者运行结束后，遍历并比对所述缓存Cache1和所述缓存Cache2中所有对应位置处的应用数据，若所述缓存Cache1和所述缓存Cache2中对应位置处的应用数据不同时，用所述缓存Cache1中对应的应用数据更新EEPROM中对应的应用数据。
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