CN105441882A - 溅射工艺中的批量硅片衬底处理装置 - Google Patents
溅射工艺中的批量硅片衬底处理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105441882A CN105441882A CN201510806306.0A CN201510806306A CN105441882A CN 105441882 A CN105441882 A CN 105441882A CN 201510806306 A CN201510806306 A CN 201510806306A CN 105441882 A CN105441882 A CN 105441882A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- holding tray
- supporting frame
- filter screen
- sputtering technology
- blowpit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明公开了一种溅射工艺中的批量硅片衬底处理装置，其包括有用于放置硅片的放置盘；所述放置盘的底端面设置有多个加热孔，加热孔连通至设置在放置盘外部的加热管道，加热管道连接有加热源；所述放置盘之中设置有在水平方向上延伸的滤网，滤网的边部设置有支撑边框，支撑边框固定设置于放置盘的侧端面；所述放置盘之中，支撑边框的底端部设置有多个振动电机；采用上述技术方案的溅射工艺中的批量硅片衬底处理装置，滤网下方的振动电机可通过驱使滤网振动以使得滤网上的批量硅片得以均匀分布，避免批量硅片处理过程中需人工摆放均匀以导致的效率下降，同时可使得批量硅片在生产过程中的加热均度得以改善。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体加工设备，尤其是一种溅射工艺中的批量硅片衬底处理装置。
背景技术
半导体生产用硅片在溅射加工过程中，需对硅片衬底进行加热处理。现有的加热工艺往往采用背喷工艺，即将硅片放置于容器内部，通过容器底部的加热孔向硅片输送加热气体，以使得硅片衬底得以加热；然而，上述工艺进行处理时，如若涉及批量硅片的衬底加热，则需由人工对其摆放均匀，以避免硅片衬底无法与加热介质接触，从而致使生产效率降低。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种溅射工艺中的批量硅片衬底处理装置，其可对批量加工的硅片进行均匀的衬底加热处理。
为解决上述技术问题，本发明涉及一种溅射工艺中的批量硅片衬底处理装置，其包括有用于放置硅片的放置盘；所述放置盘的底端面设置有多个加热孔，加热孔连通至设置在放置盘外部的加热管道，加热管道连接有加热源；所述放置盘之中设置有在水平方向上延伸的滤网，滤网的边部设置有支撑边框，支撑边框固定设置于放置盘的侧端面；所述放置盘之中，支撑边框的底端部设置有多个振动电机，多个振动电机关于支撑边框的轴线成旋转对称。
作为本发明的一种改进，所述支撑边框的底端部设置有至少3个振动电机，其可从多个位置对滤网内的硅片进行均匀的振动，以使得硅片的分布更为均匀。
作为本发明的一种改进，每一个振动电机与放置盘的底端面之间均设置有防热隔板，防热隔板采用弧形结构，其朝向放置盘底端面进行弯曲，所述振动电机设置于防热隔板内部。采用上述设计，其可通过防热隔板对自加热孔输出的加热介质进行阻隔，以使得加热介质沿防热隔板的曲面结构朝向滤网内部进行延伸，以对硅片进行加热，从而避免了振动电机与加热介质相接触进而造成损坏。
作为本发明的一种改进，所述放置盘的侧端面设置有卸料槽，卸料槽在支撑边框与放置盘的上端部之间进行延伸；所述卸料槽两侧设置有滑槽，卸料槽之中设置有卸料挡板，其延伸至滑槽内部。采用上述设计，其可在硅片完成衬底加工后，通过卸料槽将进行批量加工的硅片倾倒而出，从而使得整体加工效率得以显著改善。
采用上述技术方案的溅射工艺中的批量硅片衬底处理装置，其可通过滤网的设置使得硅片与放置盘的底端面之间存在一定的间隔，从而使得加热介质可在滤网与放置盘底端部之间均匀分布，进而使得硅片衬底的处理效果得以改善；与此同时，滤网下方的振动电机可通过驱使滤网振动以使得滤网上的批量硅片得以均匀分布，避免批量硅片处理过程中需人工摆放均匀以导致的效率下降，同时可使得批量硅片在生产过程中的加热均度得以改善。
附图说明
图1为本发明示意图；
图2为本发明中卸料槽主视图；
附图标记列表：
1—放置盘、2—加热孔、3—加热管道、4—加热源、5—滤网、6—支撑边框、7—振动电机、8—防热隔板、9—卸料槽、10—卸料挡板。
具体实施方式
下面结合具体实施方式，进一步阐明本发明，应理解下述具体实施方式仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。
实施例1
如图1所示的一种溅射工艺中的批量硅片衬底处理装置，其包括有用于放置硅片的放置盘1；所述放置盘1的底端面设置有多个加热孔2，加热孔2连通至设置在放置盘1外部的加热管道3，加热管道3连接有加热源4；所述放置盘1之中设置有在水平方向上延伸的滤网5，滤网5的边部设置有支撑边框6，支撑边框6固定设置于放置盘1的侧端面；所述放置盘1之中，支撑边框6的底端部设置有多个振动电机7，多个振动电机7关于支撑边框6的轴线成旋转对称。
作为本发明的一种改进，所述支撑边框6的底端部设置有4个振动电机7，其可从多个位置对滤网内的硅片进行均匀的振动，以使得硅片的分布更为均匀。
作为本发明的一种改进，每一个振动电机7与放置盘1的底端面之间均设置有防热隔板8，防热隔板8采用弧形结构，其朝向放置盘1底端面进行弯曲，所述振动电机7设置于防热隔板8内部。采用上述设计，其可通过防热隔板对自加热孔输出的加热介质进行阻隔，以使得加热介质沿防热隔板的曲面结构朝向滤网内部进行延伸，以对硅片进行加热，从而避免了振动电机与加热介质相接触进而造成损坏。
采用上述技术方案的溅射工艺中的批量硅片衬底处理装置，其可通过滤网的设置使得硅片与放置盘的底端面之间存在一定的间隔，从而使得加热介质可在滤网与放置盘底端部之间均匀分布，进而使得硅片衬底的处理效果得以改善；与此同时，滤网下方的振动电机可通过驱使滤网振动以使得滤网上的批量硅片得以均匀分布，避免批量硅片处理过程中需人工摆放均匀以导致的效率下降，同时可使得批量硅片在生产过程中的加热均度得以改善。
实施例2
作为本发明的一种改进，如图2所示，所述放置盘1的侧端面设置有卸料槽9，卸料槽9在支撑边框6与放置盘1的上端部之间进行延伸；所述卸料槽9两侧设置有滑槽，卸料槽9之中设置有卸料挡板10，其延伸至滑槽内部。采用上述设计，其可在硅片完成衬底加工后，通过卸料槽将进行批量加工的硅片倾倒而出，从而使得整体加工效率得以显著改善。
本实施例其余特征与优点均与实施例1相同。
Claims (4)
1.一种溅射工艺中的批量硅片衬底处理装置，其包括有用于放置硅片的放置盘；其特征在于，所述放置盘的底端面设置有多个加热孔，加热孔连通至设置在放置盘外部的加热管道，加热管道连接有加热源；所述放置盘之中设置有在水平方向上延伸的滤网，滤网的边部设置有支撑边框，支撑边框固定设置于放置盘的侧端面；所述放置盘之中，支撑边框的底端部设置有多个振动电机，多个振动电机关于支撑边框的轴线成旋转对称。
2.按照权利要求1所述的溅射工艺中的批量硅片衬底处理装置，其特征在于，所述支撑边框的底端部设置有至少3个振动电机。
3.按照权利要求2所述的溅射工艺中的批量硅片衬底处理装置，其特征在于，每一个振动电机与放置盘的底端面之间均设置有防热隔板，防热隔板采用弧形结构，其朝向放置盘底端面进行弯曲，所述振动电机设置于防热隔板内部。
4.按照权利要求3所述的溅射工艺中的批量硅片衬底处理装置，其特征在于，所述放置盘的侧端面设置有卸料槽，卸料槽在支撑边框与放置盘的上端部之间进行延伸；所述卸料槽两侧设置有滑槽，卸料槽之中设置有卸料挡板，其延伸至滑槽内部。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510806306.0A CN105441882B (zh) | 2015-11-20 | 2015-11-20 | 溅射工艺中的批量硅片衬底处理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510806306.0A CN105441882B (zh) | 2015-11-20 | 2015-11-20 | 溅射工艺中的批量硅片衬底处理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105441882A true CN105441882A (zh) | 2016-03-30 |
| CN105441882B CN105441882B (zh) | 2018-04-24 |
Family
ID=55552505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510806306.0A Active CN105441882B (zh) | 2015-11-20 | 2015-11-20 | 溅射工艺中的批量硅片衬底处理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105441882B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108425094A (zh) * | 2018-04-14 | 2018-08-21 | 苏州赛森电子科技有限公司 | 溅射工艺中的批量硅片衬底处理装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60184677A (ja) * | 1984-03-01 | 1985-09-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜形成法及びそれに用いる基板保持・加熱装置 |
| US6964790B1 (en) * | 1999-07-14 | 2005-11-15 | Tokyo Electron Limited | Method for forming metallic tungsten film |
| CN1990903A (zh) * | 2005-12-31 | 2007-07-04 | 株式会社Ips | 用于沉积薄膜的加热器 |
| CN104681402A (zh) * | 2015-03-16 | 2015-06-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板加热装置和基板加热方法 |
| CN205188424U (zh) * | 2015-11-20 | 2016-04-27 | 苏州赛森电子科技有限公司 | 溅射工艺中的批量硅片衬底处理装置 |
-
2015
- 2015-11-20 CN CN201510806306.0A patent/CN105441882B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60184677A (ja) * | 1984-03-01 | 1985-09-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜形成法及びそれに用いる基板保持・加熱装置 |
| US6964790B1 (en) * | 1999-07-14 | 2005-11-15 | Tokyo Electron Limited | Method for forming metallic tungsten film |
| CN1990903A (zh) * | 2005-12-31 | 2007-07-04 | 株式会社Ips | 用于沉积薄膜的加热器 |
| CN104681402A (zh) * | 2015-03-16 | 2015-06-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板加热装置和基板加热方法 |
| CN205188424U (zh) * | 2015-11-20 | 2016-04-27 | 苏州赛森电子科技有限公司 | 溅射工艺中的批量硅片衬底处理装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108425094A (zh) * | 2018-04-14 | 2018-08-21 | 苏州赛森电子科技有限公司 | 溅射工艺中的批量硅片衬底处理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105441882B (zh) | 2018-04-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103730318B (zh) | 一种晶圆边缘保护环及减少晶圆边缘颗粒的方法 | |
| KR101317992B1 (ko) | 기판 적재대, 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템 | |
| TW200849380A (en) | Plasma processing apparatus | |
| CN105122430B (zh) | 用于等离子体蚀刻操作的基板支撑件 | |
| CN105990197A (zh) | 基板处理装置 | |
| TW201621977A (zh) | 改變氣體流動模式的裝置及晶圓處理方法和設備 | |
| TWI647785B (zh) | 恒定質量流多層次冷卻劑路徑之靜電式夾具 | |
| US20150323250A1 (en) | Substrate processing apparatus, deposit removing method of substrate processing apparatus and recording medium | |
| TW201903817A (zh) | 具均一性控制的電漿剝離器具 | |
| JP2016115924A (ja) | 基板液処理装置 | |
| CN108411362B (zh) | 腔室及外延生长设备 | |
| CN105441882A (zh) | 溅射工艺中的批量硅片衬底处理装置 | |
| CN205188424U (zh) | 溅射工艺中的批量硅片衬底处理装置 | |
| CN105161411B (zh) | 可实现定位加工的传感器单晶硅刻蚀装置 | |
| TW201531603A (zh) | 一種多腔室制絨系統 | |
| CN205188425U (zh) | 溅射工艺中的硅片加热装置 | |
| JP2013243413A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| CN105097621B (zh) | 一种基片承载装置及基片处理设备 | |
| CN205789890U (zh) | 烘烤设备 | |
| CN209571383U (zh) | 晶圆表面激活腔体 | |
| CN104979249A (zh) | 进出气装置、具有进出气装置之热处理机台及进出气方法 | |
| CN108425094A (zh) | 溅射工艺中的批量硅片衬底处理装置 | |
| CN107871681B (zh) | 一种去气腔室和半导体处理装置 | |
| US10186433B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
| CN105316642A (zh) | 溅射工艺中的硅片加热装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |