CN105182520B - 斜入射光在拓扑绝缘体金属多层核-壳体表面产生可调谐非梯度光学力的方法 - Google Patents
斜入射光在拓扑绝缘体金属多层核-壳体表面产生可调谐非梯度光学力的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105182520B CN105182520B CN201510432120.3A CN201510432120A CN105182520B CN 105182520 B CN105182520 B CN 105182520B CN 201510432120 A CN201510432120 A CN 201510432120A CN 105182520 B CN105182520 B CN 105182520B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- shell
- multilayer core
- topological insulator
- incident light
- topological
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
一种斜入射光在拓扑绝缘体金属多层核‑壳体表面产生可调谐非梯度光学力的方法,破坏多层核‑壳体周围的玻印亭矢量的对称分布,使多层核‑壳体上的总玻印亭矢量不为零,产生非梯度光学力;然后,通过改变拓扑绝缘体的量子态,改变多层核‑壳体上的总玻印亭矢量的方向和大小,进而改变总玻印亭矢量作用在多层核‑壳体上的非梯度光学力的方向和大小,来调控多层核‑壳体在入射光场中的运动轨迹,对附着在多层核‑壳体表面的纳米尺寸分子进行可调谐捕获和筛选的技术方案。其中,通过光照、通电、加热、加压、和外加磁场等方式实现拓扑绝缘体/金属多层核‑壳体中拓扑绝缘体从拓扑非平庸到拓扑平庸的可逆量子相变。
Description
技术领域
本发明涉及一种斜入射光在拓扑绝缘体金属多层核-壳体表面产生可调谐非梯度光学力的方法,可应用于生物、医学及纳米操控等领域。
背景技术
对微小物体的光学捕获和筛选一直是光学领域的研究热点。光学梯度力在各种光学捕获技术中扮演着重要的角色,例如通过光学梯度力实现的光镊和光学捆绑等。然而,光学梯度力具有产生设备复杂、不可调谐和难以捕获和筛选纳米尺寸分子等缺点。2008年,Ward,T.J.等提出通过圆偏振光产生的光学梯度力可以捕获和分离具有纳米尺寸的手性分子。但是,圆偏振入射光仍然需要使用复杂的设备来产生,不利于系统的实际应用;且其捕获和分离的纳米分子必需具有手性结构,因此限制了其作用对象的范围。所以,本发明提出在拓扑绝缘体/金属多层核-壳体表面覆盖纳米尺寸分子,使其在线偏振倾斜入射光照射下在多层核-壳体周围产生非梯度光学力;然后,利用拓扑绝缘体量子态随外加光场、电场、温度场、压力场、和磁场改变而变化的特性,调谐多层核-壳体受到的非梯度光学力大小和方向,从而实现对附着在多层核-壳体表面的纳米尺寸分子的捕获和筛选,其中纳米尺寸分子可以为非手性结构。
发明内容
本发明的目的在于克服了利用梯度光学力捕获和筛选纳米尺寸分子这一传统方法中所具有的入射光源复杂(即入射光必需为圆偏振或椭圆偏振)、筛选对象局限(即纳米尺寸分子必需具有手性结构)、由圆偏振或椭圆偏振光产生的梯度光学力不可调谐、以及难以捕获纳米尺寸非手性分子等不足,而提供一种具有系统简单、操作方便、超灵敏、超快速、主动调谐等优点的由线偏振倾斜入射光产生的非梯度光学力捕获和筛选非手性纳米尺寸分子的方法,可用于生物,医学以及纳米操控等领域。
本发明解决问题采用的技术方案如下:
一种斜入射光在拓扑绝缘体金属多层核-壳体表面产生可调谐非梯度光学力的方法,通过使线偏振入射光倾斜照射拓扑绝缘体/金属多层核-壳体,破坏拓扑绝缘体/金属多层核-壳体周围的玻印亭矢量对称分布,使多层核-壳体上的总玻印亭矢量不为零,产生非梯度光学力;且该总玻印亭矢量随拓扑绝缘体的量子态的变化发生改变,进而改变总玻印亭矢量作用在多层核-壳体上的非梯度光学力的方向和大小,来调控多层核-壳体在入射光场中的运动轨迹,从而对附着在多层核-壳体表面的纳米尺寸分子进行可调谐捕获和筛选,其中多层核-壳体处于入射光束内,且偏离光束沿入射方向的中心对称轴(z轴)的距离为l(0≤l≤w(z)),w(z)为入射光束宽,随z的变化发生改变(-∞<z<+∞);多层核-壳体由金属层、拓扑绝缘体层交替生长而成,层数为n层(n>1),每层厚度在1纳米至1微米;多层核-壳体的外形可以是球体、椭球体、圆柱体、圆锥体等曲面几何体或者棱柱、正方体、长方体等多面体,体积在1立方纳米至1000立方微米;多层核-壳体中核与壳的中心可以重叠或分离。
所述的线偏振入射光为线偏振非平面波或平面波,类型包括高斯波、贝塞尔波、艾里波等;入射光倾斜照射拓扑绝缘体层/金属多层核-壳体,入射角θ范围是0°<θ<90°;频率范围为0.3μm~20μm;功率范围为0.1mW/μm2~10mW/μm2。
所述的入射光的光源采用波长可调谐激光器、半导体连续或准连续激光、或者发光二极管。
所述的表面附有纳米尺寸分子的拓扑绝缘体/金属多层核-壳体,金属层是Al、Ag、Au、Cu、Ni、Pt等。
所述的表面附有纳米尺寸分子的拓扑绝缘体/金属多层核-壳体,拓扑绝缘体是BixSb1-x、HgTe、Bi2Te3、Bi2Se3或Sb2Te3。
所述的表面附有纳米尺寸分子的拓扑绝缘体/金属多层核-壳体,纳米尺寸分子可以具有非手性结构或手性结构,如抗原,抗体,酶,激素,胺类,肽类,氨基酸,维生素等。
所述的表面附有纳米尺寸分子的拓扑绝缘体/金属多层核-壳体,多层结构通过材料生长工艺实现,包括磁控溅射、电子束蒸发、金属有机化合物化学气相沉淀、气相外延生长、分子束外延。
所述的表面附有纳米尺寸分子的拓扑绝缘体/金属多层核-壳体,可以通过光照、通电、加热、加压、和外加磁场等方式实现拓扑绝缘体从拓扑非平庸到拓扑平庸的可逆量子相变。
本发明系统由光源、显微镜和光学力显示器构成。测试前将表面附有纳米尺寸分子的拓扑绝缘体/金属多层核-壳体置于装有水或油的样品池中,在线偏振光波的倾斜照射下,破坏拓扑绝缘体/金属多层核-壳体周围的玻印亭矢量对称分布,使多层核-壳体上的总玻印亭矢量不为零,产生非梯度光学力;然后,通过改变拓扑绝缘体的量子态,改变多层核-壳体上的总玻印亭矢量,进而改变总玻印亭矢量作用在多层核-壳体上的非梯度光学力的方向和大小,来调控多层核-壳体在入射光场中的运动轨迹,从而对附着在多层核-壳体表面的纳米尺寸非手性分子进行可调谐捕获和筛选。显微镜可以用来观测表面附有纳米尺寸非手性分子的拓扑绝缘体/金属多层核-壳体在入射光作用下所产生的运动轨迹。所述显微镜可以采用普通荧光垂直或正置显微镜。
所述系统可以通过简单的线偏振倾斜入射光实现对具有纳米尺寸非手性结构物体的可调谐捕获和筛选。克服了利用梯度光学力捕获和筛选纳米尺寸分子这一传统方法中所具有的入射光源复杂(即入射光必须为圆偏振或椭圆偏振)、筛选对象局限(即纳米尺寸分子必须具有手性)、由圆偏振或椭圆偏振光产生的梯度光学力不可调谐、以及难以捕获纳米尺寸分子等问题,具有系统简单、操作方便、超灵敏、超快速、主动调谐等优点,可用于生物,医学以及纳米操控等领域。
附图说明
图1(a)-(b)为表面附有纳米尺寸分子的拓扑绝缘体/金属多层核-壳体示意图。
图2(a)-(c)为由线偏振倾斜入射光产生的非梯度光学力捕获表面附有纳米尺寸分子的拓扑绝缘体/金属多层核-壳体的过程示意图。
图3为由线偏振倾斜入射光产生的非梯度光学力捕获表面附有纳米尺寸分子的拓扑绝缘体/金属多层核-壳体的系统测试示意图。
图中:1拓扑绝缘体层,2金属层,3拓扑绝缘体/金属多层核-壳体,4纳米尺寸分子,5光源,6显微镜,7光学力显示器,8样品池,9控温器,10 CCD摄像机,11监视器,12计算机,13录像机。
具体实施方式
为使得本发明的技术方案的内容更加清晰,以下结合技术方案和附图详细叙述本发明的具体实施方式。其中的材料生长技术包括:磁控溅射,电子束蒸发,金属有机化合物化学气相沉淀,气相外延生长,和分子束外延技术等常用技术。
实施例1
首先,通过材料生长工艺产生n层(n>1)由拓扑绝缘体层1、金属层2、交替而成的拓扑绝缘体/金属多层核-壳体3,如附图1(a)所示。其中拓扑绝缘体/金属多层核-壳体3的几何形状和尺寸可以采用有限时域差分法、有限元法等算法确定。
其次,在拓扑绝缘体/金属多层核-壳体3外表面附着纳米尺寸分子4,如附图1(b)所示。
然后,将表面附着纳米尺寸分子4的拓扑绝缘体/金属多层核-壳体3置于线偏振倾斜入射光束内,拓扑绝缘体层1为拓扑非平庸体时,处于倾斜入射光内的拓扑绝缘体/金属多层核-壳体3周围的玻印亭矢量为非对称分布,即拓扑绝缘体/金属多层核-壳体3上的总玻印亭矢量不为零,产生指向光束外围的非梯度光学力,使拓扑绝缘体/金属多层核-壳体3向光束外围运动,进而带动附着在拓扑绝缘体/金属多层核-壳体3表面的纳米尺寸分子4向光束外围运动,如附图2(a)所示。
之后,通过光照、通电、加热和加压等方式将拓扑绝缘体层1的拓扑非平庸体转化为拓扑平庸体(即拓扑绝缘体产生从拓扑非平庸到拓扑平庸的量子态变化),使拓扑绝缘体/金属多层核-壳体3表面的总玻印亭矢量方向和大小发生改变,产生指向光束中心的非梯度光学力,使拓扑绝缘体/金属多层核-壳体3带动附着在其表面的纳米尺寸分子4向光束中心运动,如附图2(b)所示。
最后,通过降温、光照等方式使拓扑绝缘体1由拓扑平庸体变回拓扑非平庸体(即拓扑绝缘体产生从拓扑平庸到拓扑非平庸的量子态变化),此时拓扑绝缘体/金属多层核-壳体3受到的非梯度光学力又变回了向外,拓扑绝缘体/金属多层核-壳体3带动纳米尺寸分子4向光束外围运动,如附图2(c)所示。
这样我们通过改变拓扑绝缘体的量子态,控制拓扑绝缘体/金属多层核-壳体3在入射光场中的运动轨迹,最终实现了对附着在拓扑绝缘体/金属多层核-壳体3表面的纳米尺寸分子4的可调谐捕获和筛选。
本发明系统主要由光源5、显微镜6和光学力显示器7构成。测试前可以将表面附着纳米尺寸分子4的拓扑绝缘体/金属多层核-壳体3置于样品池8内,光源5产生线偏振倾斜入射光,射向样品池8,实现对表面附着纳米尺寸分子4的拓扑绝缘体/金属多层核-壳体3的抓获和操纵。显微镜6可以用来观测微表面附着纳米尺寸分子4的拓扑绝缘体/金属多层核-壳体3在倾斜入射光作用下所产生的运动轨迹。线偏振倾斜入射光在表面附着纳米尺寸分子4的拓扑绝缘体/金属多层核-壳体3产生的非梯度光学力由光力显示器7测得。本发明系统同时还包括控温器9、CCD摄像机10、监视器11、计算机12、和录像机13等(附图3所示)。利用CCD摄像机10对线偏振倾斜入射光照射下的表面附着纳米尺寸分子4的拓扑绝缘体/金属多层核-壳体3进行实时监测,并将所得的视频信号在显示器显示。录像机13可以用来记录图像。样品池8与控温器9相连,使表面附着纳米尺寸分子4的拓扑绝缘体/金属多层核-壳体3中拓扑绝缘体的量子态随样品池8的温度变化而改变。计算机12可以存储显微镜6所采集的视场信息。
以上所述是本发明应用的技术原理和具体实例,依据本发明的构想所做的等效变换,只要其所运用的方案仍未超出说明书和附图所涵盖的精神时,均应在本发明的范围内,特此说明。
Claims (7)
1.一种斜入射光在拓扑绝缘体/ 金属多层核-壳体表面产生可调谐非梯度光学力的方法,其特征在于,通过使线偏振入射光倾斜照射拓扑绝缘体/金属多层核-壳体,破坏拓扑绝缘体/金属多层核-壳体周围的玻印亭矢量对称分布,使多层核-壳体上的总玻印亭矢量不为零,产生非梯度光学力;且该总玻印亭矢量随拓扑绝缘体的量子态的变化发生改变,进而改变总玻印亭矢量作用在多层核-壳体上的非梯度光学力的方向和大小,来调控多层核-壳体在入射光场中的运动轨迹,从而对附着在多层核-壳体表面的纳米尺寸分子进行可调谐捕获和筛选,其中多层核-壳体处于入射光束内,且偏离光束沿入射方向的中心对称轴z轴的距离为l,0≤l≤w(z);w(z)为入射光束宽,随z的变化发生改变,-∞<z<+∞;多层核-壳体由金属层、拓扑绝缘体层交替生长而成,层数为n层,n>1;每层厚度在1纳米至1微米;多层核-壳体的外形是曲面几何体或者多面体,体积在1立方纳米至1000立方微米;多层核-壳体中核与壳的中心重叠或分离;所述表面附有纳米尺寸分子的拓扑绝缘体/金属多层核-壳体通过光照、通电、加热、加压和外加磁场实现拓扑绝缘体从拓扑非平庸到拓扑平庸的可逆量子相变。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,线偏振入射光为线偏振非平面波或平面波,类型包括高斯波、贝塞尔波、艾里波;入射光倾斜照射拓扑绝缘体层/金属多层核-壳体,入射角θ范围是0°<θ<90°;频率范围为0.3μm~20μm;功率范围为0.1mW/μm2~10mW/μm2。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,入射光的光源采用波长可调谐激光器、半导体连续、准连续激光或者发光二极管。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的表面附有纳米尺寸分子的拓扑绝缘体/金属多层核-壳体,金属层是Al、Ag、Au、Cu、Ni、Pt。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的表面附有纳米尺寸分子的拓扑绝缘体/金属多层核-壳体,拓扑绝缘体是BixSb1-x、HgTe、Bi2Te3、Bi2Se3或Sb2Te3。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的表面附有纳米尺寸分子的拓扑绝缘体/金属多层核-壳体,纳米尺寸分子具有非手性结构或手性结构。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的表面附有纳米尺寸分子的拓扑绝缘体/金属多层核-壳体,多层结构通过材料生长工艺实现,包括磁控溅射、电子束蒸发、金属有机化合物化学气相沉淀、气相外延生长、分子束外延。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510432120.3A CN105182520B (zh) | 2015-07-21 | 2015-07-21 | 斜入射光在拓扑绝缘体金属多层核-壳体表面产生可调谐非梯度光学力的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510432120.3A CN105182520B (zh) | 2015-07-21 | 2015-07-21 | 斜入射光在拓扑绝缘体金属多层核-壳体表面产生可调谐非梯度光学力的方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105182520A CN105182520A (zh) | 2015-12-23 |
CN105182520B true CN105182520B (zh) | 2022-11-18 |
Family
ID=54904705
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510432120.3A Active CN105182520B (zh) | 2015-07-21 | 2015-07-21 | 斜入射光在拓扑绝缘体金属多层核-壳体表面产生可调谐非梯度光学力的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN105182520B (zh) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6055106A (en) * | 1998-02-03 | 2000-04-25 | Arch Development Corporation | Apparatus for applying optical gradient forces |
US7324282B2 (en) * | 2002-05-14 | 2008-01-29 | Arryx, Inc. | Apparatus, system and method for applying optical gradient forces |
-
2015
- 2015-07-21 CN CN201510432120.3A patent/CN105182520B/zh active Active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
"Ultrasensitive Size-Selection of Plasmonic Nanoparticles by Fano Interference Optical Force";Zhipeng Li et al;《ACS NANO》;20131205;第8卷(第1期);第701-708页 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105182520A (zh) | 2015-12-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Gao et al. | Microstructure and properties of well-ordered multiferroic Pb (Zr, Ti) O3/CoFe2O4 nanocomposites | |
Kim et al. | Nanodiamonds that swim | |
US20100195868A1 (en) | Target-locking acquisition with real-time confocal (tarc) microscopy | |
Waxman et al. | Diamond magnetometry of superconducting thin films | |
Sinev et al. | Steering of guided light with dielectric nanoantennas | |
CN105068237B (zh) | 斜入射光在硫族化物金属多层核-壳体表面产生可调谐非梯度光学力的方法 | |
CN105182520B (zh) | 斜入射光在拓扑绝缘体金属多层核-壳体表面产生可调谐非梯度光学力的方法 | |
CN105137586B (zh) | 线偏振平面光波对处于石墨烯衬底上方微粒的可调谐捕获和筛选的方法 | |
CN105116538B (zh) | 斜入射光在石墨烯薄层包裹颗粒表面产生可调谐非梯度光学力的方法 | |
Li et al. | Routing the Exciton Emissions of WS2 Monolayer with the High-Order Plasmon Modes of Ag Nanorods | |
CN105116531B (zh) | 线偏振非平面光波在拓扑绝缘金属多层核-壳体表面产生可调谐非梯度光学力的方法 | |
CN105137587B (zh) | 线偏振非平面光波在包裹石墨烯薄层的微粒上产生可调谐非梯度光学力的方法 | |
CN105137585B (zh) | 线偏振非平面光波在硫族化物金属多层核-壳体表面产生可调谐非梯度光学力的方法 | |
CN105116535B (zh) | 线偏振平面光波对衬底上方的石墨烯包裹微粒的可调谐捕获和筛选的方法 | |
Kingsley-Smith et al. | Optical magnetic dipole levitation using a plasmonic surface | |
CN105116534B (zh) | 线偏振平面光波对处于拓扑绝缘体衬底上方微粒的可调谐捕获和筛选的方法 | |
CN105182518B (zh) | 线偏振平面光波对处于二氧化钒衬底上方微粒的可调谐捕获和筛选的方法 | |
CN105182517B (zh) | 线偏振平面光波对衬底上方的硫族化物微粒的可调谐捕获和筛选的方法 | |
CN105182571A (zh) | 斜入射光在液晶材料金属多层核-壳体表面产生可调谐非梯度光学力的方法 | |
Klimov et al. | Using chiral nano-meta-particles to control chiral molecule radiation | |
CN105116532A (zh) | 线偏振非平面光波在二氧化钒/金属多层核-壳体表面产生可调谐非梯度光学力的方法 | |
CN105182516B (zh) | 线偏振平面光波对处于液晶材料衬底上方微粒的可调谐捕获和筛选的方法 | |
CN105182521A (zh) | 线偏振平面光波对衬底上方的拓扑绝缘体微粒的可调谐捕获和筛选的方法 | |
CN105118541B (zh) | 线偏振平面光波对处于硫族化物衬底上方微粒的可调谐捕获和筛选的方法 | |
CN105116537A (zh) | 斜入射光在二氧化钒金属多层核-壳体表面产生可调谐非梯度光学力的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |