CN105572865A - 基于单层石墨烯和布拉格光栅的光谱选择性吸收器 - Google Patents
基于单层石墨烯和布拉格光栅的光谱选择性吸收器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105572865A CN105572865A CN201610049854.8A CN201610049854A CN105572865A CN 105572865 A CN105572865 A CN 105572865A CN 201610049854 A CN201610049854 A CN 201610049854A CN 105572865 A CN105572865 A CN 105572865A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- nanometers
- bragg grating
- graphene
- thickness
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 39
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 38
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 239000002356 single layer Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 title claims description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 33
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 9
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 21
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 8
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 7
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000002922 simulated annealing Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/003—Light absorbing elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Polarising Elements (AREA)
Abstract
一种基于石墨烯单层和布拉格光栅的超窄带TE偏振光谱选择性吸收器，该吸收器包括自上而下的电介质光栅层,单层石墨烯和布拉格光栅层，所述电介质光栅层的周期、脊宽和厚度分别为574～576纳米、548～550纳米和219～221纳米，所述布拉格光栅层由至少20对的低折射率电介质平板和高折射率电介质平板组成，低折射率电介质平板的厚度为340～350纳米，高折射率电介质平板的厚度为165～175纳米。本发明可以由光学全息记录技术或电子束直写装置结合微电子深刻蚀工艺加工而成，取材方便，造价小，能大批量生产，具有重要的实用前景。
Description
技术领域
本专利涉及基于石墨烯的超窄带光谱选择性吸收器，特别是一种用于光通信波段的基于石墨烯单层和布拉格光栅的超窄带TE偏振光谱选择性吸收器。
背景技术
近年来，由于具有唯一的电学、光学、机械和热特性，石墨烯已经被广泛地研究。作为一个几年前刚刚发现的超薄两维碳基材料，石墨烯已经被应用于许多领域，例如，光调制器、吸收器、成像器件、光电探测器和宽带的起偏器等等。由于石墨烯单层仅仅只有单个原子层厚，在这些应用中的主要挑战就是如何增强光与石墨烯的相互作用，因而如何实现石墨烯单层的完全光吸收就成为趋势。
在中远红外波段，石墨烯有两个重要的特征。一个就是其电导率可以通过化学掺杂或静电开关来实现从近红外到太赫兹波段的调谐；另一个就是具有强的等离子响应，这将导致强的光与石墨烯相互作用。在这些波段，可以通过等离子谐振来实现石墨烯中的理想光吸收。相对来说，在可见和近红外波段(λ<2μm)，非掺杂石墨烯不能激发等离子响应。在光垂直入射时，石墨烯单层只能吸收2.3％的光能量。在这些波段，石墨烯类似于有损电介质材料，具有常数吸收。因而新的方法应当被提出来增强这些波段的光吸收。Liu等人提出利用一维光子晶体来增强石墨烯中的光吸收，其可以获得偏振无关的增强吸收，但是增强因子很小【在先技术1：Liu,etal.,Appl.Phys.Lett.101(5),052104(2012)】。Cai等人提出融合石墨烯单层和金属纳米结构的概念，可以在石墨烯单层中获得37.5％的吸收【在先技术2：Cai,etal.,Appl.Phys.Lett.106(4),043105(2015)】。Grande等人设计了一个简单的一维电介质光栅基的吸收器，利用光栅的导模谐振效应可以获得60％的光吸收【在先技术3：Grande,etal.,Opt.Express22,31511–31519(2014)】。Piper等人利用光子晶体的导模谐振效应实现了临界耦合，从而在石墨烯单层中获得了完全的光吸收【在先技术4：Piper,etal.,ACSPhotonics1(4),347–353(2014)】。Hu等人探讨了基于多层光栅结构的石墨烯纳米条中的增强吸收现象，但是完全的光吸收仅仅在光非垂直入射时可以实现【在先技术5：Hu,etal.,Appl.Phys.Lett.105,221113(2014)】。
矩形光栅通常是利用微纳加工工艺，在衬底上加工出的具有矩形槽形的光栅。亚波长矩形光栅的衍射问题，不能由简单的标量光栅衍射来处理，而必须采用矢量形式的麦克斯韦方程并结合边界条件，通过编码的计算机程序精确地求解。Moharam等人已给出了严格耦合波理论的算法【在先技术6：M.G.Moharametal.,J.Opt.Soc.Am.A.12,1077(1995)】，可以解决这类亚波长光栅的衍射问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种用于光通信波段的基于石墨烯单层和布拉格光栅的超窄带TE偏振光谱选择性吸收器，当光垂直入射时，其在中心波长附近一个极窄波段范围内的入射光将被吸收，随着结构参数的变化，吸收光谱会发生频移，峰值吸收波长会随之发生频移，但是在各峰值波长处可始终保持近100％的吸收，并且吸收谱线的半高全宽一直小于4纳米。同时对于不同的入射波长，其吸收角度不同，并且随着角度的增加，角谱的宽度快速减小，具有很高的空间方向性，类似于天线的特性。因此，该超窄带光谱选择性吸收器具有重要的实用价值。
本发明的技术解决方案如下：
一种用于红外波段的基于石墨烯单层和布拉格光栅的超窄带TE偏振光谱选择性吸收器，其特征在于该吸收器包括自上而下的电介质光栅层、单层石墨烯和布拉格光栅层，所述电介质光栅层的周期、脊宽和厚度分别为574～576纳米、548～550纳米和219～221纳米，所述布拉格光栅层由至少20对的低折射率电介质平板和高折射率电介质平板组成，低折射率电介质平板的厚度为340～350纳米，高折射率电介质平板的厚度为165～175纳米。
最佳的吸收器的顶部电介质光栅层的周期、脊宽和厚度分别为575纳米、549纳米和220纳米，布拉格光栅层为20对低折射率电介质平板和高折射率电介质平板，其厚度分别为345纳米和170纳米。
与现有技术相比，本发明的技术效果如下：
特别是当吸收器的顶部电介质光栅层的周期、脊宽和厚度分别为575纳米、549纳米和220纳米，底部布拉格光栅层为20对低折射率电介质平板和高折射率电介质平板，其厚度分别为345纳米和170纳米时：
(1)当光通信波段(1500-1600纳米)的光垂直入射时，其在中心波长1550纳米附近一个极窄波段范围内的入射光将被吸收，峰值吸收率接近100％，半高全宽小于4纳米，对于不同的入射波长，其吸收/辐射角度不同，并且随着角度的增加，角谱的宽度快速减小，具有很高的空间方向性，类似于天线的特性。
(2)具有使用灵活方便、峰值吸收率高，吸收的半高全宽很小和空间相关性较好等优点，是一种非常理想的光谱选择性吸收器件，利用光学全息记录技术或电子束直写装置结合微电子刻蚀工艺，可以大批量、低成本地生产，制作后的吸收器件性能稳定、可靠，具有重要的实用前景。
附图说明
图1是本发明的用于光通信波段的基于石墨烯单层和布拉格光栅的超窄带TE偏振光谱选择性吸收器的几何结构。
图中，1代表区域1(折射率为n1)，2代表电介质光栅层，3代表石墨烯单层，4代表布拉格光栅层，由N(N＝20)对低折射率电介质平板(折射率为nl)和高折射率层电介质平板(折射率为nh)组成，nl<nh。TE偏振光(电场方向沿着y轴)从区域1入射该器件。d为电介质光栅周期，w为电介质光栅脊宽，h为电介质光栅厚度，ha和hb分别为布拉格光栅的低折射率层和高折射率层的厚度。
图2是本发明要求范围内一个实施例的TE偏振光垂直入射时器件吸收率随波长变化的曲线。
图3是图2中实施例的三个离散波长入射时的吸收率随入射角的变化曲线。
具体实施方式
下面结合实施例和附图对本发明作进一步说明，但不应以此限制本发明的保护范围。先请参阅图1，图1是本发明的用于光通信波段的基于石墨烯单层和布拉格光栅的超窄带TE偏振光谱选择性吸收器的几何结构。图中，区域1是均匀的，为空气(折射率n1＝1)。TE偏振光垂直入射到该器件，TE偏振光对应于电场矢量的振动方向垂直于入射面，即y轴。
由图可见，本发明用于光通信波段的基于石墨烯单层和布拉格光栅的超窄带TE偏振光谱选择性吸收器，其包括自上而下的电介质光栅层2、单层石墨烯3和布拉格光栅层4，其中顶部电介质光栅层的周期、脊宽和厚度分别为574～576纳米、548～550纳米和219～221纳米，中间石墨烯层仅为单层石墨烯，底部布拉格光栅层由N(N＝20)对低折射率电介质平板和高折射率电介质平板组成，其厚度分别为340～350纳米和165～175纳米。
在如图1所示的几何结构下，本发明采用严格耦合波理论【在先技术6】计算了该超窄带TE偏振光谱选择性吸收器在光通信波段范围内的吸收效率。我们利用严格耦合波理论【在先技术6】和模拟退火法则【在先技术7：W.Goffeetal.,J.Econometrics60,65-99(1994)】进行优化，从而得到这种超窄带TE偏振光谱选择性吸收器的结构参数。
下面给出本发明的一个具体实施例，此时顶部电介质光栅的材料为硅(Si)，其折射率为3.48，中间非掺杂石墨烯单层的折射率，在可见光和近红外区域可以表示成【Bruna,etal.,Appl.Phys.Lett.2009,94,031901】:
n＝3.0+iC1λ0/3(1)
其中C1≈5.446μm-1，λ0为入射光波长，石墨烯单层的厚度为hg＝0.34nm.
布拉格光栅由20对低折射率的熔石英(SiO2)和高折射率的二氧化钛(TiO2)平板组成，它们的折射率分别为1.45和2.17。顶部电介质光栅的周期d＝575nm，脊宽w＝549nm，厚度h＝220nm，布拉格光栅的SiO2和TiO2层的厚度分别为ha＝345nm和hb＝170nm。
表1给出了本发明一系列实施例，λmax表示各吸收光谱的峰值波长，Amax表示吸收光谱的峰值波长处的吸收效率，FWHM表示透射光谱的半峰全宽。
图2是本发明要求范围内一个实施例的TE偏振光垂直入射时器件的吸收率随波长变化的曲线，由图可见，在中心波长1550纳米附近一个极窄的波带范围内的光将被吸收，中心波长处的峰值吸收为99.28％，透射光谱的半峰全宽(FWHM)为3.7纳米。
图3是图2中实施例的三个离散波长入射时的吸收率随入射角的变化曲线，从图中可以看出，对于不同的入射波长，吸收/辐射角不同，图中入射波长分别为λ1＝1549.9nm，λ2＝1536.7nm和λ3＝1511.3nm，它们的峰值吸收/辐射角分别为0°，4°和8°，角宽度分别为2.7°，0.65°和0.45°，具有很好的空间方向性，类似于传统的天线特性。
在制作本发明用于光通信波段的基于石墨烯单层和布拉格光栅的超窄带TE偏振光谱选择性吸收器时，适当选择顶部电介质光栅的周期、脊宽和厚度以及布拉格光栅的高低折射率层的厚度和折射率就可以得到吸收光谱线宽窄和空间方向性好的超窄带TE偏振光谱选择性吸收器。
本发明的基于石墨烯单层和布拉格光栅的超窄带TE偏振光谱选择性吸收器，具有使用灵活方便、吸收光谱线宽窄、高空间方向性好等优点，是一种非常理想的吸收器件，利用光学全息记录技术或电子束直写装置结合微电子刻蚀工艺，可以大批量、低成本地生产，制作的吸收器性能稳定、可靠，具有重要的实用前景。
表1TE偏振光垂直入射时峰值波长处的吸收效率
Claims (2)
1.一种用于光通信波段的基于石墨烯单层和布拉格光栅的超窄带TE偏振光谱选择性吸收器，其特征在于该吸收器包括自上而下的电介质光栅层(2)、单层石墨烯(3)和布拉格光栅层(4)，所述电介质光栅层的周期、脊宽和厚度分别为574～576纳米、548～550纳米和219～221纳米，所述布拉格光栅层由至少20对的低折射率电介质平板和高折射率电介质平板组成，低折射率电介质平板的厚度为340～350纳米，高折射率电介质平板的厚度为165～175纳米。
2.根据权利要求1所述的基于石墨烯单层和布拉格光栅的超窄带TE偏振光谱选择性吸收器，其特征在于，所述的电介质光栅层的周期、脊宽和厚度分别为575纳米、549纳米和220纳米，所述布拉格光栅层为20对低折射率电介质平板和高折射率电介质平板，其厚度分别为345纳米和170纳米。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610049854.8A CN105572865A (zh) | 2016-01-25 | 2016-01-25 | 基于单层石墨烯和布拉格光栅的光谱选择性吸收器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610049854.8A CN105572865A (zh) | 2016-01-25 | 2016-01-25 | 基于单层石墨烯和布拉格光栅的光谱选择性吸收器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105572865A true CN105572865A (zh) | 2016-05-11 |
Family
ID=55883180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610049854.8A Pending CN105572865A (zh) | 2016-01-25 | 2016-01-25 | 基于单层石墨烯和布拉格光栅的光谱选择性吸收器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105572865A (zh) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107479296A (zh) * | 2017-08-14 | 2017-12-15 | 安徽大学 | 一种可调谐中红外窄带吸收体 |
| CN107561028A (zh) * | 2017-06-30 | 2018-01-09 | 国家纳米科学中心 | 用于增强红外光谱探测的金属‑石墨烯等离激元器件及制备方法 |
| CN107589484A (zh) * | 2017-08-17 | 2018-01-16 | 南京理工大学 | 一种可调谐太赫兹分束器 |
| CN107728343A (zh) * | 2017-10-30 | 2018-02-23 | 上海理工大学 | 基于二维电子浓度调制的太赫兹近场辐射增强装置 |
| CN108107609A (zh) * | 2017-12-17 | 2018-06-01 | 安徽大学 | 一种基于石墨烯中红外可调谐窄带带通滤波器 |
| CN108181672A (zh) * | 2017-12-08 | 2018-06-19 | 南京邮电大学 | 一种混合等离激元波导布拉格光栅 |
| CN109585576A (zh) * | 2018-06-29 | 2019-04-05 | 厦门大学 | 一种利用全介质纳米结构增强石墨烯紫外光吸收的方法 |
| CN109586042A (zh) * | 2018-12-03 | 2019-04-05 | 中国科学技术大学 | 一种吸波器及其制备方法 |
| CN109765701A (zh) * | 2019-01-23 | 2019-05-17 | 上海理工大学 | 一种动态可调衰减器 |
| CN110780369A (zh) * | 2019-11-05 | 2020-02-11 | 常州工业职业技术学院 | 基于石墨烯和一维光子晶体复合结构的可见光全波段吸收器 |
| CN112484667A (zh) * | 2020-11-05 | 2021-03-12 | 中国人民解放军国防科技大学 | 一种基于二维材料光吸收结构阵列的光电角度传感器 |
| CN113791470A (zh) * | 2021-09-24 | 2021-12-14 | 北京枭龙科技有限公司 | 共振光栅波导结构及近眼显示装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104777532A (zh) * | 2015-04-03 | 2015-07-15 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 基于级联光栅结构的超窄带te偏振光谱选择性吸收器 |
-
2016
- 2016-01-25 CN CN201610049854.8A patent/CN105572865A/zh active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104777532A (zh) * | 2015-04-03 | 2015-07-15 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 基于级联光栅结构的超窄带te偏振光谱选择性吸收器 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| JIN-HUA HU ET AL: "Enhanced absorption of graphene strips with a multilayer subwavelength grating structure", 《APPLIED PHYSICS LETTERS》 * |
| 宁仁霞等: "1维石墨烯光子晶体的电磁吸收特性", 《激光技术》 * |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107561028B (zh) * | 2017-06-30 | 2020-09-01 | 国家纳米科学中心 | 用于增强红外光谱探测的金属-石墨烯等离激元器件及制备方法 |
| CN107561028A (zh) * | 2017-06-30 | 2018-01-09 | 国家纳米科学中心 | 用于增强红外光谱探测的金属‑石墨烯等离激元器件及制备方法 |
| CN107479296A (zh) * | 2017-08-14 | 2017-12-15 | 安徽大学 | 一种可调谐中红外窄带吸收体 |
| CN107589484A (zh) * | 2017-08-17 | 2018-01-16 | 南京理工大学 | 一种可调谐太赫兹分束器 |
| CN107728343A (zh) * | 2017-10-30 | 2018-02-23 | 上海理工大学 | 基于二维电子浓度调制的太赫兹近场辐射增强装置 |
| CN108181672A (zh) * | 2017-12-08 | 2018-06-19 | 南京邮电大学 | 一种混合等离激元波导布拉格光栅 |
| CN108181672B (zh) * | 2017-12-08 | 2021-03-23 | 南京邮电大学 | 一种混合等离激元波导布拉格光栅 |
| CN108107609A (zh) * | 2017-12-17 | 2018-06-01 | 安徽大学 | 一种基于石墨烯中红外可调谐窄带带通滤波器 |
| CN109585576A (zh) * | 2018-06-29 | 2019-04-05 | 厦门大学 | 一种利用全介质纳米结构增强石墨烯紫外光吸收的方法 |
| CN109586042A (zh) * | 2018-12-03 | 2019-04-05 | 中国科学技术大学 | 一种吸波器及其制备方法 |
| CN109765701A (zh) * | 2019-01-23 | 2019-05-17 | 上海理工大学 | 一种动态可调衰减器 |
| CN109765701B (zh) * | 2019-01-23 | 2023-04-25 | 上海理工大学 | 一种动态可调衰减器 |
| CN110780369A (zh) * | 2019-11-05 | 2020-02-11 | 常州工业职业技术学院 | 基于石墨烯和一维光子晶体复合结构的可见光全波段吸收器 |
| CN112484667A (zh) * | 2020-11-05 | 2021-03-12 | 中国人民解放军国防科技大学 | 一种基于二维材料光吸收结构阵列的光电角度传感器 |
| CN112484667B (zh) * | 2020-11-05 | 2021-11-26 | 中国人民解放军国防科技大学 | 一种基于二维材料光吸收结构阵列的光电角度传感器 |
| CN113791470A (zh) * | 2021-09-24 | 2021-12-14 | 北京枭龙科技有限公司 | 共振光栅波导结构及近眼显示装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105572865A (zh) | 基于单层石墨烯和布拉格光栅的光谱选择性吸收器 | |
| Xia et al. | Plasmonically induced transparency in phase-coupled graphene nanoribbons | |
| CN104777532B (zh) | 基于级联光栅结构的超窄带te偏振光谱选择性吸收器 | |
| Lin et al. | Graphene multilayer photonic metamaterials: fundamentals and applications | |
| CN110196464B (zh) | 一种实现超宽带光吸收的方法以及一种复合微结构 | |
| US20160025914A1 (en) | Dielectric Metasurface Optical Elements | |
| CN105652354A (zh) | 基于锥形金属-电介质多层光栅结构的偏振无关宽带吸收器 | |
| CN102981205B (zh) | 亚波长矩形环阵列四分之一波片及其制作方法 | |
| CN105576384B (zh) | 一种多通道可调谐Tamm等离子体完美吸收器 | |
| CN107976733B (zh) | 一种全介质偏振无关的角度滤波器 | |
| Li et al. | Polarization-sensitive multi-frequency switches and high-performance slow light based on quadruple plasmon-induced transparency in a patterned graphene-based terahertz metamaterial | |
| CN103389537B (zh) | 宽带反射型亚波长矩形环阵列四分之一波片及其制作方法 | |
| Fu et al. | Broadband polarization-insensitive metamaterial perfect absorbers using topology optimization | |
| Lei et al. | High-performance tunable plasmonic absorber based on the metal-insulator-metal grating nanostructure | |
| Li et al. | High-quality multi-band absorber in a hybrid all-dielectric system using the surface plasmon polaritons | |
| US10877193B2 (en) | Polarization independent wideband reflectors and methods for their manufacture | |
| Wang et al. | Enhanced absorption of a monolayer graphene using encapsulated cascaded gratings | |
| Fang et al. | Optical capture capability enhancement by right-angled triangular visible absorber | |
| Chen et al. | Ultra-broadband dual-square ring metamaterial absorbers from visible to far-infrared region | |
| Yue et al. | A tunable dual-band graphene-based perfect absorber in the optical communication band | |
| CN206057624U (zh) | 一种亚波长超宽带透射式二维金属波片 | |
| Wu | Enhancement of absorption in graphene strips with cascaded grating structures | |
| CN107102402A (zh) | 基于极化共振和布拉格共振作用的超透射波导设计方法 | |
| CN105549132B (zh) | 一种基于双曲光子晶体的近红外全向吸收器 | |
| Zhang et al. | Broadband and wide angle near-unity absorption in graphene-insulator-metal thin film stacks |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20160511 |