CN105204113A - 一种硅基可调偏振旋转器件 - Google Patents

一种硅基可调偏振旋转器件 Download PDF

Info

Publication number
CN105204113A
CN105204113A CN201510716751.8A CN201510716751A CN105204113A CN 105204113 A CN105204113 A CN 105204113A CN 201510716751 A CN201510716751 A CN 201510716751A CN 105204113 A CN105204113 A CN 105204113A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon
polarization
teo
silica
rotary device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510716751.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105204113B (zh
Inventor
郭德汾
储涛
候康
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Institute of Semiconductors of CAS
Hisense Broadband Multimedia Technology Co Ltd
Original Assignee
Institute of Semiconductors of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Institute of Semiconductors of CAS filed Critical Institute of Semiconductors of CAS
Priority to CN201510716751.8A priority Critical patent/CN105204113B/zh
Publication of CN105204113A publication Critical patent/CN105204113A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105204113B publication Critical patent/CN105204113B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/28—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising
    • G02B27/286—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising for controlling or changing the state of polarisation, e.g. transforming one polarisation state into another
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/126—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind using polarisation effects
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/011—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  in optical waveguides, not otherwise provided for in this subclass
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/0136—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  for the control of polarisation, e.g. state of polarisation [SOP] control, polarisation scrambling, TE-TM mode conversion or separation
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/0147—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on thermo-optic effects
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B2006/12035—Materials
    • G02B2006/12038—Glass (SiO2 based materials)
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/011—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  in optical waveguides, not otherwise provided for in this subclass
    • G02F1/0113—Glass-based, e.g. silica-based, optical waveguides

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Abstract

本发明公开了一种硅基可调偏振旋转器件，硅基可调偏振旋转器的设计和制作基于平面光波导技术和半导体工艺，可实现波导中TEO和TMO偏振态之间的动态可调转换；该可调偏振旋转器主要包含三个功能器件：101.对称偏振旋转分离器件，102.相移臂，103.反向的对称偏振旋转分离器件；功能器件101结构上可以由绝热的耦合器或者非对称双层taper加对称分支实现，功能器件102结构上可以是电光的也可以是热光的，功能器件103可以由绝热的耦合器或者非对称双层taper加对称分支实现；相比以往的各种可调偏振旋转器件，该器件基于硅基平面光波导技术，具有CMOS兼容的优点，且器件结构简单，制作工艺简单。

Description

一种硅基可调偏振旋转器件
技术领域
本发明属于光电子技术和平面光波导集成领域，涉及一种硅基可调偏振旋转器件。
背景技术
近年来，为了突破“电子瓶颈”的局限，光子作为新的信息的载体得到了广泛的重视。在长距离通信领域，光通信以高带宽、低损耗等优势取得了巨大的成功；随着技术的发展，光通信将朝着更高的集成密度和更短传输距离发展，即光器件的规模化和单片集成化。由于硅材料具有大的晶圆面积、CMOS工艺兼容等优势，利用硅波导体系实现集成光学的方案受到了越来越广泛的关注。目前，在SOI(SilicononInsulator)材料上已经实现了多种无源器件以及有源的调制器、光开关等，具有良好的发展前景。
由于SOI材料大的折射率差，硅波导中TE0模和TM0模的有效折射率、损耗、色散特性都有较大的不同，硅基光波导器件一般具有高度的偏振敏感特性。尽管很多硅波导器件能够有效地工作在单一的TE0偏振态，在波导内实现动态的偏振控制对硅基光子学的发展具有重要意义。一方面，虽然目前在硅波导内很容易实现光场的振幅、相位、波长的动态控制，但是，实现对光场基本性质之一的偏振态的动态控制还非常的困难。另一方面，偏振调制、偏振复用、量子计算和偏振分集等应用亟需可调的偏振旋转器件，尽管市场上已经有商用的铌酸锂和砷化镓可调偏振旋转器件，硅基的可调偏振旋转器件由于其CMOS兼容、便于大规模生产等特性能够有效的降低成本。
硅基无源偏振旋转器件已经有多种实现方法，原理上可以分为基于模式演化的器件和基于模式干涉的器件，很多无源器件已经可以达到很好的性能，例如大制作容差、大光学带宽、低损耗、高消光比。但是，很少有关于CMOS工艺兼容、简单结构的动态可调偏振旋转器件的报道。文献“一种大制作容差的可调偏振旋转机制”(”Highlytoleranttunablewaveguidepolarizationrotatorscheme”，OL.37，3534-3536(2012))中提出的可调偏振旋转器件，需要可调的偏振相关相移器，但是硅波导的偏振相关相移特性较弱，导致这种机制的可调偏振旋转器件尺寸过长，不利于大规模集成。文献“ElectricallytunableopticalpolarizationrotationonasiliconchipusingBerry’sphase”(NC.5(2014))提出的硅基可调偏振旋转器件，并不是完全的平面波导结构。文献“一种基于标准有源硅基平台的偏振旋转分离器件”(“Polarizationrotator-splittersinstandardactivesiliconphotonicsplatforms”，OE.22，3777-3786(2014))提出了一种基于一般偏振分离旋转器件和2×23dB耦合器的可调偏振旋转器件，为实现TE0和TM0偏振态之间的动态可调变化，至少需要2个一般偏振分离旋转器件和2个3dB耦合器。
为实现波导内偏振态的动态可调变化，本发明拟提出一种基于对称偏振旋转分离器的机制。该机制具有CMOS工艺兼容、大宽带的、大消光比、低插损等特性，结构上只需要两个对称偏振旋转分离器件和一个相移臂，器件的可调性利用硅波导的热光或者电光效应，调节过程简单。
发明内容
鉴于此，本发明要解决传统的可调偏振旋转器件结构复杂、器件尺寸过大的缺点，拟在硅基波导中采用对称偏振旋转分离器件、相移臂和反向的对称偏振旋转分离器件的结构，利用硅波导的热光或电光效应，实现一种TE0和TM0之间动态可调的偏振旋转器件。
为实现上述目的，根据本发明，该硅基可调偏振旋转器件可以描述为：
一种硅基可调偏振旋转器，其特征在于，偏振旋转器的设计和制作基于平面光波导技术和半导体工艺。
这种硅基可调偏振旋转器件，设计思路如附图1，旋转器包含，101对称偏振旋转分离器件；102可调相移臂；103反向的对称偏振旋转分离器件。101对称的偏振旋转分离器件包括104双层的非对称taper和106对称的分支，105表示平板波导taper；107热调或电调相移部分；103反向的对称偏振旋转分离器件包括108反向的对称分支和109反向的双层非对称taper。
这种硅基可调偏振旋转器件，其101是一种静态的模式转换器件，工作过程可以描述为：输入TE0(TM0)，输出两个振幅相等、相位相同(反)的TE0。104非对称taper包括条波导taper和105平板波导taper两层，105平板波导taper打破了条波导结构垂直方向的对称性，完成TE0-TE0和TM0-TE1的模式转换；106对称的分支完成TE0(TE1)到两个振幅相等、相位相同(反)的TE0的转换。
这种硅基可调的偏振旋转器件，其102是可调相移臂，主要部分是107的热调或电调部分，电调结构可以采用PIN结构或者反向PN结构，完成调节输入的两个TE0相对相位的功能。
这种硅基可调偏振旋转器件，其103是一种静态模式转换器件；工作过程可以描述为：输入两个振幅相等，相位相同(反)的TE0，输出TE0(TM0)。其中108反向的对称分支完成振幅相等、相位相同(反)的TE0到输出TE0(TE1)的转换；109反向的双层非对称taper完成TE0-TE0、TE1-TM0的模式转换。
从上述技术方案可以看出，本发明具有以下有益效果：
1.本发明提供的这种硅基可调偏振旋转器件，相对于传统的无源偏振旋转器件，具有动态可调和大制作容差的优点，动态可调可以为系统提供更大的灵活性，并能够补偿器件在制造过程中存在的制造误差。
2.本发明提供的这种硅基可调偏振旋转器件，相对于传统的硅基可调偏振旋转器件，具有结构简单、调节简单、光学带宽较大的优点。
3.本发明提供的这种硅基可调偏振旋转器件，可调相移臂根据不同的需求可以设计成不同的结构，既可以利用硅波导的热光效应，也可以利用硅波导的电光效应，电学结构设计成PIN型结构，也可以设计成反向PN结构。
4.本发明提供的这种硅基可调偏振旋转器件，其中对称偏振旋转分离器件有多种实现方式，可以由双层的非对称taper加对称分支实现，也可以由绝热的耦合器件实现。
附图说明
图1是本发明提供的硅基可调偏振旋转器件结构示意图1，其中对称偏振旋转器件由双层的非对称taper加对称分支实现；
图2为本发明提供的硅基可调偏振旋转器件结构的示意图2；
201绝热耦合的对称偏振旋转分离器件，202相移臂，203反向的绝热耦合对称偏振旋转分离器件；
图3为本发明提供的硅基可调偏振旋转器件波导的104处截面示意图；
301硅波导层，302下二氧化硅包层，303衬底硅，304上二氧化硅包层，305平板波导层；
图4为有限时域差分方法模拟的硅基可调偏振旋转器件的输出端偏振态随温度增量的变化关系。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合附图，对本发明进一步详细说明。
具体实施例：结构示意1中的硅基可调偏振旋转器件，可调相移臂采用热调形式。
该可调偏振旋转器件基于硅绝缘体(SOI)材料，截面结构如图3，由301硅波导层、302下二氧化硅包层、303衬底硅、304上二氧化硅包层和305平板波导层。当305平板波导层厚度为零时，表示条波导；当305平板波导厚度不零0时，表示脊波导。
以输入TM0偏振态为例，附图1所示的结构的工作原理为：输入的TM0偏振态经104非对称双层taper后转换为TE1模式；再经106对称分支，分为上下两路振幅相等、相位相反的TE0；再经102可调相移臂对两路TE0引入不同的相位；这两路TE0再经108反向分支结构合束在一起，引入的相位差为0(π)，则合束成TE0(TE1)；再经109反向的对称分支，完成TE0(TE1)到TE0(TM0)的转换。
在1550nm波长附近，硅波导的热光系数近似为1.86×10-4K-1，附图4是用有限时域差分方法仿真的，输入TM0偏振态时，输出端偏振态随硅波导折射率增量和温度增量的变化关系。从图4可以看出，硅波导的折射率(温度)增量为0.007(37.66K)时，输入的TM0偏振态完全转换为输出端TE0偏振态；当折射率(温度)的增量为0或0.014(0或75.32K)时，仍然输出TM0偏振态；当折射率(温度)增量为其他值时，输出端同时有TE0和TM0偏振态，并且两者之间的功率比随折射率(温度)增量的变化而变化。
上述实施例用来解释说明本发明，而不是对本发明进行限制，在本发明的精神和权利要求的保护范围内，对本发明作出的任何修改和改变，都落入本发明的保护范围。

Claims (6)

1.一种硅基可调偏振旋转器件，器件主要包含三个功能器件：对称偏振旋转分离器件(101)；可调相移臂(102)和反向的对称偏振旋转分离器件(103)，其中对称的偏振旋转分离器件(101)包括双层的非对称taper(104)对称的分支(106)；可调相移臂(102)包括热调或电调相移部分(107)；反向的对称偏振旋转分离器件(103)包括反向的对称分支(108)和反向的双层非对称taper(109)，器件输入TEO或TMO偏振态，输出TEO和TMO偏振态的功率比连续可调。
2.根据权利要求1所述的硅基可调偏振旋转器件，其特征在于，对称偏振旋转分离器件(1O1)由绝热的耦合器或者非对称双层taper加对称分支组成，把输入的TEO或TMO分为输出的两个振幅相等、相位相同或相反的TEO。
3.根据权利要求1所述的硅基可调偏振旋转器件，其特征在于，可调相移臂(102)利用硅波导的热光效应或利用硅波导的电光效应实现，调节输入的两个TEO相对相位。
4.根据权利要求1所述的硅基可调偏振旋转器件，其特征在于，反向的对称偏振旋转分离器件(103)是一个反向的对称偏振旋转分离器件，由绝热的耦合器，或者非对称双层taper加对称分支组成，把输入的两个振幅相等、相位相同或相反的TEO合成输出TEO或TMO。
5.根据权利要求4所述的硅基可调偏振旋转器件，其特征在于，热调或电调部分(107)的电调采用PIN结构或者反向PN结构，调节输入的两个TEO相对相位。
6.根据权利要求1-5任一所述的硅基可调偏振旋转器件，其特征在于，该可调偏振旋转器件采用硅绝缘体(SOI)材料制备，由硅波导层(301)、下二氧化硅包层(302)、衬底硅(303)、上二氧化硅包层(304)和平板波导层(305)组成。
CN201510716751.8A 2015-10-29 2015-10-29 一种硅基可调偏振旋转器件 Active CN105204113B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510716751.8A CN105204113B (zh) 2015-10-29 2015-10-29 一种硅基可调偏振旋转器件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510716751.8A CN105204113B (zh) 2015-10-29 2015-10-29 一种硅基可调偏振旋转器件

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105204113A true CN105204113A (zh) 2015-12-30
CN105204113B CN105204113B (zh) 2018-05-15

Family

ID=54951887

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510716751.8A Active CN105204113B (zh) 2015-10-29 2015-10-29 一种硅基可调偏振旋转器件

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105204113B (zh)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106209257A (zh) * 2016-07-14 2016-12-07 浙江大学 一种基于双偏振硅基马赫曾德尔调制器的微波光子链路的高线性度方法
CN108227076A (zh) * 2016-12-09 2018-06-29 颖飞公司 基于硅波导的宽带偏振光束旋转器
CN109946856A (zh) * 2017-12-20 2019-06-28 中兴光电子技术有限公司 一种光偏振调制器及其实现光偏振调制的方法
CN109960063A (zh) * 2017-12-14 2019-07-02 科大国盾量子技术股份有限公司 一种硅基集成的偏振调制装置
CN109962771A (zh) * 2017-12-14 2019-07-02 科大国盾量子技术股份有限公司 硅基单片集成量子密钥分发接收方芯片结构及其封装结构
CN109960045A (zh) * 2017-12-14 2019-07-02 科大国盾量子技术股份有限公司 一种硅基集成的偏振旋转调制装置
JP2022516194A (ja) * 2019-05-13 2022-02-24 華為技術有限公司 マルチモード成分を有する偏光無依存型フォトニックデバイス
CN114721176A (zh) * 2022-03-10 2022-07-08 浙江大学 一种基于片上模式转换的偏振控制器
WO2023071004A1 (zh) * 2021-10-27 2023-05-04 赛丽科技(苏州)有限公司 光学传感器芯片和光学传感系统
US11644620B2 (en) 2021-05-24 2023-05-09 Globalfoundries U.S. Inc. Switchable polarization rotators
CN117826323A (zh) * 2024-01-29 2024-04-05 南通大学 一种双层绝热模式转换器

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040165808A1 (en) * 2003-02-20 2004-08-26 Institut National D'optique Optical repolarizing devices
CN103558661A (zh) * 2013-11-11 2014-02-05 东南大学 一种基于硅基l形波导结构的集成偏振转换器
CN204302526U (zh) * 2014-12-26 2015-04-29 江苏尚飞光电科技有限公司 偏振分束旋转器
CN104570201A (zh) * 2013-10-15 2015-04-29 株式会社藤仓 基板型光波导元件以及dp－qpsk调制器

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040165808A1 (en) * 2003-02-20 2004-08-26 Institut National D'optique Optical repolarizing devices
CN104570201A (zh) * 2013-10-15 2015-04-29 株式会社藤仓 基板型光波导元件以及dp－qpsk调制器
CN103558661A (zh) * 2013-11-11 2014-02-05 东南大学 一种基于硅基l形波导结构的集成偏振转换器
CN204302526U (zh) * 2014-12-26 2015-04-29 江苏尚飞光电科技有限公司 偏振分束旋转器

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
K. MERTENS, ET AL.: ""First Realized Polarization Converter Based on Hybrid Supermodes"", 《IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS》 *
WESLEY D. SACHER, ET AL.: ""Polarization rotator-splitters in standard active silicon photonics platforms"", 《OPTICS EXPRESS》 *
YUNHONG DING, ET AL.: ""Wideband polarization splitter and rotator with large fabrication tolerance and simple fabrication process"", 《OPTICS LETTERS》 *

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106209257A (zh) * 2016-07-14 2016-12-07 浙江大学 一种基于双偏振硅基马赫曾德尔调制器的微波光子链路的高线性度方法
CN108227076A (zh) * 2016-12-09 2018-06-29 颖飞公司 基于硅波导的宽带偏振光束旋转器
CN115061238A (zh) * 2016-12-09 2022-09-16 颖飞公司 基于硅波导的宽带偏振光束旋转器
CN109962771A (zh) * 2017-12-14 2019-07-02 科大国盾量子技术股份有限公司 硅基单片集成量子密钥分发接收方芯片结构及其封装结构
CN109960063B (zh) * 2017-12-14 2024-02-06 科大国盾量子技术股份有限公司 一种硅基集成的偏振调制装置
CN109960045A (zh) * 2017-12-14 2019-07-02 科大国盾量子技术股份有限公司 一种硅基集成的偏振旋转调制装置
CN109960045B (zh) * 2017-12-14 2024-03-15 科大国盾量子技术股份有限公司 一种硅基集成的偏振旋转调制装置
CN109960063A (zh) * 2017-12-14 2019-07-02 科大国盾量子技术股份有限公司 一种硅基集成的偏振调制装置
CN109962771B (zh) * 2017-12-14 2024-03-12 科大国盾量子技术股份有限公司 硅基单片集成量子密钥分发接收方芯片
CN109946856A (zh) * 2017-12-20 2019-06-28 中兴光电子技术有限公司 一种光偏振调制器及其实现光偏振调制的方法
JP2022516194A (ja) * 2019-05-13 2022-02-24 華為技術有限公司 マルチモード成分を有する偏光無依存型フォトニックデバイス
JP7183430B2 (ja) 2019-05-13 2022-12-05 華為技術有限公司 マルチモード成分を有する偏光無依存型フォトニックデバイス
US11644620B2 (en) 2021-05-24 2023-05-09 Globalfoundries U.S. Inc. Switchable polarization rotators
WO2023071004A1 (zh) * 2021-10-27 2023-05-04 赛丽科技(苏州)有限公司 光学传感器芯片和光学传感系统
WO2023169598A3 (zh) * 2022-03-10 2023-11-02 浙江大学 一种基于片上模式转换的偏振控制器
CN114721176A (zh) * 2022-03-10 2022-07-08 浙江大学 一种基于片上模式转换的偏振控制器
CN114721176B (zh) * 2022-03-10 2024-04-12 浙江大学 一种基于片上模式转换的偏振控制器
CN117826323A (zh) * 2024-01-29 2024-04-05 南通大学 一种双层绝热模式转换器

Also Published As

Publication number Publication date
CN105204113B (zh) 2018-05-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105204113A (zh) 一种硅基可调偏振旋转器件
CN104301041B (zh) 一种硅基集成相干光发射机芯片及发射机
CN102841407B (zh) 一种波导型偏振光分束器
CN100437212C (zh) 平面光波导线路型可变光衰减器
CN204302526U (zh) 偏振分束旋转器
WO2023169598A2 (zh) 一种基于片上模式转换的偏振控制器
CN103487889A (zh) 基于双谐振腔耦合马赫-曾德尔光开关结构
CN104330905A (zh) 基于二维光栅耦合的硅基qpsk光调制器
Memon et al. Recent advances in mode converters for a mode division multiplex transmission system
CN112180624B (zh) 基于相变材料的非易失可重构集成光耦合器及其调谐方法
CN104317070A (zh) 具有偏振多样性垂直光纤耦合接口的硅基电光调制器
CN103336379B (zh) 一种应用于60GHz ROF系统的集成光子晶体MZI调制器
CN113534504A (zh) 一种基于薄膜铌酸锂的电控可调偏振分束方法及器件
CN104090375A (zh) 光隔离装置和光隔离方法
CN105700202A (zh) 一种基于铌酸锂的pm-qpsk集成光调制器及其工作方法
CN108923858A (zh) 一种硅基波导光学混频器装置
CN110221385B (zh) 一种基于石墨烯的波导集成的多模电光调制器及制作方法
Jiang Reconfigurable mode (de) multiplexer using Ge 2 Sb 2 Se 4 Te 1 based triple-silicon-waveguide
Guo et al. Silicon polarization switch based on symmetric polarization splitter-rotators
CN114545553B (zh) 一种基于耦合拓扑波导的光学拓扑双工器
CN113253537B (zh) 一种基于soi材料制备的马赫-曾德尔干涉仪型可调分数阶光场微分器
CN112904479B (zh) 一种基于反向Fano耦合微环的光开关
CN114488580B (zh) 基于氮化硅/有机聚合物混合波导结构的高速电光调制器
Shu et al. Efficient graphene phase modulator based on a polarization multiplexing optical circuit
Zhang et al. Broadband 2x2 Polarization Splitter-Rotator Based on an Adiabatic Asymmetric Directional Coupler on the Lithium-Niobate-on-Insulator

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
CB03 Change of inventor or designer information

Inventor after: Guo Defen

Inventor after: Chu Tao

Inventor after: Hou Kang

Inventor after: Zhang Hua

Inventor before: Guo Defen

Inventor before: Chu Tao

Inventor before: Hou Kang

COR Change of bibliographic data
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20160608

Address after: 100083 Beijing Qinghua East Road, Haidian District, No. 35

Applicant after: Semiconductor Inst., Chinese Academy of Sciences

Applicant after: Hisense Broadband Multimedia Technology

Address before: 100083 Beijing Qinghua East Road, Haidian District, No. 35

Applicant before: Semiconductor Inst., Chinese Academy of Sciences

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant