CN105578855A - 一种磁共振成像仪的泄露磁场屏蔽装置 - Google Patents
一种磁共振成像仪的泄露磁场屏蔽装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105578855A CN105578855A CN201610058853.XA CN201610058853A CN105578855A CN 105578855 A CN105578855 A CN 105578855A CN 201610058853 A CN201610058853 A CN 201610058853A CN 105578855 A CN105578855 A CN 105578855A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- magnetic field
- magnetic resonance
- resonance imager
- door body
- shielding device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
- H05K9/0001—Rooms or chambers
- H05K9/0003—Shielded walls, floors, ceilings, e.g. wallpaper, wall panel, electro-conductive plaster, concrete, cement, mortar
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
本发明提供一种磁共振成像仪的泄露磁场屏蔽装置,包括屏蔽罩和门体;磁共振成像仪设置在所述屏蔽罩内,所述门体安装在所述屏蔽罩一侧,所述门体与所述屏蔽罩铰接。本发明结构简单,只加装五面屏蔽罩,剩下地面不装,减少地平面以上的磁通泄露,可以使磁共振成像仪的制造成本大幅降低,从而提高其性能价格比。
Description
技术领域
本发明涉及磁共振成像仪技术领域,尤其涉及一种磁共振成像仪的泄露磁场屏蔽装置。
背景技术
核磁共振成像仪是继CT后医学影像学的又一重大进步。自80年代应用以来,它以极快的速度得到发展。核磁共振是一种物理现象,作为一种分析手段广泛应用于物理、化学、生物等领域,到1973年才将它用于医学临床检测,由于其强大的临床诊断功能,目前已经逐渐发展成重要的医学检测手段,越来越多的核磁共振成像仪被安装到各级医院。由于磁场对人体和各类电子设备会造成不同程度的影响,控制核磁共振成像仪磁场泄露就是设备安装需要考虑的一个重要方面。
所谓5高斯线是磁共振成像磁体泄露磁场的场强为5高斯的各点集合而成的一个空间封闭曲面,它与磁共振成像磁体的最大距离,通常可被客户接受的值为3米。这就要求厂家在产品设计和制造过程中,尽可能减少磁通泄露。另一方面,可以通过在摆放核磁共振成像仪的房间的墙、天花板以及地面上加装磁屏蔽材料的方法来达到减少磁通泄露的效果。通常的解决方案是在屏蔽房的六个面都加装屏蔽材料,已期达到把泄露磁场限制在房间内的目的。但是,结果往往都不理想,5高斯线经常越过屏蔽罩泄露到六个面的外边去,图1的计算机数值模拟给出了一个采取这种措施得到的效果。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明要解决的问题是提供一种磁共振成像仪的泄露磁场屏蔽装置,以克服现有磁屏蔽房安装技术的缺陷。
(二)技术方案
为解决所述技术问题,本发明提供一种磁共振成像仪的泄露磁场屏蔽装置,包括屏蔽罩和门体;磁共振成像仪设置在所述屏蔽罩内,所述门体安装在所述屏蔽罩一侧,所述门体与所述屏蔽罩铰接。
进一步,所述屏蔽罩为五面结构。
进一步,所述屏蔽罩和门体由铁磁材料制成。
进一步,所述屏蔽罩和门体厚度为1-10mm。
(三)有益效果
本发明的磁共振成像仪的磁场屏蔽装置,结构简单,只加装五面屏蔽罩,剩下地面不装,减少地平面以上的磁通泄露,可以使磁屏蔽难度大幅降低,从而减少仪器安装的成本。
附图说明
图1为加装六面屏蔽罩的泄露磁场数值模拟效果图;
图2为本发明一种磁共振成像仪的泄露磁场屏蔽装置的结构示意图;
图3为加装五面屏蔽罩泄露磁场屏蔽装置的泄露磁场数值模拟效果图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。
铁磁材料为铁、镍、钴以或者硅钢片。铁、钢、镍、钴等铁磁材料,没有受外磁场的作用时,其分子电流所产生的合成磁矩在宏观上等于零,因而不呈现磁性。由于铁磁材料的磁导率远远高于空气,在外磁场中,磁力线被聚集到铁磁材料内部,减少了空气中磁场的通量,这就是所述磁屏蔽的原理。
实施例一
如图2所示,本发明的一种磁共振成像仪的泄露磁场屏蔽装置,其特征在于:包括屏蔽罩2和门体3;磁共振成像仪1设置在所述屏蔽罩2内,所述门体3安装在所述屏蔽罩2一侧,所述门体3与所述屏蔽罩2铰接。
所述屏蔽罩2为五面结构,形状为矩形六面体的五个表面,即摆放磁共振成像仪的屏蔽房的4面墙和天花板。所述屏蔽罩2和门体3由薄铁板制成。所述屏蔽罩2和门体3厚度为7mm。
如图3所示,只加装矩形六面体的五个表面,即屏蔽房的4面墙以及天花板,剩下地面不装,可以大大减少地平面以上的磁通泄露;一般来说,磁共振成像仪安装在医院的一楼,地下通常没有任何设施和行人通道,将泄露磁场引导到地下是一种方便快捷的解决方案,使得屏蔽房的装修成本大幅降低。
实施例二
实施例二与实施例一基本相同,不同之处在于:所述屏蔽罩2和门体3由镍板制成,所述屏蔽罩2和门体3厚度为2mm。
实施例三
实施例三与实施例一基本相同,不同之处在于:所述屏蔽罩2和门体3由钴板制成,所述屏蔽罩2和门体3厚度为3mm。
综上所述,上述实施方式并非是本发明的限制性实施方式,凡本领域的技术人员在本发明的实质内容的基础上所进行的修饰或者等效变形,均在本发明的技术范畴。
Claims (4)
1.一种磁共振成像仪的泄露磁场屏蔽装置,其特征在于:包括屏蔽罩(2)和门体(3);磁共振成像仪(1)设置在所述屏蔽罩(2)内,所述门体(3)安装在所述屏蔽罩(2)一侧,所述门体(3)与所述屏蔽罩(2)铰接。
2.根据权利要求1所述的磁共振成像仪的泄露磁场屏蔽装置,其特征在于:所述屏蔽罩(2)为五面结构。
3.根据权利要求1所述的磁共振成像仪的泄露磁场屏蔽装置,其特征在于:所述屏蔽罩(2)和门体(3)由铁磁材料制成。
4.根据权利要求1至3任一项所述的磁共振成像仪的泄露磁场屏蔽装置,其特征在于:所述屏蔽罩(2)和门体(3)厚度为1-10mm。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610058853.XA CN105578855A (zh) | 2016-01-28 | 2016-01-28 | 一种磁共振成像仪的泄露磁场屏蔽装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610058853.XA CN105578855A (zh) | 2016-01-28 | 2016-01-28 | 一种磁共振成像仪的泄露磁场屏蔽装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105578855A true CN105578855A (zh) | 2016-05-11 |
Family
ID=55888342
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610058853.XA Pending CN105578855A (zh) | 2016-01-28 | 2016-01-28 | 一种磁共振成像仪的泄露磁场屏蔽装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN105578855A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114438594A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-05-06 | 浙江晶盛机电股份有限公司 | 一种碳化硅炉 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002094280A (ja) * | 2000-09-18 | 2002-03-29 | Magbang Kk | アクティブシールド装置 |
CN101593565A (zh) * | 2009-07-03 | 2009-12-02 | 北京邮电大学 | 用于移动终端微弱信号测试的便携电磁屏蔽箱 |
CN203705494U (zh) * | 2013-12-06 | 2014-07-09 | 雷诺士(常州)电子有限公司 | 一种屏蔽箱 |
CN104363745A (zh) * | 2014-12-09 | 2015-02-18 | 成都国蓉科技有限公司 | 电磁兼容屏蔽箱 |
CN205378489U (zh) * | 2016-01-28 | 2016-07-06 | 宁波健信核磁技术有限公司 | 一种磁共振成像仪的泄露磁场屏蔽装置 |
-
2016
- 2016-01-28 CN CN201610058853.XA patent/CN105578855A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002094280A (ja) * | 2000-09-18 | 2002-03-29 | Magbang Kk | アクティブシールド装置 |
CN101593565A (zh) * | 2009-07-03 | 2009-12-02 | 北京邮电大学 | 用于移动终端微弱信号测试的便携电磁屏蔽箱 |
CN203705494U (zh) * | 2013-12-06 | 2014-07-09 | 雷诺士(常州)电子有限公司 | 一种屏蔽箱 |
CN104363745A (zh) * | 2014-12-09 | 2015-02-18 | 成都国蓉科技有限公司 | 电磁兼容屏蔽箱 |
CN205378489U (zh) * | 2016-01-28 | 2016-07-06 | 宁波健信核磁技术有限公司 | 一种磁共振成像仪的泄露磁场屏蔽装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114438594A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-05-06 | 浙江晶盛机电股份有限公司 | 一种碳化硅炉 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI704903B (zh) | 用於偵測患者大腦中之改變之磁共振成像系統、方法、裝置及電腦可讀儲存媒體 | |
US20240142556A1 (en) | Correcting for hysteresis in magnetic resonance imaging | |
TWI626461B (zh) | 射頻線圈、包含射頻線圈之射頻組件及設備以及判定射頻線圈之組態的方法 | |
CN106233300B (zh) | 用于确定磁场的设备和方法 | |
Zhang et al. | Liquid metal based stretchable magnetoelectric films and their capacity for mechanoelectrical conversion | |
Sikorski | Active dielectric window: A new concept of combined acoustic emission and electromagnetic partial discharge detector for power transformers | |
Sahebjavaher et al. | MR elastography and diffusion‐weighted imaging of ex vivo prostate cancer: Quantitative comparison to histopathology | |
Lazarus et al. | Improved power transfer to wearable systems through stretchable magnetic composites | |
JP2015536792A5 (zh) | ||
CN105578855A (zh) | 一种磁共振成像仪的泄露磁场屏蔽装置 | |
Li et al. | Finite element analysis of gradient z-coil induced eddy currents in a permanent MRI magnet | |
CN205378489U (zh) | 一种磁共振成像仪的泄露磁场屏蔽装置 | |
Guan et al. | Predicting performance of polymer-bonded Terfenol-D composites under different magnetic fields | |
Basyigit et al. | Investigation of the magnetic shielding parameters of rectangular enclosures with apertures at 0 to 3 GHz | |
Heimfarth et al. | Miniature planar fluxgate magnetic sensors using a single layer of coils | |
Guo et al. | Portable non-destructive magnetic resonance sensor for assessing the aging status of silicon rubber insulators | |
Takechi et al. | Development of magnetic sensors for JT-60SA | |
Suo et al. | Partial Discharge Detection Technology for Switchgear Based on Near-Field Detection | |
Qiu et al. | Testing the quality of images for permanent magnet desktop MRI systems using specially designed phantoms | |
Cui et al. | Deep learning‐based research on the influence of training data size for breast cancer pathology detection | |
Li et al. | Study of two contact-less tuning principles for small monolithic radiofrequency MRI coils and development of an automated system based on piezoelectric motor | |
CN204863190U (zh) | 模块化磁共振诊查单元及具有其的集装箱模块化医院 | |
Guan et al. | Graphene assembled film based conformal sensor array for submillimeter crack location and direction detection | |
Zhao et al. | Electromagnetic-thermal analysis of ftu under the high-power electromagnetic environment | |
Guo et al. | Optimized unilateral magnetic resonance sensor with constant gradient and its applications in composite insulators |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20160511 |