CN105984866B - 石墨烯的表面改质方法 - Google Patents
石墨烯的表面改质方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105984866B CN105984866B CN201510073488.5A CN201510073488A CN105984866B CN 105984866 B CN105984866 B CN 105984866B CN 201510073488 A CN201510073488 A CN 201510073488A CN 105984866 B CN105984866 B CN 105984866B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- graphene
- temperature
- surface modifier
- modification method
- modifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 89
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 71
- 238000002715 modification method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000003607 modifier Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000003795 desorption Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000005336 cracking Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 15
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 11
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 6
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 claims description 4
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 4
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 4
- 238000004375 physisorption Methods 0.000 claims description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 125000004442 acylamino group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 2
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 claims description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N monobenzene Natural products C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 abstract description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 abstract description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 16
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- -1 0.335nm Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 4
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000007770 graphite material Substances 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000002083 X-ray spectrum Methods 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 239000000383 hazardous chemical Substances 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- BXEMXLDMNMKWPV-UHFFFAOYSA-N pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1.C1=CC=NC=C1 BXEMXLDMNMKWPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 231100000004 severe toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002594 sorbent Substances 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- BSUNTQCMCCQSQH-UHFFFAOYSA-N triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1.C1=CN=NN=C1 BSUNTQCMCCQSQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/182—Graphene
- C01B32/194—After-treatment
- C01B32/196—Purification
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/182—Graphene
- C01B32/194—After-treatment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
本发明是一种石墨烯的表面改质方法，包括：将粉体状的石墨烯放入真空环境中，并升温至杂质脱附温度，使石墨烯表面的杂质脱附，其中杂质脱附温度大于100℃；以及将处理温度调整至表面改质吸附温度，并通入气态的表面改质剂，而吸附于石墨烯的表面，形成表面改质的石墨烯，其中表面改质吸附温度大于表面改质剂的升华温度，且低于表面改质剂的裂解温度。本发明只利用物理吸附作用，不需任何化学反应，因此制程简单安全，且表面改质后的石墨烯在溶液中具有良好的分散性，可提升石墨烯掺混时的均匀性，提高产品性能。
Description
技术领域
本发明有关于一种石墨烯的表面改质方法，尤其是利用真空下调整适当处理温度而使气态的表面改质剂透过物理吸附而吸附于石墨烯粉体的表面以实现对石墨烯的表面改质。
背景技术
单层石墨，又称为石墨烯(graphene)，是一种由单层碳原子以石墨键(sp2)紧密堆积成二维蜂窝状的晶格结构，因此仅有一个碳原子的厚度，0.335nm，且石墨键为共价键与金属键的复合键，可说是绝缘体与导电体的天作之合。2004年英国曼彻斯特大学AndreGeim与Konstantin Novoselov成功利用胶带剥离石墨的方式，证实可得到单层的石墨烯，并获得2010年的诺贝尔物理奖，进而促使学界及产业投入大量的人力与物力，试图利用石墨烯的优异物理特性应用于各种领域。
具体而言，石墨烯是目前世界上最薄也是最坚硬的材料，导热系数高于奈米碳管与金刚石，常温下其电子迁移率亦比奈米碳管或硅晶体高，电阻率比铜或银更低，为目前世界上电阻率最小的材料。石墨烯与奈米碳管在透明电极的应用皆有可挠性高、反射率低的优点，是目前做为软性电子材料的首选。
然而，石墨烯在实际上的缺点为所使用的分散液的涂布效果较一般奈米碳管的分散液相对上困难许多，因为石墨烯本质上非常容易聚集、堆叠，使得欲得到高均匀性且单层的石墨烯薄膜，同时要能避免石墨烯薄片彼此不均匀地堆叠，而仍维持薄片彼此可接触并电气导通，一直以来都是产业界需要急需克服的主要技术瓶颈。
为确实解决上述问题，已有许多技术被开发出来，并举例简单说明如下。
美国专利第20100056819号揭露一种可分散的导电石墨烯片的制备方式，其中涉及的方式是在氧化处理程序中，将具有高氧化能力的反应气体与 石墨材料、碳材料或奈米碳管进行反应，使其带有含氧官能基，进而提升分散的能力。但此方法所使用的反应气体多半是强腐蚀性的反应物，此外，经过氧化处理程序所得的产物具有较高的氧含量，导致石墨烯片本身的导电效果大打折扣。
此外，美国专第07745528号揭露一种官能基化石墨烯与橡胶复合材，其中复合材所使用的官能基化石墨烯的制备方式，是藉由将石墨氧化取得氧化石墨或分离的膨胀石墨烯层，再急速加热使氧化石墨或分离的膨胀石墨烯层分解，藉以释放出其中所包含的气体，进而得到富含氧官能基的官能基化石墨烯。然而，含氧官能基量的分布范围很广，且由氧含量可概略推估其氧含量比例从5％至40％，因此不易精确控制，而且其电性的表现也相当不佳。
从上述的先前技术中可得知，目前现有技术的石墨烯表面处理方法皆是透过化学反应的方式而进行，不仅制程控制困难，在在制程放大的过程中，更会引发有毒性物质与环保的问题，非常不利于石墨烯的大量生产制造及应用。
因此，非常需要一种创新的石墨烯的表面改质方法，可在只使用物理吸附作用而不需任何化学反应下，达成对石墨烯表面的改质处理，避免高使用反应性化学物质所导致的副作用，进而解决上述现有技术的所有问题。
发明内容
本发明主要的目的在于提供一种石墨烯的表面改质方法，用以实现对石墨烯的表面改质，改善石墨烯在溶液中的分散性，进而提升石墨烯在后续的掺混处理时的均匀性，提高终端产品的性能。
具体而言，本发明的表面改质方法首先是将石墨烯粉体放入具有真空环境的密封容器中，并将处理温度上升至预设的杂质脱附温度，其中杂质脱附温度大于100℃，因而可使石墨烯粉体表面的杂质脱附，获得表面清洁的石墨烯粉体。
接着，将处理温度调整至预设的表面改质吸附温度，并通入气态的表面改质剂，使得表面改质剂藉物理吸附作用而吸附于石墨烯粉体的表面，形成表面改质的石墨烯粉体，其中表面改质吸附温度大于表面改质剂的升华温度，并低于表面改质剂的裂解温度，即维持表面改质剂在升华且不会发生裂解的 状态。
因此，本发明只利用透过物理吸附的方式，不需任何化学反应，可避免使用化学反应所需的高腐蚀性反应物，同时还可减少反应废弃物的产生，具有相对环保安全且制程简便安全的优点。此外，本发明所获得的表面改质石墨烯具有良好的分散性，可提升石墨烯在后续掺混处理时的均匀性，进而提高后续产品的性能。
附图说明
图1为本发明石墨烯粉体的表面改质方法的操作处理流程图。
图2为本发明方法中改质后石墨烯片表面的物理吸附示意图。
图3为用于所述表面改质的石墨烯的X射线光谱。
图4为用于所述表面改质的石墨烯的X射线光谱。
其中，附图标记说明如下：
10石墨烯
20表面改质吸附剂分子
S10表面清洁步骤
S20表面处理步骤
具体实施方式
以下配合图式及附图标记对本发明的实施方式做更详细的说明，使熟悉本领域的技术人员在研读本说明书后能据以实施。
参阅图1，依据本发明实施例石墨烯的表面改质方法操流程的示意图。如图1所示，本发明的石墨烯的表面改质方法主要是包括表面清洁步骤S10以及表面处理步骤S20，用以对石墨烯的表面进行改质处理，改善表面特性，进而易于供后续的加工处理用。
如图1所示，本发明石墨烯粉体的表面改质方法是从表面清洁步骤S10开始，主要是将粉体状的石墨烯放入具有真空环境的密封容器中，并将处理温度上升至预设的杂质脱附温度，并维持一段时间，藉以对附着在石墨烯表面上的杂质，同时利用真空及加热以进行脱附处理，使得杂质发生裂解或形成气体而逸散、脱附而去除。由于石墨烯本身是属于表面积非常大的奈米材 料，因此石墨烯的表面非常容易吸附微粒或油污分子等杂质，可利用本发明方法的表面清洁步骤S10去除，而获得表面相当清洁的石墨烯，即在石墨烯表面为一完整的六角环形结构，有利于在后续处理时对改质剂的吸附效果，提高改质效果。
较佳的是，真空环境的压力小于10-2torr，而杂质脱附温度大于100℃。
接着，进行表面处理步骤S20，将处理温度调整至预设的表面改质吸附温度，并通入气态的表面改质剂，使得表面改质剂可藉物理吸附作用而吸附于石墨烯的表面，形成表面改质的石墨烯，以完成本发明的表面改质方法。
上述的表面改质剂具有升华点，且表面改质吸附温度必须大于表面改质剂的升华温度，且低于表面改质剂的裂解温度，即维持表面改质剂在升华且不会发生裂解的状态。
具物理吸附特性的表面改质剂可由化学式代表，Rx-Ry’，其中R选自苯环、吡啶(pyridine)及三嗪(triazine)的至少其中一，而R’选自氨基、烷氧基、羰基、羧基、酰氧基、酰氨基、伸烷氧基、二甲基氨基(dimethylamino)及伸烷氧羧基的至少其中一，且1≦x≦4，0≦y≦10。表面改质剂的具体实例为选自苯甲酸、邻苯二甲酸及三聚氰氨的任一个或其组合。
上述表面改质剂的特征在于具有至少一个苯环结构，或是至少一六角杂环结构，而此类结构与石墨烯的碳六角环状结构类似，因此当表面改质剂吸附于石墨烯粉体表面时，两者之间会形成一所谓π-π堆叠(π-πstacking)效应，而非只是一般的物理吸附。
因此，经表面改质后的石墨烯即使再次经过同样的表面清洁步骤S10，也不会使已附着的表面改质剂发生脱附，所以在表面清洁步骤S10的过程当中，必须确实的去除石墨烯表面上的杂质，才足以确保石墨烯表面与表面改质剂的间产生良好吸附。
为进一步清楚说明本发明的特点，以下将以二示范性实例来说明本发明石墨烯的表面改质方法的实际操作方式，以帮助得现有技术者能更明了。
[实例1]
选用三聚氰氨作为表面改质剂。
首先，将石墨烯片与三聚氰氨均匀混合后置于炉体中，对炉体抽真空，使反应环境的压力小于10-2torr。接着，将炉体升温至200℃，进行3小时的 石墨烯粉体表面清洁步骤，以去除表面的杂质。再进行表面处理步骤，将炉体升温至表面吸附温度310℃，维持2小时，使得表面改质剂升华后，扩散吸附于石墨烯片的干净表面，得到带有表面改质的石墨烯片粉体。
[实例2]
选用邻苯二甲酸作为表面改质剂。
首先，将石墨烯片与邻苯二甲酸均匀混合后置于炉体中，对炉体抽真空，使反应环境的压力小于10-2torr。接着，将炉体升温至200℃进行3小时的石墨烯粉体表面清洁步骤。再将炉体升温至表面吸附温度400℃，并维持1小时，使表面改质剂升华后，扩散吸附于石墨烯片的干净表面。反应完成即可得到带有表面改质的石墨烯片粉体。
综上所述，本发明的主要特点在于利用表面清洁步骤以及表面处理步骤，对石墨烯的表面进行改质处理，改善表面特性，进而获得可易于进行掺混处理且具良好分散效果的改质石墨烯片。因此，本发明确实有别于现有技术，其中一般现有技术并非采取将石墨材料氧化或使用氧化石墨再还原的模式以达到控制含氧官能基的目的，亦非以将石墨材料在气相氧化反应物中以进行边缘官能基化的处理。显而易见的是，本发明除了可避免使用任何剧毒或危险化学药剂外，还能确保制备过程相对容易且安全。
Claims (4)
1.一种石墨烯的表面改质方法，其特征在于，用以对石墨烯的表面进行改质处理，包括：
一表面清洁步骤，将粉体状的石墨烯放入具有真空环境的一密封容器中，并将一处理温度上升至预设的一杂质脱附温度，维持一段时间，用以对附着在该石墨烯的表面上的杂质，藉真空及加热以进行脱附处理，使得该杂质发生裂解或形成气体而逸散、脱附而去除；以及
一表面处理步骤，将该处理温度调整至预设的一表面改质吸附温度，并通入气态的一表面改质剂，该表面改质剂是由一化学式代表，Rx-Ry’，R选自苯环、吡啶及三嗪的至少其中一，而R’选自氨基、烷氧基、羰基、羧基、酰氧基、酰氨基、伸烷氧基、二甲基氨基及伸烷氧羧基的至少其中一，且1≦x≦4，0≦y≦1，且该表面改质剂具有一升华点，使得该表面改质剂藉物理吸附作用而吸附于该石墨烯的表面，获得表面改质的石墨烯，完成该表面改质方法。
2.根据权利要求1所述的石墨烯的表面改质方法，其特征在于，该真空环境的压力小于10-2torr，而该杂质脱附温度大于100℃。
3.根据权利要求1所述的石墨烯的表面改质方法，其特征在于，该表面改质吸附温度大于该表面改质剂的一升华温度，并低于该表面改质剂的一裂解温度。
4.根据权利要求1所述的石墨烯的表面改质方法，其特征在于，该表面改质剂选自苯甲酸、邻苯二甲酸及三聚氰氨的任一个或其组合。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW104103272 | 2015-01-30 | ||
| TW104103272A TWI546254B (zh) | 2015-01-30 | 2015-01-30 | 石墨烯之表面改質方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105984866A CN105984866A (zh) | 2016-10-05 |
| CN105984866B true CN105984866B (zh) | 2017-12-12 |
Family
ID=56552849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510073488.5A Active CN105984866B (zh) | 2015-01-30 | 2015-02-12 | 石墨烯的表面改质方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9410041B1 (zh) |
| CN (1) | CN105984866B (zh) |
| TW (1) | TWI546254B (zh) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106830900A (zh) * | 2017-02-08 | 2017-06-13 | 无锡工艺职业技术学院 | 一种高硬度陶瓷刀具 |
| CN106699140A (zh) * | 2017-02-08 | 2017-05-24 | 无锡工艺职业技术学院 | 一种高硬度陶瓷切削头 |
| CN109422260B (zh) * | 2017-08-30 | 2020-09-04 | 北京大学 | 基于活性炭复合物制备超洁净石墨烯的方法 |
| TWI656093B (zh) * | 2017-10-25 | 2019-04-11 | 安炬科技股份有限公司 | 石墨烯分散膏、其製備方法及使用方法 |
| CN110883017B (zh) * | 2018-09-10 | 2020-12-29 | 北京石墨烯研究院 | 静态清洁石墨烯表面的方法和装置 |
| CN112724710A (zh) * | 2021-01-15 | 2021-04-30 | 贵州玖碳科技有限公司 | 等离子石墨烯粉体表面改性工艺 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101558455A (zh) * | 2006-10-06 | 2009-10-14 | 普林斯顿大学理事会 | 官能性石墨烯-橡胶纳米复合材料 |
| US20100056819A1 (en) * | 2008-09-03 | 2010-03-04 | Jang Bor Z | Process for producing dispersible and conductive Nano Graphene Platelets from non-oxidized graphitic materials |
| US20100320437A1 (en) * | 2006-02-07 | 2010-12-23 | President And Fellows Of Harvard College | Gas-phase functionalization of surfaces including carbon-based surfaces |
| CN102898680A (zh) * | 2011-07-29 | 2013-01-30 | 安炬科技股份有限公司 | 表面改质的石墨烯 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9096437B2 (en) * | 2010-03-08 | 2015-08-04 | William Marsh Rice University | Growth of graphene films from non-gaseous carbon sources |
-
2015
- 2015-01-30 TW TW104103272A patent/TWI546254B/zh active
- 2015-02-12 CN CN201510073488.5A patent/CN105984866B/zh active Active
- 2015-03-09 US US14/642,170 patent/US9410041B1/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100320437A1 (en) * | 2006-02-07 | 2010-12-23 | President And Fellows Of Harvard College | Gas-phase functionalization of surfaces including carbon-based surfaces |
| CN101558455A (zh) * | 2006-10-06 | 2009-10-14 | 普林斯顿大学理事会 | 官能性石墨烯-橡胶纳米复合材料 |
| US20100056819A1 (en) * | 2008-09-03 | 2010-03-04 | Jang Bor Z | Process for producing dispersible and conductive Nano Graphene Platelets from non-oxidized graphitic materials |
| CN102898680A (zh) * | 2011-07-29 | 2013-01-30 | 安炬科技股份有限公司 | 表面改质的石墨烯 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| A review on synthesis and properties of polymer functionalized graphene;Rama K et al.,;《Polymer》;20130628;第54卷;第5087-5103页 * |
| Functionalization of Graphene: Covalent and Non-Covalent Approaches, Derivatives and Applications;Vasilios Georgakilas et al.,;《Chem. Rev.》;20120925;第112卷;第6156-6214页 * |
| Non-covalent functionalization of graphene sheets by sulfonated polyaniline;Hua Bai et al.,;《Chem. Commun》;20090210;第1667-1669页 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20160222215A1 (en) | 2016-08-04 |
| CN105984866A (zh) | 2016-10-05 |
| US9410041B1 (en) | 2016-08-09 |
| TW201627222A (zh) | 2016-08-01 |
| TWI546254B (zh) | 2016-08-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105984866B (zh) | 石墨烯的表面改质方法 | |
| Yang et al. | A DFT study of CO adsorption on the pristine, defective, In-doped and Sb-doped graphene and the effect of applied electric field | |
| Zhang et al. | The preparation of reduced graphene oxide-encapsulated α-Fe2O3 hybrid and its outstanding NO2 gas sensing properties at room temperature | |
| Kumar et al. | Highly selective and reversible NO2 gas sensor using vertically aligned MoS2 flake networks | |
| Bafekry et al. | Adsorption of habitat and industry-relevant molecules on the MoSi2N4 monolayer | |
| Fan et al. | Recent progress in 2D or 3D N-doped graphene synthesis and the characterizations, properties, and modulations of N species | |
| Lee et al. | High sensitivity detection of nitrogen oxide gas at room temperature using zinc oxide-reduced graphene oxide sensing membrane | |
| Sarkar et al. | Diels− Alder chemistry of graphite and graphene: graphene as diene and dienophile | |
| Ito et al. | Tuning the magnetic properties of carbon by nitrogen doping of its graphene domains | |
| Rani et al. | Designing band gap of graphene by B and N dopant atoms | |
| He et al. | Electric field-modulated high sensitivity and selectivity for NH3 on α-C2N2 nanosheet: insights from DFT calculations | |
| KR101920718B1 (ko) | 그래핀 소자 제조 장치 및 이를 이용한 그래핀 소자 제조 방법 | |
| Li et al. | Flexible room-temperature formaldehyde sensors based on rGO film and rGo/MoS2 hybrid film | |
| JP5515073B2 (ja) | 電子素子および電子素子の製造方法 | |
| Du et al. | First-principle study on monolayer and bilayer SnP3 sheets as the potential sensors for NO2, NO, and NH3 detection | |
| Guo et al. | Edge dominated electronic properties of MoS 2/graphene hybrid 2D materials: edge state, electron coupling and work function | |
| Hwang et al. | Comparative study of metal atom adsorption on free-standing h-BN and h-BN/Ni (1 1 1) surfaces | |
| Shi et al. | Effect of oxygen doping on the hydrogen evolution reaction in MoS2 monolayer | |
| Deshpande et al. | Investigating CO2 storage properties of C2N monolayer functionalized with small metal clusters | |
| Rahman et al. | Selective sensing of NH3 and CH2O molecules by novel 2D porous hexagonal boron oxide (B3O3) monolayer: A DFT approach | |
| CN106006619A (zh) | 一种特定尺寸的石墨烯的制备方法 | |
| CN103387223A (zh) | 一种制备石墨烯的方法 | |
| Ko et al. | Improved sorption characteristics of NH3 molecules on the solution-processed graphene sheets | |
| Lei et al. | Capture and dissociation of dichloromethane on Fe, Ni, Pd and Pt decorated phosphorene | |
| Zhang et al. | Adsorption mechanism of SO2 on vacancy-defected graphene and Ti doped graphene: A DFT study |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |