CN106099216B - 锂电池包二级硬件保护装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种锂电池包二级硬件保护装置,分压电阻R2、分压电阻R4、分压电阻R7、电阻R6,电压比较器U1,电阻R6一端接在分压电阻R4、分压电阻R7之间,电阻R6另一端接电压比较器U1的负端,电压比较器U1的正端串接电阻R3后接至参考电压VREF,电压比较器U1的输出端串接电阻R5后接至光耦隔离器OP1中发光二极管的负极,光耦隔离器OP1中发光二极管的正极串接电阻R1后接至电源VREG,光耦隔离器OP1中光耦三极管的C极输出控制信号。本发明既简单又安全而且成本低廉,高抗干扰传输,快速直接硬件保护,无需CPU的管理及参与,完全的独立硬件保护机制,简单高效,安全可靠。

Description

锂电池包二级硬件保护装置
技术领域
本发明涉及锂电池管理技术领域。
背景技术
锂电池电动车为人类的节能、环保带来一次绿色能源革命,但是屡屡的燃烧事故又阻碍了这场革命的进程,这种重大的安全隐患让人忧心重重,令每一个电车人谈及神伤。虽然问题是整个行业技术水平高度所限,但作为锂电池第一管理参与者BMS(电池管理系统)绝对有责任将这种重大的安全风险降到最低。总结近年来出现的重大燃烧事故,充电失控燃烧居多,皆因充电保护失效而使锂电池过充燃烧。
现有技术分为两种:一种是单纯采集数据,并将数据传输给CPU,再由CPU判断是否过压需要发送保护命令。这种方式虽然采用了CAN总线数据传输,但是长距离高速数据传输,依然存在干扰,并且微控制器CPU的抗干扰能力依然有限,程序飞车失控也无法做到绝对安全,目前高端产品已出现双CPU管理,以克服其不足,即便以上环节正常,通过微控制器CPU解析数据再分析判定再发出保护命令,时间上还是有延迟;第二种方式虽然采用了具有二级保护的专用芯片,但是前端采样监测成本增加了一倍,不利于行业推广利用。
发明内容
本发明要解决的技术问题是:克服现有技术的不足,提供一种安全性较高的锂电池包二级硬件保护装置,简单有效。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种锂电池包二级硬件保护装置,其特征在于:包括分压电阻R2、分压电阻R4、分压电阻R7、电阻R6,电压比较器U1,所述分压电阻R2一端接电池包正极,所述分压电阻R2另一端串接分压电阻R4、分压电阻R7至电池包负端,电池包负端接地,电阻R6一端接在分压电阻R4、分压电阻R7之间,电阻R6另一端接电压比较器U1的负端,电压比较器U1的正端串接电阻R3后接至参考电压VREF,电压比较器U1的输出端输出控制信号。
进一步地,所述电压比较器U1的输出端串接电阻R5后接至光耦隔离器OP1中发光二极管的负极,电压比较器U1的电源由电源VREG供给,所述光耦隔离器OP1中发光二极管的正极串接电阻R1后接至电源VREG,二极管DS1的负极接光耦隔离器OP1中发光二极管的正极,二极管DS1的正极接光耦隔离器OP1中发光二极管的负极,光耦隔离器OP1中光耦三极管的C极输出控制信号。
进一步地,电容C1一端接参考电压VREF,电容C1另一端接地,电容C2一端接电压比较器U1的正端,电容C2另一端接地,电容C3一端接光耦隔离器OP1中发光二极管的负极,电容C3另一端接地,电容C4一端接电压比较器U1的负端,电容C4另一端接地。
进一步地,光耦隔离器OP1中光耦三极管的C极串接电阻R12后接至三极管Q1的B极,三极管Q1的C极接至MOS管M1的G极,三极管Q1的E极接地;MOS管M1的S极接地,MOS管M1的D极接光耦U3中的发光二极管的负极,光耦U3中的发光二极管的正极串接电阻R17后接至正5V电压,光耦U3的输出端输出外部硬件使能控制信号。
进一步地,所述光耦U3的输出端由光耦MOS管M2、光耦MOS管M3形成,光耦MOS管M2的S极接光耦MOS管M3的S极,光耦MOS管M2的D极作为外部硬件使能控制信号输出端,光耦MOS管M3的D极作为外部硬件使能控制信号输入端。
进一步地,电容C8一端接三极管Q1的B极,电容C8另一端接地,电阻R15一端接三极管Q1的B极,电阻R15另一端接地,电容C7一端接三极管Q1的C极,电容C7另一端接地,电阻R18一端接正5V电压,电阻R18另一端接MOS管M1的G极,电阻R24一端接光耦U3中的发光二极管的正极,电阻R24另一端接光耦U3中的发光二极管的负极,电容C11一端接MOS管M1的G极,电容C11另一端接地,电阻R20一端接MOS管M1的G极,电阻R20另一端接地。
本发明的有益效果是:本发明既简单又安全而且成本低廉,高抗干扰传输,快速直接硬件保护,无需CPU的管理及参与,完全的独立硬件保护机制,简单高效,安全可靠。
附图说明
下面结合附图对本发明进一步说明。
图1是本发明的基础电路原理图;
图2是本发明的拓展一电路原理图;
图3是本发明的拓展二电路原理图;
具体实施方式
现在结合附图对本发明作进一步的说明。这些附图均为简化的示意图仅以示意方式说明本发明的基本结构,因此其仅显示与本发明有关的构成。
如图1所示,一种锂电池包二级硬件保护装置,包括分压电阻R2、分压电阻R4、分压电阻R7、电阻R6,电压比较器U1,所述分压电阻R2一端接电池包正极,所述分压电阻R2另一端串接分压电阻R4、分压电阻R7至电池包负端,电池包负端接地,电阻R6一端接在分压电阻R4、分压电阻R7之间,电阻R6另一端接电压比较器U1的负端,电压比较器U1的正端串接电阻R3后接至参考电压VREF,电压比较器U1的输出端输出控制信号。
电池包电压经过分压电阻R2、分压电阻R4、分压电阻R7分压后经由电阻R6输入电压比较器U1的负端,该电压与电压比较器U1正端输入的参考电压VREF作比较,一旦电压比较器U1负端电压超过设定值,电压比较器U1输出翻转为低电平。
进一步地,如图2所示,所述电压比较器U1的输出端串接电阻R5后接至光耦隔离器OP1中发光二极管的负极,电压比较器U1的电源由电源VREG供给,所述光耦隔离器OP1中发光二极管的正极串接电阻R1后接至电源VREG,二极管DS1的负极接光耦隔离器OP1中发光二极管的正极,二极管DS1的正极接光耦隔离器OP1中发光二极管的负极,光耦隔离器OP1中光耦三极管的C极输出控制信号。
电压比较器U1输出翻转为低电平后,经由电阻R5引发光耦隔离器OP1导通工作输出控制信号,进而实现了将电池包电压的过电压信号传递给控制侧。
电容C1一端接参考电压VREF,电容C1另一端接地,电容C2一端接电压比较器U1的正端,电容C2另一端接地,电容C3一端接光耦隔离器OP1中发光二极管的负极,电容C3另一端接地,电容C4一端接电压比较器U1的负端,电容C4另一端接地。
进一步地,如图3所示,光耦隔离器OP1中光耦三极管的C极串接电阻R12后接至三极管Q1的B极,三极管Q1的C极接至MOS管M1的G极,三极管Q1的E极接地;MOS管M1的S极接地,MOS管M1的D极接光耦U3中的发光二极管的负极,光耦U3中的发光二极管的正极串接电阻R17后接至正5V电压,光耦U3的输出端输出外部硬件使能控制信号。
所述光耦U3的输出端由光耦MOS管M2、光耦MOS管M3形成,光耦MOS管M2的S极接光耦MOS管M3的S极,光耦MOS管M2的D极作为外部硬件使能控制信号输出端,光耦MOS管M3的D极作为外部硬件使能控制信号输入端。
电容C8一端接三极管Q1的B极,电容C8另一端接地,电阻R15一端接三极管Q1的B极,电阻R15另一端接地,电容C7一端接三极管Q1的C极,电容C7另一端接地,电阻R18一端接正5V电压,电阻R18另一端接MOS管M1的G极,电阻R24一端接光耦U3中的发光二极管的正极,电阻R24另一端接光耦U3中的发光二极管的负极,电容C11一端接MOS管M1的G极,电容C11另一端接地,电阻R20一端接MOS管M1的G极,电阻R20另一端接地。
光耦隔离器OP1导通后,经过电阻R12使三极管Q1导通,而后MOS管M1被关断,从而使光耦U3关闭,断开外部硬件使能控制信号,使外部的继电器断开,继而停止给电池包充电。
本发明既简单又安全而且成本低廉,高抗干扰传输,快速直接硬件保护,无需CPU的管理及参与,完全的独立硬件保护机制,简单高效,安全可靠。
以上述依据本发明的理想实施例为启示,通过上述的说明内容,相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内,进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容,必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。

Claims (1)

1.一种锂电池包二级硬件保护装置,其特征在于:包括分压电阻R2、分压电阻R4、分压电阻R7、电阻R6,电压比较器U1,所述分压电阻R2一端接电池包正极,所述分压电阻R2另一端串接分压电阻R4、分压电阻R7至电池包负端,电池包负端接地,电阻R6一端接在分压电阻R4、分压电阻R7之间,电阻R6另一端接电压比较器U1的负端,电压比较器U1的正端串接电阻R3后接至参考电压VREF;
所述电压比较器U1的输出端串接电阻R5后接至光耦隔离器OP1中发光二极管的负极,电压比较器U1的电源由电源VREG供给,所述光耦隔离器OP1中发光二极管的正极串接电阻R1后接至电源VREG,二极管DS1的负极接光耦隔离器OP1中发光二极管的正极,二极管DS1的正极接光耦隔离器OP1中发光二极管的负极;
电容C1一端接参考电压VREF,电容C1另一端接地,电容C2一端接电压比较器U1的正端,电容C2另一端接地,电容C3一端接光耦隔离器OP1中发光二极管的负极,电容C3另一端接地,电容C4一端接电压比较器U1的负端,电容C4另一端接地;
光耦隔离器OP1中光耦三极管的C极串接电阻R12后接至三极管Q1的B极,三极管Q1的C极接至MOS管M1的G极,三极管Q1的E极接地;MOS管M1的S极接地,MOS管M1的D极接光耦U3中的发光二极管的负极,光耦U3中的发光二极管的正极串接电阻R17后接至正5V电压;
所述光耦U3的输出端由光耦MOS管M2、光耦MOS管M3形成,光耦MOS管M2的S极接光耦MOS管M3的S极,光耦MOS管M2的D极作为外部硬件使能控制信号输出端,光耦MOS管M3的D极作为外部硬件使能控制信号输入端;
电容C8一端接三极管Q1的B极,电容C8另一端接地,电阻R15一端接三极管Q1的B极,电阻R15另一端接地,电容C7一端接三极管Q1的C极,电容C7另一端接地,电阻R18一端接正5V电压,电阻R18另一端接MOS管M1的G极,电阻R24一端接光耦U3中的发光二极管的正极,电阻R24另一端接光耦U3中的发光二极管的负极,电容C11一端接MOS管M1的G极,电容C11另一端接地,电阻R20一端接MOS管M1的G极,电阻R20另一端接地。
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