CN105337011A - 一种耦合结构 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种耦合结构，包括：本体，包括第一面以及与所述第一面相对的第二面，所述第一面与所述第二面间至少上开凿有第一谐振腔与第二谐振腔，所述第一谐振腔与所述第二谐振腔的开口均位于所述第一面上，所述第一谐振腔与所述第二谐振腔间以隔离壁隔开，所述第一谐振腔内设置有第一谐振器，所述第二谐振腔内设置有第二谐振器；交叉耦合器，至少包括一交叉耦合谐振腔，设置在所述隔离壁上，所述交叉耦合谐振腔内设置有第三谐振器；其中，所述第一谐振腔与所述第二谐振腔内的信号通过所述交叉耦合器耦合。本发明提供的上述耦合结构，解决现有技术中交叉耦合结构的耦合结构存在设计复杂，使用时调试工作繁琐的技术问题。

Description

一种耦合结构

技术领域

本发明涉及电子技术领域，特别涉及一种耦合结构。

背景技术

由于电子信息的迅猛发展，这使得频谱资源日益匮乏，微波耦合结构作为一种选频器件，其作用是将不同的频率进行分开或者重新组合，为了能够更加有效地利用有限的频谱资源，提高通信系统的抗干扰能力，就需要提高微波耦合结构的选频能力。理想的选频特性是：让需要的频率完全通过，让不需要的频率完全抑制。实际设计中只能用不同的函数去逼近理想的情况，其中“广义切比雪夫函数”是一种较为优越的函数类型，可以通过引入传输零点使得耦合结构的选频特性得到很大程度的提升。实现“广义切比雪夫函数”的一种常用方法是在传统的耦合结构中引入交叉耦合，通过调整交叉耦合的相关参数可以使得传输零点位于不同的频率位置。交叉耦合的引入可以在满足相同选频特性的情况下，减少耦合结构的阶数，使得耦合结构的体积和插损都减小。交叉耦合结构的这些优越性使其成为微波耦合结构设计中广泛采用的一种结构。

交叉耦合是一种弱耦合，采用不同的耦合方式可以使得传输零点的位置处于耦合结构通带的高端、低端或者通带两端。如在腔体交叉耦合结构的设计中，如图1所示，电容加载型谐振腔A和B，通过一根探针耦合在一起，探针通过一个介质块固定在腔壁上端，探针可以是直线型或者向下弯曲成U型，通过调整探针的长度或者向下弯曲的深度，可以调整A腔和B腔之间的耦合强度。A腔和B腔都可以通过调谐螺钉进行谐振频率的调谐。这种耦合结构在加工时，需要单独加工介质块；装配时，需要将介质块用胶水固定在腔体上，同时还需要制作探针，并将探针固定在介质块上；调试时，要打开盖板才能调整探针的长度和弯曲的深度，而且手工调整探针的参数，比较粗略，精度无法保证；探针剪短后，如果需要再加长，只能重新换一根探针；探针位于电场强度比较大的区域，因而每一次调整探针参数，都会对谐振腔的谐振频率产生较大的影响，这样使得在调试时，需要反复地打开盖板，调整探针耦合，然后再盖上盖板调整频率，调试工作显得极为繁琐，并且无法保证传输零点刚好位于所需的频率位置。所以，现有技术中交叉耦合结构的耦合结构存在设计复杂，使用时调试工作繁琐的技术问题。

发明内容

本发明实施例提供一种耦合结构，用于解决现有技术中交叉耦合结构的耦合结构存在设计复杂，使用时调试工作繁琐的技术问题。

本发明实施例供了一种耦合结构，包括：

本体，包括第一面以及与所述第一面相对的第二面，所述第一面与所述第二面间至少上开凿有第一谐振腔与第二谐振腔，所述第一谐振腔与所述第二谐振腔的开口均位于所述第一面上，所述第一谐振腔与所述第二谐振腔间以隔离壁隔开，所述第一谐振腔内设置有第一谐振器，所述第二谐振腔内设置有第二谐振器；

交叉耦合器，至少包括一交叉耦合谐振腔，设置在所述隔离壁上，所述交叉耦合谐振腔内设置有第三谐振器；

其中，所述第一谐振腔与所述第二谐振腔内的信号通过所述交叉耦合器耦合。

可选的，所述耦合结构还包括：

第一盖板，所述第一盖板可开合地设置于所述第一面上，用于封盖所述第一谐振腔与所述第二谐振腔；

第二盖板，所述第二盖板可开合地设置于所述交叉耦合谐振腔开口的顶端，用于封盖所述交叉耦合谐振腔。

可选的，在所述第一盖板上至少设置有与所述第一谐振腔对应的第一螺孔以及与所述第二谐振腔对应的第二螺孔，所述第一螺孔内配置有第一调谐螺钉，所述第二螺孔内配置有第二调谐螺钉；通过调节所述第一调谐螺钉伸入所述第一谐振腔的长度，可调节所述第一谐振腔内信号的谐振频率，通过调节所述第二调谐螺钉伸入所述第二谐振腔的长度，可调节所述第二谐振腔内信号的谐振频率。

可选的，在所述第二盖板上设置有与所述交叉耦合谐振腔对应的第三螺孔，所述第三螺孔内配置有第三调谐螺钉；通过调节所述第三调谐螺钉伸入所述交叉耦合谐振腔的长度，可调节所述交叉耦合谐振腔内信号的谐振频率。

可选的，所述第三调谐螺钉具有两端，位于所述交叉耦合谐振腔内的一端上设置有一圆盘结构的耦合盘。

可选的，所述耦合盘具体为铁盘、银盘或铜盘中任意一种。

可选的，所述隔离壁为金属材质的隔离壁，所述第一谐振腔与所述交叉耦合谐振腔间的隔离壁的最小厚度小于第一阈值，所述第二谐振腔与所述交叉耦合谐振腔间的隔离壁的最小厚度小于第二阈值。

可选的，所述第一谐振腔、所述第二谐振腔以及所述交叉耦合谐振腔为同轴谐振腔结构、介质谐振腔结构、微带谐振腔结构与波导谐振腔结构中任意一种结构。

可选的，所述交叉耦合谐振腔的容积小于所述第一谐振腔的容积，且所述交叉耦合谐振腔的容积小于所述第二谐振腔的容积。

可选的，所述第一谐振器、所述第二谐振器与所述第三谐振器为石英晶体谐振器或陶瓷谐振器。

本申请实施例中的上述一个或多个技术方案，至少具有如下一种或多种技术效果：

由于在本申请实施例中的耦合结构包括：本体，包括第一面以及与所述第一面相对的第二面，所述第一面与所述第二面间至少上开凿有第一谐振腔与第二谐振腔，所述第一谐振腔与所述第二谐振腔的开口均位于所述第一面上，所述第一谐振腔与所述第二谐振腔间以隔离壁隔开，所述第一谐振腔内设置有第一谐振器，所述第二谐振腔内设置有第二谐振器；交叉耦合器，至少包括一交叉耦合谐振腔，设置在所述隔离壁上，所述交叉耦合谐振腔内设置有第三谐振器；其中，所述第一谐振腔与所述第二谐振腔内的信号通过所述交叉耦合器耦合。这样，通过设计一种腔体结构的交叉耦合结构，利用交叉耦合腔来实现信号的耦合，结构简单，便于一体化加工。仅需要调节交叉耦合器的调谐单元即可对调谐精度很好的控制。所以，能有效地解决现有技术中交叉耦合结构的耦合结构存在设计复杂，使用时调试工作繁琐的技术问题。实现了结构简单，调试方便，滤波效果好的技术效果。

由于在本申请实施例中的耦合结构，在所述第一盖板上至少设置有与所述第一谐振腔对应的第一螺孔以及与所述第二谐振腔对应的第二螺孔，所述第一螺孔内配置有第一调谐螺钉，所述第二螺孔内配置有第二调谐螺钉；通过调节所述第一调谐螺钉伸入所述第一谐振腔的长度，可调节所述第一谐振腔内信号的谐振频率，通过调节所述第二调谐螺钉伸入所述第二谐振腔的长度，可调节所述第二谐振腔内信号的谐振频率。在所述第二盖板上设置有与所述交叉耦合谐振腔对应的第三螺孔，所述第三螺孔内配置有第三调谐螺钉；通过调节所述第三调谐螺钉伸入所述交叉耦合谐振腔的长度，可调节所述交叉耦合谐振腔内信号的谐振频率。这样，谐振型交叉耦合结构可以通过调谐螺钉进行耦合类型和耦合强度的调谐，避免了反复打开盖板进行调试的繁琐工作，提高了耦合结构的可调性，通过调谐螺钉进行参数调谐，具有连续可调性和反复性，可以很方便地控制传输零点的位置，使得耦合结构的选频特性更加逼近设计需求。

由于在本申请实施例中的耦合结构，交叉耦合器，至少包括一交叉耦合谐振腔，设置在所述隔离壁上，所述交叉耦合谐振腔内设置有第三谐振器的技术手段。即：在同一个交叉耦合位置，可以引入两个或者两个以上的交叉耦合谐振腔，以增加传输零点的个数，提高耦合结构的选频特性，这可以进一步减少耦合结构的阶数，缩小耦合结构的体积，降低耦合结构的插损。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术方案中的技术方案，下面对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例。

图1为本申请背景技术中现有的耦合结构的结构示意图；

图2为本申请实施例中耦合结构的结构示意图；

图3为本申请实施例提供的在隔离壁上开凿两个交叉耦合谐振腔时的示意图。

具体实施方式

本发明实施例提供一种耦合结构，用于现有技术中交叉耦合结构的耦合结构存在设计复杂，使用时调试工作繁琐的技术问题。

为解决上述的技术问题，本发明实施例提供一种耦合结构，总体思路如下：

一种耦合结构，包括：

本体，包括第一面以及与所述第一面相对的第二面，所述第一面与所述第二面间至少上开凿有第一谐振腔与第二谐振腔，所述第一谐振腔与所述第二谐振腔的开口均位于所述第一面上，所述第一谐振腔与所述第二谐振腔间以隔离壁隔开，所述第一谐振腔内设置有第一谐振器，所述第二谐振腔内设置有第二谐振器；

交叉耦合器，至少包括一交叉耦合谐振腔，设置在所述隔离壁上，所述交叉耦合谐振腔内设置有第三谐振器；

其中，所述第一谐振腔与所述第二谐振腔内的信号通过所述交叉耦合器耦合。

由于在本申请实施例中的耦合结构包括：本体，包括第一面以及与所述第一面相对的第二面，所述第一面与所述第二面间至少上开凿有第一谐振腔与第二谐振腔，所述第一谐振腔与所述第二谐振腔的开口均位于所述第一面上，所述第一谐振腔与所述第二谐振腔间以隔离壁隔开，所述第一谐振腔内设置有第一谐振器，所述第二谐振腔内设置有第二谐振器；交叉耦合器，至少包括一交叉耦合谐振腔，设置在所述隔离壁上，所述交叉耦合谐振腔内设置有第三谐振器；其中，所述第一谐振腔与所述第二谐振腔内的信号通过所述交叉耦合器耦合。这样，通过设计一种腔体结构的交叉耦合结构，利用交叉耦合腔来实现信号的耦合，结构简单，便于一体化加工。仅需要调节交叉耦合器的调谐单元即可对调谐精度很好的控制。所以，能有效地解决现有技术中交叉耦合结构的耦合结构存在设计复杂，使用时调试工作繁琐的技术问题。实现了结构简单，调试方便，滤波效果好的技术效果。

下面结合附图对本申请实施例技术方案的主要实现原理、具体实施方式及其对应能够达到的有益效果进行详细的阐述。

实施例

在具体实施过程中，该耦合结构可设计在终端类设备、通信设备等电子设备中，作为此类电子设备中的一个模块，也可独立设计为一种耦合结构，在此，本申请不作限制。

请参考图2，本发明实施例提供一种耦合结构，包括：

本体，包括第一面以及与所述第一面相对的第二面，所述第一面与所述第二面间至少上开凿有第一谐振腔10与第二谐振腔20，所述第一谐振腔10与所述第二谐振腔20的开口均位于所述第一面上，所述第一谐振腔与所述第二谐振腔间以隔离壁隔30开，所述第一谐振腔内设置有第一谐振器11，所述第二谐振腔内设置有第二谐振器21；

交叉耦合器，至少包括一交叉耦合谐振腔40，设置在所述隔离壁30上，所述交叉耦合谐振腔40内设置有第三谐振器41；

其中，所述第一谐振腔10与所述第二谐振腔20内的信号通过所述交叉耦合器耦合；

所述耦合结构还包括：第一盖板50，所述第一盖板50可开合地设置于所述第一面上，用于封盖所述第一谐振腔10与所述第二谐振腔20；

第二盖板60，所述第二盖板60可开合地设置于所述交叉耦合谐振腔40开口的顶端，用于封盖所述交叉耦合谐振腔40；

在所述第一盖板50上至少设置有与所述第一谐振腔10对应的第一螺孔以及与所述第二谐振腔20对应的第二螺孔，所述第一螺孔内配置有第一调谐螺钉12，所述第二螺孔内配置有第二调谐螺钉22；通过调节所述第一调谐螺钉12伸入所述第一谐振腔10的长度，可调节所述第一谐振腔10内信号的谐振频率，通过调节所述第二调谐螺钉22伸入所述第二谐振腔20的长度，可调节所述第二谐振腔内信号的谐振频率；

在所述第二盖板60上设置有与所述交叉耦合谐振腔40对应的第三螺孔，所述第三螺孔内配置有第三调谐螺钉42；通过调节所述第三调谐螺钉42伸入所述交叉耦合谐振腔40的长度，可调节所述交叉耦合谐振腔40内信号的谐振频率。所述第三调谐螺钉42具有两端，位于所述交叉耦合谐振腔40内的一端上设置有一圆盘结构的耦合盘；所述耦合盘具体为铁盘、银盘或铜盘中任意一种。

所述交叉耦合谐振腔40的容积小于所述第一谐振腔10的容积，且所述交叉耦合谐振腔40的容积小于所述第二谐振腔20的容积。

所述隔离壁30为金属材质的隔离壁，所述第一谐振腔10与所述交叉耦合谐振腔40间的隔离壁的最小厚度小于第一阈值，所述第二谐振腔20与所述交叉耦合谐振腔40间的隔离壁的最小厚度小于第二阈值。

所述第一谐振腔10、所述第二谐振腔20以及所述交叉耦合谐振腔40为同轴谐振腔结构、介质谐振腔结构、微带谐振腔结构与波导谐振腔结构中任意一种结构。

所述第一谐振器11、所述第二谐振器21与所述第三谐振器41为石英晶体谐振器或陶瓷谐振器。

具体的，在本实施例中，耦合结构设计为腔体结构，耦合结构由一铜质、铁质或其他材质本体上开凿多个谐振腔，谐振腔间以隔离壁隔离，该隔离壁可为与本体相同的金属材料制成，比如：铁、铜、银等材质。为了使得谐振腔间的信号能够耦合，隔离壁上还开凿有交叉耦合谐振腔，并且隔离壁在开凿交叉耦合谐振腔时，交叉耦合谐振腔与相邻的谐振腔间的间隔需要足够薄，这样才能有效地进行信号耦合与传输。比如：第一谐振腔10与交叉耦合谐振腔40的隔离壁30间的最小厚度应小于1厘米、2厘米等。同理，第二谐振腔20与交叉耦合谐振腔40的隔离壁30间的最小厚度应小于1厘米、2厘米等。

交叉耦合谐振腔40的容积小于第一谐振腔10的容积，且交叉耦合谐振腔40的容积小于所述第二谐振腔20的容积。交叉耦合谐振腔40的大小可根据实际的隔离壁的厚度以及深度具体设置，在此，本申请不做限制。并且，第一谐振腔10、第二谐振腔20、交叉耦合谐振腔40可设计为同轴谐振腔结构、介质谐振腔结构、微带谐振腔结构与波导谐振腔结构中任意一种结构，当然也可以是其他结构，在具体实施过程中，可根据实际需要进行设定，在此，本申请不做限制。第一谐振器11、第二谐振器21与第三谐振器41可为石英晶体谐振器或陶瓷谐振器，在具体实施过程中，可根据实际需要进行设定，在此，本申请不做限制。同时，在具体实施工程中，谐振腔与交叉耦合谐振腔可以以一体成型的方式制成，当然，还可以采用拼接等其他方式制成，在此，本申请不做限制。

谐振腔上还需设置盖板用于封盖谐振腔，同时，交叉耦合谐振腔同样也需要设置盖板进行封盖。在耦合结构的谐振腔与交叉耦合腔对应的开口位于同一平面时，可仅设计一块盖板，用于封盖谐振腔与交叉耦合腔，当然，也可设置谐振腔与交叉耦合腔各自对应的盖板，在具体实施过程中可根据实际需要进行设定，在此，本申请不做限定。

在耦合结构的谐振腔对应的盖板上设置有螺孔，内置有调谐螺钉。如图2所示，在第一盖板50上至少设置有与所述第一谐振腔10对应的第一螺孔以及与第二谐振腔20对应的第二螺孔，第一螺孔内配置有第一调谐螺钉12，第二螺孔内配置有第二调谐螺钉22，通过调节第一调谐螺钉12伸入第一谐振腔10的长度，可调节所述第一谐振腔10内信号的谐振频率，通过调节第二调谐螺钉22伸入第二谐振腔20的长度，可调节所述第二谐振腔内信号的谐振频率。第一调谐螺钉12与第二调谐螺钉22主要作用是调整谐振腔的固有频率，因为存在设计仿真误差和加工误差，所以需要进行适当的调试，螺钉调试是一种比较方便的方式，它深入腔体内的多少可以通过螺纹很好的控制。同理，在所述第二盖板60上设置有与所述交叉耦合谐振腔40对应的第三螺孔，第三螺孔内配置有第三调谐螺钉42；通过调节第三调谐螺钉42伸入交叉耦合谐振腔40的长度，可调节交叉耦合谐振腔40内信号的谐振频率。因为调谐螺钉深入的多少，可以用螺丝刀进行调整，这种调整是可以做到任意长度，并可以通过螺丝帽进行锁紧。而之前的探针结构，只能通过调整探针的长度进行调整，必须将腔体的盖板打开，用剪子剪短，剪短的量只能人为控制，不能做到精确控制，而且剪断后如果发现减得太短，却无法进行加长，只能换一根新的探针，关键是每次必须要打开盖板，调整一次探针的长度，然后再盖上盖板，用螺丝固定盖板后，在进行测试，并不是一两次就可以调整好，几乎要反反复复成千上万次的调整，工作量特别地大。而本实施例中，设计的调谐螺钉可以很方便地对频率进行调谐，只需要用螺丝刀进行调整，精度可以很好控制。

在本实施例中，根据电路理论分析可知：串联型谐振腔谐振时，呈现出的是纯电阻特性，对于理想的谐振腔，则呈开路或短路状态；当信号频率低于谐振腔的谐振频率时，谐振腔呈容性；当信号频率高于谐振腔的谐振频率时，谐振腔呈感性。电容是储存电能的器件，电感是储存磁能的器件，因而，当用交叉耦合谐振腔40作为交叉耦合结构时，调整交叉耦合谐振腔40的谐振频率，就可以实现不同的耦合类型和不同的耦合强度。一般规律是：交叉耦合谐振腔40的谐振频率低于耦合结构的通带低端频率f1时，是一种电交叉耦合，而且交叉耦合谐振腔40的谐振频率越接近f1耦合越强，传输零点越靠近耦合结构通带；交叉耦合谐振腔40的谐振频率高于耦合结构的通带高端频率f2时，是一种磁交叉耦合，而且交叉耦合谐振腔40的谐振频率越接近f2耦合越强，传输零点越靠近耦合结构通带；交叉耦合谐振腔40可以通过第三调谐螺钉42进行调谐，第三调谐螺钉42位于第二盖板60上，不需要打开第二盖板60就可以很方便地进行调试，而且第三调谐螺钉42的调试具有连续可调性和反复性，在很大程度上简化并优化了调试工作。

在本实施例中，第一调谐螺钉12、第二调谐螺钉22、第三调谐螺钉42可由铜、铁、银等金属类的材质制成，并且，为了提高调谐的灵敏度，调谐螺钉伸入腔体内的一端可设置为圆盘结构的耦合盘，该耦合盘作用属于电容加载，主要是通过增加伸入的面积提高电容量，面积越大，电容量也就越大，在实际过程中，耦合盘面积的大小可根据实际情况来定，在此，本申请不做限制。

在本实施例中，在同一个交叉耦合位置，可以引入两个或者两个以上的交叉耦合谐振腔，如图3所示，为本实施例提供的在隔离壁上开凿两个交叉耦合谐振腔时的示意图。由于开设了两个交叉耦合谐振腔，可以让两个交叉耦合谐振腔的谐振频率分别位于耦合结构通带的高端、低端、或者高低两端，以增加耦合结构的传输零点，提高耦合结构的选频特性，这可以进一步减少耦合结构的阶数，缩小耦合结构的体积，降低耦合结构的插损。

通过本申请实施例中的一个或多个技术方案，可以实现如下一个或多个技术效果：

由于在本申请实施例中的耦合结构包括：本体，包括第一面以及与所述第一面相对的第二面，所述第一面与所述第二面间至少上开凿有第一谐振腔与第二谐振腔，所述第一谐振腔与所述第二谐振腔的开口均位于所述第一面上，所述第一谐振腔与所述第二谐振腔间以隔离壁隔开，所述第一谐振腔内设置有第一谐振器，所述第二谐振腔内设置有第二谐振器；交叉耦合器，至少包括一交叉耦合谐振腔，设置在所述隔离壁上，所述交叉耦合谐振腔内设置有第三谐振器；其中，所述第一谐振腔与所述第二谐振腔内的信号通过所述交叉耦合器耦合。这样，通过设计一种腔体结构的交叉耦合结构，利用交叉耦合腔来实现信号的耦合，结构简单，便于一体化加工。仅需要调节交叉耦合器的调谐单元即可对调谐精度很好的控制。所以，能有效地解决现有技术中交叉耦合结构的耦合结构存在设计复杂，使用时调试工作繁琐的技术问题。实现了结构简单，调试方便，滤波效果好的技术效果。

由于在本申请实施例中的耦合结构，在所述第一盖板上至少设置有与所述第一谐振腔对应的第一螺孔以及与所述第二谐振腔对应的第二螺孔，所述第一螺孔内配置有第一调谐螺钉，所述第二螺孔内配置有第二调谐螺钉；通过调节所述第一调谐螺钉伸入所述第一谐振腔的长度，可调节所述第一谐振腔内信号的谐振频率，通过调节所述第二调谐螺钉伸入所述第二谐振腔的长度，可调节所述第二谐振腔内信号的谐振频率。在所述第二盖板上设置有与所述交叉耦合谐振腔对应的第三螺孔，所述第三螺孔内配置有第三调谐螺钉；通过调节所述第三调谐螺钉伸入所述交叉耦合谐振腔的长度，可调节所述交叉耦合谐振腔内信号的谐振频率。这样，谐振型交叉耦合结构可以通过调谐螺钉进行耦合类型和耦合强度的调谐，避免了反复打开盖板进行调试的繁琐工作，提高了耦合结构的可调性，通过调谐螺钉进行参数调谐，具有连续可调性和反复性，可以很方便地控制传输零点的位置，使得耦合结构的选频特性更加逼近设计需求。当然，在具体实施过程中，调谐结构还可以采用其它结构，如：调谐片、调谐杆等，在此，本申请不做限制。

由于在本申请实施例中的耦合结构，交叉耦合器，至少包括一交叉耦合谐振腔，设置在所述隔离壁上，所述交叉耦合谐振腔内设置有第三谐振器的技术手段。即：在同一个交叉耦合位置，可以引入两个或者两个以上的交叉耦合谐振腔，以增加传输零点的个数，提高耦合结构的选频特性，这可以进一步减少耦合结构的阶数，缩小耦合结构的体积，降低耦合结构的插损。

尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种耦合结构，包括：

本体，包括第一面以及与所述第一面相对的第二面，所述第一面与所述第二面间至少上开凿有第一谐振腔与第二谐振腔，所述第一谐振腔与所述第二谐振腔的开口均位于所述第一面上，所述第一谐振腔与所述第二谐振腔间以隔离壁隔开，所述第一谐振腔内设置有第一谐振器，所述第二谐振腔内设置有第二谐振器；

交叉耦合器，至少包括一交叉耦合谐振腔，设置在所述隔离壁上，所述交叉耦合谐振腔内设置有第三谐振器；

其中，所述第一谐振腔与所述第二谐振腔内的信号通过所述交叉耦合器耦合。

2.如权利要求1所述的耦合结构，其特征在于，所述耦合结构还包括：

第一盖板，所述第一盖板可开合地设置于所述第一面上，用于封盖所述第一谐振腔与所述第二谐振腔；

第二盖板，所述第二盖板可开合地设置于所述交叉耦合谐振腔开口的顶端，用于封盖所述交叉耦合谐振腔。

3.如权利要求2所述的耦合结构，其特征在于，在所述第一盖板上至少设置有与所述第一谐振腔对应的第一螺孔以及与所述第二谐振腔对应的第二螺孔，所述第一螺孔内配置有第一调谐螺钉，所述第二螺孔内配置有第二调谐螺钉；通过调节所述第一调谐螺钉伸入所述第一谐振腔的长度，可调节所述第一谐振腔内信号的谐振频率，通过调节所述第二调谐螺钉伸入所述第二谐振腔的长度，可调节所述第二谐振腔内信号的谐振频率。

4.如权利要求2所述的耦合结构，其特征在于，在所述第二盖板上设置有与所述交叉耦合谐振腔对应的第三螺孔，所述第三螺孔内配置有第三调谐螺钉；通过调节所述第三调谐螺钉伸入所述交叉耦合谐振腔的长度，可调节所述交叉耦合谐振腔内信号的谐振频率。

5.如权利要求4所述的耦合结构，其特征在于，所述第三调谐螺钉具有两端，位于所述交叉耦合谐振腔内的一端上设置有一圆盘结构的耦合盘。

6.如权利要求5所述的耦合结构，其特征在于，所述耦合盘具体为铁盘、银盘或铜盘中任意一种。

7.如权利要求1-6中任一权项所述的耦合结构，其特征在于，所述隔离壁为金属材质的隔离壁，所述第一谐振腔与所述交叉耦合谐振腔间的隔离壁的最小厚度小于第一阈值，所述第二谐振腔与所述交叉耦合谐振腔间的隔离壁的最小厚度小于第二阈值。

8.如权利要求1-6中任一权项所述的耦合结构，其特征在于，所述第一谐振腔、所述第二谐振腔以及所述交叉耦合谐振腔为同轴谐振腔结构、介质谐振腔结构、微带谐振腔结构与波导谐振腔结构中任意一种结构。

9.如权利要求1-6中任一权项所述的耦合结构，其特征在于，所述交叉耦合谐振腔的容积小于所述第一谐振腔的容积，且所述交叉耦合谐振腔的容积小于所述第二谐振腔的容积。

10.如权利要求1-6中任一权项所述的耦合结构，其特征在于，所述第一谐振器、所述第二谐振器与所述第三谐振器为石英晶体谐振器或陶瓷谐振器。