CN105185408A - 一种Flash芯片 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种Flash芯片，该Flash芯片包括多个复用接口和多个专用接口；其中，所述复用接口能够兼容SPI类型的NAND？Flash和ONFI类型的NAND？Flash中功能相对应的接口；所述专用接口对应于ONFI类型的NAND？Flash中除所述功能相对应的接口之外的其他接口；通过采用不同的封装方式，所述Flash芯片被封装为SPI类型的NAND？Flash，或者ONFI类型的NAND？Flash。本发明可以在同一个芯片内实现SPI类型的NAND？Flash或者ONFI类型的NAND？Flash，从而降低生产成本，并且通过端口复用的方式能够控制芯片的面积，节约芯片成本。

Description

一种Flash芯片

技术领域

本发明涉及芯片技术领域，特别是涉及一种Flash芯片。

背景技术

非易失性存储器是指断电后仍能保持数据，即断电之后所存储的数据不会丢失的一种存储器。Flash(闪存)和EEPROM(ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory，电可擦可编程只读存储器)均属于非易失性存储器。Flash是EEPROM的变种，Flash与EEPROM的区别在于，EEPROM能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，而Flash需要块擦除。NANDFlash是Flash的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NANDFlash具有容量较大、改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用。

传统的NANDFlash可分为SPI(SerialPeripheralInterface，串行外设接口)和ONFI(OpenNANDFlashInterface，开放式NAND闪存接口)两种类型，这两种类型的NANDFlash单独生产、单独封装，因此灵活度不高，生产成本较高。

发明内容

本发明提供了一种Flash芯片，能够实现SPI类型的NANDFlash和ONFI类型的NANDFlash兼容，降低芯片成本。

为了解决上述问题，本发明公开了一种Flash芯片，包括多个复用接口和多个专用接口；

其中，所述复用接口能够兼容SPI类型的NANDFlash和ONFI类型的NANDFlash中功能相对应的接口；

所述专用接口对应于ONFI类型的NANDFlash中除所述功能相对应的接口之外的其他接口；

通过采用不同的封装方式，所述Flash芯片被封装为SPI类型的NANDFlash，或者ONFI类型的NANDFlash。

优选地，若所述专用接口中包括4个专用输入输出接口，则通过采用不同的封装方式，所述Flash芯片被封装为SPI类型的NANDFlash，或者8输入输出的ONFI类型的NANDFlash。

优选地，若所述专用接口中包括12个专用输入输出接口，则通过采用不同的封装方式，所述Flash芯片被封装为SPI类型的NANDFlash，或者8输入输出的ONFI类型的NANDFlash，或者16输入输出的ONFI类型的NANDFlash。

优选地，若所述Flash芯片被封装为SPI类型的NANDFlash，则所述复用接口被封装为外部引脚，所述专用接口被悬浮，且所述Flash芯片中预设的控制位被设置为SPI类型。

优选地，若所述Flash芯片被封装为8输入输出的ONFI类型的NANDFlash，则所述复用接口及所述专用接口均被封装为外部引脚，且所述Flash芯片中预设的控制位被设置为ONFI类型。

优选地，若所述Flash芯片被封装为8输入输出的ONFI类型的NANDFlash，则所述复用接口及所述专用接口中除设定的8个专用输入输出接口之外的其他专用接口均被封装为外部引脚，所述专用接口中所述设定的8个专用输入输出接口被悬浮，且所述Flash芯片中预设的控制位被设置为ONFI类型；

若所述Flash芯片被封装为16输入输出的ONFI类型的NANDFlash，则所述复用接口和所述专用接口均被封装为外部引脚，且所述Flash芯片中预设的控制位被设置为ONFI类型。

优选地，所述复用接口中包括4个复用输入输出接口，

在对所述Flash芯片进行性能测试时，所述复用接口中除设定的3个复用输入输出接口之外的其他复用接口作为测试接口，通过所述测试接口对所述Flash芯片进行性能测试。

优选地，所述复用接口包括：

能够兼容SPI类型的NANDFlash中电源接口和ONFI类型的NANDFlash中电源接口的复用电源接口；

能够兼容SPI类型的NANDFlash中接地接口和ONFI类型的NANDFlash中接地接口的复用接地接口；

能够兼容SPI类型的NANDFlash中芯片使能接口和ONFI类型的NANDFlash中芯片使能接口的复用芯片使能接口；

能够兼容SPI类型的NANDFlash中时钟接口和ONFI类型的NANDFlash中读使能接口的复用控制接口；和，

能够兼容SPI类型的NANDFlash中4个输入输出接口和ONFI类型的NANDFlash中设定的4个输入输出接口的4个复用输入输出接口。

优选地，所述专用接口包括：

对应于ONFI类型的NANDFlash中写使能接口的专用写使能接口；

对应于ONFI类型的NANDFlash中地址锁存使能接口的专用地址锁存使能接口；

对应于ONFI类型的NANDFlash中命令锁存使能接口的专用命令锁存使能接口；

对应于ONFI类型的NANDFlash中写保护接口的专用写保护接口；

对应于ONFI类型的NANDFlash中状态标识接口的专用状态标识接口；和，

对应于ONFI类型的NANDFlash中设定的输入输出接口的专用输入输出接口。

与现有技术相比，本发明包括以下优点：

本发明的Flash芯片中包括多个复用接口和多个专用接口，其中，复用接口能够兼容SPI类型的NANDFlash和ONFI类型的NANDFlash中功能相对应的接口，专用接口对应于ONFI类型的NANDFlash中除所述功能相对应的接口之外的其他接口，因此通过采用不同的封装方式，Flash芯片可以被封装为SPI类型的NANDFlash，或者ONFI类型的NANDFlash。由此可知，本发明可以在同一个芯片内实现SPI类型的NANDFlash或者ONFI类型的NANDFlash，从而降低生产成本，并且通过端口复用的方式能够控制芯片的面积，节约芯片成本。

附图说明

图1是本发明实施例一的一种Flash芯片的结构框图；

图2是本发明实施例二的一种Flash芯片的接口示意图；

图3是本发明实施例二的一种SPI类型的NANDFlash的接口示意图；

图4是本发明实施例二的一种8输入输出的ONFI类型的NANDFlash的接口示意图；

图5是本发明实施例三的一种Flash芯片的接口示意图；

图6是本发明实施例三的一种16输入输出的ONFI类型的NANDFlash的接口示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

实施例一

参照图1，示出了本发明实施例一种Flash芯片的结构框图。本发明实施例中，Flash芯片可以包括多个复用接口101和多个专用接口102，图1中的省略号表示已示出的两个复用接口之间还有至少一个复用接口，以及已示出的两个专用接口之间还有至少一个专用接口。

其中，复用接口101能够兼容SPI类型的NANDFlash和ONFI类型的NANDFlash中功能相对应的接口。SPI类型的NANDFlash中某些接口和ONFI类型的NANDFlash中某些接口的功能是相对应的，对于上述两种类型的NANDFlash中这些功能相对应的接口，可以采用同一复用接口复用两种功能相对应的接口，因此该复用接口既可以实现SPI类型的NANDFlash中对应接口的功能，也可以实现ONFI类型的NANDFlash中对应接口的功能。

其中，专用接口102对应于ONFI类型的NANDFlash中除上述功能相对应的接口之外的其他接口。在ONFI类型的NANDFlash中除包括上述与SPI类型的NANDFlash中功能相对应的接口之外，还包括一些该类型的NANDFlash专用的其他接口，因此在Flash芯片中还包括对应于这些其他接口的专用接口，这些专用接口能够实现上述ONFI类型的NANDFlash中专用的其他接口的功能。

本发明实施例中的Flash芯片是指封装之前的芯片，由于该Flash芯片中既包括了SPI类型的NANDFlash对应的接口，又包括了ONFI类型的NANDFlash对应的接口，因此通过采用不同的封装方式，该Flash芯片既可以被封装为SPI类型的NANDFlash，又可以被封装为ONFI类型的NANDFlash。

本发明实施例中可以在同一个芯片内实现SPI类型的NANDFlash或者ONFI类型的NANDFlash，从而降低生产成本，并且通过端口复用的方式能够控制芯片的面积，节约芯片成本；并且如果芯片中对应于SPI类型的NANDFlash或者ONFI类型的NANDFlash中的某个或某些接口损坏后，该Flash芯片还可以被封装为另一种类型的NANDFlash，从而能够使Flash芯片得到充分利用。

实施例二

参照图2，示出了本发明实施例二的一种Flash芯片的接口示意图。如图2所示，本发明实施例中的Flash芯片可以包括复用电源接口VCC、复用接地接口VSS、复用芯片使能接口CE#(ChipEnable，芯片使能，在操作芯片之前，要先选中此芯片才能操作)、复用控制接口SCLK/RE#(ReadEnable，读使能，在读取数据之前，要先使RE#有效)、4个复用输入输出接口IO0～IO3、专用写使能接口WE#(WriteEnable，写使能，在写取数据之前，要先使WE#有效)、专用地址锁存使能接口ALE(AddressLatchEnable，地址锁存使能，在输入地址之前，要先在模式寄存器中，设置ALE使能)、专用命令锁存使能接口CLE(CommandLatchEnable，命令锁存使能，在输入命令之前，要先在模式寄存器中，设置CLE使能)、专用写保护接口WP#(WriteProtect，写保护)、专用状态标识接口R/B#(Ready/BusyOutput，就绪/忙，主要用于在发送完编程/擦除命令后，检测这些操作是否完成，忙表示编程/擦除操作仍在进行中，就绪表示操作完成)和4个专用输入输出接口IO4～IO7。需要说明的是，在字母后面加“#”是表示低电平有效，比如上述的CE#等。

其中，复用电源接口VCC、复用接地接口VSS、复用芯片使能接口CE#、复用控制接口SCLK/RE#、4个复用输入输出接口IO0～IO3为复用接口。复用电源接口VCC为能够兼容SPI类型的NANDFlash中电源接口和ONFI类型的NANDFlash中电源接口的复用接口；复用接地接口VSS为能够兼容SPI类型的NANDFlash中接地接口和ONFI类型的NANDFlash中接地接口的复用接口；复用芯片使能接口CE#为能够兼容SPI类型的NANDFlash中芯片使能接口和ONFI类型的NANDFlash中芯片使能接口的复用接口；复用控制接口SCLK/RE#为能够兼容SPI类型的NANDFlash中时钟接口和ONFI类型的NANDFlash中读使能接口的复用接口；4个复用输入输出接口IO0～IO3为能够兼容SPI类型的NANDFlash中4个输入输出接口(SIO0～SIO3)和ONFI类型的NANDFlash中设定的4个输入输出接口(IO0～IO3)的4个复用接口。

其中，专用写使能接口WE#、专用地址锁存使能接口ALE、专用命令锁存使能接口CLE、专用写保护接口WP#、专用状态标识接口R/B#和4个专用输入输出接口IO4～IO7为专用接口。专用写使能接口WE#为对应于ONFI类型的NANDFlash中写使能接口的专用接口；专用地址锁存使能接口ALE为对应于ONFI类型的NANDFlash中地址锁存使能接口的专用接口；专用命令锁存使能接口CLE为对应于ONFI类型的NANDFlash中命令锁存使能接口的专用接口；专用写保护接口WP#为对应于ONFI类型的NANDFlash中写保护接口的专用接口；专用状态标识接口R/B#为对应于ONFI类型的NANDFlash中状态标识接口的专用接口；4个专用输入输出接口IO4～IO7为对应于ONFI类型的NANDFlash中设定的输入输出接口(IO4～IO7)的专用接口。

图2所示的Flash芯片中，专用接口中包括4个专用输入输出接口IO4～IO7，则针对该种情况，通过采用不同的封装方式，该Flash芯片可以被封装为SPI类型的NANDFlash，或者可以被封装为8输入输出的ONFI类型的NANDFlash。

如果要将该Flash芯片封装为SPI类型的NANDFlash，则仅需使用其中的全部复用接口(8个)即可实现SPI类型的NANDFlash的功能，因此可以将Flash芯片中的全部复用接口封装为外部引脚，将Flash芯片中的全部专用接口置为悬浮状态，并且还可以在Flash芯片中预先设置控制位，该控制位用于指示Flash芯片封装的类型(包括SPI类型和ONFI类型)，Flash芯片根据该控制位可以确定复用接口应该执行哪种类型的NANDFlash中的对应接口的功能，因此还需将Flash芯片中预设的控制位设置为SPI类型，从而得到封装后的SPI类型的NANDFlash。也即，若所述Flash芯片被封装为SPI类型的NANDFlash，则所述复用接口被封装为外部引脚，所述专用接口被悬浮，且所述Flash芯片中预设的控制位被设置为SPI类型。

参照图3，示出了本发明实施例二的一种SPI类型的NANDFlash的接口示意图。如图3所示，该SPI类型的NANDFlash中包括：电源接口VCC，接地接口VSS，芯片使能接口CE#，时钟接口SCLK，4个输入输出接口SI/SIO0、SO/SIO1、WP#/SIO2和HOLD#/SIO3。其中，电源接口VCC为通过将图2所示的复用电源接口VCC封装为外部引脚得到的，接地接口VSS为通过将图2所示的复用接地接口VSS封装为外部引脚得到的，芯片使能接口CE#为通过将图2所示的复用芯片使能接口CE#封装为外部引脚得到的，时钟接口SCLK为通过将图2所示的复用控制接口SCLK/RE#封装为外部引脚得到的，4个输入输出接口SI/SIO0、SO/SIO1、WP#/SIO2和HOLD#/SIO3分别为通过将图2所示的4个复用输入输出接口IO0～IO3封装为外部引脚得到的。

如果要将该Flash芯片封装为8输入输出的ONFI类型的NANDFlash，则不仅需要使用其中的全部复用接口，还需要使用其中的全部专用接口(由于专用接口中包括4个专用输入输出接口，因此Flash芯片中的输入输出接口共有8个，需全部使用)，可实现8输入输出的ONFI类型的NANDFlash的功能，因此可以将Flash芯片中的全部复用接口和全部专用接口封装为外部引脚，并将Flash芯片的控制位设置为ONFI类型，从而得到封装后8输入输出的ONFI类型的NANDFlash。也即，若图2所示的Flash芯片被封装为8输入输出的ONFI类型的NANDFlash，则所述复用接口及所述专用接口均被封装为外部引脚，且所述Flash芯片中预设的控制位被设置为ONFI类型。

参照图4，示出了本发明实施例二的一种8输入输出的ONFI类型的NANDFlash的接口示意图。如图4所示，该8输入输出的ONFI类型的NANDFlash中包括：电源接口VCC，接地接口VSS，芯片使能接口CE#，读使能接口RE#，写使能接口WE#，地址锁存使能接口ALE，命令锁存使能接口CLE，写保护接口WP#，状态标识接口R/B#，8个输入输出接口IO0～IO7。其中，电源接口VCC为通过将图2所示的复用电源接口VCC封装为外部引脚得到的，接地接口VSS为通过将图2所示的复用接地接口VSS封装为外部引脚得到的，芯片使能接口CE#为通过将图2所示的复用芯片使能接口CE#封装为外部引脚得到的，读使能接口RE#为通过将图2所示的复用控制接口SCLK/RE#封装为外部引脚得到的，4个输入输出接口IO0～IO3分别为通过将图2所示的4个复用输入输出接口IO0～IO3封装为外部引脚得到的；写使能接口WE#为通过将图2所示的专用写使能接口WE#封装为外部引脚得到的，地址锁存使能接口ALE为通过将图2所示的专用地址锁存使能接口ALE封装为外部引脚得到的，命令锁存使能接口CLE为通过将图2所示的专用命令锁存使能接口CLE封装为外部引脚得到的，写保护接口WP#为通过将图2所示的专用写保护接口WP#封装为外部引脚得到的，状态标识接口R/B#为通过将图2所示的专用状态标识接口R/B#封装为外部引脚得到的，剩余4个输入输出接口IO4～IO7为通过将图2所示的4个专用输入输出接口IO4～IO7封装为外部引脚得到的。

实施例三

参照图5，示出了本发明实施例三的一种Flash芯片的接口示意图。如图5所示，本发明实施例中的Flash芯片可以包括复用电源接口VCC、复用接地接口VSS、复用芯片使能接口CE#、复用控制接口SCLK/RE#、4个复用输入输出接口IO0～IO3、专用写使能接口WE#、专用地址锁存使能接口ALE、专用命令锁存使能接口CLE、专用写保护接口WP#、专用状态标识接口R/B#和12个专用输入输出接口IO4～IO15。

其中，复用电源接口VCC、复用接地接口VSS、复用芯片使能接口CE#、复用控制接口SCLK/RE#、4个复用输入输出接口IO0～IO3、专用写使能接口WE#、专用地址锁存使能接口ALE、专用命令锁存使能接口CLE、专用写保护接口WP#和专用状态标识接口R/B#，与上述实施例二中图2所示的接口基本相似，具体参照上述针对图2的相关描述即可，本发明实施例在此不再详细论述。剩余12个专用输入输出接口IO4～IO15为对应于ONFI类型的NANDFlash中设定的输入输出接口(IO4～IO15)的专用接口。

图5所示的Flash芯片中，专用接口中包括12个专用输入输出接口IO4～IO7，则针对该种情况，通过采用不同的封装方式，该Flash芯片可以被封装为SPI类型的NANDFlash，或者可以被封装为8输入输出的ONFI类型的NANDFlash，或者可以被封装为16输入输出的ONFI类型的NANDFlash。

如果要将该Flash芯片封装为SPI类型的NANDFlash，则具体过程与上述实施例二中的过程基本相似，封装后的SPI类型的NANDFlash与图3基本相似，具体参照上述实施例二的相关描述即可，本发明实施例在此不再详细论述。

如果要将该Flash芯片封装为8输入输出的ONFI类型的NANDFlash，则不仅需要使用其中的全部复用接口，还需要使用其中的专用接口中除设定的8个专用输入输出接口之外的其他4个专用接口(由于专用接口中包括12个专用输入输出接口，因此仅需使用其中的4个即可，需要说明的是，专用输入输出接口有严格的排序，在选取时并非随机选取4个，而是按顺序从第1个专用输入输出接口开始选取4个，也即选取IO4～IO7)，可实现8输入输出的ONFI类型的NANDFlash的功能，因此可以将Flash芯片中的全部复用接口和专用接口中除设定的8个专用输入输出接口之外的其他专用接口封装为外部引脚，将上述设定的8个专用输入输出接口置为悬浮状态悬浮，并将Flash芯片的控制位设置为ONFI类型，从而得到封装后8输入输出的ONFI类型的NANDFlash。也即，若图5所示的Flash芯片被封装为8输入输出的ONFI类型的NANDFlash，则所述复用接口及所述专用接口中除设定的8个专用输入输出接口之外的其他专用接口均被封装为外部引脚，所述专用接口中所述设定的8个专用输入输出接口被悬浮，且所述Flash芯片中预设的控制位被设置为ONFI类型。封装后的8输入输出的ONFI类型的NANDFlash与图4基本相似，具体参照上述实施例二的相关描述即可，本发明实施例在此不再详细论述。

如果要将该Flash芯片封装为16输入输出的ONFI类型的NANDFlash，则不仅需要使用其中的全部复用接口，还需要使用其中的全部专用接口(由于专用接口中包括12个专用输入输出接口，因此Flash芯片中的输入输出接口共有16个，需全部使用)，可实现16输入输出的ONFI类型的NANDFlash的功能，因此可以将Flash芯片中的全部复用接口和全部专用接口封装为外部引脚，并将Flash芯片的控制位设置为ONFI类型，从而得到封装后16输入输出的ONFI类型的NANDFlash。也即，若图5所示的Flash芯片被封装为16输入输出的ONFI类型的NANDFlash，则所述复用接口和所述专用接口均被封装为外部引脚，且所述Flash芯片中预设的控制位被设置为ONFI类型。

图6是本发明实施例三的一种16输入输出的ONFI类型的NANDFlash的接口示意图。如图6所示，该16输入输出的ONFI类型的NANDFlash中包括：电源接口VCC，接地接口VSS，芯片使能接口CE#，读使能接口RE#，写使能接口WE#，地址锁存使能接口ALE，命令锁存使能接口CLE，写保护接口WP#，状态标识接口R/B#，16个输入输出接口IO0～IO15。其中，4个输入输出接口IO0～IO3分别为通过将图5所示的4个复用输入输出接口IO0～IO3封装为外部引脚得到的，剩余12个输入输出接口IO4～IO15为通过将图5所示的12个专用输入输出接口IO4～IO15封装为外部引脚得到的；其中的电源接口VCC，接地接口VSS，芯片使能接口CE#，读使能接口RE#，写使能接口WE#，地址锁存使能接口ALE，命令锁存使能接口CLE，写保护接口WP#，状态标识接口R/B#与上述实施例二中图4所示的接口基本相似，具体参照上述针对图4的相关描述即可，本发明实施例在此不再详细论述。

在上述实施例一、实施例二和实施例三中，Flash芯片的复用接口中包括4个复用输入输出接口，在对Flash芯片进行性能测试时，可以通过SPI的串行接口模拟ONFI的并行接口，利用SPI类型的NANDFlash实现ONFI类型的NANDFlash的性能测试，也即性能测试时将Flash芯片的复用接口中除设定的3个复用输入输出接口之外的其他复用接口作为测试接口，通过测试接口对所述Flash芯片进行性能测试。该种测试方式可以减少测试的接口数量，减少测试需要的探针数，提高了测试仪的测试效率，降低了测试成本。

传统的NANDFlash可分为SPI和ONFI两种类型，本发明采用接口复用方式，通过不同的封装方式可以得到SPI类型的NANDFALSH、8输入输出的ONFI类型的NANDFlash、16输入输出的ONFI类型的NANDFlash，从而可以在同一芯片上实现SPI类型和ONFI类型兼容，通过复用接口使得SPI类型和ONFI类型无需各自独立的接口，在不增加接口数量的前提下，能够控制芯片的面积，节约芯片成本；而且在芯片的性能测试时，可通过SPI类型的NANDFlash的对应接口实现，降低测试成本。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上对本发明所提供的一种Flash芯片，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (9)

1.一种Flash芯片，其特征在于，包括多个复用接口和多个专用接口；

其中，所述复用接口能够兼容SPI类型的NANDFlash和ONFI类型的NANDFlash中功能相对应的接口；

所述专用接口对应于ONFI类型的NANDFlash中除所述功能相对应的接口之外的其他接口；

通过采用不同的封装方式，所述Flash芯片被封装为SPI类型的NANDFlash，或者ONFI类型的NANDFlash。

2.根据权利要求1所述的Flash芯片，其特征在于，若所述专用接口中包括4个专用输入输出接口，则通过采用不同的封装方式，所述Flash芯片被封装为SPI类型的NANDFlash，或者8输入输出的ONFI类型的NANDFlash。

3.根据权利要求1所述的Flash芯片，其特征在于，若所述专用接口中包括12个专用输入输出接口，则通过采用不同的封装方式，所述Flash芯片被封装为SPI类型的NANDFlash，或者8输入输出的ONFI类型的NANDFlash，或者16输入输出的ONFI类型的NANDFlash。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的Flash芯片，其特征在于，

若所述Flash芯片被封装为SPI类型的NANDFlash，则所述复用接口被封装为外部引脚，所述专用接口被悬浮，且所述Flash芯片中预设的控制位被设置为SPI类型。

5.根据权利要求2所述的Flash芯片，其特征在于，

若所述Flash芯片被封装为8输入输出的ONFI类型的NANDFlash，则所述复用接口及所述专用接口均被封装为外部引脚，且所述Flash芯片中预设的控制位被设置为ONFI类型。

6.根据权利要求3所述的Flash芯片，其特征在于，

若所述Flash芯片被封装为8输入输出的ONFI类型的NANDFlash，则所述复用接口及所述专用接口中除设定的8个专用输入输出接口之外的其他专用接口均被封装为外部引脚，所述专用接口中所述设定的8个专用输入输出接口被悬浮，且所述Flash芯片中预设的控制位被设置为ONFI类型；

若所述Flash芯片被封装为16输入输出的ONFI类型的NANDFlash，则所述复用接口和所述专用接口均被封装为外部引脚，且所述Flash芯片中预设的控制位被设置为ONFI类型。

7.根据权利要求1所述的Flash芯片，其特征在于，所述复用接口中包括4个复用输入输出接口，

在对所述Flash芯片进行性能测试时，所述复用接口中除设定的3个复用输入输出接口之外的其他复用接口作为测试接口，通过所述测试接口对所述Flash芯片进行性能测试。

8.根据权利要求1所述的Flash芯片，其特征在于，所述复用接口包括：

能够兼容SPI类型的NANDFlash中电源接口和ONFI类型的NANDFlash中电源接口的复用电源接口；

能够兼容SPI类型的NANDFlash中接地接口和ONFI类型的NANDFlash中接地接口的复用接地接口；

能够兼容SPI类型的NANDFlash中芯片使能接口和ONFI类型的NANDFlash中芯片使能接口的复用芯片使能接口；

能够兼容SPI类型的NANDFlash中时钟接口和ONFI类型的NANDFlash中读使能接口的复用控制接口；和，

能够兼容SPI类型的NANDFlash中4个输入输出接口和ONFI类型的NANDFlash中设定的4个输入输出接口的4个复用输入输出接口。

9.根据权利要求1所述的Flash芯片，其特征在于，所述专用接口包括：

对应于ONFI类型的NANDFlash中写使能接口的专用写使能接口；

对应于ONFI类型的NANDFlash中地址锁存使能接口的专用地址锁存使能接口；

对应于ONFI类型的NANDFlash中命令锁存使能接口的专用命令锁存使能接口；

对应于ONFI类型的NANDFlash中写保护接口的专用写保护接口；

对应于ONFI类型的NANDFlash中状态标识接口的专用状态标识接口；和，

对应于ONFI类型的NANDFlash中设定的输入输出接口的专用输入输出接口。