CN105139959A - 低衰减架空式四芯用户引入电缆 - Google Patents

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张跃
涂家莉
宋小月
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金妹
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Abstract

本发明公开一种低衰减架空式四芯用户引入电缆,包括4根铜镁合金导体,此铜镁合金导体外表面包覆有聚乙烯层形成导线,4根所述导线两两绞合形成第一绞线对、第二绞线对,一铝箔绕包于所述绞线对外表面;所述铜镁合金导体由以下重量份的组分组成:铜80~90份、镁0.5~2份、锌1.5~3份、硅0.04~0.06份、铁1~1.3份、铜0.18~0.28份、稀土元素0.08~0.1份、硼0.015~0.03份、钛0.01~0.02份、铍0.01-0.02份;所述稀土元素由镧、铈和钪组成,且所述镧、铈和钪按照10:4:1重量份比例混合形成所述稀土元素。本发明低衰减架空式四芯用户引入电缆金属组织结构明显好转,经过生产试验以及后续拉丝时抗拉强度、伸长率大大改善。

Description

低衰减架空式四芯用户引入电缆
技术领域
本发明涉及一种电话线的线芯,尤其涉及一种低衰减架空式四芯用户引入电缆。
背景技术
现有的电话线有二芯和四芯,芯线直径分别有0.4~1.0mm,其结构一般是二根或者四根芯线外包裹聚乙烯,常见的芯线材料有铜包钢、铜包铝、全铜等。现有的电话线结构决定其拉伸强度有限,当需要长距离安装时,需要专门设置钢缆进行加强,否则容易拉断,特别是在一些交通不便的地区如山区安装时,专门设置钢缆极大的增加了施工的难度,并且容易损坏。
发明内容
本发明提供一种低衰减架空式四芯用户引入电缆,此低衰减架空式四芯用户引入电缆其铜镁合金导体导电率≥65%IACS,导体抗拉强度≥700Mpa;延伸率0.5%~2%金属组织结构明显好转,经过生产试验以及后续拉丝时抗拉强度、伸长率大大改善,宏观晶粒度可达6~8级别。
为达到上述目的,本发明采用的技术方案是:一种低衰减架空式四芯用户引入电缆,包括4根铜镁合金导体,此铜镁合金导体外表面包覆有聚乙烯层形成导线,4根所述导线两两绞合形成第一绞线对、第二绞线对,一铝箔绕包于所述绞线对外表面,一聚氯乙烯层包覆于所述铝箔外表面,一聚乙烯护套层包覆于所述聚氯乙烯层外表面;
所述铜镁合金导体由以下重量份的组分组成:
铜80~90份,
镁0.5~2份,
锌1.5~3份,
硅0.04~0.06份,
铁1~1.3份,
铜0.18~0.28份,
稀土元素0.08~0.1份,
硼0.015~0.03份,
钛0.01~0.02份,
铍0.01~0.02份;
所述稀土元素由镧、铈和钪组成,且所述镧、铈和钪按照10:4:1重量份比例混合形成所述稀土元素。
上述技术方案中进一步改进的技术方案如下:
1、上述方案中,所述镁合金导体通过以下工艺获得,此工艺包括以下步骤:
步骤一、将镁0.5~2份投入熔炉中,加热使之熔化并在780~820℃下保温,并调整真空度为0.1~0.3Pa,然后加入铜80~90份和锌1.5~3份,迅速升温至1250℃~1280℃,充分熔化并充分搅拌均匀,搅拌时间≥30min,静置保温,获得合金熔体;
步骤二、将温度降至1150℃~1180℃,将硅0.04~0.06份、铁1~1.3份、铜0.18~0.28份、稀土元素0.08~0.1份、硼0.015~0.03份、钛0.01~0.02份、铍0.01~0.02份投入熔炉中,加热使之熔化后,在并在1150℃~1180℃下保温,并调整真空度为0.1~0.3Pa,静置保温,获得合金熔体;
步骤三、将结晶器直接伸入合金熔体中,采用上引连铸的方法,将合金熔体上引连铸成铜镁合金杆,上引连铸时采用木炭隔氧,水隔套冷却;
步骤四、连接挤压和多道次拉拔,将铜镁合金杆进行连接挤压和多道次拉拔,形成铜镁合金单丝坯料;
步骤五、拉丝,采用拉丝机将铜镁合金单丝坯料进行多道次拉丝,制成规定尺寸的铜镁合金单丝;
步骤六、绞线,将多根铜镁合金单丝绞制成铜镁合金绞线。
2、上述方案中,所述步骤二中稀土元素由镧、铈和钪组成,且所述镧、铈和钪按照10:4:1重量份比例混合形成所述稀土元素。
3、上述方案中,所述四根导线两两绞合分别形成第一绞线对、第二绞线对,此第一绞线对、第二绞线对的绞合节距为3~5cm。
由于上述技术方案运用,本发明与现有技术相比具有下列优点:
本发明低衰减架空式四芯用户引入电缆,其铜80~90份、镁0.5~2份、锌1.5~3份中含有由镧、铈和钪组成的稀土元素在指定范围内铁和稀土的协同作用,可以提高合金杆的延展性、优化铜液体成分,细化晶粒、去渣、增加耐腐蚀性能,去除铜合金中的气体和有害杂质,减少铜合金的裂纹源,从而大大提高了铜镁合金线的强度,改善加工性能,还能改善铜合金的耐热性、可塑性及可锻性,提高硬度、增加强度和韧性;其次,所述镧、铈和钪按照10:4:1重量份比例混合形成所述稀土元素与硼协同作用,使得产品在浇铸过程中提高铜的流动性,减小铜中其他元素的不利影响,形成核质点,从而形成非自发形核,起到细化晶粒的作用,宏观晶粒度在可以达到5-6级,提高了抗拉强度;添加的硼元素在一定范围内,和上述铜能合理搭配,能够降低电阻率6~10%,大大改善了导电率;再次,钛元素:由于铜基体中存在上述有益元素后,再加入钛元素,可以在金属晶粒组织中起到明显作用,将钛元素控制在本发明的范围内,宏观晶粒度达到6-8级。
附图说明
附图1为本发明架空型铜镁合金用户电缆结构示意图。
以上附图中:1、铜镁合金导体;2、聚乙烯层;3、导线;41、第一绞线对;42、第二绞线对;5、铝箔;6、聚氯乙烯层;7、聚乙烯护套层。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步描述:
实施例1~3:一种低衰减架空式四芯用户引入电缆,包括4根铜镁合金导体1,此铜镁合金导体1外表面包覆有聚乙烯层2形成导线3,4根所述导线3两两绞合形成第一绞线对41、第二绞线对42,一铝箔5绕包于所述绞线对4外表面,一聚氯乙烯层6包覆于所述铝箔5外表面,一聚乙烯护套层7包覆于所述聚氯乙烯层6外表面;
所述铜镁合金导体1由以下重量份的组分组成,如表1所示:
表1
所述稀土元素由镧、铈和钪组成,且所述镧、铈和钪按照10:4:1重量份比例混合形成所述稀土元素。
上述铜镁合金导体1通过以下工艺获得,此工艺包括以下步骤:
步骤一、将镁0.5~2份投入熔炉中,加热使之熔化并在780~820℃下保温,并调整真空度为0.1~0.3Pa,然后加入铜80~90份和锌1.5~3份,迅速升温至1250℃~1280℃,充分熔化并充分搅拌均匀,搅拌时间≥30min,静置保温,获得合金熔体;
步骤二、将温度降至1150℃~1180℃,将硅0.04~0.06份、铁1~1.3份、铜0.18~0.28份、稀土元素0.08~0.1份、硼0.015~0.03份、钛0.01~0.02份、铍0.01~0.02份投入熔炉中,加热使之熔化后,在并在1150℃~1180℃下保温,并调整真空度为0.1~0.3Pa,静置保温,获得合金熔体;
步骤三、将结晶器直接伸入合金熔体中,采用上引连铸的方法,将合金熔体上引连铸成铜镁合金杆,上引连铸时采用木炭隔氧,水隔套冷却;
步骤四、连接挤压和多道次拉拔,将铜镁合金杆进行连接挤压和多道次拉拔,形成铜镁合金单丝坯料;
步骤五、拉丝,采用拉丝机将铜镁合金单丝坯料进行多道次拉丝,制成规定尺寸的铜镁合金单丝;
步骤六、绞线,将多根铜镁合金单丝绞制成铜镁合金绞线。
上述步骤二中稀土元素由镧、铈和钪组成,且所述镧、铈和钪按照10:4:1重量份比例混合形成所述稀土元素。
上述四根导线3两两绞合分别形成第一绞线对41、第二绞线对42,此第一绞线对41、第二绞线对42的绞合节距为3~5cm。
实施例1~3的铜镁合金导体性能指标,如表2所示:
表2
导体导电率≥65%IACS,导体抗拉强度≥700Mpa;延伸率0.5%~2%。
采用上述低衰减架空式四芯用户引入电缆时,其铜80~90份、镁10~15份、铟1.5~3份中含有由镧、铈和钪组成的稀土元素在指定范围内铁和稀土的协同作用,可以提高合金杆的延展性、优化铜液体成分,细化晶粒、去渣、增加耐腐蚀性能,去除铜合金中的气体和有害杂质,减少铜合金的裂纹源,从而大大提高了铜镁合金线的强度,改善加工性能,还能改善铜合金的耐热性、可塑性及可锻性,提高硬度、增加强度和韧性;其次,所述镧、铈和钪按照10:4:1重量份比例混合形成所述稀土元素与硼协同作用,使得产品在浇铸过程中提高铜的流动性,减小铜中其他元素的不利影响,形成核质点,从而形成非自发形核,起到细化晶粒的作用,宏观晶粒度在可以达到5-6级;添加的硼元素在一定范围内,和上述铜能合理搭配,能够降低电阻率6~10%;再次,钛元素:由于铜基体中存在上述有益元素后,再加入钛元素,可以在金属晶粒组织中起到明显作用,将钛元素控制在本发明的范围内,宏观晶粒度达到6-8级。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点,其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施,并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰,都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种低衰减架空式四芯用户引入电缆,其特征在于:包括4根铜镁合金导体(1),此铜镁合金导体(1)外表面包覆有聚乙烯层(2)形成导线(3),4根所述导线(3)两两绞合形成第一绞线对(41)、第二绞线对(42),一铝箔(5)绕包于所述绞线对(4)外表面,一聚氯乙烯层(6)包覆于所述铝箔(5)外表面,一聚乙烯护套层(7)包覆于所述聚氯乙烯层(6)外表面;
所述铜镁合金导体(1)由以下重量份的组分组成:
铜80~90份,
镁0.5~2份,
锌1.5~3份,
硅0.04~0.06份,
铁1~1.3份,
铜0.18~0.28份,
稀土元素0.08~0.1份,
硼0.015~0.03份,
钛0.01~0.02份,
铍0.01~0.02份;
所述稀土元素由镧、铈和钪组成,且所述镧、铈和钪按照10:4:1重量份比例混合形成所述稀土元素。
2.根据权利要求1所述的低衰减架空式四芯用户引入电缆,其特征在于:所述镁合金导体(1)通过以下工艺获得,此工艺包括以下步骤:
步骤一、将镁0.5~2份投入熔炉中,加热使之熔化并在780~820℃下保温,并调整真空度为0.1~0.3Pa,然后加入铜80~90份和锌1.5~3份,迅速升温至1250℃~1280℃,充分熔化并充分搅拌均匀,搅拌时间≥30min,静置保温,获得合金熔体;
步骤二、将温度降至1150℃~1180℃,将硅0.04~0.06份、铁1~1.3份、铜0.18~0.28份、稀土元素0.08~0.1份、硼0.015~0.03份、钛0.01~0.02份、铍0.01~0.02份投入熔炉中,加热使之熔化后,在并在1150℃~1180℃下保温,并调整真空度为0.1~0.3Pa,静置保温,获得合金熔体;
步骤三、将结晶器直接伸入合金熔体中,采用上引连铸的方法,将合金熔体上引连铸成铜镁合金杆,上引连铸时采用木炭隔氧,水隔套冷却;
步骤四、连接挤压和多道次拉拔,将铜镁合金杆进行连接挤压和多道次拉拔,形成铜镁合金单丝坯料;
步骤五、拉丝,采用拉丝机将铜镁合金单丝坯料进行多道次拉丝,制成规定尺寸的镁合金导体(1)。
3.根据权利要求2所述的低衰减架空式四芯用户引入电缆,其特征在于:所述步骤二中稀土元素由镧、铈和钪组成,且所述镧、铈和钪按照10:4:1重量份比例混合形成所述稀土元素。
4.根据权利要求1所述的低衰减架空式四芯用户引入电缆,其特征在于:所述四根导线(3)两两绞合分别形成第一绞线对(41)、第二绞线对(42),此第一绞线对(41)、第二绞线对(42)的绞合节距为3~5cm。
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