CN105207652B - 一种无触点电子继电器的安全保护电路 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种无触点电子继电器的安全保护电路，属电子继电器领域。它包括快速熔断丝、主开关电路、自毁保护电路等，其特点是：应用于高边开关工作时自毁保护电路输入端与隔离驱动电路连接、输出端并联接主开关电路、直流负载；隔离驱动电路通过控制开关、快速熔断丝与主开关电路连接；应用于低边开关工作时自毁保护电路、主开关电路输入端与控制开关并联连接，主开关电路输出端与直流负载连接，自毁保护电路输入端通过控制开关、快速熔断丝与直流负载一端连接，其输出端与直流负载另一端连接。确保开关管击穿失控后快速自毁迅速脱离主电路，避免负载起火。解决了现有技术无自身击穿保护电路，导致电子继电器失控烧毁负载、线束、电瓶的问题。

Description

一种无触点电子继电器的安全保护电路

技术领域

本发明涉及一种无触点电子继电器的安全保护电路，属无触点电子继电器技术领域。

背景技术

电子继电器具有使用寿命长，可靠性强，接触灵敏度高，无火花干扰，控制功率小，转换速度快的特点，市场应用前景广阔。然而事实上在车用起动继电器、预热继电器、喇叭继电器等领域，有触点的电磁继电器目前仍然占据主导地位。究其原因其一是替代触点的开关功率管的管压降大，导通后功耗和发热量大，易被击穿，一旦被击穿短路失效，就相当于电磁继电器的触点粘连，后果非常严重。

例如：中国专利申请号为200820224929.2 、名称为“固体式柴油发动机起动、预热继电器”的功率管由4个并联的MOSFET管构成，其中任何一个功率管击穿，都会导致继电器失控，其后果是负载被长期通电而烧毁，甚至会连带烧毁线束、电瓶。

又如：中国专利申请号为201020161494.9 、名称为“新型汽车起动机功率电子开关”的功率管也是由几个MOSFET并联而成，尽管设置了很多保护功能，但都是基于功率管没有被击穿是完好的情况下的保护，未考虑功率管自身击穿失效的情况。

再如：中国专利申请号 为201020603870.5 、名称为“电子式柔性啮合控制器”的功率管采用1个MOSFET，也未考虑功率管击穿失效的严重后果。

通过市场调研证实，一些电子继电器产品在投放市场后不久就出现功率管失控导致严重后果的情况，有的甚至还未走出试验室就夭折了。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种可确保在开关功率管击穿失控后快速自毁，迅速脱离主电路，避免发生负载电路冒烟起火事故；解决现有替代触点的开关功率管无自身击穿保护电路，导致电子继电器失控，烧毁负载、甚至电瓶问题的无触点电子继电器的安全保护电路。

本发明是通过如下的技术方案来实现上述目的的

该无触点电子继电器的保护电路包括隔离驱动电路、控制芯片、快速熔断丝、主开关电路、自毁保护电路，主开关电路由主开关管Q1、压敏电阻RV、稳压管D组成，其特征在于：自毁保护电路由分立元件+功率管模式或控制芯片+功率管模式构成；当自毁保护电路应用于主开关管为高边状态时，自毁保护电路的输入端与隔离驱动电路连接，自毁保护电路的输出端并联连接有主开关电路、直流负载；隔离驱动电路通过控制开关、快速熔断丝与主开关电路连接；

当自毁保护电路应用于主开关管为低边状态时，自毁保护电路的输入端、主开关电路的输入端与控制开关并联连接，主开关电路的输出端与直流负载的一端连接，自毁保护电路的输入端通过控制开关、快速熔断丝与直流负载连接，自毁保护电路的输出端通过导线连接直流负载的另一端。

所述的自毁保护电路应用于主开关管为高边状态、采用分立元件+功率管模式时，它由功率管Q2、NPN型三极管Q3、电阻R1～R4、稳压管D1、电容C组成；

功率管Q2的栅极通过NPN型三极管Q3、电阻R4与S端、隔离驱动电路的①端并联连接，功率管Q2的栅极通过电阻R1与隔离驱动电路的④端连接，功率管Q2的集电极并联连接主开关电路的主开关管Q1的发射极、直流负载的一端，隔离驱动电路的②端、功率管Q2的发射极、NPN型三极管Q3的发射极、电容C、电阻R2、电阻R3、稳压管D1的正极、电源E的负端、直流负载的另一端均接地；隔离驱动电路的③端与主开关电路的稳压管D的负极、主开关管Q1的栅极并联连接，主开关电路的集电极⑤端通过快速熔断丝、控制开关K连接S端。

所述的自毁保护电路应用于主开关管为高边状态、采用控制芯片+功率管模式时，它由控制芯片、功率管Q2、稳压管D1组成；

功率管Q2的栅极并联连接控制芯片MCU的⑤端、稳压管D1的负极，功率管Q2的集电极与主开关电路的主开关管Q1的发射极、直流负载的一端并联连接，功率管Q2的发射极、稳压管D1的正极、直流负载的另一端、控制芯片MCU的②端、电源E的负端均接地；

控制芯片MCU的⑦端并联连接隔离驱动电路、主开关电路稳压管D的正极，控制芯片MCU的①端通过S端、控制开关K、快速熔断丝与主开关电路的主开关管Q1的集电极、隔离驱动电路、控制芯片MCU的④端并联连接，控制芯片MCU的③端与隔离驱动电路的输入端连接，隔离驱动电路的输出⑥端并联连接主开关电路的主开关管Q1的栅极、稳压管D的负极。

所述的自毁保护电路应用于主开关管为低边状态、采用分立元件+功率管模式时，它由功率管Q2、NPN型三极管Q3、PNP型三极管Q4、电阻R1～R7、电容C、稳压管D1、压敏电阻RV组成；

功率管Q2的栅极通过NPN型三极管Q3、电阻R5、电阻R4与S端连接，功率管Q2的集电极与地间连接有压敏电阻RV，功率管Q2的集电极与电阻R7、PNP型三极管Q4的发射极、快速熔断丝、直流负载的①端并联连接，直流负载的②端与主开关电路的主开关管Q1的集电极连接；

NPN型三极管Q3的基极并联连接有电阻R3、电阻R5，电阻R3接地；主开关电路的主开关管Q1的栅极并联连接有电阻R5、电阻R4，主开关管Q1的栅极通过电阻R4与S端连接；功率管Q2的发射极、第二稳压管D2的正极、电容C、电阻R2、NPN型三极管Q3的发射极均接地，主开关电路主开关管Q1的集电极通过电阻R6连接PNP型三极管Q4的基极，PNP型三极管Q4的集电极通过电阻R1并联连接功率管Q2的栅极、NPN型三极管Q3的集电极。

所述的自毁保护电路应用于主开关管为低边状态、采用控制芯片+功率管模式时，它由控制芯片、功率管Q2、压敏电阻RV、稳压管D1组成；

功率管Q2的栅极并联连接控制芯片MCU的③端、稳压管D1的负极，功率管Q2的集电极与地间连接有压敏电阻RV，功率管Q2的发射极接地；控制芯片MCU的①端通过S端、控制开关K、快速熔断丝并联连接直流负载的一端、功率管Q2的集电极、控制芯片MCU的④端；控制芯片MCU的②端、第二稳压管D2的正极、功率管Q2的发射极均接地；控制芯片MCU的⑥端并联连接主开关电路主开关管Q1的集电极、直流负载的另一端；控制芯片MCU的⑤端与主开关管Q1的基极连接。

本发明与现有技术相比的有益效果在于

该无触点电子继电器的保护电路针对电子继电器主开关电路功率管位置为高电位或低电位、针对自毁保护电路的逻辑驱动分为分立元件或控制芯片两种情况，分别设计出一组四个电路，可确保在开关功率管击穿失控后快速自毁，迅速脱离主电路，避免发生负载电路冒烟起火、烧毁线束甚至电瓶的严重事故。电路结构简单，全覆盖保护效果好。经实际使用检验，其工作稳定可靠。很好地解决了现有替代触点的开关功率管无自身击穿保护电路，导致电子继电器失控，烧毁负载、甚至电瓶的问题。

附图说明

图1为一种无触点电子继电器的保护电路应用于主开关管为高边状态、采用分立元件+功率管模式的结构示意图；

图2为一种无触点电子继电器的保护电路应用于主开关管为高边状态、采用控制芯片+功率管模式的结构示意图；

图3为一种无触点电子继电器的保护电路应用于主开关管为低边状态、采用分立元件+功率管模式的结构示意图；

图4为一种无触点电子继电器的保护电路应用于主开关管为低边状态、采用控制芯片+功率管模式的结构示意图。

图中：1、自毁保护电路，2、主开关电路，3、快速熔断丝。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的实施方式进行详细描述：

该无触点电子继电器的保护电路包括隔离驱动电路、控制芯片、快速熔断丝、主开关电路、自毁保护电路，主开关电路由主开关管Q1、压敏电阻RV、稳压管D组成；自毁保护电路1由分立元件+功率管模式或控制芯片+功率管模式构成；当自毁保护电路1应用于主开关管Q1为高边状态时(参见图1、2)，自毁保护电路1的输入端与隔离驱动电路连接，自毁保护电路1的输出端并联连接有主开关电路2、直流负载；隔离驱动电路通过控制开关K、快速熔断丝3与主开关电路2连接；

当自毁保护电路1应用于主开关管Q1为低边状态时(参见图3、4)，自毁保护电路1的输入端、主开关电路2的输入端与控制开关K并联连接，主开关电路2的输出端与直流负载的一端连接，自毁保护电路1的输入端通过控制开关K、快速熔断丝3与直流负载连接，自毁保护电路1的输出端通过导线连接直流负载的另一端。

所述的自毁保护电路1应用于主开关管Q1为高边状态、q且采用分立元件+功率管模式时(参见图1)，它由功率管Q2、NPN型三极管Q3、电阻R1～R4、稳压管D1、电容C组成；

功率管Q2的栅极通过NPN型三极管Q3、电阻R4与S端、隔离驱动电路的①端并联连接，功率管Q2的栅极通过电阻R1与隔离驱动电路的④端连接，功率管Q2的集电极并联连接主开关电路2的主开关管Q1的发射极、直流负载的一端，隔离驱动电路的②端、功率管Q2的发射极、NPN型三极管Q3的发射极、电容C、电阻R2、电阻R3、第一稳压管D1的正极、电源E的负端、直流负载的另一端均接地；隔离驱动电路的③端与主开关电路2的稳压管D的负极、主开关管Q1的栅极并联连接，主开关电路2的主开关管Q1的集电极⑤端通过快速熔断丝3、控制开关K连接S端。

所述的自毁保护电路1应用于主开关管Q1为高边状态、且采用控制芯片+功率管模式时(参见图2)，它由控制芯片、功率管Q2、稳压管D1组成；

功率管Q2的栅极并联连接控制芯片MCU的⑤端、稳压管D1的负极，功率管Q2的集电极与主开关电路2的主开关管Q1的发射极、直流负载的一端并联连接，功率管Q2的发射极、稳压管D1的正极、直流负载的另一端、控制芯片MCU的②端、电源E的负端均接地；

控制芯片MCU的⑦端并联连接隔离驱动电路、主开关电路2的稳压管D的正极，控制芯片MCU的①端通过S端、控制开关K、快速熔断丝3与主开关电路2的主开关管Q1的集电极、隔离驱动电路、控制芯片MCU的④端并联连接；控制芯片MCU的③端与隔离驱动电路的输入端连接，隔离驱动电路的输出⑥端并联连接主开关电路2的主开关管Q1的栅极、稳压管D的负极。

所述的自毁保护电路1应用于主开关管Q1为低边状态、且采用分立元件+功率管模式时(参见图3)，它由功率管Q2、NPN型三极管Q3、PNP型三极管Q4、电阻R1～R7、电容C、稳压管D1、压敏电阻RV组成；

功率管Q2的栅极通过NPN型三极管Q3、电阻R5、电阻R4与S端连接，功率管Q2的集电极与地间连接有压敏电阻RV，功率管Q2的集电极与电阻R7、PNP型三极管Q4的发射极、快速熔断丝3、直流负载的①端并联连接，直流负载的②端与主开关电路2的主开关管Q1的集电极连接；

NPN型三极管Q3的基极并联连接有电阻R3、电阻R5，电阻R3接地；主开关电路2的主开关管Q1的栅极并联连接有电阻R5、电阻R4，主开关管Q1的栅极通过电阻R4与S端连接；功率管Q2的发射极、稳压管D1的正极、电容C、电阻R2、NPN型三极管Q3的发射极均接地；主开关电路2的主开关管Q1的集电极通过电阻R6连接PNP型三极管Q4的基极，PNP型三极管Q4的集电极通过电阻R1并联连接功率管Q2的栅极、NPN型三极管Q3的集电极。

所述的自毁保护电路1应用于主开关管Q1为低边状态，且采用控制芯片+功率管模式时(参见图4)，它由控制芯片、功率管Q2、压敏电阻RV、稳压管D1组成；

功率管Q2的栅极并联连接控制芯片MCU的③端、稳压管D1的负极，功率管Q2的集电极与地间连接有压敏电阻RV，功率管Q2的发射极接地；控制芯片MCU的①端通过S端、控制开关K、快速熔断丝3并联连接直流负载的一端、功率管Q2的集电极、控制芯片MCU的④端；控制芯片MCU的②端、稳压管D1的正极、功率管Q2的发射极均接地；控制芯片MCU的⑥端并联连接主开关电路2的主开关管Q1的集电极、直流负载的另一端；控制芯片MCU的⑤端与主开关管Q1的基极连接。

本发明针对电子继电器开关功率管在电路中的位置分为高边和低边两种情况、针对自毁保护电路1的逻辑驱动可通过分立元件或控制芯片MCU（集成单片机程控电路）两种方式实现的情况，研制出一个发明构思框架下的四个无触点电子继电器的安全保护电路，可确保在任何情况下开关功率管击穿失控后均可快速自毁，迅速脱离主电路，避免发生负载电路冒烟起火、烧毁线束甚至电瓶的严重事故。

以下是该无触点电子继电器的安全保护电路的具体实施例：

a、（参见图1）当自毁保护电路1应用于主开关管Q1为高边状态、且采用分立元件+功率管模式时，自毁保护电路1由功率管Q2、NPN型三极管Q3、电阻R1～R4、稳压管D1、电容C组成；

主开关管Q1未击穿时：当控制开关K闭合，S端得电，也即隔离驱动电路的①②端得电，隔离驱动电路的③④端口输出驱动信号给主开关电路2，（隔离驱动电路属成熟电路，在此不作赘述。）主开关电路2的主开关管Q1的栅极呈高电位而立刻导通，隔离驱动电路的④端呈现高电位，直流负载得电正常工作。与此同时，因S端得电，此电压经电阻R4和电阻R3分压促使NPN型三极管Q3导通，迅速将自毁保护电路1的功率管Q2的栅极拉低到地，使功率管Q2始终处于截止状态。

设置电容C的目的是避免瞬间干扰信号导致自毁保护电路1由功率管Q2意外导通而影响主电路。

当控制开关K断开时，隔离驱动信号消失，主开关管Q1截止，隔离驱动电路④端电位变成低电位，直流负载失电退出工作。此时自毁保护电路1也因断电各端口均为低电位而处于截止状态。

主开关管Q1呈击穿状态：开关K断开，主开关电路2的主开关管Q1击穿失效，即隔离驱动电路输出端③④电位差为零，但其端口④因主开关管Q1击穿处于高电位，直流负载不受控地得电工作。此时S端电压为零，电阻R4和电阻R3无电流流过，因此自毁保护电路1的NPN型三极管Q3无驱动电流处于截止状态，隔离驱动电路④端电压经电阻R1给自毁保护电路1的功率管Q2的栅极供电使之迅速导通，将直流负载直接短接，电源B+端经过熔断丝3和已经击穿失效的主开关管Q1直接到地短路；该短路电流足以使快速熔断丝3迅速熔断，即使⑤端失电从而使得直流负载脱离电源回路，电路安全得以保障。

设置快速熔断丝3的另一个意义是，当用户误将电源接反，存在于主开关管Q1和功率管Q2内部的寄生二极管会立刻导通产生极大的短路电流将快速熔断丝3迅速熔断。

此外，当直流负载短路时，快速熔断丝3也会迅速熔断。因此设置快速熔断丝3具有多重保护意义。

主开关电路2中的压敏电阻RV用于吸收外接瞬态干扰电压和感性负载通断时的瞬态高压，确保功率管不被高压击穿，起限压作用。

b、（参见图2）当自毁保护电路1应用于主开关管Q1为高边状态，且采用控制芯片+功率管模式时，自毁保护电路1由功率管Q2、NPN型三极管Q3、电阻R1～R4、稳压管D1、电容C组成；

主开关管Q1未击穿时：开关K闭合，S端得电即控制芯片MCU的①端获得起动信号，程控输出高电位信号至隔离驱动电路输入端③，经隔离驱动电路隔离升压后自⑥端输出驱动信号使主开关管Q1导通，⑦端电位由低变高，直流负载因此得电工作。此时控制芯片MCU判断为正常状态，因此不输出保护信号，即⑤端为低电位，自毁保护电路1中的功率管Q2处于截止状态；当开关K断开时，控制芯片MCU的①端信号消失，程控输出信号随即变为低电位，即隔离驱动电路升压驱动输入为低电位，输出也呈低电位，主开关管Q1因此截止，直流负载失电退出工作。自毁保护电路1无输入仍处于截止状态。

主开关管Q1呈击穿状态：当主开关电路2的主开关管Q1因击穿而失控时，开关K未闭合，主开关管Q1击穿使得⑦端处于高电位，直流负载得电工作，控制芯片MCU由此判断主开关管Q1为击穿短路状态，立刻送出高电位的保护信号至⑤端，自毁保护电路1的功率管Q2立刻由截止变为导通将直流负载两端短路，巨大的短路电流流过快速熔断丝3，快速熔断丝3迅速熔断使得直流负载脱离电源正极，电路安全得到保障。

主开关电路2中的稳压管D和自毁保护电路1中的稳压管D1用以限制栅极电压，不致因栅极电压过高损坏MOS功率管。

c、（参见图3）当自毁保护电路1应用于主开关管为低边状态，且采用分立元件+功率管模式时，自毁保护电路1由功率管Q2、NPN型三极管Q3、PNP型三极管Q4、电阻R1～R7、电容C、稳压管D1、压敏电阻RV组成；

主开关管Q1未击穿时：控制开关K闭合，S端得电，经电阻R4给主开关电路2的主开关管Q1栅极提供驱动信号，主开关管Q1因此导通，直流负载的负端②与电源E负极相连而得电工作。与此同时，NPN型三极管Q3的基极也因电阻R5流过电流而导通，并将功率管Q2的栅极对地短接，使得功率管Q2处于截止状态。PNP型三极管Q4因②端为低电位而处于导通状态，但又因为NPN型三极管Q3已导通将功率管Q2的栅极短路，因此PNP型三极管Q4的导通也不会改变功率管Q2的状态。当开关K断开时，S端失电，主开关电路2的主开关管Q1的栅极失去驱动信号而截止，即直流负载的②端由低电位变高电位退出工作；由于②端的高电位，导致PNP型三极管Q4的状态也由原来的导通状态跳变为截止状态。

主开关管Q1呈击穿状态：当主开关电路2 的主开关管Q1因击穿而失控时，情况就发生了改变，开关K未闭合，主开关管Q1击穿使得②端处于低电位，直流负载得电工作，②端低电位导致PNP型三极管Q4导通，电阻R1将正极电源经PNP型三极管Q4引入到功率管Q2的栅极，而NPN型三极管Q3因S端无电故无基极电流而一直处于截止状态，因此，功率管Q2的栅极维持高电位，其结果是将直流负载的正极端①直接与地短接，巨大的电流瞬间流过快速熔断丝3将其熔断，使直流负载的正极①脱离电源正极，电路安全得到保障。

同理，快速熔断丝3同样起到防反接和负载短路保护功能。

自毁保护电路1中的压敏电阻RV与主开关电路2中的压敏电阻RV，同样是用于吸收外接瞬态干扰电压和感性负载通断时的瞬态高压，确保MOS功率管不被高压击穿。稳压管D和稳压管D1同样是限制栅极电压不致过高，避免损坏MOS功率管。

d、（参见图4）当自毁保护电路1应用于主开关管Q1为低边状态，且采用控制芯片+功率管模式时，自毁保护电路1由控制芯片、功率管Q2、压敏电阻RV、稳压管D1组成；

主开关管未击穿时：开关K闭合，S端得电即控制芯片MCU的①端获得起动信号，程控输出高电位信号至升压驱动输入端⑤，随即主开关管Q1导通，⑥端电位由高变低，直流负载因此得电工作。此时控制芯片MCU判断为正常状态，因此不输出保护信号，即③端为低电位，自毁保护电路1的功率管Q2处于截止状态；当开关K断开时，控制芯片MCU的①端信号消失，程控输出信号⑤随即变为低电位，主开关管Q1也因此而截止，直流负载失电退出工作。自毁保护电路1也无输入故仍处于截止状态。

主开关管Q1呈击穿状态：当主开关电路2的主开关管Q1因击穿而失控时，开关K未闭合，主开关管Q1击穿使得⑥端处于低电位，直流负载得电工作，控制芯片MCU由此判断主开关管Q1为击穿短路状态立刻送出高电位的保护信号至③端，自毁保护电路1的功率管Q2立刻由截止变为导通将直流负载对地短路，巨大的短路电流流过快速熔断丝3，快速熔断丝3熔断，使得直流负载脱离电源正极，电路安全得到保障。

同理，快速熔断丝3同样起到防反接和负载短路保护功能。

自毁保护电路1中的压敏电阻RV与主开关电路2中的压敏电阻RV，同样是用于吸收外接瞬态干扰电压和感性负载通断时的瞬态高压，确保MOS功率管不被高压击穿。稳压管D和稳压管D1同样是限制栅极电压不致过高，避免损坏MOS功率管。

该无触点电子继电器的保护电路为解决电子继电器最大的疑虑，即开关功率管易击穿失效特别设计了保护电路，确保在开关功率管击穿失控（相当于触点粘连）后能快速自毁，达到迅速脱离主电路、不出现负载电路冒烟起火等安全事故的目的。

以上所述只是该发明的具体实施方式，上述举例说明不对本发明的实质内容构成限制，所属技术领域的普通技术人员在阅读了本说明书后可以对上述的具体实施方式做修改或变形，而不背离本发明的实质和范围。

Claims (1)

1.一种无触点电子继电器的安全保护电路，它包括隔离驱动电路、控制芯片、快速熔断丝（3）、主开关电路（2）、自毁保护电路（1），主开关电路（2）由主开关管Q1、压敏电阻RV、稳压管D组成，其特征在于：自毁保护电路（1）由分立元件+功率管模式或控制芯片+功率管模式构成；当所述的自毁保护电路（1）应用于主开关电路（2）的主开关管Q1为高边状态、且采用分立元件+功率管模式时，自毁保护电路（1）由功率管Q2、NPN型三极管Q3、电阻R1～R4、稳压管D1、电容C组成；

功率管Q2的栅极通过NPN型三极管Q3、电阻R4与S端、隔离驱动电路的①端并联连接，功率管Q2的栅极通过电阻R1与隔离驱动电路的④端连接，功率管Q2的集电极并联连接主开关电路（2）的主开关管Q1的发射极、直流负载的一端，隔离驱动电路的②端、功率管Q2的发射极、NPN型三极管Q3的发射极、电容C、电阻R2、电阻R3、稳压管D1的正极、电源E的负端、直流负载的另一端均接地；隔离驱动电路的③端与主开关电路（2）的稳压管D的负极、主开关管Q1的栅极并联连接，主开关管Q1的集电极⑤端通过快速熔断丝（3）、控制开关K连接S端；

当所述的自毁保护电路（1）应用于主开关电路（2）的主开关管Q1为高边状态、且采用控制芯片+功率管模式时，自毁保护电路（1）由控制芯片MCU、功率管Q2、稳压管D1组成；

功率管Q2的栅极并联连接控制芯片MCU的⑤端、稳压管D1的负极，功率管Q2的集电极与主开关电路（2）的发射极、直流负载的一端并联连接，功率管Q2的发射极、稳压管D1的正极、直流负载的另一端、控制芯片MCU的②端、电源E的负端均接地；

控制芯片MCU的⑦端并联连接隔离驱动电路、主开关电路（2）稳压管D的正极，控制芯片MCU的①端通过S端、控制开关K、快速熔断丝（3）与主开关电路（2）的主开关管Q1的集电极、隔离驱动电路、控制芯片MCU的④端并联连接，控制芯片MCU的③端与隔离驱动电路的输入端连接，隔离驱动电路的输出⑥端并联连接主开关电路（2）的主开关管Q1的栅极、稳压管D的负极；

当所述的自毁保护电路（1）应用于主开关电路（2）的主开关管Q1为低边状态、且采用分立元件+功率管模式时，自毁保护电路（1）由功率管Q2、NPN型三极管Q3、PNP型三极管Q4、电阻R1～R7、电容C、稳压管D1、压敏电阻RV组成；

功率管Q2的栅极通过NPN型三极管Q3、电阻R5、电阻R4与S端连接，功率管Q2的集电极与地间连接有压敏电阻RV，功率管Q2的集电极与电阻R7、PNP型三极管Q4的发射极、快速熔断丝、直流负载的①端并联连接，直流负载的②端与主开关电路（2）的主开关管Q1的集电极连接；

NPN型三极管Q3的基极并联连接有电阻R3、电阻R5，电阻R3接地；主开关电路（2）的主开关管Q1的栅极并联连接有电阻R5、电阻R4，主开关管Q1的栅极通过电阻R4与S端连接；功率管Q2的发射极、稳压管D1的正极、电容C、电阻R2、NPN型三极管Q3的发射极均接地，主开关电路（2）的主开关管Q1的集电极通过电阻R6连接PNP型三极管Q4的基极，PNP型三极管Q4的集电极通过电阻R1并联连接功率管Q2的栅极、NPN型三极管Q3的集电极；

当所述的自毁保护电路（1）应用于主开关电路（2）的主开关管Q1为低边状态、且采用控制芯片+功率管模式时，自毁保护电路（1）由控制芯片MCU、功率管Q2、压敏电阻RV、稳压管D1组成；

功率管Q2的栅极并联连接控制芯片MCU的③端、稳压管D1的负极，功率管Q2的集电极与地间连接有压敏电阻RV，功率管Q2的发射极接地；控制芯片MCU的①端通过S端、控制开关K、快速熔断丝（3）并联连接直流负载的一端、功率管Q2的集电极、控制芯片MCU的④端；控制芯片MCU的②端、稳压管D1的正极、功率管Q2的发射极均接地；控制芯片MCU的⑥端并联连接主开关电路（2）的主开关管Q1的集电极、直流负载的另一端；控制芯片MCU的⑤端与主开关管Q1的基极连接。