CN105897337A - 一种基于微米led阵列的可见光通信系统及其建立方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于无线通信技术领域,具体公开一种基于微米LED阵列的可见光通信系统及其建立方法。本发明使用反应离子刻蚀得到p型微米LED台面阵列,台面尺寸小于100μm,然后沉积绝缘钝化层,并在需要做电极的区域对绝缘层开孔,制备p型和n型电极来控制微米LED阵列的每个LED单元;集成微米LED阵列和准直光学透镜,使用正交频分复用(OFDM)调制技术,集成接收端高速光电探测器和聚焦透镜,实现视距和非视距高速通信,满足室内通信距离需求。本发明结合LED制备和可见光通信系统,制备的微米LED阵列具有高光电调制带宽,可并行通信,具有高通信速度,同时具备微显示和照明功能,可以进行视距和非视距通信,具有很强的实用性。
Description
技术领域
本发明属于无线通信技术领域,具体涉及一种基于微米LED阵列的可见光通信系统及其建立方法。
背景技术
近年来, LED已经广泛应用于室内照明、室外街道、汽车照明、电视和手机背光源、交通信号灯和植物照明等领域,并有望替代白炽灯、荧光灯和钠灯等传统光源,成为照明的革命性产品。同时,LED还可以进行快速的光电调制,适合用来进行可见光通信。
可见光通信具备一些WiFi所不具备的优势:随着社会对无线网络系统的需求日益增多,包括手机、计算机和定位系统等,WiFi技术所在的射频无线通信波段日益拥挤,而可见光通信技术所在的可见光波段具有很宽的频谱利用范围,约为射频频谱波段的10000倍,可以解决频谱资源拥挤的问题;WiFi的使用会干扰现有的电子仪器产品,而可见光通信对电子仪器无电磁干扰,适合应用于飞机和医院等一些特殊场合;可见光不能够穿透墙壁,只能够在光传播的区域才能够通信,这极大地提高了数据传输的安全性。
可见光通信常用的商用LED的调制带宽在5MHz到20MHz,限制了LED的通信速度;微米LED的调制带宽可达100MHz以上,但是微米LED的输出光功率相对比较小,限制了微米LED的通信距离和实用性。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于微米LED阵列的可见光通信系统及其建立方法。
本发明结合高速微米LED阵列的制备工艺和可见光通信系统,制备微米LED阵列,可在微显示或者照明的场景中实现高速可见光通信;微米LED光电调制带宽在100MHz以上,并优化了光学发射和接收天线,满足室内通信距离需求,实现视距和非视距通信,具备很强的实用性。
本发明提供的基于微米LED阵列的可见光通信系统,包括:
发射端,其包括:信号编码模块,直流驱动,微米LED阵列,聚焦透镜;其中,信号编码模块用于进行信号编码;直流驱动用于驱动微米LED阵列,并加入经过编码的信号;聚焦透镜用于聚焦微米LED阵列发射的光到接近准直;
接收端,其包括:透镜,光电探测器,信号解码模;其中,透镜用于收集微米LED阵列发射出的光,并聚焦到光电探测器;信号解码模块用于进行信号解码,用户端获得所需的信号数据;
无线通信:发射端与接收端之间使用正交频分复用(OFDM)调制方法进行视距和非视距信号传输。
上述基于微米LED阵列的可见光通信系统的建立方法,具体步骤为:
(a)制备微米LED阵列:
在衬底11上生长GaN基LED外延层,沉积p型欧姆接触电极,通过反应离子刻蚀露出n-GaN 12,形成台面13,退火形成p型欧姆接触;
沉积钝化绝缘层14,并在台面和n型电极区域开孔;
沉积p型15和n型连接电极16;
(b)建立通信系统:
封装微米LED阵列21,使用直流驱动LED并加入经过编码的信号,使用聚焦透镜22聚焦LED发射光到接近准直;
使用正交频分复用(OFDM)调制方法进行视距和非视距信号传输;
接收端使用透镜23收集LED发射出的光,聚焦到光电探测器24,并进行信号解码。
本发明中,所述的微米LED阵列的每个LED单元长宽小于100μm,并能够被单独控制,-3dB光电调制带宽在100MHz以上,可在微显示或者照明的场景中实现高速可见光通信,并可以使用多个微米LED并行发送信号进行MIMO通信。
步骤(a)中,所述的p型欧姆接触电极使用Ni/Au,退火形成欧姆接触同时也有助于修复侧壁刻蚀缺陷。
步骤(a)中,所述的绝缘层厚度为0.2-0.5μm,绝缘层开孔结合干法腐蚀和湿法腐蚀两种方法。
步骤(a)中,所述的p型和n型电极材料为Ti/Au。
步骤(b)中,所述的微米LED阵列封装21使用高速PCB来控制每个微米LED单元,或者将微米LED阵列键合到高速硅基CMOS上来单独控制。
步骤(b)中,所述的聚焦透镜22和透镜23为抛物线曲面透镜,分别对微米LED发光的进行准直和收集更多的光。
步骤(b)中,所述的信号包括语音、视频等实际生活中需要传输的信号,经编码后由LED发射端21传输,由接收端探测器24收到信号,进行信号解码,用户端获得所需的语音、视频等信号。
步骤(b)中,所述的信号通过OFDM调制传输,视距传输中光传播损耗少,通信数据传输速度较快;非视距传输中经过多次反射和漫反射光传播损耗多,比如墙壁的瓷砖、纸张等25,通过透镜23收集足够的光到探测器端24,可以实现可见光通信。
本发明结合LED制备和可见光通信系统,使用反应离子刻蚀得到p型微米LED台面阵列,沉积绝缘钝化层,在需要做电极的区域对绝缘层开孔,制备p型和n型电极来控制微米LED阵列的每个LED单元。通过集成微米LED阵列和准直光学透镜,使用正交频分复用(OFDM)调制技术,集成接收端高速光电探测器和聚焦透镜,满足室内通信距离需求,实现视距和非视距高速通信。本发明制备的微米LED阵列具有高光电调制带宽,可并行通信(MIMO),具有高通信速度;同时具备微显示、照明和可见光通信多种功能,可以进行视距和非视距通信,具有很强的实用性。
附图说明
图1为本发明中提供的微米LED阵列的制备流程,包括台面刻蚀、钝化绝缘层开孔,p型和n型电极制备的俯视和剖面示意图。
图2为本发明中提供的使用微米LED阵列进行视距和非视距通信的示意图。
图中标号:11为衬底,12为n-GaN ,13为台面,14为绝缘层,15为p型连接电极,16为n型连接电极;21为封装后的微米LED阵列,22为聚焦透镜,23为接收端透镜,24为接收端光电探测器。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述,以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解。下面结合通过实施例对本发明作进一步说明,但本发明并不限于以下实施例。
(a)制备微米LED阵列,图1示意图中的上图为俯视图,下图为剖面图:
如图1所示,在蓝宝石衬底c面上生长GaN基LED外延层,沉积p型欧姆接触电极Ni/Au(10nm/25nm),通过反应离子刻蚀分别刻蚀掉Ni/Au和一部分GaN外延层,外延层刻蚀1μm深度,露出n-GaN 12,形成微米LED阵列台面13,台面长宽各80μm,500摄氏度退火3分钟,形成p型欧姆接触,退火也有助于修复侧壁刻蚀缺陷;
用等离子体增强化学气相沉积法PECVD沉积0.3μm的SiO2钝化绝缘层14,并在微米LED台面和n型电极区域开孔,绝缘层开孔结合干法腐蚀和湿法腐蚀两种方法,先用反应离子刻蚀去掉大部分SiO2,然后用BOE湿法腐蚀掉剩余的SiO2;
沉积p型15和n型连接电极16,电极材料为Ti/Au(50nm/200nm),每个p型电极可以单独控制微米LED单元,图1显示的是正面(Ni/Au面)出光的LED示意图;
(b)建立通信系统:
如图2所示,使用高速PCB封装微米LED阵列21,通过金线连接微米LED和PCB,PCB连线连接至SMA接口,将模拟语音信号通过脉冲编码调制转换为数字信号,使用40mA直流电驱动LED并加入经过编码的信号,单个微米LED光功率约1mW(0dBm),通信信号的调制深度为1-2V,使用抛物线曲面透镜22聚焦LED发射光到接近准直,传输距离可以达到十米以上,可以满足大多数室内通信需求;
使用正交频分复用(OFDM)调制方法进行视距和非视距信号传输,OFDM充分利用微米LED的高光电调制带宽,视距通信数据传输速率可达2Gb/s-3Gb/s,对于非视距通信,比如准镜面反射(比如瓷砖)和漫反射(比如A4纸)25,数据传输速率仍可以满足实时视频和语音等通信需求;
接收端使用抛物线曲面透镜23收集LED发射出的光,聚焦到光电探测器24,由接收端探测器24收到信号,进行信号解码,将数字信号转换为模拟语音信号,用户端获得所需的语音信号。
可选的,所述的微米LED阵列的每个LED单元长宽可以更小,20μm大小的微米LED可以达到500MHz的-3dB光电调制带宽;微米LED阵列的数量也可以调整,比如4×4、10×10、16×16、以及更大的阵列。
可选的,用p型Ti/Au电极材料15完全覆盖Ni/Au表面,Ti/Au也起到反射镜的作用,可以实现背面(蓝宝石面)出光的LED。
可选的,微米LED阵列可以用倒装焊的方法,用金球或者铟球键合到高速硅基CMOS上来单独控制。
可选的,可以使用开关键控(OOK)调制等进行信号传输。
可选的,可以使用多个微米LED并行发送信号进行MIMO通信。
可选的,微米LED阵列可以在微显示或者照明的场景中实现高速可见光通信,用整个微米LED阵列来做微显示或者照明,用阵列中的一个或者几个微米LED来做通信。
本发明结合LED制备和可见光通信系统,使用反应离子刻蚀得到p型微米LED台面阵列,沉积绝缘钝化层,在需要做电极的区域对绝缘层开孔,制备p型和n型电极来控制微米LED阵列的每个LED单元。通过集成微米LED阵列和准直光学透镜,使用正交频分复用(OFDM)调制技术,集成接收端高速光电探测器和聚焦透镜,满足室内通信距离需求,实现视距和非视距高速通信。本发明制备的微米LED阵列具有高光电调制带宽,可并行通信(MIMO),具有高通信速度;同时具备微显示、照明和可见光通信多种功能,可以进行视距和非视距通信,具有很强的实用性。
以上所述仅为本发明的实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的保护范围内。
Claims (8)
1. 一种基于微米LED阵列的可见光通信系统,其特征在于,包括:
发射端,其包括:信号编码模块,直流驱动,微米LED阵列,聚焦透镜;其中,信号编码模块用于进行信号编码;直流驱动用于驱动微米LED阵列,并加入经过编码的信号;聚焦透镜用于聚焦微米LED阵列发射的光到接近准直;
接收端,其包括:透镜,光电探测器,信号解码模;其中,透镜用于收集微米LED阵列发射出的光,并聚焦到光电探测器;信号解码模块用于进行信号解码,用户端获得所需的信号数据;
无线通信:发射端与接收端之间使用正交频分复用(OFDM)调制方法进行视距和非视距信号传输。
2. 根据权利要求1所述的基于微米LED阵列的可见光通信系统,其特征在于,所述的微米LED阵列的每个LED单元长宽小于100μm,并能够被单独控制,-3dB光电调制带宽在100MHz以上,可在微显示或者照明的场景中实现高速可见光通信。
3. 根据权利要求1所述的基于微米LED阵列的可见光通信系统,其特征在于,发射端聚焦透镜和接收端透镜为抛物线曲面透镜,分别对微米LED发光的进行准直和收集更多的光。
4. 根据权利要求1、2或3所述的基于微米LED阵列的可见光通信系统,其特征在于,所述的信号包括语音、视频信号。
5. 一种如权利要求1-4之一所述的基于微米LED阵列的可见光通信系统的建立方法,其特征在于,具体步骤为:
(a)制备微米LED阵列:
在衬底上生长GaN基LED外延层,沉积p型欧姆接触电极,通过反应离子刻蚀露出n-GaN ,形成台面,退火形成p型欧姆接触;
沉积钝化绝缘层,并在台面和n型电极区域开孔;
沉积p型和n型连接电极;
(b)建立通信系统:
封装微米LED阵列,使用直流驱动驱动微米LED阵列,并加入经过编码的信号,使用聚焦透镜聚焦LED发射光到接近准直;
使用正交频分复用调制方法进行视距和非视距信号传输;
接收端使用透镜收集LED发射出的光,聚焦到光电探测器,并进行信号解码。
6. 根据权利要求5所述的基于微米LED阵列的可见光通信系统的建立方法,其特征在于,步骤(a)中,所述p型欧姆接触电极使用Ni/Au;所述绝缘层厚度为0.2-0.5μm。
7. 根据权利要求5或6所述的基于微米LED阵列的可见光通信系统的建立方法,其特征在于,步骤(a)中,所述的p型和n型电极材料为Ti/Au。
8. 根据权利要求5或6所述的基于微米LED阵列的可见光通信系统的建立方法,其特征在于,步骤(b)中,所述的微米LED阵列封装使用高速PCB来控制每个微米LED单元,或者将微米LED阵列键合到高速硅基CMOS上来单独控制。
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