CN105717467B - 铁磁半导体平面内磁各向异性的光电流测试系统及方法 - Google Patents
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 55
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 48
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 19
- 238000010998 test method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 11
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 7
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 abstract description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 2
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000005307 ferromagnetism Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/032—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using magneto-optic devices, e.g. Faraday or Cotton-Mouton effect
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Abstract
一种铁磁半导体平面内磁各向异性的光电流测试系统，包括钛蓝宝石激光器、斩波器、起偏器、光弹性调制器、光阑、光学平面反射镜、变温冷热台装置、直流电压源以及由两台锁相放大器、计算机组成的数据采集和存储系统。以及采用所述测试系统表征铁磁半导体平面内的磁各向异性的测试方法。利用该测试系统，通过旋转低温冷热台和光学平面反射镜，可以测得不同方位角、入射角下的圆偏振相关的光电流，从而可以研究铁磁半导体平面内磁各向异性的信息。
Description
技术领域
本发明属于磁学和半导体自旋电子学领域，特别涉及一种铁磁半导体磁各向异性的光电流测试系统，以及一种表征铁磁半导体平面内磁各向异性的光电流方法。
背景技术
近来自旋电子学蓬勃发展，铁磁半导体由于其兼具半导体特性和铁磁性，在未来信息技术领域有潜在应用价值，而研究磁性物质的各向异性对以磁为媒介的信息技术有重要的意义。
目前对磁各向异性的测量手段主要有直接磁测量和间接磁输运测量，磁光克尔旋转和法拉第旋转测量，以及磁圆光二向色性测量等，但是这些方法对测量系统要求较高，需要配置专门的窗口来实现光的入射和收集，并且一般都需要低温强磁场的环境。
发明内容
本发明目的在于提供一种光电流测试系统以及测试方法，以克服以上所述现有技术的缺点。
为了达到上述目的，本发明提供了一种铁磁半导体平面内磁各向异性的光电流测试系统，该光电流测试系统包括：
一激光光源，为样品提供测试光源；
一光学斩波器，位于所述激光光源之后，对所述激光光源进行斩波调制；
一光学起偏器，位于所述光学斩波器之后，用于将激光光源设定成特定方向的线偏振光；
一光弹性调制器，位于所述光学起偏器之后，用于将所述光学起偏器出射的线偏振光调制成周期性偏振的圆偏振光；
一光阑，位于所述光弹性调制器之后，用于调整所述圆偏振光光斑大小；
一光学反射镜，位于所述光阑之后，用于调整入射光的入射角度；
一变温冷热台装置，用于放置样品，使经所述光学反射镜反射的入射光照射于所述样品上；
一直流电压源，用于给待测样品施加外电压；以及
由两台锁相放大器、计算机组成的数据采集和存储系统，包括：
第一锁相放大器，其输入端与所述样品输出的光电流信号相连，由所述光学斩波器为第一锁相放大器提供参考频率，所述第一锁相放大器用于测量普通光电流强度；
第二锁相放大器，其输入端与所述样品输出的光电流信号相连，由所述光弹性调制器为第二锁相放大器提供参考频率，所述第二锁相放大器用于测量与圆偏振光相关的光电流信号；
一数据采集卡，所述数据采集卡连接第一、第二锁相放大器的输出端，接收来自第一、第二锁相放大器输出端的数据，所述计算机控制数据采集卡对这些电学信号进行运算处理，然后保存处理结果。
根据本发明的一种具体实施方案，所述激光光源为一频率为80MHz、脉宽为140fs的锁模台蓝宝石激光器，波长范围覆盖680nm到1080nm。
根据本发明的一种具体实施方案，所述光弹性调制器的工作模式位于0.25λ，工作频率50kHz，其主轴与起偏器成45°角。
根据本发明的一种具体实施方案，所述第一锁相放大器的参考频率为斩波频率，测量普通光电流，所述第二锁相放大器的参考频率为光弹性调制器频率，测量圆偏振相关的光电流信号。
根据本发明的一种具体实施方案，所述变温冷热台设置旋转装置，用于改变光入射的方位角。
根据本发明的一种具体实施方案，所述光学反射镜为可旋转光学反射镜，用于改变光的入射角。
而且，本发明还提供一种采用以上任意一种所述的测试系统表征铁磁半导体平面内的磁各向异性的测试方法，包括：(1)调整所述光学反射镜，以改变光源入射角；(2)测量各入射角下所述样品激发的光电流。
另外，本发明还提供一种采用以上任意一种所述的测试系统表征铁磁半导体平面内的磁各向异性的测试方法，包括(1)旋转所述变温冷热台装置，以改变光源方位角；(2)测量各方位角下所述样品激发的光电流。
进一步的，本发明还提供一种采用以上任意一种所述的测试系统表征铁磁半导体平面内的磁各向异性的测试方法，其特征在于包括，(1)调整所述变温冷热台装置温度，使所述样品所处温度低于其居里温度；(2)旋转所述变温冷热台装置，以改变光源方位角和/或调整所述光学反射镜，以改变光源入射角；(3)测量各方位角、入射角下所述样品激发的光电流。
从上述方案可以看出，本发明的铁磁半导体平面内磁各向异性的光电流测试系统及方法具有以下有益效果：
(1)通过本发明的测试系统和测试方法，提供了一种切实可行、无需磁场的光电流方法，用于测量铁磁半导体平面内磁各向异性，进一步得出相关磁学信息；
(2)通过本测试系统，斜入射的左旋或右旋圆偏振光照射在样品表面，激发产生沿平面内极化的自旋载流子，通过测量左旋和右旋光产生光电流的差异随入射光方位角、入射角的变化，获得样品磁各向异性的信息，可以作为一种表征磁各向异性的行之有效、简单快捷的方法；
(3)本发明的测试系统无需外加磁场，从而可以避免一般磁光测量中磁场引起塞曼分裂对结果的干扰；
(4)本发明提供了一种简单、易操作、无需磁场的光电流测试方法，只要低于居里温度，铁磁材料存在磁性即可进行测试。
为进一步说明本发明的内容及特点，以下结合附图及具体实施方式对本发明作进一步的详细描述。
附图说明
图1是本发明的实施例1提供的铁磁半导体平面内磁各向异性的光电流测试系统结构示意图；
图2是本发明的实施例1测量过程中变入射角示意图；
图3是本发明的实施例1测量过程中变方位角示意图；
图4和图5分别是本发明的实施例1利用本发明提供的铁磁半导体平面内磁各向异性的光电流测试系统在居里温度附近的130K温度零磁场下测量易极化轴沿[1-10]的一块掺锰砷化镓(GaMnAs)样品的圆偏光电流随方位角和入射角的变化曲线图。
具体实施方式
本发明所提到的方向用语，例如“前”、“后”等，仅用于相对参照各器件之间的相对位置关系，不用于表示实际中的前后和左右关系，实际器件系统可以根据具体测试系统的需要正序安装或倒序安装。因此，使用的方向用语是用来说明并非用来限制本发明的保护范围。
本发明提供一种铁磁半导体平面内磁各向异性的光电流测试系统，该测试系统包括：
一激光光源，为样品提供测试光源；
一光学斩波器，位于所述激光光源之后，对所述激光光源进行斩波调制；
一光学起偏器，位于所述光学斩波器之后，用于将激光光源设定成特定方向的线偏振光；
一光弹性调制器，位于所述光学起偏器之后，用于将所述光学起偏器出射的线偏振光调制成周期性偏振的圆偏振光；
一光阑，位于所述光弹性调制器之后，用于调整所述圆偏振光的光斑大小；
一光学反射镜，位于所述光阑之后，用于调整入射光的入射角度；
一变温冷热台装置，用于放置样品，经所述光学反射镜反射的入射光照射于所述样品上；
一直流电压源，用于给待测样品施加外电压；以及
由两台锁相放大器、计算机组成的数据采集和存储系统，包括：
第一锁相放大器，其输入端与所述样品输出的光电流信号相连，由所述光学斩波器为第一锁相放大器提供参考频率，所述第一锁相放大器用于测量普通光电流强度；
第二锁相放大器，其输入端与所述样品输出的光电流信号相连，由所述光弹性调制器为第二锁相放大器提供参考频率，所述第一锁相放大器用于测量与圆偏振光相关的光电流信号；
一数据采集卡，所述数据采集卡连接第一、第二锁相放大器的输出端，接收来自第一、第二锁相放大器输出端的数据，所述计算机控制数据采集卡对这些电学信号进行运算处理，然后存盘。
对于激光光源的选择，优选的，所述激光光源为固体或气态激光器，进一步优选的，激光光源为一频率为80MHz脉宽为140fs的锁模台蓝宝石激光器，波长范围覆盖680nm到1080nm。
对于光弹性调制器的选择，目的是通过光弹性调制器将入射的线偏振光变成周期性偏振的圆偏振光，通过锁相可以提取左旋和右旋光产生光电流的差值，这个差值随入射光的方位角和入射角呈现规律性变化：当入射面平行于磁矩方向时，圆偏光相关的光电流信号绝对值最大，当入射面垂直于磁矩方向时，圆偏光相关的光电流信号最小；固定入射面平行于磁矩方向时，入射角越大，圆偏光相关的光电流信号绝对值最大。优选的，光弹性调制器工作在0.25λ模式，工作频率50kHz，其主轴与起偏器成45°角，以用于将光学起偏器出射的线偏振光调制成周期性偏振的圆偏振光，一倍频参考信号(50KHz)作为第二台锁相的参考信号。
对于数据采集和存储系统，优选的，所述数据采集和存储系统还包括计算机控制装置，所述计算机控制装置控制数据采集卡对这些电学信号进行运算处理，然后存盘。
优选的，该系统利用直流电压源为样品提供稳定外电压，便于定向驱动收集光电流，将样品产生的光电流信号输入两台锁相组成的信号探测和收集系统。
优选的，第一锁相放大器的参考频率为斩波频率，测量普通光电流，第二锁相放大器的参考频率为光弹性调制器频率(50KHz)，测量圆偏振相关的光电流信号，该信号正比于样品对左旋光和右旋光吸收的差异性。
优选的，待测样品表面做一对欧姆电极，采用两端电流法测量光电流。
优选的，所述变温冷热台可以进行旋转，通过旋转可以改变光的方位角。
优选的，所述光学反射镜为可旋转光学反射镜，通过旋转可以改变光的入射角。
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明作进一步的详细说明。
实施例1
请参阅图1所示，图1是本发明实施例1提供的铁磁半导体平面内磁各向异性的光电流测试系统的结构示意图，包括：
一激光光源10，为样品提供测试光源，本实施例中所采用的激光器为频率为80MHz脉宽为140fs的锁模钛蓝宝石激光器，波长范围为680nm到1080nm，覆盖了GaMnAs样品的带边波长；
一光学斩波器20，对激光光源进行斩波调制，斩波频率稳定在230Hz，并且为第一台锁相提供参考频率，从而测得普通光电流强度；
一光学起偏器30，用于将激光光源设定成特定方向的线偏振光，本实施例中控制线偏振光呈水平方向偏振；
一光弹性调制器40，位于光学起偏器之后，并且其主轴方向与起偏器出射线偏光的偏振方向呈45°夹角，工作模式为0.25λ，调制频率为50KHz，用于将光学起偏器出射的线偏振光调制成周期性偏振的圆偏振光，一倍频参考信号(50KHz)作为第二台锁相的参考信号；
一光阑50，调整光斑大小尽量保证与样品电极相切；
一光学平面反射镜60，通过旋转反射镜可以调整入射光入射的角度；
一变温液氮冷热台装置70，可通过温控面板精确升温和降温，最低可降至液氮温度，该冷热台装置内置样品，整个装置可水平旋转，并通过引线与直流电压源、数据采集系统相连；
一直流电压源80，用于给待测样品施加稳定的外电压，本实施例中设置偏压为3V；
两台锁相放大器，第一第二锁相放大器输入端均与样品上输出的光电流信号相连，第一台锁相91参考斩波频率230Hz，用于测量普通光电流信号，第二台锁相92参考光弹性调制频率50KHz，用于测量与圆偏振光相关的光电流信号；
一由计算机组成的数据采集和存储系统90，包括电流前置放大器93、数据采集卡94、计算机95、两台锁相等，数据采集卡接收来自第一、第二锁相输出端的数据，计算机控制数据采集卡对这些电学信号进行运算处理，然后存盘。
本发明提供表征铁磁半导体平面内磁各向异性的光电流测试系统的核心部分是：光学起偏器、光弹性调制器、可旋转的光学平面反射镜、可旋转的变温液氮冷热台装置、直流电压源以及第一锁相放大器和第二锁相放大器。
利用光学起偏器和光弹性调制器实现对入射光的偏振调制，使之以50KHz的频率产生周期性的“线偏-左旋光-线偏-右旋光-线偏”的工作模式，以此使光电流产生相同频率的变化。利用直流电压源在样品两端形成稳定的偏压以迅速驱动光生的载流子被采集系统收集。采用两台锁相放大器即可同时测量普通的光生电流和左旋光-右旋光吸收差异相关的光电流。测量前者是因为，在改变方位角或入射角的过程中可能会有光斑的微小移动，导致普通光电流有细微的差异，通过后者与前者作比值归一化，可以消除这种由于光斑移动带来的影响，使得测量结果更为合理。
表征方法
本发明提供的表征本发明提供表征铁磁半导体平面内磁各向异性的光电流测试方法无需外加磁场，只需通过旋转冷热台和旋转光学平面反射镜，获得光电流信号随方位角、入射角的变化，从而获得样品的磁各向异性信息，参见图2和图3所示。
作为一个实例，利用本系统测量了居里温度附近的130K温度、零磁场、易极化轴沿[1-10]的一块掺锰砷化镓(GaMnAs)样品的圆偏光电流随入射角、方位角的变化曲线图。首先，打开钛蓝宝石激光器，选择略大于样品带隙的波长800nm激发样品，使之依次通过斩波器、光学起偏器、光弹性调制器、光阑、光学平面反射镜，然后斜入射在样品两电极中心，调整光阑使光斑大小与电极相切。打开所有仪器设备的电源，将冷热台旋转至样品[1-10]边与入射面平行，设定此时方位角为0°，然后旋转光学平面反射镜可以改变入射角大小，每个入射角下均可测得一个对应的普通光电流信号Idc和圆偏振相关的光电流信号I1f。变入射角测试完毕，固定光学平面反射镜斜入射合适的角度，然后通过旋转冷热台改变其方位角，每一个方位角下仍然可以测得一个相应的普通光电流信号Idc和圆偏振相关的光电流信号I1f，最后，将圆偏振相关的光电流信号I1f用普通光电流信号Idc归一化，获得左旋光、右旋光激发样品产生光电流的差异性随方位角、入射角的变化，从而可以得出磁各向异性信息，如图4和5所示。
从上述实施例可以看出，本发明提供的测试方法确实可以表征样品的磁各向异性，进而还可以用不加磁场的光电流的方法来研究铁磁半导体的性质。它实现简单、无需磁场，很适合作为一种研究磁性半导体磁各向异性的方法。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种铁磁半导体平面内磁各向异性的光电流测试系统，该光电流测试系统包括：
一激光光源，为样品提供测试光源；
一光学斩波器，位于所述激光光源之后，对所述激光光源进行斩波调制；
一光学起偏器，位于所述光学斩波器之后，用于将激光光源设定成特定方向的线偏振光；
一光弹性调制器，位于所述光学起偏器之后，用于将所述光学起偏器出射的线偏振光调制成周期性偏振的圆偏振光；
一光阑，位于所述光弹性调制器之后，用于调整所述圆偏振光光斑大小；
一光学反射镜，位于所述光阑之后，用于调整入射光的入射角度；
一变温冷热台装置，用于放置样品，使经所述光学反射镜反射的入射光照射于所述样品上；
一直流电压源，用于给待测样品施加外电压，采用在待测样品表面做一对欧姆电极，采用两端电流法测量光电流；以及
由两台锁相放大器、计算机组成的数据采集和存储系统，包括：
第一锁相放大器，其输入端与所述样品输出的光电流信号相连，由所述光学斩波器为第一锁相放大器提供参考频率，所述第一锁相放大器用于测量普通光电流强度；
第二锁相放大器，其输入端与所述样品输出的光电流信号相连，由所述光弹性调制器为第二锁相放大器提供参考频率，所述第二锁相放大器用于测量与圆偏振光相关的光电流信号；
一数据采集卡，所述数据采集卡连接第一、第二锁相放大器的输出端，接收来自第一、第二锁相放大器输出端的数据，所述计算机控制数据采集卡对这些电学信号进行运算处理，然后保存处理结果。
2.根据权利要求1所述的铁磁半导体平面内磁各向异性的光电流测试系统，其特征在于，所述激光光源为一频率为80MHz、脉宽为140fs的锁模台蓝宝石激光器，波长范围覆盖680nm到1080nm。
3.根据权利要求1所述的铁磁半导体平面内磁各向异性的光电流测试系统，其特征在于，所述光弹性调制器的工作模式位于0.25λ，工作频率50kHz，其主轴与起偏器成45°角。
4.根据权利要求1所述的铁磁半导体平面内磁各向异性的光电流测试系统，其特征在于，所述第一锁相放大器的参考频率为斩波频率，测量普通光电流，所述第二锁相放大器的参考频率为光弹性调制器频率，测量圆偏振相关的光电流信号。
5.根据权利要求1所述的铁磁半导体平面内磁各向异性的光电流测试系统，其特征在于，所述变温冷热台设置旋转装置，用于改变光入射的方位角。
6.根据权利要求1所述的铁磁半导体平面内磁各向异性的光电流测试系统，其特征在于，所述光学反射镜为可旋转光学反射镜，用于改变光源的入射角。
7.采用权利要求1-6任意一项所述的测试系统表征铁磁半导体平面内的磁各向异性的测试方法，其特征在于包括，(1)调整所述光学反射镜，以改变光源入射角；(2)测量各入射角下所述样品激发的光电流。
8.采用权利要求1-6任意一项所述的测试系统表征铁磁半导体平面内的磁各向异性的测试方法，其特征在于包括，(1)旋转所述变温冷热台装置，以改变光源方位角；(2)测量各方位角下所述样品激发的光电流。
9.采用权利要求1-6任意一项所述的测试系统表征铁磁半导体平面内的磁各向异性的测试方法，其特征在于包括，(1)调整所述变温冷热台装置温度，使所述样品所处温度低于其居里温度；(2)旋转所述变温冷热台装置，以改变光源方位角和/或调整所述光学反射镜；(3)测量各方位角、入射角下所述样品激发的光电流。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610116108.6A CN105717467B (zh) | 2016-03-01 | 2016-03-01 | 铁磁半导体平面内磁各向异性的光电流测试系统及方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610116108.6A CN105717467B (zh) | 2016-03-01 | 2016-03-01 | 铁磁半导体平面内磁各向异性的光电流测试系统及方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105717467A CN105717467A (zh) | 2016-06-29 |
| CN105717467B true CN105717467B (zh) | 2019-03-29 |
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ID=56156176
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610116108.6A Expired - Fee Related CN105717467B (zh) | 2016-03-01 | 2016-03-01 | 铁磁半导体平面内磁各向异性的光电流测试系统及方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105717467B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106501262A (zh) * | 2016-12-06 | 2017-03-15 | 深圳大学 | 一种蓝宝石晶棒检测装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101196559A (zh) * | 2006-12-07 | 2008-06-11 | 中国科学院半导体研究所 | 一种可调整测量几何的磁光圆偏振二向色性测量系统 |
| US20100072993A1 (en) * | 2006-10-10 | 2010-03-25 | Genhua Pan | Method of Detecting Carrier Spin Polarisation and Apparatus for the Same |
| CN102192882A (zh) * | 2011-03-11 | 2011-09-21 | 山东大学 | 利用锁相放大器进行磁光椭偏测量的装置及测量方法 |
| CN103278452A (zh) * | 2013-05-08 | 2013-09-04 | 中国科学院半导体研究所 | 一种利用非偏振光调控自旋极化电子的系统及方法 |
| CN103809101A (zh) * | 2014-02-13 | 2014-05-21 | 中国科学院半导体研究所 | 光致反常霍尔效应的变温测量装置及测量方法 |
-
2016
- 2016-03-01 CN CN201610116108.6A patent/CN105717467B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100072993A1 (en) * | 2006-10-10 | 2010-03-25 | Genhua Pan | Method of Detecting Carrier Spin Polarisation and Apparatus for the Same |
| CN101196559A (zh) * | 2006-12-07 | 2008-06-11 | 中国科学院半导体研究所 | 一种可调整测量几何的磁光圆偏振二向色性测量系统 |
| CN102192882A (zh) * | 2011-03-11 | 2011-09-21 | 山东大学 | 利用锁相放大器进行磁光椭偏测量的装置及测量方法 |
| CN103278452A (zh) * | 2013-05-08 | 2013-09-04 | 中国科学院半导体研究所 | 一种利用非偏振光调控自旋极化电子的系统及方法 |
| CN103809101A (zh) * | 2014-02-13 | 2014-05-21 | 中国科学院半导体研究所 | 光致反常霍尔效应的变温测量装置及测量方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 偏振差分反射谱(RDS)测试系统;万寿科 等;《功能材料与器件学报》;20001231;第6卷(第4期);第388-392页 * |
| 用偏振差分透射谱技术测量半导体晶体片应力分布;周振宇 等;《硅酸盐通报》;20080630;第27卷(第3期);第580-583页 * |
Also Published As
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