CN105372475A - 板级射频电流的时域测量、测量校准及校准验证方法 - Google Patents
板级射频电流的时域测量、测量校准及校准验证方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105372475A CN105372475A CN201510863764.8A CN201510863764A CN105372475A CN 105372475 A CN105372475 A CN 105372475A CN 201510863764 A CN201510863764 A CN 201510863764A CN 105372475 A CN105372475 A CN 105372475A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- microstrip line
- field probe
- magnet field
- frequency current
- level radio
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
- G01R19/0092—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof measuring current only
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
Abstract
本发明公开了一种板级射频电流的时域测量、测量校准及校准验证方法，所述板级射频电流的时域测量方法包括：首先根据预设条件调整磁场探头；当磁场探头满足预设条件时，采集示波器测量的数据；最后根据示波器测量的数据得到待测板级射频电流；上述磁场探头连接示波器的通道一，待测板级射频电流设置在微带线测试板的微带线处，示波器的内部阻抗与微带线特征阻抗匹配。本发明在测量之前进行校准、校准验证，提高后面电流测量结果的准确性，同时采用非接触的方式测试板级射频电流，不会干预被测系统，保证被测系统的正常运行，适合实际应用。
Description
技术领域
本发明涉及板级射频电流技术领域，特别是涉及一种板级射频电流的时域测量、测量校准及校准验证方法。
背景技术
所谓时域测量，就是测量变量随时间的变化数据。现有技术中板级射频电流时域测试需要直接接触被测点，这种直接接触会干预被测系统，例如修改系统或者停止系统。随着被测对象的日益复杂，直接接触测试电流带来越来越多的问题。
发明内容
基于上述情况，本发明提出了一种板级射频电流的时域测量、测量校准及校准验证方法，在测量之前进行校准、校准验证，并采用非接触的方式测试板级射频电流，适合实际应用。
为了实现上述目的，本发明技术方案的实施例为：
一种板级射频电流的时域测量校准方法，包括以下步骤：
根据预设条件调整磁场探头；
当所述磁场探头满足预设条件时，采集网络分析仪测量的数据；
根据所述网络分析仪测量的数据得到校准因子；
所述磁场探头的输出端连接所述网络分析仪的端口一，微带线测试板的微带线一端连接所述网络分析仪的端口二，所述微带线另一端连接负载，所述负载的阻值与所述微带线特征阻抗匹配。
一种板级射频电流的时域测量校准验证方法，包括以下步骤：
根据预设条件调整磁场探头；
当所述磁场探头满足预设条件时，采集示波器测量的数据；
根据所述示波器测量的数据验证校准因子的正确性；
所述磁场探头的输出端连接所述示波器的通道一，微带线测试板的微带线的一端连接所述示波器的通道二，所述微带线的另一端连接任意波形发生器的输出端，所述示波器的内部阻抗和所述任意波形发生器的内部阻抗与所述微带线特征阻抗匹配。
一种板级射频电流的时域测量方法，包括以下步骤：
根据预设条件调整磁场探头；
当所述磁场探头满足预设条件时，采集示波器测量的数据；
根据所述示波器测量的数据得到待测板级射频电流；
所述磁场探头的输出端连接所述示波器的通道一，待测板级射频电流设置在微带线测试板的微带线处，所述示波器的内部阻抗与所述微带线特征阻抗匹配。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：本发明板级射频电流的时域测量、测量校准及校准验证方法，在测量之前进行校准、校准验证，提高后面电流测量结果的准确性，同时采用非接触的方式测试板级射频电流，不会干预被测系统，保证被测系统的正常运行，适合实际应用。
附图说明
图1为一个实施例中板级射频电流的时域测量校准方法流程图；
图2为一个实施例中板级射频电流的时域测量校准验证方法流程图；
图3为一个实施例中板级射频电流的时域测量方法流程图；
图4为基于图1所示方法一个具体示例中板级射频电流的时域测量校准方法流程图；
图5为一个实施例中板级射频电流的时域测量校准装置结构示意图；
图6为一个实施例中网络分析仪输出的参数S21示意图；
图7为一个实施例中校准因子K(ω)示意图；
图8为基于图2所示方法一个具体示例中板级射频电流的时域测量校准验证方法流程图；
图9为一个实施例中板级射频电流的时域测量校准验证装置结构示意图；
图10为一个实施例中参数VP(t)示意图；
图11为基于图3所示方法一个具体示例中板级射频电流的时域测量方法流程图；
图12为一个实施例中板级射频电流的时域测量装置结构示意图；
图13为一个实施例中测量得到的待测板级射频电流I(t)示意图；
图14为一个实施例中实际待测板级射频电流I′(t)示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步的详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施方式仅仅用以解释本发明，并不限定本发明的保护范围。
一个实施例中板级射频电流的时域测量校准方法，如图1所示，包括以下步骤：
步骤S101：根据预设条件调整磁场探头；
步骤S102：当所述磁场探头满足预设条件时，采集网络分析仪测量的数据；
步骤S103：根据所述网络分析仪测量的数据得到校准因子；
所述磁场探头的输出端连接所述网络分析仪的端口一，微带线测试板的微带线一端连接所述网络分析仪的端口二，所述微带线另一端连接负载，所述负载的阻值与所述微带线特征阻抗匹配。
从以上描述可知，本发明板级射频电流的时域测量校准方法在测量前进行校准，保证后续测量结果的准确性。
其中，根据所述网络分析仪测量的数据得到校准因子的步骤包括：
根据公式K(ω)＝S12*Z0得到校准因子K(ω)，其中S12为所述网络分析仪上测量得到的传输系数，Z0为所述微带线特征阻抗，简单、准确，适合应用。
此外，在一个具体示例中，所述预设条件包括：将所述磁场探头的线圈平面与所述微带线平行且与所述微带线测试板垂直，所述磁场探头的线圈中心投影在所述微带线中心，所述磁场探头的线圈中心与所述微带线测试板的距离为1mm，误差控制在0.1mm，固定好磁场探头和被测微带线的位置，并记录和标记好磁场探头与被测微带线之间的相对位置，当磁场探头线圈中心投影在被测微带线的中心时，微带线中电流产生的磁场最强，最适合用于校准磁场探头。
一个实施例中板级射频电流的时域测量校准验证方法，如图2所示，包括以下步骤：
步骤S201：根据预设条件调整磁场探头；
步骤S202：当所述磁场探头满足预设条件时，采集示波器测量的数据；
步骤S203：根据所述示波器测量的数据验证校准因子的正确性；
所述磁场探头的输出端连接所述示波器的通道一，微带线测试板的微带线的一端连接所述示波器的通道二，所述微带线的另一端连接任意波形发生器的输出端，所述示波器的内部阻抗和所述任意波形发生器的内部阻抗与所述微带线特征阻抗匹配。
从以上描述可知，本发明板级射频电流的时域测量校准验证方法验证上述校准是否准确，使整个处理过程更加严密、精确。
其中，根据所述示波器测量的数据验证校准因子的正确性的步骤包括：
根据所述示波器测量的数据得到：FS(ω)＝FFT[VS(t)]，FSK(ω)＝FS(ω)K(ω)，VSK(t)＝IFFT[FSK(ω)]，其中VS(t)为所述示波器的通道二输出的数据，K(ω)为校准因子，FFT表示傅立叶变换，IFFT表示反傅立叶变换；
将得到的VSK(t)与VP(t)进行比较，根据比较结果验证所述校准因子K(ω)的正确性，其中VP(t)为所述示波器的通道一输出的数据；将VSK(t)与VP(t)进行对比，当两者一致时，验证校准因子K(ω)是正确的。
此外，在一个具体示例中，所述预设条件包括：将所述磁场探头的线圈平面与所述微带线平行且与所述微带线测试板垂直，所述磁场探头的线圈中心投影在所述微带线中心，所述磁场探头的线圈中心与所述微带线测试板的距离为1mm，误差控制在0.1mm，固定好磁场探头和被测微带线的位置，该位置与校准过程中一致，一致性越好，验证越准确。
一个实施例中板级射频电流的时域测量方法，如图3所示，包括以下步骤：
步骤S301：根据预设条件调整磁场探头；
步骤S302：当所述磁场探头满足预设条件时，采集示波器测量的数据；
步骤S303：根据所述示波器测量的数据得到待测板级射频电流；
所述磁场探头的输出端连接所述示波器的通道一，待测板级射频电流设置在微带线测试板的微带线处，所述示波器的内部阻抗与所述微带线特征阻抗匹配。
从以上描述可知，本发明板级射频电流的时域测量方法采用非接触的方式测试板级射频电流，不会干预被测系统，保证被测系统的正常运行。
其中，根据所述示波器测量的数据得到待测板级射频电流的步骤包括：
根据所述示波器测量的数据得到：FMe(ω)＝FFT[VMe(t)]，FMeK(ω)＝FMe(ω)·K(ω)，VMeK(t)＝IFFT[FMeK(ω)]，I(t)＝VMeK(t)/R，其中VMe(t)为所述示波器的通道一输出的数据，K(ω)为校准因子，I(t)为待测板级射频电流，R为所述示波器的内部阻抗，FFT表示傅立叶变换，IFFT表示反傅立叶变换，采用非接触的方式得到板级射频电流，满足实际应用需要。
此外，在一个具体示例中，所述预设条件包括：将所述磁场探头的线圈平面与所述微带线平行且与所述微带线测试板垂直，所述磁场探头的线圈中心投影在所述微带线中心，所述磁场探头的线圈中心与所述微带线测试板的距离为1mm，误差控制在0.1mm，固定好磁场探头和被测微带线的位置，该位置与校准验证过程中一致，一致性越好，测量越准确。
此外，在根据预设条件调整磁场探头之前，还包括步骤：
将所述磁场探头固定在夹具上，将所述夹具固定在支架上，将所述微带线测试板固定在样品台上，夹具固定在支架上后必须可以随意转动角度，整个探头垂直于样品台。
为了更好地理解上述方法，以下详细阐述一个本发明板级射频电流的时域测量、测量校准及校准验证方法的应用实例。
如图4所示，板级射频电流的时域测量校准方法可以包括以下步骤：
步骤S401：将磁场探头固定在夹具上，并把安装了磁场探头的夹具固定在支架上，夹具固定在支架上后可以随意转动角度，整个磁场探头垂直于样品台；
步骤S402：将微带线测试板固定在样品台上；
步骤S403：将磁场探头的线圈平面与微带线平行且与微带线测试板垂直，磁场探头的线圈中心投影在微带线中心，磁场探头的线圈中心与微带线测试板的距离为1mm，误差控制在0.1mm，固定好磁场探头和被测微带线的位置，并记录和标记好磁场探头与被测微带线之间的相对位置，当磁场探头线圈中心投影在被测微带线的中心时，微带线中电流产生的磁场最强，最适合用于校准磁场探头；
步骤S404：将网络分析仪的端口一和端口二分别与磁场探头的输出端以及被测微带线的一端连接，被测微带线的另一端与50Ω的负载连接，该负载的电阻与被测微带线特征阻抗匹配，接好后的装置图形如图5所示；
步骤S405：网络分析仪自校，设置网络分析仪的扫描频率范围、输出功率以及带宽，一个实施例中根据步骤S404装置图进行测量得到网络分析仪输出的参数S12如图6所示，保存数据；
步骤S406：根据公式K(ω)＝S12*Z0得到校准因子K(ω)，其中S12为网络分析仪上测量得到的传输系数，Z0为被测微带线特征阻抗50Ω，一个实施例中得到的校准因子K(ω)如图7所示。
如图8所示，板级射频电流的时域测量校准验证方法可以包括以下步骤：
步骤S801：将磁场探头固定在夹具上，并把安装了磁场探头的夹具固定在支架上，夹具固定在支架上后可以随意转动角度，整个磁场探头垂直于样品台；
步骤S802：将微带线测试板固定在样品台上；
步骤S803：将磁场探头的线圈平面与微带线平行且与微带线测试板垂直，磁场探头的线圈中心投影在微带线中心，磁场探头的线圈中心与微带线测试板的距离为1mm，误差控制在0.1mm，固定好磁场探头和被测微带线的位置，该位置与校准过程中一致，一致性越好，验证越准确；
步骤S804：将示波器的通道一和通道二分别与磁场探头输出端和被测微带线的一端连接，将被测微带线的另一端与任意波形发生器的输出端连接，示波器的内部阻抗和任意波形发生器的内部阻抗与微带线特征阻抗匹配，接好后的装置图形如图9所示；
步骤S805：设置示波器和任意波形发生器内部阻抗为50欧，并给被测微带线输入任意波形(比如方波、三角波或者锯齿波均可)；
步骤S806：观察示波器通道一和二的输出，记录并保存两个通道的输出数据，分别命名为VP(t)以及VS(t)；
步骤S807：根据示波器测量的数据得到：FS(ω)＝FFT[VS(t)]，FSK(ω)＝FS(ω)K(ω)，VSK(t)＝IFFT[FSK(ω)]，其中VS(t)为示波器的通道二输出的数据，K(ω)为校准因子，FFT表示傅立叶变换，IFFT表示反傅立叶变换；将得到的VSK(t)与VP(t)进行比较，根据比较结果验证校准因子K(ω)的正确性，其中VP(t)为示波器的通道一输出的数据；将VSK(t)与VP(t)进行对比，当两者一致时，验证校准因子K(ω)是正确的，一个实施例中测量得到的VP(t)如图10所示。
如图11所示，板级射频电流的时域测量方法可以包括以下步骤：
步骤S1101：将磁场探头固定在夹具上，并把安装了磁场探头的夹具固定在支架上，夹具固定在支架上后可以随意转动角度，整个磁场探头垂直于样品台；
步骤S1102：将微带线测试板固定在样品台上；
步骤S1103：将磁场探头的线圈平面与微带线平行且与微带线测试板垂直，磁场探头的线圈中心投影在微带线中心，磁场探头的线圈中心与微带线测试板的距离为1mm，误差控制在0.1mm，固定好磁场探头和被测微带线的位置，该位置与校准验证过程中一致，一致性越好，测量越准确；
步骤S1104：将示波器的通道一与磁场探头输出端连接，待测板级射频电流设置在微带线测试板的微带线处，示波器的内部阻抗与微带线特征阻抗匹配，接好后的装置图形如图12所示；
步骤S1105：观察示波器通道一输出，记录并保存输出数据，命名为VMe(t)；
步骤S1106：根据示波器测量的数据得到：FMe(ω)＝FFT[VMe(t)]，FMeK(ω)＝FMe(ω)·K(ω)，VMeK(t)＝IFFT[FMeK(ω)]，I(t)＝VMeK(t)/R，其中VMe(t)为示波器的通道一输出的数据，K(ω)为校准因子，I(t)为待测板级射频电流，R为示波器的内部阻抗，FFT表示傅立叶变换，IFFT表示反傅立叶变换，采用非接触的方式得到板级射频电流，满足实际应用需要，一个实施例中测量得到的待测板级射频电流I(t)如图13所示，实际待测板级射频电流I′(t)如图14所示。
上述电磁探头由PCB工艺制作，形成一个采样线圈在探测段，其原理是利用法拉第电磁感应定律来探测射频电流产生的磁场B，待测射频电流I在线圈内产生磁通量，该磁通量是交变的，从而在线圈内感应出电动势，探头上有SMA头射频连接器，所感应形成的电动势VM通过SMA头往信号采集设备进行传输，存在VM∝ωB，而B∝I，因此通过采集VM的信号可以推知电流I；
上述夹具用于固定探头，由于探头上需要连接同轴线缆，同轴线缆具有一定的刚性，需要有夹具来固定探头的位置；
上述支架用来固定夹具，从而固定探头的空间位置，这是由于整个探测过程中，探头的空间位置会影响被探测信号的采集；另外，探头的空间位置影响了校准因子的大小以及系统的频率响应，因此需要有支架来固定探头的空间位置，为了更好的控制，支架对探头进行固定的同时可以旋转；
上述样品台用于放置样品，样品台可以三维移动，改变待测电流轨线的位置。样品台水平，与电流探头相互垂直；
上述微带线作为校准件，用来确定探头的校准因子，通常微带线单独制作在一个测试板上，微带线的阻抗与信号采集设备形成阻抗匹配，保证信号在传输过程中没有受到反射，从而保证校准的准确性；
上述网络分析仪的作用是测量由磁场探头与微带线所组成的网络系统的传输特性，从而得到较准因子，该网络系统中，利用网络分析仪测量信号传输的幅值衰减情况以及相位变化情况，测量的模式是频率扫描，即通过更改输入端的信号的频率，并探测输出端的同一频率信号强度和相位变化；
上述任意波形发生器应用于验证部分，给被测PCB板微带线输入任意的波形；
上述示波器在系统验证部分作为信号的采集，示波器其中一个通道用于连接磁场探头所采集到的电压波形，通道的终端阻抗设为50欧；与此同时，示波器另一个通道同样设定终端阻抗为50欧，并连接微带线的负载端，监测负载端的电压，该电压除以电阻为微带线上的电流，可以得到电流波形，该波形用于验证校准因子的正确性。
一个实施例中板级射频电流的时域测量、测量校准及校准验证方法可以包括以下步骤：
将磁场探头固定在夹具上，并把安装了磁场探头的夹具固定在支架上，夹具固定在支架上后可以随意转动角度，整个磁场探头垂直于样品台；
将微带线测试板固定在样品台上；
将磁场探头的线圈平面与微带线平行且与微带线测试板垂直，磁场探头的线圈中心投影在微带线中心，磁场探头的线圈中心与微带线测试板的距离为1mm；
将网络分析仪的端口一和端口二分别与磁场探头的输出端以及被测微带线的一端连接，被测微带线的另一端与50Ω的负载连接，该负载的电阻与被测微带线阻抗匹配，接好后的装置图形如图5所示；
网络分析仪自校，设置网络分析仪的扫描频率范围、输出功率以及带宽；
根据公式K(ω)＝S12*Z0得到校准因子K(ω)，其中S12为网络分析仪上测量得到的传输系数，Z0为被测微带线特征阻抗50Ω；
得到校准因子K(ω)后，将示波器的通道一和通道二分别与磁场探头输出端和被测微带线的一端连接，将被测微带线的另一端与任意波形发生器的输出端连接，示波器的内部阻抗和任意波形发生器的内部阻抗与微带线特征阻抗匹配，接好后的装置图形如图9所示；
设置示波器和任意波形发生器内部阻抗为50欧，并给被测微带线输入任意波形(比如方波、三角波或者锯齿波均可)；
观察示波器通道一和二的输出，记录并保存两个通道的输出数据，分别命名为VP(t)以及VS(t)；
根据示波器测量的数据得到：FS(ω)＝FFT[VS(t)]，FSK(ω)＝FS(ω)K(ω)，VSK(t)＝IFFT[FSK(ω)]，其中VS(t)为示波器的通道二输出的数据，FFT表示傅立叶变换，IFFT表示反傅立叶变换；将得到的VSK(t)与VP(t)进行比较，当两者一致时，验证校准因子K(ω)是正确的，其中VP(t)为示波器的通道一输出的数据；
验证校准因子K(ω)正确后，将示波器的通道一与磁场探头输出端连接，待测板级射频电流设置在微带线测试板的微带线处，示波器的内部阻抗与微带线特征阻抗匹配，接好后的装置图形如图12所示；
观察示波器通道一输出，记录并保存输出数据，命名为VMe(t)；
根据示波器测量的数据得到：FMe(ω)＝FFT[VMe(t)]，FMeK(ω)＝FMe(ω)·K(ω)，VMeK(t)＝IFFT[FMeK(ω)]，I(t)＝VMeK(t)/R，其中VMe(t)为示波器的通道一输出的数据，I(t)为待测板级射频电流，R为示波器的内部阻抗；
本实施例在测量之前进行校准、校准验证，提高后面电流测量结果的准确性，同时采用非接触的方式测试板级射频电流，不会干预被测系统，保证被测系统的正常运行，满足实际应用需要。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种板级射频电流的时域测量校准方法，其特征在于，包括以下步骤：
根据预设条件调整磁场探头；
当所述磁场探头满足预设条件时，采集网络分析仪测量的数据；
根据所述网络分析仪测量的数据得到校准因子；
所述磁场探头的输出端连接所述网络分析仪的端口一，微带线测试板的微带线一端连接所述网络分析仪的端口二，所述微带线另一端连接负载，所述负载的阻值与所述微带线特征阻抗匹配。
2.根据权利要求1所述的板级射频电流的时域测量校准方法，其特征在于，根据所述网络分析仪测量的数据得到校准因子的步骤包括：
根据公式K(ω)＝S12*Z0得到校准因子K(ω)，其中S12为所述网络分析仪上测量得到的传输系数，Z0为所述微带线特征阻抗。
3.根据权利要求1或2所述的板级射频电流的时域测量校准方法，其特征在于，所述预设条件包括：将所述磁场探头的线圈平面与所述微带线平行且与所述微带线测试板垂直，所述磁场探头的线圈中心投影在所述微带线中心，所述磁场探头的线圈中心与所述微带线测试板的距离为1mm。
4.一种板级射频电流的时域测量校准验证方法，其特征在于，包括以下步骤：
根据预设条件调整磁场探头；
当所述磁场探头满足预设条件时，采集示波器测量的数据；
根据所述示波器测量的数据验证校准因子的正确性；
所述磁场探头的输出端连接所述示波器的通道一，微带线测试板的微带线的一端连接所述示波器的通道二，所述微带线的另一端连接任意波形发生器的输出端，所述示波器的内部阻抗和所述任意波形发生器的内部阻抗与所述微带线特征阻抗匹配。
5.根据权利要求4所述的板级射频电流的时域测量校准验证方法，其特征在于，根据所述示波器测量的数据验证校准因子的正确性的步骤包括：
根据所述示波器测量的数据得到：FS(ω)＝FFT[VS(t)]，FSK(ω)＝FS(ω)K(ω)，VSK(t)＝IFFT[FSK(ω)]，其中VS(t)为所述示波器的通道二输出的数据，K(ω)为校准因子，FFT表示傅立叶变换，IFFT表示反傅立叶变换；
将得到的VSK(t)与VP(t)进行比较，根据比较结果验证所述校准因子K(ω)的正确性，其中VP(t)为所述示波器的通道一输出的数据。
6.根据权利要求4或5所述的板级射频电流的时域测量校准验证方法，其特征在于，所述预设条件包括：将所述磁场探头的线圈平面与所述微带线平行且与所述微带线测试板垂直，所述磁场探头的线圈中心投影在所述微带线中心，所述磁场探头的线圈中心与所述微带线测试板的距离为1mm。
7.一种板级射频电流的时域测量方法，其特征在于，包括以下步骤：
根据预设条件调整磁场探头；
当所述磁场探头满足预设条件时，采集示波器测量的数据；
根据所述示波器测量的数据得到待测板级射频电流；
所述磁场探头的输出端连接所述示波器的通道一，待测板级射频电流设置在微带线测试板的微带线处，所述示波器的内部阻抗与所述微带线特征阻抗匹配。
8.根据权利要求7所述的板级射频电流的时域测量方法，其特征在于，根据所述示波器测量的数据得到待测板级射频电流的步骤包括：
根据所述示波器测量的数据得到：FMe(ω)＝FFT[VMe(t)]，FMeK(ω)＝FMe(ω)·K(ω)，VMeK(t)＝IFFT[FMeK(ω)]，I(t)＝VMeK(t)/R，其中VMe(t)为所述示波器的通道一输出的数据，K(ω)为校准因子，I(t)为待测板级射频电流，R为所述示波器的内部阻抗，FFT表示傅立叶变换，IFFT表示反傅立叶变换。
9.根据权利要求7或8所述的板级射频电流的时域测量方法，其特征在于，所述预设条件包括：将所述磁场探头的线圈平面与所述微带线平行且与所述微带线测试板垂直，所述磁场探头的线圈中心投影在所述微带线中心，所述磁场探头的线圈中心与所述微带线测试板的距离为1mm。
10.根据权利要求7所述的板级射频电流的时域测量方法，其特征在于，在根据预设条件调整磁场探头之前，还包括步骤：
将所述磁场探头固定在夹具上，将所述夹具固定在支架上，将所述微带线测试板固定在样品台上。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510863764.8A CN105372475A (zh) | 2015-11-30 | 2015-11-30 | 板级射频电流的时域测量、测量校准及校准验证方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510863764.8A CN105372475A (zh) | 2015-11-30 | 2015-11-30 | 板级射频电流的时域测量、测量校准及校准验证方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105372475A true CN105372475A (zh) | 2016-03-02 |
Family
ID=55374848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510863764.8A Pending CN105372475A (zh) | 2015-11-30 | 2015-11-30 | 板级射频电流的时域测量、测量校准及校准验证方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105372475A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106885935A (zh) * | 2017-04-19 | 2017-06-23 | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所 | 时域电压测量方法、测量校准方法及测量校准验证方法 |
| CN108169701A (zh) * | 2017-12-30 | 2018-06-15 | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所 | 射频功率时域测量方法及校准方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060088655A1 (en) * | 2004-10-23 | 2006-04-27 | Applied Materials, Inc. | RF measurement feedback control and diagnostics for a plasma immersion ion implantation reactor |
| CN203275629U (zh) * | 2013-04-16 | 2013-11-06 | 宿奉祥 | 工频磁场探头校准测试仪 |
| CN103983933A (zh) * | 2014-05-08 | 2014-08-13 | 工业和信息化部电子第五研究所 | 板级射频电流探头校准测量、频率标定方法及系统和装置 |
| CN104220894A (zh) * | 2012-03-28 | 2014-12-17 | 罗森伯格高频技术有限及两合公司 | 利用频域内的校准的时域测量方法 |
| CN105093148A (zh) * | 2014-05-20 | 2015-11-25 | 中国人民解放军63973部队 | 一种电磁脉冲磁场探头时域校准方法 |
-
2015
- 2015-11-30 CN CN201510863764.8A patent/CN105372475A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060088655A1 (en) * | 2004-10-23 | 2006-04-27 | Applied Materials, Inc. | RF measurement feedback control and diagnostics for a plasma immersion ion implantation reactor |
| CN104220894A (zh) * | 2012-03-28 | 2014-12-17 | 罗森伯格高频技术有限及两合公司 | 利用频域内的校准的时域测量方法 |
| CN203275629U (zh) * | 2013-04-16 | 2013-11-06 | 宿奉祥 | 工频磁场探头校准测试仪 |
| CN103983933A (zh) * | 2014-05-08 | 2014-08-13 | 工业和信息化部电子第五研究所 | 板级射频电流探头校准测量、频率标定方法及系统和装置 |
| CN105093148A (zh) * | 2014-05-20 | 2015-11-25 | 中国人民解放军63973部队 | 一种电磁脉冲磁场探头时域校准方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 李凡: "基于磁场探头的板级射频电流检测技术研究", 《万方学位论文数据库》 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106885935A (zh) * | 2017-04-19 | 2017-06-23 | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所 | 时域电压测量方法、测量校准方法及测量校准验证方法 |
| CN108169701A (zh) * | 2017-12-30 | 2018-06-15 | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所 | 射频功率时域测量方法及校准方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9244145B2 (en) | System and method for measuring near field information of device under test | |
| CN107831404B (zh) | 基于高频脉冲电流法定位xlpe电缆局放位置的方法及系统 | |
| Papazyan et al. | Calibration for time domain propagation constant measurements on power cables | |
| CN101782637B (zh) | 基于电磁兼容分析与应用的射频电流探头特性校准方法 | |
| US20050035768A1 (en) | Method and electromagnetic sensor for measuring partial discharges in windings of electrical devices | |
| CN106771897B (zh) | 一种gis特高频局部放电信号衰减测试系统及方法 | |
| US10067165B2 (en) | Isolated differential voltage probe for EMI noise source | |
| CN108169701B (zh) | 射频功率时域测量方法及校准方法 | |
| CN105425014A (zh) | 板级射频电流的时域测量、测量校准及校准验证系统 | |
| CN109884407B (zh) | 电磁屏蔽效能测量系统及测量方法 | |
| Siegel et al. | Characterization of UHF PD sensors for power transformers using an oil-filled GTEM cell | |
| CN106990277A (zh) | 时域电压测量装置、测量校准装置及测量校准验证装置 | |
| Zietz et al. | A general calibration procedure for measuring RF voltages and currents applied to the EMC analysis of automotive high-voltage power networks | |
| CN105372475A (zh) | 板级射频电流的时域测量、测量校准及校准验证方法 | |
| CN206584033U (zh) | 大电流注入测试系统核查装置 | |
| Jia et al. | An alternative method for measurement of radiated emissions according to CISPR 25 | |
| Tozzi | Partial discharge in power distribution electrical systems: Pulse propagation models and detection optimization | |
| EP1418437A1 (en) | Method and electromagnetic sensor for measuring partial discharges in windings of electrical devices | |
| CN103439580A (zh) | 大尺度电气设备阻抗宽频特性的时域测量方法 | |
| Oppermann et al. | Proof-of-concept of a method for Contactless Vector Network Analysis Using impedance probes | |
| US11362743B1 (en) | Systems and methods for TDR using standing waves and an injected test signal | |
| Hoek et al. | Application of the UHF technology to detect and locate partial discharges in liquid immersed transformer | |
| CN115128404A (zh) | 一种非接触式电缆故障定位方法 | |
| JP2003232829A (ja) | 巻線機器の部分放電検出装置 | |
| Harm et al. | Calibration of loop antennas using a contactless vector network analysis method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 511300 No.78, west of Zhucun Avenue, Zhucun street, Zengcheng District, Guangzhou City, Guangdong Province Applicant after: Fifth Electronics Research Institute of Ministry of Industry and Information Technology Address before: 510610 No. 110 Zhuang Road, Tianhe District, Guangdong, Guangzhou, Dongguan Applicant before: Fifth Electronics Research Institute of Ministry of Industry and Information Technology |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20160302 |