CN105140390A - Amr传感器及其制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 46
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 43
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910000863 Ferronickel Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/80—Constructional details
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
本发明提供一种AMR传感器及其制造方法。所述制造方法包括：提供一个基底；在施加外部磁场的情况下，在所述基底上沉积磁阻材料形成磁阻层；光刻、刻蚀所述磁阻层使得所述磁阻层形成第一预定义图形；在所述磁阻层上沉积绝缘材料形成绝缘层；光刻、刻蚀所述绝缘层使得所述绝缘层形成第二预定义图形；在所述绝缘层上沉积导电材料形成导电层；光刻、刻蚀所述导电层使得所述导电层形成第三预定义图形。这样，可以避免由于过刻损伤到下层的磁阻层即MRS磁性薄膜材料损伤，提高工艺的稳定性以及可操作性，避免最终器件性能受影响。
Description
【技术领域】
本发明涉及磁传感器，特别涉及一种AMR传感器及其制造方法。
【背景技术】
在传统工艺中，刻蚀会根据所要刻蚀的导电层厚度以及光刻胶厚度来调整刻蚀量，为了能保证所要被刻蚀的导电层刻蚀干净，一般会过刻蚀。一旦过刻蚀，就要损伤到下层金属。有些工艺的金属厚度由于技术需要会很薄，所以一旦过刻蚀很多，就会影响到最终器件的性能。例如，在AMR(AnisotropicMagnetoResistive)工艺中，MRS(MagnetoResistanceStrip)磁性薄膜材料是非常关键且薄膜厚度只有20nm左右，一旦后续BBP(BarBerPole)layer的干法刻蚀过刻的话，就会损伤到MRS的薄膜材料。
因此，有必要提出改进的AMR传感器的制造方法，以克服上述问题。
【发明内容】
本发明的目的之一在于提供一种改进的AMR传感器及其制造方法，其可以解决由于过刻而造成的MRS磁性薄膜材料损伤，导致最终器件性能受影响的问题。
为了解决上述问题，本发明提供一种AMR传感器的制造方法，其包括：提供一个基底；在施加外部磁场的情况下，在所述基底上沉积磁阻材料形成磁阻层；光刻、刻蚀所述磁阻层使得所述磁阻层形成第一预定义图形；在所述磁阻层上沉积绝缘材料形成绝缘层；光刻、刻蚀所述绝缘层使得所述绝缘层形成第二预定义图形；在所述绝缘层上沉积导电材料形成导电层；光刻、刻蚀所述导电层使得所述导电层形成第三预定义图形。
进一步的，所述磁阻层的沉积厚度约为10-100nm。
进一步的，所述磁阻材料包括Ta和NiFe，所述绝缘材料包括SiN、SiO2和AL2O3中的任意一种非导电材料，所述导电材料包括金属材料、非金属导电材料和合金中的任意一种。
进一步的，所述磁阻层呈三层结构，上层的磁阻材料为Ta，厚度为10nm，中层的磁阻材料为NiFe，厚度为20nm，底层的磁阻材料为Ta，厚度为10nm。
进一步的，所述磁阻层的第一预定义图形包括若干磁阻条，所述绝缘层的第二预定义图形包括形成于每个磁阻条上并填充相邻磁阻条之间的间隙的若干个绝缘条，所述导电层的第三预定义图形包括填充相邻绝缘条之间的间隙的若干个导电条。
进一步的，所述光刻、刻蚀所述磁阻层使得所述磁阻层形成第一预定义图形包括：在所述磁阻层上涂覆光刻胶形成第一光刻胶层；经过第一预定义图形的掩膜版对第一光刻胶层进行曝光；对曝光后的第一光刻胶层进行显影处理；刻蚀所述磁阻层使得磁阻层形成第一预定义图形；去除第一光刻胶层。
进一步的，所述光刻、刻蚀所述绝缘层使得所述绝缘层形成第二预定义图形包括：在所述绝缘层上涂覆光刻胶形成第二光刻胶层；经过第二预定义图形的掩膜版对第二光刻胶层进行曝光；对曝光后的第二光刻胶层进行显影处理；刻蚀所述绝缘层使得绝缘层形成第二预定义图形；去除第二光刻胶层。
进一步的，所述光刻、刻蚀所述导电层使得所述导电层形成第三预定义图形包括：在所述导电层上涂覆光刻胶形成第三光刻胶层；经过第三预定义图形的掩膜版对第三光刻胶层进行曝光；对曝光后的第三光刻胶层进行显影处理；刻蚀所述导电层使得导电层形成第三预定义图形；去除第三光刻胶层。
根据本发明的另一个方面，本发明提供一种AMR传感器，其包括：基底；形成于基底上的多个磁阻条；形成于每个磁阻条上并填充相邻磁阻条之间的间隙的若干个绝缘条；填充相邻绝缘条之间的间隙的若干个导电条；其中每个磁阻条上设有若干个导电条。
进一步的，所述绝缘条的高度低于所述导电条的高度。
与现有技术相比，本发明中在两层金属薄膜即磁阻层和导电层中间再垫积一层绝缘层，用作刻蚀的终止层次，残余的绝缘层也不会去除，充当绝缘层，换言之，由于刻蚀磁阻层的气体对于绝缘层的选择比很高，最终刻蚀会停留在绝缘层上面，可以避免由于过刻损伤到下层的磁阻层即MRS磁性薄膜材料损伤，提高工艺的稳定性以及可操作性，避免最终器件性能受影响。
【附图说明】
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。其中：
图1a至图1g示出了本发明中的AMR传感器的制造方法中各步骤得到的产品的结构示意图；
图2示意出了本发明中的AMR传感器的制造方法在一个实施例中的流程示意图。
【具体实施方式】
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指可包含于本发明至少一个实现方式中的特定特征、结构或特性。在本说明书中不同地方出现的“在一个实施例中”并非均指同一个实施例，也不是单独的或选择性的与其他实施例互相排斥的实施例。除非特别说明，本文中的连接、相连、相接的表示电性连接的词均表示直接或间接电性相连，间接电性相连是指经由另外一个器件或电路电性相连。
如图2所示，本发明提出了一种改进的AMR传感器的制造方法200。图1a至图1g示出了本发明中的AMR传感器的制造方法200中各步骤得到的产品的结构示意图。下面结合图1a-1g和图2，来介绍一下本发明中的AMR传感器的制造方法200。所述AMR传感器的制造方法200包括如下步骤。
步骤210，提供一个基底110，如图1a所示。该基底可以是半导体圆片。
步骤220，在施加外部磁场的情况下，在所述基底110上沉积磁阻材料形成磁阻层120，即垫积生长MRS金属薄膜，如图1b所示。
所述磁阻层的沉积厚度约为10-100nm，所述磁阻材料包括钽Ta和镍铁NiFe。在一个实施例中，先形成第一Ta层，再形成NiFe层，最后形成第二Ta层，其中第一Ta层、NiFe层和第二Ta层形成磁阻层120。在一个实施例中第一Ta层厚度为10nm，NiFe层厚度为20nm，第二Ta层厚度为10nm。在其他的实施例中，也可以是其他磁阻材料。
步骤230，光刻、刻蚀所述磁阻层120使得所述磁阻层120形成第一预定义图形，即定义出MRS的图形，如图1c所示。
所述磁阻层120的第一预定义图形包括若干磁阻条121。所述磁阻层120被光刻、刻蚀成为第一预定义图形的磁阻层120a。
在一个具体的实施例中，光刻、刻蚀所述磁阻层120使得所述磁阻层120形成第一预定义图形包括：在所述磁阻层120上涂覆光刻胶形成第一光刻胶层；经过第一预定义图形的掩膜版对第一光刻胶层进行曝光；对曝光后的第一光刻胶层进行显影处理；刻蚀所述磁阻层120使得磁阻层120形成第一预定义图形；去除第一光刻胶层。
步骤240，在所述磁阻层上沉积绝缘材料形成绝缘层130，即生长绝缘层130如图1d所示。
所述绝缘材料包括SiN、SiO2和AL2O3等中的任意一种非导电材料。
步骤250，光刻、刻蚀所述绝缘层130使得所述绝缘层130形成第二预定义图形，即定义出绝缘层130的开口图形，如图1e所示。
所述绝缘层130的第二预定义图形包括形成于每个磁阻条121上并填充相邻磁阻条121之间的间隙的若干个绝缘条131。所述绝缘层130被光刻、刻蚀成为第二预定义图形的绝缘层130a。
在一个实施例中，光刻、刻蚀所述绝缘层130使得所述绝缘层130形成第二预定义图形包括：在所述绝缘层130上涂覆光刻胶形成第二光刻胶层；经过第二预定义图形的掩膜版对第二光刻胶层进行曝光；对曝光后的第二光刻胶层进行显影处理；刻蚀所述绝缘层130使得绝缘层130形成第二预定义图形；去除第二光刻胶层。
步骤260，在所述绝缘层130上沉积导电材料形成导电层140，即垫积顶层BBP导电材料，如图1f所示。
所述导电材料包括Cu或者Al这样的金属材料，也可以是类似TiN这样的非金属导电材料，可以是类似TiW的合金。
步骤270，光刻、刻蚀所述导电层140使得所述导电层140形成第三预定义图形，即定义BBP的图形，刻蚀最终停在绝缘层130上，如图1g所示。
所述导电层140的第三预定义图形包括填充相邻绝缘条131之间的间隙的若干个导电条141。所述导电层140被光刻、刻蚀成为第三预定义图形的导电层140a。
在一个实施例中，光刻、刻蚀所述导电层140使得所述导电层140形成第三预定义图形包括：在所述导电层140上涂覆光刻胶形成第三光刻胶层；经过第三预定义图形的掩膜版对第三光刻胶层进行曝光；对曝光后的第三光刻胶层进行显影处理；刻蚀所述导电层140使得导电层140形成第三预定义图形；去除第三光刻胶层。
由于绝缘层130的保护，刻蚀的工艺窗口就变大，工艺的稳定性以及可操作性得到提高。
刻蚀导电材料与刻蚀绝缘材料的刻蚀选择比一般会很高，所以绝缘层130a的存在，可以保证光刻显影干净的地方的导电层可以完全刻蚀干净，而又可以不担心MRS的金属在刻蚀过程中被损伤到。这样的话BBP的图形就定义好了。
不仅如此，剩下的绝缘层130a也不用去除，这是因为垫积上去的绝缘层130可以充当后面的绝缘层来使用，不用去除，不会增加工艺步骤。
所以对于下层金属薄膜要求(厚度以及均匀性)比较高的器件，本方案可以实现再上层导电层刻蚀的时候不损伤到下层金属，保证金属薄膜的质量。
根据本发明的另一个方面，如图1g所示，本发明提出了一种基于上述制造方法得到的AMR传感器，其包括：基底110；形成于基底110上的多个磁阻条121；形成于每个磁阻条121上并填充相邻磁阻条121之间的间隙的若干个绝缘条131；填充相邻绝缘条131之间的间隙的若干个导电条141；其中每个磁阻条121上设有若干个导电条141。
所述绝缘条131的高度低于所述导电条141的高度。
需要指出的是，熟悉该领域的技术人员对本发明的具体实施方式所做的任何改动均不脱离本发明的权利要求书的范围。相应地，本发明的权利要求的范围也并不仅仅局限于前述具体实施方式。
Claims (10)
1.一种AMR传感器的制造方法，其特征在于，其包括：
提供一个基底；
在施加外部磁场的情况下，在所述基底上沉积磁阻材料形成磁阻层；
光刻、刻蚀所述磁阻层使得所述磁阻层形成第一预定义图形；
在所述磁阻层上沉积绝缘材料形成绝缘层；
光刻、刻蚀所述绝缘层使得所述绝缘层形成第二预定义图形；
在所述绝缘层上沉积导电材料形成导电层；
光刻、刻蚀所述导电层使得所述导电层形成第三预定义图形。
2.根据权利要求1所述的AMR传感器的制造方法，其特征在于，所述磁阻层的沉积厚度约为10-100nm。
3.根据权利要求1所述的AMR传感器的制造方法，其特征在于，所述磁阻材料包括Ta和NiFe，所述绝缘材料包括SiN、SiO2和AL2O3中的任意一种非导电材料，所述导电材料包括金属材料、非金属导电材料和合金中的任意一种。
4.根据权利要求3所述的AMR传感器的制造方法，其特征在于，所述磁阻层呈三层结构，上层的磁阻材料为Ta，厚度为10nm，中层的磁阻材料为NiFe，厚度为20nm，底层的磁阻材料为Ta，厚度为10nm。
5.根据权利要求1所述的AMR传感器的制造方法，其特征在于，
所述磁阻层的第一预定义图形包括若干磁阻条，
所述绝缘层的第二预定义图形包括形成于每个磁阻条上并填充相邻磁阻条之间的间隙的若干个绝缘条，
所述导电层的第三预定义图形包括填充相邻绝缘条之间的间隙的若干个导电条。
6.根据权利要求1所述的AMR传感器的制造方法，其特征在于，所述光刻、刻蚀所述磁阻层使得所述磁阻层形成第一预定义图形包括：
在所述磁阻层上涂覆光刻胶形成第一光刻胶层；
经过第一预定义图形的掩膜版对第一光刻胶层进行曝光；
对曝光后的第一光刻胶层进行显影处理；
刻蚀所述磁阻层使得磁阻层形成第一预定义图形；
去除第一光刻胶层。
7.根据权利要求1所述的AMR传感器的制造方法，其特征在于，所述光刻、刻蚀所述绝缘层使得所述绝缘层形成第二预定义图形包括：
在所述绝缘层上涂覆光刻胶形成第二光刻胶层；
经过第二预定义图形的掩膜版对第二光刻胶层进行曝光；
对曝光后的第二光刻胶层进行显影处理；
刻蚀所述绝缘层使得绝缘层形成第二预定义图形；
去除第二光刻胶层。
8.根据权利要求1所述的AMR传感器的制造方法，其特征在于，所述光刻、刻蚀所述导电层使得所述导电层形成第三预定义图形包括：
在所述导电层上涂覆光刻胶形成第三光刻胶层；
经过第三预定义图形的掩膜版对第三光刻胶层进行曝光；
对曝光后的第三光刻胶层进行显影处理；
刻蚀所述导电层使得导电层形成第三预定义图形；
去除第三光刻胶层。
9.根据权利要求1所述的制造方法得到的AMR传感器，其特征在于，包括：
基底；
形成于基底上的多个磁阻条；
形成于每个磁阻条上并填充相邻磁阻条之间的间隙的若干个绝缘条；
填充相邻绝缘条之间的间隙的若干个导电条；
其中每个磁阻条上设有若干个导电条。
10.根据权利要求9所述的AMR传感器，其特征在于，所述绝缘条的高度低于所述导电条的高度。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510617621.9A CN105140390A (zh) | 2015-09-24 | 2015-09-24 | Amr传感器及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510617621.9A CN105140390A (zh) | 2015-09-24 | 2015-09-24 | Amr传感器及其制造方法 |
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| CN105140390A true CN105140390A (zh) | 2015-12-09 |
Family
ID=54725669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN201510617621.9A Pending CN105140390A (zh) | 2015-09-24 | 2015-09-24 | Amr传感器及其制造方法 |
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| CN (1) | CN105140390A (zh) |
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|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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|
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