CN105737978A - 一种基于mppc增益可数字化调整的光子计数装置 - Google Patents
一种基于mppc增益可数字化调整的光子计数装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105737978A CN105737978A CN201610295199.4A CN201610295199A CN105737978A CN 105737978 A CN105737978 A CN 105737978A CN 201610295199 A CN201610295199 A CN 201610295199A CN 105737978 A CN105737978 A CN 105737978A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- circuit
- mppc
- gain
- output
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- RFVFQQWKPSOBED-PSXMRANNSA-N 1-myristoyl-2-palmitoyl-sn-glycero-3-phosphocholine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(=O)O[C@@H](COP([O-])(=O)OCC[N+](C)(C)C)COC(=O)CCCCCCCCCCCCC RFVFQQWKPSOBED-PSXMRANNSA-N 0.000 title claims abstract description 65
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 11
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 9
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 8
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 8
- 230000013011 mating Effects 0.000 claims description 3
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 3
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims description 3
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000035800 maturation Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000009206 nuclear medicine Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000012265 solid product Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
- G01J2001/4413—Type
- G01J2001/442—Single-photon detection or photon counting
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
- G01J2001/4446—Type of detector
- G01J2001/4453—PMT
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
本发明公开了一种基于MPPC增益可数字化调整的光子计数装置。所述装置由高压产生电路、MPPC、I?V转换电路、二级输出增益调整电路、温度采集电路、制冷片驱动电路和半导体制冷片组成，其中，所述高压产生电路和所述二级输出增益调整电路使用I2C总线与外部控制器相连，通过控制器设置光子计数器的输出增益与内部高压输出值。所述装置能够对光子计数器的增益实施数字化设置，对MPPC的工作电压实施数字化调整，对MPPC的工作环境实施恒温控制，实现用同一台设备测定具有不同光强的多种被测物质的目的。
Description
技术领域
本发明属于光电探测和自动控制技术领域，具体涉及一种基于MPPC增益可数字化调整的光子计数装置。
背景技术
MPPC是一种被称为硅光电倍增器（SiPM、硅PM）的产品，是由多个工作在盖格模式的APD像素组成的光子计数产品。虽然MPPC从根本上来讲是一种光电半导体，但是它有着优秀的光子计数能力，并适用于各种需要进行极弱光测量的应用之中。MPPC可在低电压下进行工作，其特点是高增益、高光子探测效率、高反应速度、优秀的时间分辨率、以及较宽的光谱响应范围，而且它的表现已经满足了较高层级的光子计数的要求。另外，MPPC还具备磁场不灵敏、抗金属冲击等固体产品本身所特有的优点。
I-V转换电路是利用运算放大器将电流信号转换成电压信号的一种电路。
如今在光电探测器领域中，硅光电倍增管（Silicon
Photomultiplier，SPM）是一颗正在冉冉升起的闪亮新星。自二十世纪九十年代末被发明以来，硅光电倍增管经历了几代产品的技术革新，在近几年终于实现了商业化，并且在高能物理、粒子探测、医疗检疫、核医学等领域开始崭露头角。
目前MPPC虽然在噪声水平、极微弱光探测能力方面还不及传统的光电倍增管产品，不过由于其低操作电压、抗机械冲击能力强、结构紧凑性、高温稳定性和耐曝光等特点，获得了高度的关注和认可。MPPC是由多个工作在盖格模式的APD像素组成，与传统的APD相比，在室温下MPPC也可以获得106增益，并且对噪声也进行了有效的控制。作为半导体探测器产品中的一员，MPPC继承了半导体探测器的大部分优势，并且在增益、信噪比、响应速度方面有更好的表现。此外，MPPC亦拥有高光子探测效率、反应快速、优秀的时间分辨率、以及较宽的光谱响应范围等性能优势。因此它可以满足众多领域的探测需求。
但是，基于MPPC的光子计数器在使用过程中也存在一些问题，主要包括三个方面：
一是光子计数器的动态增益设置。在通常的I-V转换电路中可以通过设置增益的倍数来确定输入电流与输出电压之间的关系，这个放大倍数可以被电路中的电阻所确定，但这个电路的系统带宽是受到与这个电阻匹配的电容的影响的，因此这个电阻一旦被调整好就不应该对其进行进一步的调整，但是为了使用同一台设备测定多种被测物质，这就需要对光子接收装置进行不同的增益调整。
二是对MPPC的工作电压实施动态调整。由于MPPC的特点，MPPC的输出增益与它两端的电压呈线性关系，因此实践中往往需要通过动态地改变这个电压，以达到控制MPPC的输出增益的目的。
三是对MPPC的恒温控制。由于MPPC的光电转换效率受温度的影响较大，因此为了得到一个稳定的光子计数器，需要让MPPC在一个恒温的条件下工作，这就需要对MPPC的工作环境实施恒温控制。
由于MPPC技术进入产品市场应用较晚，因此目前市场上还没有成熟的可用于比较的同类产品及技术方案。
发明内容
为了解决基于MPPC的光子计数器使用过程中存在的问题，本发明提供一种基于MPPC增益可数字化调整的光子计数装置，所述装置能够对光子计数器的增益实施数字化设置，对MPPC的工作电压实施数字化调整，对MPPC的工作环境实施恒温控制，实现使用同一台设备测定具有不同光强的多种被测物质的目的。
为实现上述目标，本发明采用以下技术方案：
如附图1所示，一种基于MPPC增益可数字化调整的光子计数装置，由高压产生电路、MPPC、I-V转换电路、二级输出增益调整电路、温度采集电路、制冷片驱动电路和半导体制冷片组成。其中，所述高压产生电路和所述二级输出增益调整电路使用I2C总线与外部控制器相连，通过控制器设置光子计数器的输出增益与内部高压输出值；所述高压产生电路的输入端连接外部低压输入，输出端连接所述MPPC输入端；所述MPPC的输出端和所述I-V转换电路的输入端连接；所述I-V转换电路的输出端与所述二级输出增益调整电路连接；所述二级输出增益调整电路的输出端和外部控制器的采样电路相连接。所述温度采集电路的输出端与所述制冷片驱动电路相连接，所述制冷片驱动电路的输出端和所述半导体制冷片连接。
如附图2所示，在所述二级输出增益调整电路中，运算放大器U1被用作MPPC的I-V转换功能；电阻R3确定第一级转换的放大倍数，电容C1用来匹配使用带宽，第一级电路的放大倍数为固定值。运算放大器U2用作第二级的电压放大电路，此电路的运算放大比例是由U14产生的阻值确定的，U14是一个I2C接口的数控电位器。使用外部控制器通过总线设置运算放大倍数，进而确定MPPC转换电路的增益。
如附图3所示，在所述高压产生电路中，U9的作用是提供MPPC高压的电荷泵，此电荷泵通过Pin9（ADJ）上的反馈电压对输出电压进行调整，本发明在这个设置反馈电压的电路中增加一个可数字调整的电位器U11，所述电位器U11用来确定输入至U9的反馈电压，最终确定输出的高压值。
如附图4所示，在光子计数器装置中使用了I2C控制总线的结构，因此在模块温度控制电路中也使用了一个I2C接口的温度传感器。通过I2C总线设置好需要的温度点，当环境温度超过或低于设置的温度区间的时，温度传感器会输出警告信号，通过警告信号控制半导体制冷片驱动电路来改变环境温度，使温度稳定到设定点。
本发明的优点和有益效果为：能够根据测量需求，通过数字方式动态调节光子计数器的输出增益和MPPC的工作电压；能够对MPPC的工作环境实施恒温控制，以保证MPPC的光电转换效率处于稳定状态。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。
图1为本发明所述一种基于MPPC增益可数字化调整的光子计数装置的整体结构图。
图中，1、低压输入，2、高压产生电路，3、高压输出，4、MPPC，5、电流信号，6、I-V转换电路，7、电压信号，8、二级输出增益调整电路，9、调理后电压，10、I2C总线，11、控制器，12、电压采样电路，13、SPI总线，14、温度采集电路，15、制冷片驱动电路，16、半导体制冷片。
图2为本发明所述的二级输出增益调整电路图。
图中，U1、U2是运算放大器，R2、R3、R4、R5、R6是电阻，C1是电容，U14是数控电位器。
图3为本发明所述的高压产生电路图。
图中，U9是电荷泵，U11是数控电位器，R1是电阻。
图4为本发明所述的MPPC恒温控制电路图。
图中，1、温度采集电路，2、光电耦合器，3、制冷片驱动器，4、半导体制冷片，5、I2C总线，6、控制器。
具体实施方式
实施例
参见图1，一种基于MPPC增益可数字化调整的光子计数装置，由高压产生电路(2)、MPPC(4)、I-V转换电路(6)、二级输出增益调整电路(8)、温度采集电路(14)、制冷片驱动电路(15)和半导体制冷片(16)组成。其中，所述高压产生电路(2)和所述二级输出增益调整电路(4)使用I2C总线(10)与外部控制器(11)相连，通过控制器(11)设置光子计数器的输出增益与内部高压输出值；所述高压产生电路(2)的输入端连接外部低压输入(1)，输出端连接所述MPPC(4)的输入端；所述MPPC(4)的输出端和所述I-V转换电路(6)的输入端连接；所述I-V转换电路(6)的输出端与所述二级输出增益调整电路(8)连接；所述二级输出增益调整电路(8)的输出端和外部控制器(11)的电压采样电路(12)相连接。所述温度采集电路(14)的输出端与所述制冷片驱动电路(15)相连接，所述制冷片驱动电路(15)的输出端和所述半导体制冷片(16)连接。
参见图2，在所述二级输出增益调整电路(8)中，运算放大器U1被用作MPPC(4)的I-V转换功能；电阻R3确定第一级转换的放大倍数，电容C1用来匹配使用带宽，第一级电路的放大倍数为固定值。运算放大器U2用作第二级的电压放大电路，此电路的运算放大比例是由U14产生的阻值确定的，U14是一个I2C接口的数控电位器。使用外部控制器(11)通过I2C总线(10)设置运算放大倍数，进而确定MPPC(4)转换电路的增益。
参见图3，在所述高压产生电路(2)中，U9的作用是提供MPPC(4)高压的电荷泵，此电荷泵通过Pin9（ADJ）上的反馈电压对输出电压进行调整，本发明在这个设置反馈电压的电路中增加一个可数字调整的电位器U11，所述电位器U11用来确定输入至U9的反馈电压，最终确定输出的高压值。
参见图4，在光子计数器装置中使用了I2C控制总线的结构，因此在模块温度控制电路中也使用一个I2C接口的温度传感器，传感器型号为ADT7410。通过I2C总线设置好需要的温度点，当环境温度超过或低于设置的温度区间时，温度传感器ADT7410会输出两个警告信号，通过这两个信号控制半导体制冷片驱动电路来改变环境温度，使温度稳定到设定点。
最后应说明的是：显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。
Claims (4)
1.一种基于MPPC增益可数字化调整的光子计数装置，其特征在于：所述装置由高压产生电路、MPPC、I-V转换电路、二级输出增益调整电路、温度采集电路、制冷片驱动电路和半导体制冷片组成，其中，所述高压产生电路和所述二级输出增益调整电路使用I2C总线与外部控制器相连，通过控制器设置光子计数器的输出增益与内部高压输出值；所述高压产生电路的输入端连接外部低压输入，输出端连接所述MPPC的输入端；所述MPPC的输出端和所述I-V转换电路的输入端连接；所述I-V转换电路的输出端与所述二级输出增益调整电路连接；所述二级输出增益调整电路的输出端和外部控制器的电压采样电路相连接；所述温度采集电路的输出端与所述制冷片驱动电路相连接，所述制冷片驱动电路的输出端和所述半导体制冷片连接。
2.如权利要求1所述的一种基于MPPC增益可数字化调整的光子计数装置，其特征在于：如附图2所示，在所述二级输出增益调整电路中，运算放大器U1被用作MPPC的I-V转换功能；电阻R3确定第一级转换的放大倍数，电容C1用来匹配使用带宽，第一级电路的放大倍数为固定值；运算放大器U2用作第二级的电压放大电路，此电路的运算放大比例由一个具有I2C接口的数控电位器U14产生的阻值确定，使用外部控制器通过总线设置运算放大器U2的放大倍数，进而确定MPPC转换电路的增益。
3.如权利要求1所述的一种基于MPPC增益可数字化调整的光子计数装置，其特征在于：如附图3所示，在所述高压产生电路中，U9是提供MPPC高压的电荷泵，此电荷泵通过反馈电压对输出电压进行调整，在设置反馈电压的电路中增加一个可数字化调整的电位器U11，通过调节电位器U11改变输入至U9的反馈电压，最终确定输出的高压值。
4.如权利要求1所述的一种基于MPPC增益可数字化调整的光子计数装置，其特征在于：如附图4所示，在光子计数器装置中使用一个具有I2C接口的温度传感器，通过I2C总线设置好需要的温度点，当环境温度超过或低于设置的温度区间时，所述温度传感器输出警告信号，通过警告信号控制半导体制冷片驱动电路改变环境温度，使温度稳定到设定点。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610295199.4A CN105737978B (zh) | 2016-05-06 | 2016-05-06 | 一种基于mppc增益可数字化调整的光子计数装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610295199.4A CN105737978B (zh) | 2016-05-06 | 2016-05-06 | 一种基于mppc增益可数字化调整的光子计数装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105737978A true CN105737978A (zh) | 2016-07-06 |
| CN105737978B CN105737978B (zh) | 2017-12-19 |
Family
ID=56288053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610295199.4A Active CN105737978B (zh) | 2016-05-06 | 2016-05-06 | 一种基于mppc增益可数字化调整的光子计数装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105737978B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108113652A (zh) * | 2017-12-19 | 2018-06-05 | 天津大学 | 用于近红外脑功能成像仪的强度自动调节光源系统及方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102565807A (zh) * | 2011-12-23 | 2012-07-11 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 基于mppc光子计数统计的激光外差装置 |
| CN203224294U (zh) * | 2013-03-06 | 2013-10-02 | 上海医疗器械高等专科学校 | 一种基于盖革式雪崩二极管的光子计数检测装置 |
| US20130313414A1 (en) * | 2012-05-25 | 2013-11-28 | Nikolai Pavlov | Semiconductor photomultiplier and readout method |
| CN203385483U (zh) * | 2013-08-09 | 2014-01-08 | 西安工程大学 | 基于多像素光子计数器的光子数分辨与计数装置 |
| CN203534700U (zh) * | 2013-10-30 | 2014-04-09 | 成都市宏山科技有限公司 | 光线强度检测电路 |
| CN105074500A (zh) * | 2013-02-22 | 2015-11-18 | 阿雷瓦核废料回收公司 | 用于控制多像素光子计数设备的增益和零点的方法以及实施所述方法的光测量系统 |
| CN105539503A (zh) * | 2015-12-31 | 2016-05-04 | 哈尔滨威克科技有限公司 | 数字化红外温度传感器 |
-
2016
- 2016-05-06 CN CN201610295199.4A patent/CN105737978B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102565807A (zh) * | 2011-12-23 | 2012-07-11 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 基于mppc光子计数统计的激光外差装置 |
| US20130313414A1 (en) * | 2012-05-25 | 2013-11-28 | Nikolai Pavlov | Semiconductor photomultiplier and readout method |
| CN105074500A (zh) * | 2013-02-22 | 2015-11-18 | 阿雷瓦核废料回收公司 | 用于控制多像素光子计数设备的增益和零点的方法以及实施所述方法的光测量系统 |
| CN203224294U (zh) * | 2013-03-06 | 2013-10-02 | 上海医疗器械高等专科学校 | 一种基于盖革式雪崩二极管的光子计数检测装置 |
| CN203385483U (zh) * | 2013-08-09 | 2014-01-08 | 西安工程大学 | 基于多像素光子计数器的光子数分辨与计数装置 |
| CN203534700U (zh) * | 2013-10-30 | 2014-04-09 | 成都市宏山科技有限公司 | 光线强度检测电路 |
| CN105539503A (zh) * | 2015-12-31 | 2016-05-04 | 哈尔滨威克科技有限公司 | 数字化红外温度传感器 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 赵帅等: "多像素光子计数器在单光子探测中的应用", 《光学精密工程》 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108113652A (zh) * | 2017-12-19 | 2018-06-05 | 天津大学 | 用于近红外脑功能成像仪的强度自动调节光源系统及方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105737978B (zh) | 2017-12-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109100018B (zh) | 基于雪崩光电二极管阵列芯片的大动态范围弱光探测系统 | |
| RU2649607C2 (ru) | Способ контроля коэффициента усиления и установки в ноль многопиксельного счетчика фотонов и система измерения света, реализующая указанный способ | |
| CN105548848A (zh) | 用于测量击穿电压的装置、设备及方法 | |
| CN107748359B9 (zh) | 一种环境光噪声抑制电路及激光雷达 | |
| CN104748844A (zh) | 四象限光电探测器信号处理系统 | |
| CN107976667A (zh) | 一种用于全波形测量激光雷达的apd探测装置 | |
| CN108334143A (zh) | 一种温度自适应的SiPM增益控制系统及其控制方法 | |
| Dinu et al. | SiPM arrays and miniaturized readout electronics for compact gamma camera | |
| Despeisse et al. | Multi-channel amplifier-discriminator for highly time-resolved detection | |
| CN104570043A (zh) | 硅光电倍增管的增益控制装置、系统及增益控制方法 | |
| CN105737978A (zh) | 一种基于mppc增益可数字化调整的光子计数装置 | |
| CN113848580A (zh) | 一种X/γ射线辐射量探测系统及探测方法 | |
| CN107462325B (zh) | 一种非成像型星载激光告警系统 | |
| Chase et al. | Amplifiers for use with pn junction radiation detectors | |
| CN101299638B (zh) | 一种光功率检测装置及方法 | |
| CN106066397B (zh) | 一种适用于电流输出型光电倍增管的补偿系统、方法及免疫分析仪 | |
| CN106569249B (zh) | 一种星载Si-APD探测器反向偏压自动调节方法 | |
| CN102141631A (zh) | 一种高灵敏度、宽带氢或氘alpha谱线强度测量方法和系统 | |
| CN107462334B (zh) | 红外焦平面读出电路及其反馈控制环路 | |
| CN105606213B (zh) | 一种激光微脉冲峰值功率测试装置 | |
| CN204115866U (zh) | 功率测量电路 | |
| CN113852420A (zh) | 一种自适应滤波的光功率检测电路及方法 | |
| CN205786654U (zh) | 一种适用于电流输出型光电倍增管的补偿系统及免疫分析仪 | |
| CN111505979A (zh) | 一种自适应增益调节apd | |
| Calò et al. | A CMOS front-end for timing and charge readout of silicon photomultipliers |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20200319 Address after: 102200, 1 Chang Xing Road, Changping District science and Technology Park, Beijing Patentee after: BEIJING BIOCHEM HENGYE SCIENCE AND TECHNOLOGY DEVELOPMENT Co.,Ltd. Address before: 300011 Tianjin City Hedong District Powerise building 1-502 Patentee before: TIANJIN BIOCHEM BIOTECHNOLOGY Co.,Ltd. |