CN105471233A - 交流电源瞬断触发装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种交流电源瞬断触发装置，该装置包括交流源、分压电路、储能电路、控制电路及切换开关电路；交流源用于为待测设备提供交流瞬断测试用的交流电；分压电路用于对交流源输出的交流电进行分压及整流，输出一直流电源，并将该直流电源输出至控制电路，为控制电路提供工作电压；以及将该直流电源输出至储能电路，对储能电路进行充电；储能电路用于产生切换开关电路所需的恒定栅压；控制电路用于输出一控制信号至切换开关电路的控制端，控制切换开关电路的开关动作；切换开关电路用于根据控制电路输出的控制信号，控制交流源与被测设备之间的通断状态。本发明交流电源瞬断触发装置具有成本低、结构简单且易操作的优点。

Description

交流电源瞬断触发装置

技术领域

本发明涉及电子电气设备技术领域，特别涉及一种交流电源瞬断触发装置。

背景技术

电压短时中断现象是一种常见的电能质量问题，按照国标GB/T17626.11的定义，电压短时中断是指供电电压消失一段时间，一般不超过1分钟，该电压短时中断可以认为是100％幅值的电压暂降，若对电压的短时中断处理不当，将会直接影响到用电设备的正常运行，甚至损坏用电设备，从而要求用电设备具有较高的电压短时中断抗干扰能力(即抗瞬断能力)。因此，在电子、电气设备的测试领域，抗瞬断能力测试是电子、电气设备测试中非常重要的指标之一，并且国标GB/T17626.11规定了额定输入电流每相不超过16A连接到50Hz/60Hz交流电网的电子、电气设备的电压短时中断抗扰要求。然而，目前能实现电子、电气设备的抗瞬断能力测试的设备属于一种可编程交流电源设备，该测试设备的价格较昂贵，并主要由国外厂商提供，操作也非常繁琐。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种成本低且结构简单的交流电源瞬断触发装置。

为实现上述目的，本发明提供一种交流电源瞬断触发装置，所述交流电源瞬断触发装置包括交流源、分压电路、储能电路、控制电路及切换开关电路；其中，

所述交流源，用于为待测设备提供交流瞬断测试用的交流电；

所述分压电路，用于对所述交流源输出的交流电进行分压及整流，输出一直流电源，并将所述直流电源输出至所述控制电路，为所述控制电路提供工作电压；以及将所述直流电源输出至所述储能电路，对所述储能电路进行充电；

所述储能电路，用于产生所述切换开关电路所需的恒定栅压；

所述控制电路，用于输出一控制信号至所述切换开关电路的控制端，控制所述切换开关电路的开关动作；

所述切换开关电路，用于根据所述控制电路输出的控制信号，控制所述交流源与所述被测设备之间的通断状态。

优选地，所述交流源的中线与所述待测设备的中线连接；所述切换开关电路连接于所述交流源的相线与所述待测设备的相线之间，且所述切换开关电路还分别与所述控制电路的控制信号输出端及所述储能电路连接；所述分压电路的第一输入端与所述交流源的相线连接，所述分压电路的第二输入端与所述交流源的中线连接，所述分压电路的输出端分别与所述控制电路的电源输入端及所述储能电路连接。

优选地，所述切换开关电路包括第一NMOS管和第二NMOS管；其中，

所述第一NMOS管的源极与所述交流源的相线连接，所述第一NMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极连接；所述第二NMOS管的源极与所述待测设备的相线连接；所述第一NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极均与所述控制电路连接。

优选地，所述控制电路包括用于产生所述控制信号的主控单元、用于对所述主控单元及所述第一NMOS管进行隔离的第一隔离电路及用于对所述主控单元及所述第二NMOS管进行隔离的第二隔离电路；其中，

所述第一NMOS管的栅极经所述第一隔离电路与所述主控单元的控制信号输出端连接，所述第二NMOS管的栅极经所述第二隔离电路与所述主控单元的控制信号输出端连接。

优选地，所述第一隔离电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻及第一光耦；其中，

所述第一电阻的第一端与所述主控单元的控制信号输出端连接，所述第一电阻的第二端与所述第一光耦中发光二极管的阳极连接；所述第一光耦中发光二极管的阴极与所述主控单元的地端连接，所述第一光耦中三极管的集电极经所述第二电阻与所述第三电阻的第一端连接，所述第一光耦中三极管的发射极与所述第三电阻的第二端连接，且与所述第一NMOS管的源极连接。

优选地，所述第二隔离电路第四电阻、第五电阻及第二光耦；其中，

所述第二光耦中发光二极管的阳极与第一光耦中发光二极管的阳极连接连接，所述第二光耦中发光二极管的阴极与第一光耦中发光二极管的阴极连接连接，所述第二光耦中三极管的集电极经所述第四电阻与所述第五电阻的第一端连接，所述第二光耦中三极管的发射极与所述第五电阻的第二端连接，且与所述第二NMOS管的源极连接；所述第二NMOS管的源极还与所述待测设备的相线连接。

优选地，所述第一隔离电路还包括第六电阻，所述第六电阻的第一端与所述第三电阻的第一端连接，所述第六电阻的第二端与所述分压电路连接；所述第二隔离电路还包括第七电阻，所述第七电阻的第一端与所述第五电阻的第一端连接，所述第七电阻的第二端与所述分压电路连接。

优选地，所述分压电路包括第一分压电路和第二分压电路；其中，

所述第一分压电路包括第八电阻、第九电阻及第一二极管；所述第八电阻的第一端接地，且与所述交流源的中线连接，所述第八电阻的第二端与所述第一二极管的阳极连接；所述第一二极管的阴极与所述第六电阻的第二端连接；所述第九电阻的第一端与所述第八电阻的第二端连接，所述第九电阻的第二端与所述交流源的相线连接；

所述第二分压电路包括第十电阻、第十一电阻及第二二极管；所述第十电阻的第一端接地，所述第十电阻的第二端与所述第二二极管的阳极连接；所述第二二极管的阴极与所述第七电阻的第二端连接；所述第十一电阻的第一端与所述第十电阻的第二端连接，所述第十一电阻的第二端与所述第二NMOS管的源极连接。

优选地，所述储能电路包括第一电容和第二电容；其中，

所述第一电容的第一端与所述第一二极管的阴极连接，所述第一电容的第二端与所述第一光耦中三极管的发射极连接；所述第二电容的第一端与所述第二二极管的阴极连接，所述第二电容的第二端与所述第二光耦中三极管的发射极连接。

本发明提供的交流电源瞬断触发装置，包括交流源、分压电路、储能电路、控制电路及切换开关电路；其中，所述交流源，用于为所述待测设备提供交流瞬断测试用的交流电；所述分压电路，用于对所述交流源输出的交流电进行分压及整流，输出一直流电源，并将所述直流电源输出至所述控制电路，为所述控制电路提供工作电压；以及将所述直流电源输出至所述储能电路，对所述储能电路进行充电；所述储能电路，用于产生所述切换开关电路所需的恒定栅压；所述控制电路，用于输出一控制信号至所述切换开关电路的控制端，控制所述切换开关电路的开关动作；所述切换开关电路，用于根据所述控制电路输出的控制信号，控制所述交流源与所述被测设备之间的通断状态。本发明交流电源瞬断触发装置的电路结构简单、成本低；并且本发明交流电源瞬断触发装置能够使电子、电气设备的抗瞬断能力测试变得更加简单；同时，本发明还具有可靠性高及易实现的优点。

附图说明

图1是本发明交流电源瞬断触发装置一实施例的模块结构示意图；

图2是本发明交流电源瞬断触发装置一实施例的电路结构示意图；

图3是本发明交流电源瞬断触发装置对待测设备交流电源瞬断触发测试的测试波形图。

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

本发明提供一种交流电源瞬断触发装置。

参照图1，图1是本发明交流电源瞬断触发装置一实施例的模块结构示意图。

本实施例中，该交流电源瞬断触发装置包括交流源101、分压电路102、储能电路103、控制电路104及切换开关电路105。

其中，所述交流源101的中线N与待测设备106的中线连接；所述切换开关电路105连接于所述交流源101的相线L与所述待测设备106的相线之间，并且，所述切换开关电路105还分别与所述控制电路104的控制信号输出端及所述储能电路103连接；所述分压电路102的第一输入端与所述交流源101的相线连接，所述分压电路102的第二输入端与所述交流源101的中线连接，所述分压电路102的输出端分别与所述控制电路104的电源输入端及所述储能电路103连接。

本实施例中，所述交流源101，用于为所述待测设备106提供交流瞬断测试用的交流电；

所述分压电路102，用于对所述交流源101输出的交流电进行分压及整流，输出一直流电源，并将所述直流电源输出至所述控制电路104，为所述控制电路提供工作电压；以及将所述直流电源输出至所述储能电路103，对所述储能电路103进行充电；

所述储能电路103，用于产生所述切换开关电路105所需的恒定栅压；

所述控制电路104，用于输出一控制信号至所述切换开关电路105的控制端，控制所述切换开关电路105的开关动作；

所述切换开关电路105，用于根据所述控制电路104输出的控制信号，控制所述交流源101与所述被测设备106之间的通断状态。

参照图2，图2是本发明交流电源瞬断触发装置一实施例的电路结构示意图。

本实施例中，切换开关电路205包括第一NMOS管T1和第二NMOS管T2；其中，所述第一NMOS管T1的源极与所述交流源201的相线连接，所述第一NMOS管T1的漏极与所述第二NMOS管T2的漏极连接；所述第二NMOS管T2的源极与所述待测设备206的相线连接；所述第一NMOS管T1的栅极和所述第二NMOS管T2的栅极均与所述控制电路204连接。

本实施例中，控制电路204包括用于产生所述控制信号的主控单2041、用于对所述主控单元2041及所述第一NMOS管T1进行隔离的第一隔离电路2042及用于对所述主控单元2041及所述第二NMOS管T2进行隔离的第二隔离电路2043；其中，所述第一NMOS管T1的栅极经所述第一隔离电路2042与所述主控单元2041的控制信号输出端连接，所述第二NMOS管T2的栅极经所述第二隔离电路2043与所述主控单元2041的控制信号输出端连接。

其中，所述第一隔离电路2042包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3及第一光耦OC1；其中，所述第一电阻R1的第一端与所述主控单元2041的控制信号输出端连接，所述第一电阻R1的第二端与所述第一光耦OC1中发光二极管的阳极连接；所述第一光耦OC1中发光二极管的阴极与所述主控单元2041的地端连接，所述第一光耦OC1中三极管的集电极经所述第二电阻R2与所述第三电阻R3的第一端连接，所述第一光耦OC1中三极管的发射极与所述第三电阻R3的第二端连接，且与所述第一NMOS管T1的源极连接。

进一步地，本实施例中，所述第一隔离电路2042还包括第六电阻R6，所述第六电阻R6的第一端与所述第三电阻R3的第一端连接，所述第六电阻R6的第二端与所述分压电路202连接；

所述第二隔离电路2043第四电阻R4、第五电阻R5及第二光耦OC2；其中，所述第二光耦OC2中发光二极管的阳极与第一光耦OC1中发光二极管的阳极连接连接，所述第二光耦OC2中发光二极管的阴极与第一光耦OC1中发光二极管的阴极连接连接，所述第二光耦OC2中三极管的集电极经所述第四电阻R4与所述第五电阻R5的第一端连接，所述第二光耦OC2中三极管的发射极与所述第五电阻R5的第二端连接，且与所述第二NMOS管T2的源极连接；所述第二NMOS管T2的源极还与所述待测设备206的相线连接。

进一步地，本实施例中，所述第二隔离电路2043还包括第七电阻R7，所述第七电阻R7的第一端与所述第五电阻R5的第一端连接，所述第七电阻R7的第二端与所述分压电路202连接。

本实施例中，所述分压电路202包括第一分压电路2021和第二分压电路2022；其中，所述第一分压电路2021包括第八电阻R8、第九电阻R9及第一二极管D1；所述第八电阻R8的第一端接地，且与所述交流源201的中线N连接，所述第八电阻R8的第二端与所述第一二极管D1的阳极连接；所述第一二极管D1的阴极与所述第六电阻R6的第二端连接；所述第九电阻R9的第一端与所述第八电阻R8的第二端连接，所述第九电阻R9的第二端与所述交流源201的相线L连接；

所述第二分压电路2022包括第十电阻R10、第十一电阻R11及第二二极管D2；所述第十电阻R10的第一端接地，所述第十电阻R10的第二端与所述第二二极管D2的阳极连接；所述第二二极管D2的阴极与所述第七电阻R7的第二端连接；所述第十一电阻R11的第一端与所述第十电阻R10的第二端连接，所述第十一电阻R11的第二端与所述第二NMOS管T2的源极连接。

本实施例中，所述储能电路包括第一电容C1和第二电容C2；其中，所述第一电容C1的第一端与所述第一二极管D1的阴极连接，所述第一电容C1的第二端与所述第一光耦OC1中三极管的发射极连接；所述第二电容C2的第一端与所述第二二极管D2的阴极连接，所述第二电容C2的第二端与所述第二光耦OC2中三极管的发射极连接。

本实施例中，切换开关电路205中的第一NMOS管T1和第二NMOS管T2具有毫秒级的快速响应能力。常规设计中，由于NMOS管的寄生二极管特性，NMOS管的源极至漏极方向始终是单向导通，因此，单个NMOS管通常仅能用于直流单向电路的通断控制，而无法用于交流电任意相位时刻的通断控制，因为若采用单个NMOS管用于交流电的通断控制时，始终仅有半波能够通过该NMOS管。本实施例中，使用了第一NMOS管T1和第二NMOS管T2组合实现对交流电任意相位时刻的通断控制。本实施例中，第一NMOS管T1和第二NMOS管T2对称放置，第一NMOS管T1的漏极和第二NMOS管T2的漏极短接，第一NMOS管T1的源极作为切换开关电路205的一端，第二NMOS管T2的源极作为切换开关电路205的另一端，按此设计，每只NMOS管只对交流电的半波进行通断控制，当其中一只NMOS管的寄生二极管使得交流电的某半波导通时，另一只NMOS管的寄生二极管必然不导通，故本实施例中的切换开关电路205可实现对交流电的整波进行通断控制，从而可实现对交流电任意相位时刻的通断控制。然而，第一NMOS管T1和第二NMOS管T2作为开关使用时，需要控制其开启电压Vgs(即当NMOS管的栅极与源极之间的电压大于其开启阀值电压Vgs-th，时，该NMOS管才开始导通)。例如，图2中，若切断交流源202的交流电后，仍需控制第二NMOS管T2的开启电压Vgs，否则便无法使第二NMOS管T2再次导通，若无法使第二NMOS管T2再次导通，则无法实现对交流源202与被测设备206之间的反复通断控制。因此，本实施例中，切换开关电路205必须配合储能电路中的第一电容C1、第二电容C2及控制电路204，才能实现对交流源202与被测设备206之间的反复通断路控制。

本实施例中，分压电路202对交流源201的交流电进行分压后的输出电压不能超过储能电路中第一电容C1和第二电容C2的耐压值，兼顾交流电的不稳定因素，本实施例中，如果第一电容C1和第二电容C2选取耐压值为100V的铝电解电容，则分压电路202对交流源201的交流电进行分压后的输出电压值宜控制在12V～50V；

本实施例中，储能电路中的第一电容C1和第二电容C2用于产生控制电路204所需的控制电信号，例如，当切断交流源201的交流电时，本实施例可以使用储能电路中第二电容C2所储备的电能，给第二NMOS管T2的栅极供电，使第二NMOS管T2的栅极与源极之间的电压大于其开启阀值电压Vgs-th，使得第二NMOS管T2能够再次导通。本实施例中，第一电容C1和第二电容C2宜使用不少于100uF数量级的电容。同时，为了保证第一电容C1和第二电容C2的快速充电，第一分压电路2021中的第八电阻R8、第九电阻R9及第二分压电路2022中的第十电阻R10、第十一电阻R11宜选取1K～10K欧姆级的电阻。

另外，本实施例中，由于NMOS管作为开关使用时，通过控制第NMOS管的栅极信号即可实现NMOS管的开关控制功能。本实施例中，若不对切换开关电路205的控制部分和交流电源部分进行隔离，则交流源201可能对切换开关电路205的控制部分(即主控单元2041)造成损伤，甚至产生安全隐患。因此，本实施例中，使用快速光耦(即上述第一光耦OC1和第二光耦OC2)对切换开关电路205的控制部分和交流电源部分进行隔离。

本实施例中，当主控单元2041的输出相应的控制信号，控制第一光耦OC1和第二光耦OC2不导通时，第一电容C1控制第一NMOS管T1的栅极与源极之间的电压大于其开启阀值电压Vgs-th，使得第一NMOS管T1导通；第二电容C2控制第二NMOS管T2的栅极与源极之间的电压大于其开启阀值电压Vgs-th，使得第二NMOS管T2导通，进而使得交流源201与被测设备206之间为通路状态(即被测设备206此时为正常供电状态)；

当主控单元2041的控制信号输出端输出相应的控制信号，控制第一光耦OC1和第二光耦OC2导通时，第一光耦OC1的导通使得第一NMOS管T1的栅极与源极之间的电压小于其开启阀值电压Vgs-th，第二光耦OC2的导通使得第二NMOS管T2的栅极与源极之间的电压小于其开启阀值电压Vgs-th，进而使得第一NMOS管T1和第二NMOS管T2截止，进而使得交流源201与被测设备206之间为断路状态(即被测设备206此时为断电状态)。

另外，需要说明的是，所述第一隔离电路2042中的第六电阻R6以及所述第二隔离电路2043中的第七电阻R7是非必须的；并且，第一电容C1和第二电容C2若选用更大容量级的电容，则第八电阻R8和第九电阻R9的分压最大值可控制在第一NMOS管T1的典型最大开启阀值电压(12V)即可。

图3是本发明交流电源瞬断触发装置对待测设备交流电源瞬断触发测试的测试波形图。

一并参照图2和图3，图3中，301为被测设备206的供电波形图，302为交流源201的交流电的波形图，303为主控单元2041输出的控制信号的波形图。具体地，当主控单元2041输出的控制信号为高电平时，第一光耦OC1和第二光耦OC2导通，进而第一NMOS管T1和第二NMOS管T2截止，从而使得交流源201和被测设备206之间为断路状态，即主控单元2041输出的控制信号为高电平的时间内，被测设备206为掉电状态；当主控单元2041输出的控制信号为低电平时，第一光耦OC1和第二光耦OC2截止，进而第一NMOS管T1和第二NMOS管T2导通，从而使得交流源201和被测设备206之间为通路状态，即主控单元2041输出的控制信号为低电平的时间内，被测设备206为正常的供电状态。本实施例中，主控单元2041还可根据对被测设备206抗瞬断能力测试的具体需求对交流源201进行相位检测，进而实现对被测设备206所需通断电时间点的精准控制。

本实施例提供的交流电源瞬断触发装置的电路结构简单，成本低；并且，本实施例交流电源瞬断触发装置的操作简单，仅通过控制电路中的主控单元输出相应的控制信号即可实现对交流源和被测设备之间的通断路控制，从而本实施例交流电源瞬断触发装置能够使电子、电气设备(被测设备)的抗瞬断能力测试变得更加简单；同时，本实施例交流电源瞬断触发装置中切换开关(第一NMOS管和第二NMOS管)的开关速度迅速，能够满足电子、电气设备抗瞬断能力测试的测试需要；另外，本实施例交流电源瞬断触发装置还具有可靠性高及易实现的优点。

以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (9)

1.一种交流电源瞬断触发装置，其特征在于，包括交流源、分压电路、储能电路、控制电路及切换开关电路；其中，

所述交流源，用于为待测设备提供交流瞬断测试用的交流电；

所述分压电路，用于对所述交流源输出的交流电进行分压及整流，输出一直流电源，并将所述直流电源输出至所述控制电路，为所述控制电路提供工作电压；以及将所述直流电源输出至所述储能电路，对所述储能电路进行充电；

所述储能电路，用于产生所述切换开关电路所需的恒定栅压；

所述控制电路，用于输出一控制信号至所述切换开关电路的控制端，控制所述切换开关电路的开关动作；

所述切换开关电路，用于根据所述控制电路输出的控制信号，控制所述交流源与所述被测设备之间的通断状态。

2.如权利要求1所述的交流电源瞬断触发装置，其特征在于，所述交流源的中线与所述待测设备的中线连接；所述切换开关电路连接于所述交流源的相线与所述待测设备的相线之间，且所述切换开关电路还分别与所述控制电路的控制信号输出端及所述储能电路连接；所述分压电路的第一输入端与所述交流源的相线连接，所述分压电路的第二输入端与所述交流源的中线连接，所述分压电路的输出端分别与所述控制电路的电源输入端及所述储能电路连接。

3.如权利要求2所述的交流电源瞬断触发装置，其特征在于，所述切换开关电路包括第一NMOS管和第二NMOS管；其中，

所述第一NMOS管的源极与所述交流源的相线连接，所述第一NMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极连接；所述第二NMOS管的源极与所述待测设备的相线连接；所述第一NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极均与所述控制电路连接。

4.如权利要求3所述的交流电源瞬断触发装置，其特征在于，所述控制电路包括用于产生所述控制信号的主控单元、用于对所述主控单元及所述第一NMOS管进行隔离的第一隔离电路及用于对所述主控单元及所述第二NMOS管进行隔离的第二隔离电路；其中，

所述第一NMOS管的栅极经所述第一隔离电路与所述主控单元的控制信号输出端连接，所述第二NMOS管的栅极经所述第二隔离电路与所述主控单元的控制信号输出端连接。

5.如权利要求4所述的交流电源瞬断触发装置，其特征在于，所述第一隔离电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻及第一光耦；其中，

所述第一电阻的第一端与所述主控单元的控制信号输出端连接，所述第一电阻的第二端与所述第一光耦中发光二极管的阳极连接；所述第一光耦中发光二极管的阴极与所述主控单元的地端连接，所述第一光耦中三极管的集电极经所述第二电阻与所述第三电阻的第一端连接，所述第一光耦中三极管的发射极与所述第三电阻的第二端连接，且与所述第一NMOS管的源极连接。

6.如权利要求5所述的交流电源瞬断触发装置，其特征在于，所述第二隔离电路第四电阻、第五电阻及第二光耦；其中，

所述第二光耦中发光二极管的阳极与第一光耦中发光二极管的阳极连接连接，所述第二光耦中发光二极管的阴极与第一光耦中发光二极管的阴极连接连接，所述第二光耦中三极管的集电极经所述第四电阻与所述第五电阻的第一端连接，所述第二光耦中三极管的发射极与所述第五电阻的第二端连接，且与所述第二NMOS管的源极连接；所述第二NMOS管的源极还与所述待测设备的相线连接。

7.如权利要求6所述的交流电源瞬断触发装置，其特征在于，所述第一隔离电路还包括第六电阻，所述第六电阻的第一端与所述第三电阻的第一端连接，所述第六电阻的第二端与所述分压电路连接；所述第二隔离电路还包括第七电阻，所述第七电阻的第一端与所述第五电阻的第一端连接，所述第七电阻的第二端与所述分压电路连接。

8.如权利要求7所述的交流电源瞬断触发装置，其特征在于，所述分压电路包括第一分压电路和第二分压电路；其中，

所述第一分压电路包括第八电阻、第九电阻及第一二极管；所述第八电阻的第一端接地，且与所述交流源的中线连接，所述第八电阻的第二端与所述第一二极管的阳极连接；所述第一二极管的阴极与所述第六电阻的第二端连接；所述第九电阻的第一端与所述第八电阻的第二端连接，所述第九电阻的第二端与所述交流源的相线连接；

所述第二分压电路包括第十电阻、第十一电阻及第二二极管；所述第十电阻的第一端接地，所述第十电阻的第二端与所述第二二极管的阳极连接；所述第二二极管的阴极与所述第七电阻的第二端连接；所述第十一电阻的第一端与所述第十电阻的第二端连接，所述第十一电阻的第二端与所述第二NMOS管的源极连接。

9.如权利要求8所述的交流电源瞬断触发装置，其特征在于，所述储能电路包括第一电容和第二电容；其中，

所述第一电容的第一端与所述第一二极管的阴极连接，所述第一电容的第二端与所述第一光耦中三极管的发射极连接；所述第二电容的第一端与所述第二二极管的阴极连接，所述第二电容的第二端与所述第二光耦中三极管的发射极连接。