CN105846099A - 双频金属过孔阶跃阻抗的槽缝天线 - Google Patents

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Abstract

双频金属过孔阶跃阻抗的槽缝天线涉及一种缝隙天线，该天线包括介质基板(1)、介质基板(1)上的金属地(2)和辐射槽缝(3)、微带馈线(4)；金属地(2)上有辐射槽缝(3)；辐射槽缝(3)的两端(6)短路；在辐射槽缝(3)中部有两排金属化过孔(7)阵列形成低阻槽缝(8)；辐射槽缝(3)其余部分是高阻槽缝(9)，微带馈线(4)一端是天线端口(10)，微带馈线(4)另一端开路跨过高阻槽缝(9)在边缘(11)通过短路针(12)与金属地(2)连接。该天线是多频带工作，可减少天线尺寸、交叉极化、遮挡和改善隔离。

Description

双频金属过孔阶跃阻抗的槽缝天线
技术领域
本发明涉及一种槽缝天线，尤其是一种双频金属过孔阶跃阻抗的槽缝天线。
背景技术
槽缝天线是振子天线的对偶天线，有着广泛的应用。但是，普通的槽缝天线不仅辐射槽缝本身的长度要有二分之一波长，而且辐射槽缝周围还需要较大的金属地面积，通常金属地的长度比槽缝的长度大二分之一波长，金属地的宽度比槽缝的宽度大二分之一波长。较大的金属地会使得槽缝天线不适合多输入多输出(MIMO)应用，导致天线的交叉极化变差，这些都将导致频谱效率和信道容量的下降。同时槽缝的阻抗很大，还使得槽缝天线馈电传输线的阻抗匹配比较困难。同时现代通信的发展还要求天线可以多频带工作、并且两个频带可以分别调节。
发明内容
技术问题:本发明的目的是提出一种双频金属过孔阶跃阻抗的槽缝天线，该天线不仅可以有多个工作频带，而且多个频带可以分别调节；该天线可以减小辐射槽缝的长度和金属地的面积，而且具有抑制交叉极化的作用。
技术方案：本发明的双频金属过孔阶跃阻抗的槽缝天线包括介质基板、设置在介质基板上的金属地和辐射槽缝、微带馈线；介质基板的一面是金属地，介质基板的另一面是微带馈线的导带；金属地上有辐射槽缝，辐射槽缝的形状是矩形，辐射槽缝位于金属地的中心；辐射槽缝的两端短路；在辐射槽缝中间部分，其槽缝的两个边缘，有两排金属化过孔阵列，使得辐射槽缝中间部分的特性阻抗变低，形成低阻槽缝；辐射槽缝的其余部分是高阻槽缝，高阻槽缝和低阻槽缝一起构成阶跃阻抗辐射槽缝，产生一个频率较低的低频工作频带和一个频率较高的高频工作频带；金属化过孔穿越介质基板，一头与金属地相连，另一头在介质基板的另一面；金属地也是所述的微带馈线的接地面，微带馈线的一端是天线的端口，微带馈线的导带的另一端跨过高阻槽缝，在高阻槽缝的边缘，通过短路针与金属地连接。
改变介质基板的厚度、磁导率和介电常数，可以改变高阻槽缝和低阻槽缝的特性阻抗，改变阶跃阻抗辐射槽缝的高低阻抗比，进而改变天线的低频工作频带的工作频率和高频工作频带的工作频率。
改变低阻槽缝的长度、低阻槽缝在辐射槽缝中的位置，可以调节辐射槽缝的电长度，以实现不同程度的天线小型化，还可以改变天线的低频工作频带的工作频率和高频工作频带的工作频率。
金属化过孔阵列中，改变相邻金属化过孔的间距，可以调节低阻槽缝的特性阻抗，改变阶跃阻抗辐射槽缝的高低阻抗比，进而改变天线的低频工作频带的工作频率和高频工作频带的工作频率。
改变辐射槽缝的宽度，可以调节低阻槽缝和高阻槽缝的特性阻抗，改变阶跃阻抗辐射槽缝的高低阻抗比，进而改变天线的低频工作频带的工作频率和高频工作频带的工作频率。
金属化过孔阵列中，相邻金属化过孔的间距要小于十分之一波长。
双频金属过孔阶跃阻抗的槽缝天线的低频工作频带的工作频率和高频工作频带的工作频率主要由辐射槽缝的谐振频率确定，但是金属地的尺寸、微带馈线导带在辐射槽缝的位置也可以对天线的工作频率和匹配程度进行调节。由于辐射槽缝既有低阻槽缝又有高阻槽缝，构成了阶跃阻抗的辐射槽缝，不仅使得天线小型化，减小了交叉极化，也减小了金属地的尺寸，而且还可以使得天线有多个工作频带，而且改变低阻槽缝与高阻槽缝的相对长度和阻抗，可以分别调整两个工作频带的位置。
有益效果：本发明的双频金属过孔阶跃阻抗的槽缝天线的有益效果是，该天线可以减小整个天线的电尺寸、实现小型化，同时该天线不仅可以有多个频带，而且多个频带可以分别调节，还具有抑制天线的交叉极化作用。
附图说明
图1为双频金属过孔阶跃阻抗的槽缝天线结构示意图。
图中有：介质基板1、金属地2、辐射槽缝3、微带馈线4、导带5、两端6、金属化过孔7、低阻槽缝8、高阻槽缝9、端口10、边缘11和短路针12。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。
本发明所采用的实施方案是：双频金属过孔阶跃阻抗的槽缝天线包括介质基板1、设置在介质基板1上的金属地2和辐射槽缝3、微带馈线4；介质基板1的一面是金属地2，介质基板1的另一面是微带馈线4的导带5；金属地2上有辐射槽缝3，辐射槽缝3的形状是矩形，辐射槽缝3位于金属地2的中心；辐射槽缝3的两端6短路；在辐射槽缝3中间部分，其槽缝的两个边缘，有两排金属化过孔7阵列，使得辐射槽缝3中间部分的特性阻抗变低，形成低阻槽缝8；辐射槽缝7的其余部分是高阻槽缝9，高阻槽缝9和低阻槽缝8一起构成阶跃阻抗辐射槽缝3，产生一个频率较低的低频工作频带和一个频率较高的高频工作频带；金属化过孔7穿越介质基板1，一头与金属地2相连，另一头在介质基板1的另一面；金属地2也是所述的微带馈线4的接地面，微带馈线4的一端是天线的端口10，微带馈线4的导带5的另一端跨过高阻槽缝9，在高阻槽缝9的边缘11，通过短路针12与金属地2连接。
改变介质基板1的厚度、磁导率和介电常数，可以改变高阻槽缝9和低阻槽缝8的特性阻抗，改变阶跃阻抗辐射槽缝3的高低阻抗比，进而改变天线的低频工作频带的工作频率和高频工作频带的工作频率。
改变低阻槽缝8的长度、低阻槽缝8在辐射槽缝3中的位置，可以调节辐射槽缝3的电长度，以实现不同程度的天线小型化，还可以改变天线的低频工作频带的工作频率和高频工作频带的工作频率。
金属化过孔阵列7中，改变相邻金属化过孔的间距，可以调节低阻槽缝8的特性阻抗，改变阶跃阻抗辐射槽缝3的高低阻抗比，进而改变天线的低频工作频带的工作频率和高频工作频带的工作频率。
改变辐射槽缝3的宽度，可以调节低阻槽缝8和高阻槽缝9的特性阻抗，改变阶跃阻抗辐射槽缝3的高低阻抗比，进而改变天线的低频工作频带的工作频率和高频工作频带的工作频率。
金属化过孔7阵列中，相邻金属化过孔7的间距要小于十分之一波长。
双频金属过孔阶跃阻抗的槽缝天线的低频工作频带的工作频率和高频工作频带的工作频率主要由辐射槽缝3的谐振频率确定，但是金属地2的尺寸、微带馈线4的导带5在辐射槽缝3的位置和宽度也可以对天线的工作频率和匹配程度进行调节。由于辐射槽缝3既有低阻槽缝8又有高阻槽缝9，构成了阶跃阻抗的辐射槽缝3，不仅使得天线小型化，减小了交叉极化，也减小了金属地2的尺寸，而且还可以使得天线有多个工作频带，而且改变低阻槽缝8与高阻槽缝9的相对长度、位置和阻抗，可以分别调整两个工作频带的位置。
在工艺上，双频金属过孔阶跃阻抗的槽缝天线既可以采用普通的印刷电路板(PCB)工艺，也可以采用低温共烧陶瓷(LTCC)工艺或者CMOS、Si基片等集成电路工艺实现。其中金属化过孔7可以是空心金属通孔也可以是实心金属孔，金属通孔的形状可以是圆形，也可以是方形或者其他形状的。
根据以上所述，便可实现本发明。

Claims (5)

1.一种双频金属过孔阶跃阻抗的槽缝天线，其特征在于该天线包括介质基板(1)、设置在介质基板(1)上的金属地(2)和辐射槽缝(3)、微带馈线(4)；介质基板(1)的一面是金属地(2)，介质基板(1)的另一面是微带馈线(4)的导带(5)；金属地(2)上有辐射槽缝(3)，辐射槽缝(3)的形状是矩形，辐射槽缝(3)位于金属地(2)的中心；辐射槽缝(3)的两端(6)短路；在辐射槽缝(3)中间部分，其槽缝的两个边缘，有两排金属化过孔(7)阵列，使得辐射槽缝(3)中间部分的特性阻抗变低，形成低阻槽缝(8)；辐射槽缝(3)的其余部分是高阻槽缝(9)，高阻槽缝(9)和低阻槽缝(8)一起构成阶跃阻抗辐射槽缝(3)，产生一个频率较低的低频工作频带和一个频率较高的高频工作频带；金属化过孔(7)穿越介质基板(1)，一头与金属地(2)相连，另一头在介质基板(1)的另一面；金属地(2)也是所述的微带馈线(4)的接地面，微带馈线(4)的一端是天线的端口(10)，微带馈线(4)的导带(5)的另一端跨过高阻槽缝(9)，在高阻槽缝(9)的边缘(11)，通过短路针(12)与金属地(2)连接。
2.根据权利要求1所述的一种双频金属过孔阶跃阻抗的槽缝天线，其特征在于改变介质基板(1)的厚度、磁导率和介电常数，可以改变高阻槽缝(9)和低阻槽缝(8)的特性阻抗，改变阶跃阻抗辐射槽缝(3)的高低阻抗比，进而改变天线的低频工作频带的工作频率和高频工作频带的工作频率。
3.根据权利要求1所述的一种双频金属过孔阶跃阻抗的槽缝天线，其特征在于改变低阻槽缝(8)的长度、低阻槽缝(8)在辐射槽缝(3)中的位置，可以调节辐射槽缝(3)的电长度，以实现不同程度的天线小型化，还可以改变天线的低频工作频带的工作频率和高频工作频带的工作频率。
4.根据权利要求1所述的一种双频金属过孔阶跃阻抗的槽缝天线，其特征在于金属化过孔(7)阵列中，改变相邻金属化过孔(7)的间距，可以调节低阻槽缝(8)的特性阻抗，改变阶跃阻抗辐射槽缝(3)的高低阻抗比，进而改变天线的低频工作频带的工作频率和高频工作频带的工作频率。
5.根据权利要求1所述的一种双频金属过孔阶跃阻抗的槽缝天线，其特征在于改变辐射槽缝(3)的宽度，可以调节低阻槽缝(8)和高阻槽缝(9)的特性阻抗，改变阶跃阻抗辐射槽缝(3)的高低阻抗比，进而改变天线的低频工作频带的工作频率和高频工作频带的工作频率。
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