CN105790064B - 一种低功耗eml驱动电路和方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种低功耗EML驱动电路，包括电吸收调制激光器EML，固定输出的开关电源DC/DCFIX的直流电压输出端VDC与所述电吸收调制激光器EML的地信号连接，也就是将该VDC电压作为EML组件的“虚拟地”；EML组件的激光器LD通过低压降偏置电流电路串接在上述“虚拟地”与主输入供电（标称值为3.3V）之间；EML组件的EA通过choke和低压降偏压调节电路反向偏置在上述“虚拟地”与参考地之间；上述“虚拟地”也直接与EML组件的制冷器TEC的某一端连接。本发明提供了一种低功耗EML驱动方法。本发明的有益效果是：功耗较低。

Description

一种低功耗EML驱动电路和方法

技术领域

本发明涉及光通信，尤其涉及一种低功耗EML驱动电路和方法。

背景技术

电吸收调制激光器（EML）为电吸收调制器（EAM）与DFB激光器的集成器件，它同时内部集成有光隔离器，背光监控PD，TEC制冷器，热敏电阻等部件，具有集成度高，速率高，传输距离远，隔离度高等特点，为当前国内外高速光纤传输网中信息传输载体的通用理想光源。

一个EML组件的原理示意图如图2所示。当合适的偏置电流正向通过激光二极管LD时， 激光二极管LD发出的光一部分进入背光监控PD光电二极管转换成电流，该电流用作APC（自动光功率控制）的反馈量，另一部分进入电吸收调制器EA，其中一部分被电吸收调制器EA吸收后转换成电流，其他的光则通过光隔离器后形成输出光。在正常工作情况下，LD光电二极管必须正向偏置，而PD光电二极管和电吸收调制器EA则处于反向偏置。内部热敏电阻用于探测激光器的温度，作为ATC（自动温度控制）的反馈量，通过控制制冷器TEC两端的电压差用于维持激光器内部温度稳定到设定值。

在模块中，尤其是SFP+模块中，其主供电输入电压一般为3.3V。正常的EML驱动电路中，EML的GND和GND1引脚连接到供电的“参考地”，为使正常工作时的PD光电二极管和电吸收调制器EA处于反向偏置状态，常通过电荷泵电压反向器获得一个标称值为-3.3V的负电压VNEG。为完成发射光功率监视功能，必须将经过PD光电二极管流向负电压VNEG的电流转换成正电压,以便最终能通过ADC采样完成发射光功率的监测。

图3是一个采用高度集成芯片方案的典型EML驱动电路的框图。DCNEG代表电荷泵电压反向器，用于产生-3.3V供电。激光器的实际工作温度由EML内部温敏电阻Rth的特性、分压电阻R3、VREF的电压值和激光器温度监视ADC的采样值等信息来确定，电路中要求VREF电压稳定性较高，可由专门的电压参考源芯片或其他芯片中的满足要求的电压来提供。TEC功率电路B1，一般使用专用的TEC芯片来完成，既可采用硬件控制方式也可采用外围元件较少的软件控制方法来完成ATC（自动温度控制）功能。具有高集成度的EML专用驱动芯片B3，它能够完成激光器偏置电流的产生、调节、监视和禁止功能，并能根据MD引脚的电流大小，完成APC（自动光功率控制）功能。电流变换功能B2，用于将流向负压-3.3V的监视背光电流按某种比例变换成满足B3要求的电流。EA电压调节功能由DAC和双电源供电的具有较大电流输出能力的运放U2来完成，要求运放U2的正负电源轨间至少能承受7V的电压。

在上述典型的EML驱动电路中，TEC功率电路B1中包含两路同时工作的DC/DC转换器，流过TEC的电流要完全经过两路DC/DC转换器，由于受DC/DC转换效率的影响，使得整个TEC功率电路效率较低。此外，激光器偏置电流是由3.3V电源产生的，EA反向偏置的吸收电流也是流入到-3.3V供电的， 这些都不利于EML驱动电路功耗的降低，使其难以应用在功耗要求严格的模块中。

发明内容

为了解决现有技术中的问题，本发明提供了一种低功耗EML驱动电路和方法。

本发明提供了一种低功耗EML驱动电路，包括电吸收调制激光器EML，还包括开关电源DC/DCFIX和开关电源DC/DCADJ，固定输出的开关电源DC/DCFIX的直流电压输出端VDC与所述电吸收调制激光器EML的地信号连接，将该直流电压输出端VDC电压作为所述电吸收调制激光器EML的“虚拟地”；所述电吸收调制激光器EML的激光器LD通过低压降偏置电流电路串接在所述“虚拟地”与主输入供电之间；所述电吸收调制激光器EML的EA端通过高频扼流choke和低压降的EA偏置电压调节装置反向偏置在上述“虚拟地”与参考地之间；上述“虚拟地”直接与所述电吸收调制激光器EML的制冷器TEC的某一端连接；输出电压可调的开关电源DC/DCADJ的输出端VADJ与所述EML的制冷器TEC的另一端连接。

作为本发明的进一步改进，所述直流电压输出端VDC的输出电压介于1.1V至1.7V之间。

作为本发明的进一步改进，所述电吸收调制激光器EML的调制引脚MODA、参考地之间连接有高频扼流choke和低压降的EA偏置电压调节装置。

作为本发明的进一步改进，所述电吸收调制激光器EML的PD光电二极管的引出脚PDA连接有取样电阻R4，所述取样电阻R4接地。

作为本发明的进一步改进，所述开关电源DC/DCFIX的直流电压输出端VDC与所述电吸收调制激光器EML的制冷器TEC某端连接，所述开关电源DC/DCADJ的输出端VADJ与所述电吸收调制激光器EML的制冷器TEC的另一端连接。

作为本发明的进一步改进，所述电吸收调制激光器EML的LD正端连接有低压降的激光器偏置电流调节装置。

作为本发明的进一步改进，所述低压降的激光器偏置电流的产生、调节、监视和禁止等功能的装置，由电流取样电阻和电流传感放大器，受MCU的DAC控制的低饱和压降的PNP三级管，开关这三部分构成，并由这三部分按照某种顺序串联来完成。

作为本发明的进一步改进，所述低压降的EA偏置电压调节装置，根据使用EML的特性，可采用如下方式来实现：可采用具有大电流输出能力的轨至轨I/O的低电压供电的运放和MCU的DAC来实现，可采用可更换的固定电阻来实现，也可采用ADC和受DAC控制的低饱和压降的NPN三极管来实现，还可采用ADC和受DAC控制的N型MOSFET来实现。

本发明还提供了一种低功耗EML驱动方法，包括以下步骤：

A、通过开关电源DC/DCFIX产生一路输出电压在1.1V到1.7V之间的固定的直流电压VDC；并将该直流电压VDC连接到电吸收调制激光器EML的地信号，将该直流电压VDC作为电吸收调制激光器EML的“虚拟地”；

B、将“虚拟地”连接到电吸收调制激光器EML中的制冷器TEC的某一端，而制冷器TEC的另一端则连接到另一路输出电压受MCU的DAC控制的开关电源DC/DCADJ的输出VADJ；

C、在主输入供电和电吸收调制激光器EML的激光器阳极之间，接入实现低压降的激光器偏置电流的产生、调节、监视和禁止的功能装置；

D、在电吸收调制激光器EML的调制引脚MODA和“参考地”之间接入高频扼流choke和实现低压降的EA偏置电压调节功能的EA偏置电压调节装置；

E、PD电流检测装置简化为单个取样电阻R4；

F、激光器的当前工作温度信息需要由当前激光器温度监视ADC的采样值和VDC电压的ADC采样值的信息，并结合分压电阻R3的阻值和电吸收调制激光器EML内部温敏电阻Rth的特性，通过MCU内的软件计算来确定。

作为本发明的进一步改进，还包括步骤G：APC和ATC功能都是通过MCU采用数字算法来实现的。

本发明的有益效果是：通过上述方案，吸收电流I2完全由激光器LD的偏置电流I1中的一部分来实现，而偏置电流I1的剩下部分要么直接通过开关电源馈回3.3V供电端，要么先充当实际TEC电流的一部分后再通过开关电源馈回3.3V供电端，总体上都大大提高了EML驱动电路的电源使用效率，从而降低了EML驱动电路的功耗。此外，随着EML驱动电路功耗的降低，模块的发热量也相应的减少，高温下需要的TEC制冷电流也大大地减小，形成良性循环，这进一步降低了模块的最大功耗。尤其是在高温极限散热情况下，在同样的DC/DC开关转换效率情况下，相比典型的EML驱动设计方法，采用本发明所述方法设计的模块的功耗有较大的降低。

附图说明

图1是本发明一种低功耗EML驱动电路的示意图。

图2是现有技术中EML组件原理示意图。

图3是现有技术中典型的EML驱动方案框图。

图4是本发明一种低功耗EML驱动方法中的“虚拟地”电流分析示意图。

图5是本发明一种低功耗EML驱动电路的示意图。

图6是本发明一种低功耗EML驱动电路的EA偏置电压调节装置的实现方案一的示意图。

图7是本发明一种低功耗EML驱动电路的EA偏置电压调节装置的实现方案二的示意图。

图8是本发明一种低功耗EML驱动电路的EA偏置电压调节装置的实现方案三的示意图。

图9是本发明一种低功耗EML驱动电路的EA偏置电压调节装置的实现方案四的示意图。

具体实施方式

下面结合附图说明及具体实施方式对本发明进一步说明。

为了降低EML驱动电路的功耗，本发明实施例提供了一种低功耗EML驱动电路和方法。

如图1所示，本发明实施例提供的一种低功耗EML驱动电路，包括电吸收调制激光器EML（简称为EML），固定输出的开关电源DC/DCFIX的直流电压输出端VDC与所述电吸收调制激光器EML的地信号连接，也就是将该VDC电压作为EML组件的“虚拟地”；EML组件的激光器LD通过低压降偏置电流电路串接在上述“虚拟地”与主输入供电（标称值为3.3V）之间；EML组件的EA通过choke和低压降偏压调节电路反向偏置在上述“虚拟地”与参考地之间；上述“虚拟地”也直接与EML组件的制冷器TEC的某一端连接；输出电压可调的开关电源DC/DCADJ的输出端VADJ与所述EML的制冷器TEC的另一端连接。

如图1所示，所述直流电压输出端VDC的输出电压介于1.1V至1.7V之间。

如图1所示，所述电吸收调制激光器EML的调制引脚MODA、参考地之间连接有高频扼流choke 2，所述高频扼流choke连接有低压降的EA偏置电压调节装置3。

如图1所示，所述电吸收调制激光器EML的PD光电二极管的引出脚PDA连接有取样电阻R4，所述取样电阻R4接地。

如图1所示，所述开关电源DC/DCFIX的直流电压输出端VDC与所述电吸收调制激光器EML的制冷器TEC某端连接，所述开关电源DC/DCADJ的输出端VADJ与所述电吸收调制激光器EML的制冷器TEC的另一端连接。

如图1所示，所述电吸收调制激光器EML的LD正端连接有低压降的激光器偏置电流调节装置3。

本发明实施例提供的一种低功耗EML驱动方法，包括如下步骤：

A、通过开关电源DC/DCFIX产生一路输出电压在1.1V到1.7V之间的固定的直流电压VDC；并将该直流电压VDC连接到电吸收调制激光器EML的地信号，也就是将该VDC电压作为电吸收调制激光器EML的“虚拟地”；

B、将“虚拟地”连接到电吸收调制激光器EML组件中的制冷器TEC某端，而制冷器TEC的另一端则连接到另一路输出电压受MCU的DAC控制的开关电源DC/DCADJ的输出；

C、在主输入供电（标称值为3.3V）和电吸收调制激光器EML组件的激光器阳极之间，接入实现低压降的激光器偏置电流的产生、调节、监视和禁止等功能的激光器偏置电流调节装置3；

D、在电吸收调制激光器EML组件的调制引脚MODA和“参考地”之间接入高频扼流choke 2和实现低压降的EA偏置电压调节功能的EA偏置电压调节装置3，其实现方式不需要负电源供电，EA偏置电压由比“虚拟地”电位低的正电压来实现，即由于实际EA偏置电压比“虚拟地”电压（即VDC）低，相对于“虚拟地”电位，EA偏置电压为负电压；

E、PD电流检测装置原理上简化为单个取样电阻R4，检测PD电流时，不需要负电源供电，用于发射光功率监控的PD电流检测电路原理上可简化为单个取样电阻，而不需要常规EML驱动电路中的负电源供电和将流向负电源的电流换向或转换成正电压等电路；

F、激光器的当前工作温度信息需要由当前激光器温度监视ADC的采样值和VDC电压的ADC采样值的信息，并结合分压电阻R3的阻值和电吸收调制激光器EML内部温敏电阻Rth的特性，通过MCU内的软件计算来确定；

G、APC和ATC功能都是通过MCU采用数字算法来实现的，不同于传统的模拟控制方式，上述APC和ATC功能是通过ADC采样输入量，经过MCU的软件计算，最后通过DAC来控制相应硬件的反馈控制方式来实现的。

假设某厂家某型电吸收调制激光器EML的EA反向偏置电压为0.3V到0.7V，激光器的最大工作偏置电流为120mA，假设高温时制冷电压最大为1.5V,低温加热时最大电压为0.7V,根据本发明方法其实施的框图可如图5。

本发明方法实施例的原理详细阐述如下：开关电源DC/DCFIX产生一路固定输出电压为1.35V的直流电压VDC，并将该VDC连接到EML的地信号，也就是将该VDC电压作为EML的“虚拟地”，并通过MCU的ADC监视该VDC的实际准确电压值。将 “虚拟地”VDC连接到EML 组件中的TEC-端。TEC+端连接到另一路输出电压受MCU的DAC控制的开关电源DC/DCADJ的输出VADJ上。通过采样 VDC电压监视点和激光器温度监视点的电压值，并结合分压电阻的阻值和EML内部温敏电阻Rth的特性，通过软件计算，可获得激光器的当前温度值。将该值与设置值相比较，通过软件算法得到MCU的DAC控制值，调节DC/DCADJ的输出电压，从而实现TEC+和TEC-两端的电压差的调节。通过上述反馈控制，实现保持激光器温度稳定在设置点的ATC功能。

本发明提供了一种低功耗EML(外调制激光器)驱动电路和方法，通过开关电源DC/DCFIX产生一路输出电压在1.1V到1.7V之间的固定的直流电压VDC，并将该VDC连接到EML的地信号，也就是将该VDC电压作为EML的“虚拟地”；同时，该“虚拟地”连接到EML 组件中的TEC某端，而TEC的另一端则连接到另一路输出电压受MCU的DAC控制的开关电源DC/DCADJ的输出；在主输入供电（标称值为3.3V）和EML组件的激光器阳极之间，接入实现低压降的激光器偏置电流的产生、调节、监视和禁止等功能的装置；在EML组件的调制引脚MODA和“参考地”之间接入choke和实现低压降的EA偏置电压调节功能的装置；PD电流检测电路原理上可简化为单个取样电阻R4；激光器的当前工作温度信息需要由当前激光器温度监视ADC的采样值和VDC电压的ADC采样值的信息，并结合分压电阻R3的阻值和EML内部温敏电阻Rth的特性，通过MCU内的软件计算来确定；APC和ATC功能都是通过MCU采用数字算法来实现的。

本发明中EA偏置电压产生的吸收电流I2完全由激光器LD的偏置电流I1中的一部分来产生，而偏置电流I1的剩下部分要么直接通过开关电源馈回3.3V供电端，要么先充当实际TEC电流的一部分后再通过开关电源馈回3.3V供电端，总体上都大大提高了EML驱动电路的电源使用效率，从而降低了EML驱动电路的功耗。此外，由于 EML驱动电路功耗的降低，发热量的减少，高温下需要的TEC制冷电流也大大地减小，形成良性循环，这进一步降低了EML驱动电路的最大功耗。

本发明中EML驱动的设计方法中，由于“虚拟地”的引入，无需传统EML驱动电路中的负压产生电路，整个驱动都处于正电压下工作，能够直接利用MCU的DAC和ADC等片内外设，有利于降低驱动电路的成本和实现驱动电路的小型化。

如图5所示，本发明方法实施例中的低压降的激光器偏置电流调节装置1，它实现激光器偏置电流的产生、调节、监视和禁止功能，由低阻值的电流取样电阻和电流传感放大器，受MCU的DAC控制的低饱和压降的PNP三级管，开关这三部分构成，即使输出电流为150mA时，其压降也能低于0.15V。背光PD上的电流由电阻R4取样后送入ADC采样，MCU软件将该值与设置值相比较，通过软件算法得到MCU的偏置电流调节DAC的新的控制值，通过激光器偏置电流变化从而影响背光PD上的电流，通过上述反馈控制，实现保持发射光功率稳定的APC功能。

如图5所示，本发明方法实施例中的低压降的EA偏置电压调节装置3，根据选用的EML对EA反向偏置电压的要求，采用具有大电流输出能力的轨至轨I/O的低电压供电的运放和MCU的DAC（见图6）来实现就够用了。如果要求EA偏置电压调节装置的压降更低，可采用本发明中所述的其他方式，例如图7至9中的方式，图7中的方式采用可更换的固定电阻来实现（0欧姆电阻可实现零压降），图8中的方式采用ADC和受DAC控制的低饱和压降的NPN三极管来实现（可实现0.05V以下压降），图9中的方式可采用ADC和受DAC控制的N型MOSFET来实现（可实现0.01V以下压降）。图8、9中的方式中的RC滤波可省略也可增加更多滤波元件，这两种方式本质上都是通过ADC获取EA点的当前电压值，和设置电压值比较，然后通过某种软件算法后得到新的调节DAC值去调节一个受控的等效电阻，通过反馈控制方式使EA点电压稳定在设置电压值附近！

在上述的EML驱动方法中，引入了“虚拟地”，由于该“虚拟地”电压较供电“参考地”0V电压高，因此EA偏置电压可由比“虚拟地”电位低的正电压来实现，即相对于“虚拟地”电位，EA偏置电压为负电压，同样，通过取样电阻R4（参考图1）将EML的背光监控PD引出脚PDA连接到“参考地”的方式，也保证了背光监控PD处于反向偏置状况，且取样电阻上的电压为正电压，可直接输入到ADC采样。通过引入“虚拟地”，流过EML内部激光器LD的偏置电流I1并没有直接返回到“参考地”，而是流入到“虚拟地”VDC，给“虚拟地”VDC 充电。同时，由于EAM吸收LD发出的一部分光转换成电流，形成吸收电流I2，在“虚拟地”VDC的偏置作用下，经MODA引脚流出，最终返回到“参考地”。显然，I1总是大于I2。

在上述的EML驱动方法中，要求“虚拟地”VDC连接到TEC的某一端，而TEC的另一端连接到另一路受MCU的DAC控制的输出电压可调的DC/DCADJ的输出。需根据实际使用的EML和DC/DCADJ，DC/DCFIX的特性来决定是连接到TEC-端或是TEC+端。

在上述的EML驱动方法中，要求采用低压降的激光器偏置电流的产生、调节、监视和禁止等功能的装置。假设标称电压为3.3V的主供电电压允许的变化范围为+/-7.5%，即最低电压为3.052V；假设当流过激光器的偏置电流为130mA时，最坏情况下在激光器上的压降为1.45V；假设“虚拟地”VDC的电压为1.35V，则激光器偏置功能装置允许的压降最大为3.052-1.45-1.35=0.252V，显然，这不是常规的激光器偏置电流的功能装置所能实现的。本发明中所述的低压降的激光器偏置电流功能装置能较容易实现低于0.15V的压降，它由低阻值的电流取样电阻和电流传感放大器，受MCU的DAC控制的低饱和压降的PNP三级管，开关这三部分构成，并由这三部分按照某种顺序串联来完成。

在上述的EML驱动方法中，要求采用实现低压降的EA偏置电压调节功能的装置。根据不同厂家的各类EML和EML个体间的差异，其要求的EA反向偏置电压大约为0.3V到1.2V之间, 由于“虚拟地”VDC的电压较低，假设为1.35V，则最差情况下EA偏置电压调节功能装置的压降可能仅有1.35-1.2=0.15V，因此，利用常规的EA偏置电压调节功能装置难以满足这种极限情况下的要求，本发明中所述的低压降的EA偏置电压调节功能装置，可采用如下方式来实现：可采用具有大电流输出能力的轨至轨I/O的低电压供电的运放和MCU的DAC来实现（最低压降大约为0.4V），可采用可更换的固定电阻来实现（0欧姆电阻可实现零压降），也可采用ADC和受DAC控制的低饱和压降的NPN三极管来实现（可实现0.05V以下压降），还可采用ADC和受DAC控制的N型MOSFET来实现（可实现0.01V以下压降）。

在上述的EML驱动方法中，PD电流检测装置原理上可简化为单个取样电阻。

在上述的EML驱动方法中，在得到准确的激光器的当前工作温度信息时要求获得当前“虚拟地”VDC的电压值。这是因为EML内的激光器温敏电阻Rth和外部分压电阻是跨接在“虚拟地”VDC 和“参考地”之间的，而VDC电压是通过开关电源DC/DCFIX得到的，VDC的电压可能有+/-3%的变化。本发明中所述的激光器的当前工作温度信息需要由当前激光器温度监视ADC的采样值和VDC电压的ADC采样值的信息，并结合分压电阻R3的阻值和EML内部温敏电阻Rth的特性，通过MCU内的软件计算来确定；

在上述的EML驱动方法中，要求APC和ATC功能都是通过MCU采用数字算法来实现的。在本发明所述的驱动方法中，大量的使用了MCU内的ADC，DAC等片内资源，采用软件来实现相关功能，既提高了设计的灵活性，也有利于降低驱动电路的成本和实现驱动电路的小型化。

在上述的EML驱动方法中，假设VDC连接到TEC-端，以图4为参考，来分析“虚拟地”的电流情况。

当模块处于高温下时，TEC处于制冷模式，VADJ电源流出的电流Iadj通过TEC后流入到VDC，因此，流入到DC/DCFIX开关电源输出端的电流为Ifix=Iadj+I1-I2，该能量直接通过开关电源馈回3.3V供电端。

当模块处于低温下时，TEC处于加热模式，流经TEC的电流为Iadj=Ifixj+I1-I2，也就是说，电流I1-I2对TEC电流具有贡献，且该能量还再通过开关电源DC/DCADJ馈回3.3V供电端。

显然，相比前述的典型的EML驱动电路，本发明中的吸收电流I2完全由激光器LD的偏置电流I1中的一部分来实现，而偏置电流I1的剩下部分要么直接通过开关电源馈回3.3V供电端，要么先充当实际TEC电流的一部分后再通过开关电源馈回3.3V供电端，总体上都大大提高了EML驱动电路的电源使用效率，从而降低了EML驱动电路的功耗。此外，随着EML驱动电路功耗的降低，模块的发热量也相应的减少，高温下需要的TEC制冷电流也大大地减小，形成良性循环，这进一步降低了模块的最大功耗。尤其是在高温极限散热情况下，在同样的DC/DC开光转换效率情况下，相比典型的EML驱动设计方法，采用本发明所述方法设计的模块的功耗有较大的降低。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种低功耗EML驱动电路，包括电吸收调制激光器EML，其特征在于：还包括开关电源DC/DCFIX和开关电源DC/DCADJ，固定输出的开关电源DC/DCFIX的直流电压输出端VDC与所述电吸收调制激光器EML的地信号连接，将该直流电压输出端VDC电压作为所述电吸收调制激光器EML的“虚拟地”；所述电吸收调制激光器EML的激光器LD通过低压降偏置电流电路串接在所述“虚拟地”与主输入供电之间；所述电吸收调制激光器EML的EA端通过高频扼流choke和低压降的EA偏置电压调节装置反向偏置在上述“虚拟地”与参考地之间；上述“虚拟地”直接与所述电吸收调制激光器EML的制冷器TEC的某一端连接；输出电压可调的开关电源DC/DCADJ的输出端VADJ与所述电吸收调制激光器EML的制冷器TEC的另一端连接；模块主供电和电吸收调制激光器EML的激光器阳极之间，接入实现低压降的激光器偏置电流的产生、调节、监视和禁止功能的装置。

2.根据权利要求1所述的低功耗EML驱动电路，其特征在于：所述直流电压输出端VDC的输出电压介于1.1V至1.7V之间。

3.根据权利要求1所述的低功耗EML驱动电路，其特征在于：所述实现低压降的激光器偏置电流的产生、调节、监视和禁止功能的装置主要由电流取样电阻、电流传感放大器、受MCU的DAC控制的低饱和压降的PNP三级管开关这三部分构成，并由这三部分按照顺序串联而成。

4.根据权利要求1所述的低功耗EML驱动电路，其特征在于：所述电吸收调制激光器EML的调制引脚MODA、参考地之间连接有高频扼流choke和低压降的EA偏置电压调节装置。

5.根据权利要求1所述的低功耗EML驱动电路，其特征在于：所述电吸收调制激光器EML的PD光电二极管的引出脚PDA连接有取样电阻R4，所述取样电阻R4接地。

6.根据权利要求1所述的低功耗EML驱动电路，其特征在于：所述开关电源DC/DCFIX的直流电压输出端VDC与所述电吸收调制激光器EML的制冷器TEC某端连接，所述开关电源DC/DCADJ的输出端VADJ与所述电吸收调制激光器EML的制冷器TEC的另一端连接。

7.一种低功耗EML驱动方法，其特征在于，包括以下步骤：

A、 通过开关电源DC/DCFIX产生一路输出电压在1.1V到1.7V之间的固定的直流电压VDC；并将该直流电压VDC连接到电吸收调制激光器EML的地信号，将该直流电压VDC作为电吸收调制激光器EML的“虚拟地”；

B、 将“虚拟地”连接到电吸收调制激光器EML 中的制冷器TEC的某一端，而制冷器TEC的另一端则连接到另一路输出电压受MCU的DAC控制的开关电源DC/DCADJ的输出VADJ；

C、 在主输入供电和电吸收调制激光器EML的激光器阳极之间，接入实现低压降的激光器偏置电流的产生、调节、监视和禁止的激光器偏置电流调节装置；

D、 在电吸收调制激光器EML的调制引脚MODA和“参考地”之间接入阻流电感CHOKE和实现低压降的EA偏置电压调节功能的低压降的EA偏置电压调节装置；

E、 PD电流检测装置可等效为单个取样电阻R4；

F、 激光器的当前工作温度信息需要由当前激光器温度监视ADC的采样值和VDC电压的ADC采样值的信息，并结合分压电阻R3的阻值和电吸收调制激光器EML内部温敏电阻Rth的特性，通过MCU内的软件计算来确定。

8.根据权利要求7所述的低功耗EML驱动方法，其特征在于：还包括步骤G：APC和ATC功能都是通过MCU采用数字算法来实现的。