CN105633789A - 基于CdSe光学参量振荡器的远红外激光发生装置 - Google Patents

基于CdSe光学参量振荡器的远红外激光发生装置 Download PDF

Info

Publication number
CN105633789A
CN105633789A CN201610224833.5A CN201610224833A CN105633789A CN 105633789 A CN105633789 A CN 105633789A CN 201610224833 A CN201610224833 A CN 201610224833A CN 105633789 A CN105633789 A CN 105633789A
Authority
CN
China
Prior art keywords
cdse
laser
coated
light
optical parametric
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610224833.5A
Other languages
English (en)
Inventor
姚宝权
袁晋鹤
段小明
戴通宇
鞠有伦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Harbin Institute of Technology
Original Assignee
Harbin Institute of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Harbin Institute of Technology filed Critical Harbin Institute of Technology
Priority to CN201610224833.5A priority Critical patent/CN105633789A/zh
Publication of CN105633789A publication Critical patent/CN105633789A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/11—Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
    • H01S3/1123—Q-switching
    • H01S3/117—Q-switching using intracavity acousto-optic devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/102—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation
    • H01S3/1022—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation by controlling the optical pumping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16—Solid materials
    • H01S3/1601—Solid materials characterised by an active (lasing) ion

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

基于CdSe光学参量振荡器的远红外激光发生装置，属于远红外激光领域。它解决了现有的ZnGeP2光学参量振荡器产生10μm以上远红外激光的能力差的问题。1.9μm水平偏振激光和1.9μm垂直偏振激光双向泵浦Ho:YAG晶体，Ho:YAG固体激光器产生的2.09μm高功率垂直偏振脉冲激光被全反镜反射至半波片，该激光被半波片旋转为水平偏振激光，并射入CdSe晶体的一个端面，被泵浦的CdSe晶体同时产生2.53μm至2.64μm激光和10μm至12μm激光，第一分光镜过滤2.53μm至2.64μm激光，第二分光镜过滤2.09μm激光。本发明适用于大气污染物的检测和光电对抗领域。

Description

基于CdSe光学参量振荡器的远红外激光发生装置
技术领域
本发明涉及一种远红外激光发生装置，属于远红外激光领域。
背景技术
波长为8μm至12μm的远红外激光处于大气透明窗口，位于有害化学药剂和工业排放物等物质的本征吸收光谱带，因此该波段的激光被广泛地应用于大气污染物的检测。与此同时，军用发动机尾焰的发射谱也位于该波段，因此该波段的激光在光电对抗领域亦有应用价值。
分立波长的激光源，如二氧化碳激光器，能够产生该波段的激光，但是其产生激光的波长固定，无法调谐，能够检测的物质的种类少。
量子级联激光器能够产生该波段的激光，但是其输出功率低，且光亮度十分有限。
频率下转换技术中的光学参量产生器和差频产生器，也能产生该波段的激光，但是光学参量产生器要求皮秒和飞秒级的泵浦脉冲，差频产生器要求两个泵浦源，频率下转换技术中的光学参量振荡器与光学参量产生器和差频产生器相比，仅需要一个纳秒级的脉冲泵浦源，并且具有产生高平均功率、高脉冲能量红外激光的能力。
一直以来ZnGeP2晶体都是产生中红外和远红外激光的首选非线性材料，但是该材料的透明光谱区在大于10μm波段会出现强烈的吸收，限制了它产生远红外激光的能力。而CdSe晶体的透明光谱范围为2μm至24μm，这使得它能够有效地产生远红外激光。当前，关于CdSe晶体的研究较少，且主要集中于差频产生器技术，产生的平均功率和能量也十分有限。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有的ZnGeP2光学参量振荡器产生10μm以上远红外激光的能力差的问题，提出了一种基于CdSe光学参量振荡器的远红外激光发生装置。
本发明所述的基于CdSe光学参量振荡器的远红外激光发生装置，它包括Ho:YAG固体激光器、全反镜9、半波片10、CdSe光学参量振荡器、第一分光镜14和第二分光镜15；
Ho:YAG固体激光器包括第一偏振片1、第一腔镜2、Ho:YAG晶体3、第二腔镜4、第二偏振片5、声光Q开关6、F-P标准具7和第一输出镜8；
CdSe光学参量振荡器包括第三腔镜11、CdSe晶体12和第二输出镜13；
一束1.9μm水平偏振泵浦激光依次经第一偏振片1透射、第一腔镜2透射，射入Ho:YAG晶体3的一个端面；
另一束1.9μm垂直偏振泵浦激光依次经第二偏振片5反射、第二腔镜4透射，射入Ho:YAG晶体3的另一端面；
被双向泵浦的Ho:YAG晶体3产生2.09μm泵浦激光，声光Q开关6用于将该泵浦激光转换为脉冲激光，F-P标准具7用于选择垂直偏振运转的脉冲激光，经F-P标准具7出射的激光依次经第一输出镜8透射、全反镜9反射、半波片10水平旋转和第三腔镜11透射，射入CdSe晶体12的一个端面；
CdSe光学参量振荡器为2.53μm至2.64μm激光单谐振结构，CdSe晶体12的切割角度为71.5°；
被泵浦的CdSe晶体12同时产生2.53μm至2.64μm激光和10μm至12μm激光；
第二输出镜13为CdSe光学参量振荡器的输出镜；
第一分光镜14和第二分光镜15分别用于过滤CdSe光学参量振荡器输出的2.53μm至2.64μm激光和2.09μm激光；
CdSe光学参量振荡器输出的10μm至12μm激光依次经第一分光镜14和第二分光镜15的透射，射入外部空间。
Ho:YAG晶体3由两个1.9μm掺Tm光纤激光器双向泵浦；
CdSe晶体12的晶轴与入射2.09μm泵浦激光的夹角为α；
CdSe晶体12被泵浦后产生的两束激光的波长均与α同步变化，波长变化的范围分别为2.53μm至2.64μm和10μm至12μm。
本发明所述的基于CdSe光学参量振荡器的远红外激光发生装置，CdSe晶体12对10μm至12μm激光高透，解决了现有的ZnGeP2光学参量振荡器产生10μm以上远红外激光能力差的问题；
声光Q开关6使射入其中的连续激光转化为具有高功率的激光脉冲，进而使所述远红外激光发生装置输出的激光具有较高的平均功率；
在2.09μm泵浦激光射入CdSe晶体12的一个端面的条件下，通过调节α能够调谐CdSe光学参量振荡器输出激光的波长。
附图说明
图1是实施方式一所述的基于CdSe光学参量振荡器的远红外激光发生装置的结构示意图。
具体实施方式
具体实施方式一：结合图1说明本实施方式，本实施方式所述的基于CdSe光学参量振荡器的远红外激光发生装置，它包括Ho:YAG固体激光器、全反镜9、半波片10、CdSe光学参量振荡器、第一分光镜14和第二分光镜15；
Ho:YAG固体激光器包括第一偏振片1、第一腔镜2、Ho:YAG晶体3、第二腔镜4、第二偏振片5、声光Q开关6、F-P标准具7和第一输出镜8；
CdSe光学参量振荡器包括第三腔镜11、CdSe晶体12和第二输出镜13；
一束1.9μm水平偏振泵浦激光依次经第一偏振片1透射、第一腔镜2透射，射入Ho:YAG晶体3的一个端面；
另一束1.9μm垂直偏振泵浦激光依次经第二偏振片5反射、第二腔镜4透射，射入Ho:YAG晶体3的另一端面；
被双向泵浦的Ho:YAG晶体3产生2.09μm泵浦激光，声光Q开关6用于将该泵浦激光转换为脉冲激光，F-P标准具7用于选择垂直偏振运转的脉冲激光，经F-P标准具7出射的激光依次经第一输出镜8透射、全反镜9反射、半波片10水平旋转和第三腔镜11透射，射入CdSe晶体12的一个端面；
CdSe光学参量振荡器为2.53μm至2.64μm激光单谐振结构，CdSe晶体12的切割角度为71.5°；
被泵浦的CdSe晶体12同时产生2.53μm至2.64μm激光和10μm至12μm激光；
第二输出镜13为CdSe光学参量振荡器的输出镜；
第一分光镜14和第二分光镜15分别用于过滤CdSe光学参量振荡器输出的2.53μm至2.64μm激光和2.09μm激光；
CdSe光学参量振荡器输出的10μm至12μm激光依次经第一分光镜14和第二分光镜15的透射，射入外部空间。
具体实施方式二，本实施方式是对实施方式一所述的基于CdSe光学参量振荡器的远红外激光发生装置的进一步限定，第一偏振片1呈45°放置，其泵浦激光入射面镀有1.9μm水平偏振光高透、1.9μm垂直偏振光高反膜；
第一腔镜2呈45°放置，其一面镀有1.9μm光高透膜，另一面镀有1.9μm光高透、2.09μm光高反膜；
Ho:YAG晶体3的两个端面均镀有1.9μm和2.09μm光高透膜；
第二腔镜4呈0°放置，其一面镀有1.9μm光高透膜，另一面镀有1.9μm光高透、2.09μm光高反膜；
第二偏振片5呈45°放置，其反射面镀有1.9μm水平偏振光高透、1.9μm垂直偏振光高反膜；
F-P标准具7为由YAG晶体制成的F-P标准具；
第一输出镜8对2.09μm激光的透过率为68％；
全反镜9呈45°放置，其反射面镀有2.09μm光高反膜；
第三腔镜11为由ZnS制成的镜片，其一面镀有2.09μm光增透膜，另一面镀有2.09μm光增透、2.5μm至2.8μm光高反膜；
CdSe晶体12的两个端面均镀有2.09μm、2.5μm至2.8μm和10μm至12μm光高透膜；
第二输出镜13的一面镀有2.09μm、10μm至12μm光高透、2.5μm至2.8μm光透过率为20％的透射膜，另一面镀有2.09μm、2.5μm至2.8μm和10μm至12μm光高透膜；
第一分光镜14呈45°放置，其一面镀有2.09μm、10μm至12μm光高透、2.5μm至2.8μm光高反膜，另一面镀有2.09μm、10μm至12μm光高透膜；
第二分光镜15呈45°放置，其一面镀有2.09μm光高反、10μm至12μm光高透膜，另一面镀有10μm至12μm光高透膜。
本实施方式所述的基于CdSe光学参量振荡器的远红外激光发生装置，Ho:YAG晶体3为圆柱体，其长度为45mm，其底面直径为5mm，Ho3+掺杂浓度为0.8％；
声光Q开关6的型号为MQH041-100DMA05(Gooch&Housego)，工作重复频率为1kHz；
F-P标准具的厚度为50μm；
CdSe晶体12的长*宽*高等于10mm*12mm*40mm；
CdSe光学参量振荡器的输出功率可到达160mW。

Claims (2)

1.基于CdSe光学参量振荡器的远红外激光发生装置，其特征在于：它包括Ho:YAG固体激光器、全反镜(9)、半波片(10)、CdSe光学参量振荡器、第一分光镜(14)和第二分光镜(15)；
Ho:YAG固体激光器包括第一偏振片(1)、第一腔镜(2)、Ho:YAG晶体(3)、第二腔镜(4)、第二偏振片(5)、声光Q开关(6)、F-P标准具(7)和第一输出镜(8)；
CdSe光学参量振荡器包括第三腔镜(11)、CdSe晶体(12)和第二输出镜(13)；
一束1.9μm水平偏振泵浦激光依次经第一偏振片(1)透射、第一腔镜(2)透射，射入Ho:YAG晶体(3)的一个端面；
另一束1.9μm垂直偏振泵浦激光依次经第二偏振片(5)反射、第二腔镜(4)透射，射入Ho:YAG晶体(3)的另一端面；
被双向泵浦的Ho:YAG晶体(3)产生2.09μm泵浦激光，声光Q开关(6)用于将该泵浦激光转换为脉冲激光，F-P标准具(7)用于选择垂直偏振运转的脉冲激光，经F-P标准具(7)出射的激光依次经第一输出镜(8)透射、全反镜(9)反射、半波片(10)水平旋转和第三腔镜(11)透射，射入CdSe晶体(12)的一个端面；
CdSe光学参量振荡器为2.53μm至2.64μm激光单谐振结构，CdSe晶体(12)的切割角度为71.5°；
被泵浦的CdSe晶体(12)同时产生2.53μm至2.64μm激光和10μm至12μm激光；
第二输出镜(13)为CdSe光学参量振荡器的输出镜；
第一分光镜(14)和第二分光镜(15)分别用于过滤CdSe光学参量振荡器输出的2.53μm至2.64μm激光和2.09μm激光；
CdSe光学参量振荡器输出的10μm至12μm激光依次经第一分光镜(14)和第二分光镜(15)的透射，射入外部空间。
2.根据权利要求1所述的基于CdSe光学参量振荡器的远红外激光发生装置，其特征在于，第一偏振片(1)呈45°放置，其泵浦激光入射面镀有1.9μm水平偏振光高透、1.9μm垂直偏振光高反膜；
第一腔镜(2)呈45°放置，其一面镀有1.9μm光高透膜，另一面镀有1.9μm光高透、2.09μm光高反膜；
Ho:YAG晶体(3)的两个端面均镀有1.9μm和2.09μm光高透膜；
第二腔镜(4)呈0°放置，其一面镀有1.9μm光高透膜，另一面镀有1.9μm光高透、2.09μm光高反膜；
第二偏振片(5)呈45°放置，其反射面镀有1.9μm水平偏振光高透、1.9μm垂直偏振光高反膜；
F-P标准具(7)为由YAG晶体制成的F-P标准具；
第一输出镜(8)对2.09μm激光的透过率为68％；
全反镜(9)呈45°放置，其反射面镀有2.09μm光高反膜；
第三腔镜(11)为由ZnS制成的镜片，其一面镀有2.09μm光增透膜，另一面镀有2.09μm光增透、2.5μm至2.8μm光高反膜；
CdSe晶体(12)的两个端面均镀有2.09μm、2.5μm至2.8μm和10μm至12μm光高透膜；
第二输出镜(13)的一面镀有2.09μm、10μm至12μm光高透、2.5μm至2.8μm光透过率为20％的透射膜，另一面镀有2.09μm、2.5μm至2.8μm和10μm至12μm光高透膜；
第一分光镜(14)呈45°放置，其一面镀有2.09μm、10μm至12μm光高透、2.5μm至2.8μm光高反膜，另一面镀有2.09μm、10μm至12μm光高透膜；
第二分光镜(15)呈45°放置，其一面镀有2.09μm光高反、10μm至12μm光高透膜，另一面镀有10μm至12μm光高透膜。
CN201610224833.5A 2016-04-12 2016-04-12 基于CdSe光学参量振荡器的远红外激光发生装置 Pending CN105633789A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610224833.5A CN105633789A (zh) 2016-04-12 2016-04-12 基于CdSe光学参量振荡器的远红外激光发生装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610224833.5A CN105633789A (zh) 2016-04-12 2016-04-12 基于CdSe光学参量振荡器的远红外激光发生装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105633789A true CN105633789A (zh) 2016-06-01

Family

ID=56048466

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610224833.5A Pending CN105633789A (zh) 2016-04-12 2016-04-12 基于CdSe光学参量振荡器的远红外激光发生装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105633789A (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107528197A (zh) * 2017-09-15 2017-12-29 长春理工大学 双腔复合非稳腔选模泵浦的自光参量振荡中红外激光器
CN110230951A (zh) * 2019-07-06 2019-09-13 哈尔滨工业大学 带测量功能的红外/激光一体化目标模拟设备
CN109149351B (zh) * 2018-10-16 2020-02-21 中国科学院福建物质结构研究所 调q激光器
CN111811325A (zh) * 2020-07-21 2020-10-23 北京理工大学 一种集照明、干扰与致盲于一体的激光系统
CN112234422A (zh) * 2020-10-15 2021-01-15 黑龙江大学 一种双模式可切换输出的中红外光参量振荡器
CN112271544A (zh) * 2020-09-10 2021-01-26 武汉光谷航天三江激光产业技术研究院有限公司 一种随机偏振泵浦的光参量振荡器
CN114552355A (zh) * 2022-01-27 2022-05-27 中国科学院福建物质结构研究所 一种偏振分离复合腔钬激光器
CN115541521A (zh) * 2022-11-03 2022-12-30 哈尔滨翰奥科技有限公司 一种红外波段激光测量多种气体浓度的方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4349907A (en) * 1980-04-23 1982-09-14 The United Stated Of America As Represented By The Department Of Energy Broadly tunable picosecond IR source
US20070064748A1 (en) * 2001-09-20 2007-03-22 Sergey Mirov Mid-IR laser instrument for analyzing a gaseous sample and method for using the same
CN102842849A (zh) * 2012-09-19 2012-12-26 哈尔滨工业大学 光纤激光器泵浦的高功率3μm-5μm波段固体激光器
CN103199431A (zh) * 2013-04-25 2013-07-10 哈尔滨工业大学 高性能的双末端泵浦单掺Ho:YAG固体激光器
CN105098579A (zh) * 2015-08-24 2015-11-25 哈尔滨工业大学 新型远红外8μm激光放大装置
CN105119137A (zh) * 2015-08-24 2015-12-02 哈尔滨工业大学 基于ZnGeP2环形腔光学参量振荡器的高功率远红外8μm激光光束产生装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4349907A (en) * 1980-04-23 1982-09-14 The United Stated Of America As Represented By The Department Of Energy Broadly tunable picosecond IR source
US20070064748A1 (en) * 2001-09-20 2007-03-22 Sergey Mirov Mid-IR laser instrument for analyzing a gaseous sample and method for using the same
CN102842849A (zh) * 2012-09-19 2012-12-26 哈尔滨工业大学 光纤激光器泵浦的高功率3μm-5μm波段固体激光器
CN103199431A (zh) * 2013-04-25 2013-07-10 哈尔滨工业大学 高性能的双末端泵浦单掺Ho:YAG固体激光器
CN105098579A (zh) * 2015-08-24 2015-11-25 哈尔滨工业大学 新型远红外8μm激光放大装置
CN105119137A (zh) * 2015-08-24 2015-12-02 哈尔滨工业大学 基于ZnGeP2环形腔光学参量振荡器的高功率远红外8μm激光光束产生装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
曾体贤: "硒化镉晶体光参量振荡器件制备参数研究", 《四川文理学院学报》 *

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107528197A (zh) * 2017-09-15 2017-12-29 长春理工大学 双腔复合非稳腔选模泵浦的自光参量振荡中红外激光器
CN109149351B (zh) * 2018-10-16 2020-02-21 中国科学院福建物质结构研究所 调q激光器
CN110230951A (zh) * 2019-07-06 2019-09-13 哈尔滨工业大学 带测量功能的红外/激光一体化目标模拟设备
CN110230951B (zh) * 2019-07-06 2021-10-26 哈尔滨工业大学 带测量功能的红外/激光一体化目标模拟设备
CN111811325A (zh) * 2020-07-21 2020-10-23 北京理工大学 一种集照明、干扰与致盲于一体的激光系统
CN111811325B (zh) * 2020-07-21 2021-12-21 北京理工大学 一种集照明、干扰与致盲于一体的激光系统
CN112271544A (zh) * 2020-09-10 2021-01-26 武汉光谷航天三江激光产业技术研究院有限公司 一种随机偏振泵浦的光参量振荡器
CN112234422A (zh) * 2020-10-15 2021-01-15 黑龙江大学 一种双模式可切换输出的中红外光参量振荡器
CN114552355A (zh) * 2022-01-27 2022-05-27 中国科学院福建物质结构研究所 一种偏振分离复合腔钬激光器
CN114552355B (zh) * 2022-01-27 2023-06-09 中国科学院福建物质结构研究所 一种偏振分离复合腔钬激光器
CN115541521A (zh) * 2022-11-03 2022-12-30 哈尔滨翰奥科技有限公司 一种红外波段激光测量多种气体浓度的方法
US11841320B1 (en) 2022-11-03 2023-12-12 Xinjiang Technical Institute Of Physics And Chemistry, Chinese Academy Of Sciences Method for measuring concentrations of multiple gases by using infrared band laser light

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105633789A (zh) 基于CdSe光学参量振荡器的远红外激光发生装置
CN106711745B (zh) 宽调谐、窄线宽纳秒脉冲双共振中红外参量振荡器
CN104201553B (zh) 一种双波长可调谐固体激光器及其应用
CN109802290A (zh) 基于同步锁模的中红外超短脉冲光纤激光器
CN103825189A (zh) 种子注入式表面垂直发射太赫兹参量产生器及其应用
Peng et al. Mid-infrared optical parametric oscillator based on ZnGeP 2 pumped by 2-μm laser
Duan et al. Compact self-cascaded KTA-OPO for 2.6 μm laser generation
CN103138146A (zh) 一种超低阈值自启动锁模的全光纤激光器
CN111129931A (zh) 种子光注入的10μm~12μm波段长波红外光学参量振荡器
CN102044834B (zh) 一种非线性镜自锁模激光器
CN105159008A (zh) 铌酸镓镧晶体作为中红外波段的非线性光学器件的应用
CN108767650A (zh) 一种功能复合电光q开关
CN102354897B (zh) 一种外部二次级联差频太赫兹光源发生装置及实现方法
CN104409961A (zh) 一种线偏振输出的2μm激光器装置
CN106410582A (zh) 一种人眼安全波段连续输出的共享腔光参量振荡器
CN109149345A (zh) 一种利用激光差频技术产生波长不小于3.8微米的中波红外激光输出的系统
Quan et al. LGS electro-optically Q-switched Er, Pr: YAP crystal laser operated at 2.7 µm
CN112234422B (zh) 一种双模式可切换输出的中红外光参量振荡器
CN201549762U (zh) 一种中红外激光系统
CN104300355A (zh) 一种基于硅酸镓镧晶体的光参量振荡激光器
CN113471796A (zh) 一种被动调q激光内腔抽运式中红外双波段激光器
CN202308766U (zh) 一种外部二次级联差频太赫兹光源发生装置
Hemming et al. A high power mid-IR ZGP ring OPO
CN106340797A (zh) 基于体光栅构成环形腔光学参量振荡器的2μm可调谐激光器
CN111416264A (zh) 一种差频产生中红外飞秒激光的方法及装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20160601