CN105097041A - 存储器装置及其诊断方法 - Google Patents

Abstract

本公开提供一种存储器装置及其诊断方法。该存储器装置包括一数据储存单元及一数据控制单元。数据储存单元具有一第一储存区域及一第二储存区域。当数据控制单元设定为一读取状态时，数据控制单元依据位址信号存取第一储存区域及第二储存区域以取得一第一读取数据及一第二读取数据。数据控制单元依据第一读取数据及第二读取数据判断第一储存区域及第二储存区域是否损坏，并且对应地提供一状态判断信号。

Description

存储器装置及其诊断方法

技术领域

本发明涉及一种存储器装置，且特别涉及一种存储器装置及其诊断方法。

背景技术

在数字系统中，存储器装置具有极高的读写速度，可用作缓冲处理器与输出入装置，以使数据可以正常地传送。然而，由于频繁的读写动作，可能导致存储器装置的储存区域损坏，进而影响了系统的运作。一般而言，存储器装置可通过外部装置或程序来检测，但通常是在储存区域严重损坏而导致系统无法运作时才会进行检测。然而，在系统无法运作时，储存区域的损坏已造成的损失，如何避免存储器装置的储存区域损坏而影响系统的运作则成为设计数字系统/数字元件的一个重点课题。

发明内容

本发明提供一种存储器装置及其诊断方法，可提示使用者存储器装置的储存区域是否损坏。

本发明的存储器装置，包括一数据储存单元及一数据控制单元。数据储存单元具有一第一储存区域及一第二储存区域。数据控制单元耦接数据储存单元。当数据控制单元设定为一读取状态且接收一位址信号时，数据控制单元依据位址信号存取第一储存区域以取得一第一读取数据，并且依据位址信号存取第二储存区域以取得一第二读取数据。数据控制单元依据第一读取数据及第二读取数据判断第一储存区域及第二储存区域是否损坏，并且对应地提供一状态判断信号。

在本发明的一实施例中，数据控制单元提供第一读取数据及第二读取数据的其中之一作为一输出数据。

在本发明的一实施例中，当数据控制单元设定为一写入状态且接收位址信号及一输入数据时，数据控制单元依据输入数据产生一第一写入数据及一第二写入数据。数据控制单元依据位址信号将第一写入数据写入第一储存区域，并且依据位址信号将第二写入数据写入第二储存区域。

在本发明的一实施例中，数据控制单元接收一控制信号以设定为读取状态或写入状态。

在本发明的一实施例中，数据控制单元包括一诊断电路及一数据传输电路。诊断电路耦接数据储存单元。当数据控制单元为读取状态时，接收第一读取数据及第二读取数据，用以比较第一读取数据及第二读取数据以判断第一储存区域及第二储存区域是否损坏，以对应地提供状态判断信号，并且提供第一读取数据及第二读取数据的其中之一作为一输出数据。数据传输电路耦接诊断电路及数据储存单元。当数据控制单元为读取状态时，数据传输电路提供输出数据。当数据控制单元为写入状态时，数据传输电路依据输入数据产生第一写入数据及第二写入数据，并且依据位址信号将第一写入数据写入第一储存区域，以及依据位址信号将第二写入数据写入第二储存区域。

在本发明的一实施例中，数据储存单元包括一记忆胞阵列、一列解码器、一行解码器及一感测放大器。记忆胞阵列具有第一储存区域及第二储存区域。列解码器耦接数据控制单元及记忆胞阵列，以受控于数据控制单元启动记忆胞阵列中对应位址信号的一记忆胞列。行解码器耦接数据控制单元及记忆胞阵列，以受控于数据控制单元启动记忆胞列中对应位址信号的多个记忆胞。感测放大器耦接记忆胞阵列。当数据控制单元为写入状态时，感测放大器将第一写入数据及第二写入数据写入启动的这些记忆胞。当数据控制单元为读取状态时，感测放大器依据启动的这些记忆胞的电压电平提供第一读取数据及第二读取数据。

本发明的存储器装置的诊断方法，存储器装置具有一第一储存区域及一第二储存区域，包括下列步骤。判断存储器装置是否处于一读取状态。当存储器装置为读取状态时，依据一位址信号存取第一储存区域以取得一第一读取数据，并且依据位址信号存取第二储存区域以取得一第二读取数据。依据第一读取数据及第二读取数据判断第一储存区域及第二储存区域是否损坏，并且对应地提供一状态判断信号。

在本发明的一实施例中，第一读取数据及第二读取数据对应相同的数据。当第一读取数据完全相同于第二读取数据时，数据控制单元判定第一储存区域及第二储存区域未损坏。当第一读取数据未完全相同于第二读取数据时，数据控制单元判定第一储存区域及第二储存区域为损坏。

在本发明的一实施例中，第二读取数据为第一读取数据的同位位元。当第一读取数据的同位位元相同于第二读取数据时，数据控制单元判定第一储存区域及第二储存区域未损坏。当第一读取数据的同位位元不同于第二读取数据时，数据控制单元判定第一储存区域及第二储存区域为损坏。

基于上述，本发明实施例的存储器装置及其诊断方法，当记忆装置被读取时，数据控制单元同时读取第一储存区域及第二储存区域以取得第一读取数据及第二读取数据，以判断第一储存区域及第二储存区域是否损坏，并据此提供状态判断信号。因此，可通过状态判断信号提示使用者存储器装置的储存区域是否损坏。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合说明书附图作详细说明如下。

附图说明

图1为依据本发明一实施例的存储器装置的系统示意图。

图2为依据本发明一实施例的存储器装置的系统示意图。

图3为依据本发明一实施例的存储器装置的诊断方法的流程图。

附图标记说明：

100、200：存储器装置

110、210：数据储存单元

111、211A：第一储存区域

113、211B：第二储存区域

120、220：数据控制单元

211：记忆胞阵列

213：列解码器

215：行解码器

217：感测放大器

221：诊断电路

223：数据传输电路

ADR：位址信号

CMD：控制信号

DQI：输入数据

DQO：输出数据

RD1：第一读取数据

RD2：第二读取数据

SDIA：状态判断信号

WD1：第一写入数据

WD2：第二写入数据

S310、S320、S330：步骤

具体实施方式

图1为依据本发明一实施例的存储器装置的系统示意图。请参照图1，在本实施例中，存储器装置100包括数据储存单元110及数据控制单元120。数据储存单元110例如具有第一储存区域111及第二储存区域113。数据控制单元120耦接数据储存单元110。在本实施例中，数据控制单元120将所接收到的输入数据DQI写入至第一储存区域111，并且将输入数据DQI或输入数据DQI的其他信息写入至第二储存区域113。并且，数据控制单元120存取第一储存区域111及第二储存区域113以判断第一储存区域111及第二储存区域113是否损坏，并且对应地提供状态判断信号SDIA及输出数据DQO。

进一步来说，数据控制单元120接收控制信号CMD以设定为读取状态或写入状态，并且接收位址信号ADR以决定数据的写入位置或读取位置。当数据控制单元120设定为写入状态且接收位址信号ADR及输入数据DQI时，数据控制单元120会依据输入数据DQI产生第一写入数据WD1及第二写入数据WD2，并且数据控制单元120会依据位址信号ADR将第一写入数据WD1写入第一储存区域111，并且依据位址信号ADR将第二写入数据WD2写入第二储存区域113。

当数据控制单元120设定为读取状态且接收位址信号ADR时，数据控制单元120依据位址信号ADR存取第一储存区域111以取得第一读取数据RD1，并且依据位址信号ADR存取第二储存区域113以取得第二读取数据RD2。接着，数据控制单元120依据第一读取数据RD1及第二读取数据RD2判断第一储存区域111及第二储存区域113是否损坏，并且对应地提供状态判断信号SDIA，以提示使用者存储器装置100的状态是否良好。并且，数据控制单元120会提供第一读取数据RD1作为输出数据DQO，但在其他实施例中，数据控制单元120可以提供第二读取数据RD2作为输出数据DQO。

在本发明的一实施例中，第一写入数据WD1及第二写入数据WD2可以相同于输入数据DQI，亦即第一写入数据WD1及第二写入数据WD2为相同的数据。此时，数据控制单元120所接收的第一读取数据RD1及第二读取数据RD2应该是相同的数据，因此数据控制单元120可通过比对第一读取数据RD1及第二读取数据RD2来判断第一储存区域111及第二储存区域113是否损坏。换言之，当第一读取数据RD1完全相同于第二读取数据RD2时，数据控制单元120判定第一储存区域111及第二储存区域113未损坏；当第一读取数据RD1未完全相同于第二读取数据RD2时，表示第一储存区域111及第二储存区域113至少其一具有损坏的存储器胞，因此数据控制单元120判定第一储存区域111及第二储存区域113为损坏。

在本发明的另一实施例中，第一写入数据WD1可以相同于输入数据DQI，第二写入数据WD2可以是输入数据DQI的同位位元，亦即第二写入数据WD2是第一写入数据WD1的同位位元。此时，数据控制单元120所接收的第二读取数据RD2应该是第一读取数据RD1的同位位元，因此数据控制单元120可通过比对第一读取数据RD1及第二读取数据RD2来判断第一储存区域111及第二储存区域113是否损坏。换言之，当第一读取数据RD1的同位位元相同于第二读取数据RD2时，数据控制单元120判定第一储存区域111及第二储存区域113未损坏；当第一读取数据RD1的同位位元不同于第二读取数据RD2时，表示第一储存区域111及第二储存区域113至少其一具有损坏的记忆胞，因此数据控制单元120判定第一储存区域111及第二储存区域113为损坏。

依据上述，当使用者要存取存储器装置100的数据时，数据控制单元120可通过比对第一读取数据RD1及第二读取数据RD2来判断第一储存区域111及第二储存区域113是否损坏。当第一储存区域111及第二储存区域113损坏时，存储器装置100可通过状态判断信号SDIA，以提示使用者存储器装置100的状态是否良好。

图2为依据本发明一实施例的存储器装置的系统示意图。请参照图1及图2，其中相同或相似的元件使用相同或相似的标号。在本实施例中，存储器装置200包括数据储存单元210及数据控制单元220，其中数据储存单元210及数据控制单元220的功能相似于存储器装置100的数据储存单元110及数据控制单元120，因此可参照图1实施例所述。

在本实施例中，数据储存单元210包括记忆胞阵列211、列解码器213、行解码器215及感测放大器217。数据控制单元220具有诊断电路221及数据传输电路223。记忆胞阵列211具有第一储存区域211A及第二储存区域211B。列解码器213耦接数据控制单元220的数据传输电路223及记忆胞阵列211，以受控于数据传输电路223启动记忆胞阵列中对应位址信号ADR的记忆胞列。行解码器215耦接数据控制单元220的数据传输电路223及记忆胞阵列211，以受控于数据传输电路223启动的记忆胞列中对应位址信号ADR的多个记忆胞。感测放大器217耦接记忆胞阵列211、诊断电路221及数据传输电路223，用以写入数据至启动的记忆胞或从启动的记忆胞中读取数据。诊断电路221耦接数据储存单元210的感测放大器217。数据传输电路223耦接诊断电路221及感测放大器217。

当数据控制单元220为写入状态时，数据传输电路223依据输入数据DQI产生第一写入数据WD1及第二写入数据WD2且提供至感测放大器217，并且数据传输电路223依据位址信号ADR控制列解码器213及行解码器215，以启动第一储存区域211A及第二储存区域211B中对应位址信号ADR的多个记忆胞。接着，感测放大器217会将依据接收到的第一写入数据WD1对第一储存区域211A中启动的记忆胞进行写入，并且感测放大器217会将依据接收到的第二写入数据WD2对第二储存区域211B中启动的记忆胞进行写入，藉此将第一写入数据WD1及第二写入数据WD2写入启动的记忆胞中。

当数据控制单元220为读取状态时，感测放大器217会依据启动的记忆胞的电压电平提供第一读取数据RD1及第二读取数据RD2。并且，诊断电路221会接收第一读取数据RD1及第二读取数据RD，用以比较第一读取数据RD1及第二读取数据RD2以判断第一储存区域211A及第二储存区域211B是否损坏，并且对应地提供状态判断信号SDIA，并且提供第一读取数据RD1至数据传输电路223。数据传输电路223提供第一读取数据RD1作为输出数据DQO。

图3为依据本发明一实施例的存储器装置的诊断方法的流程图。请参照图3，在本实施例中，存储器装置例如具有第一储存区域及第二储存区域，而存储器装置的诊断方法至少包括下列步骤。首先，判断存储器装置是否处于读取状态(步骤S310)。当存储器装置为读取状态时，依据位址信号存取第一储存区域以取得第一读取数据，并且依据位址信号存取第二储存区域以取得第二读取数据(步骤S320)。接着，依据第一读取数据及第二读取数据判断第一储存区域及第二储存区域是否损坏，并且对应地提供状态判断信号(步骤S330)。其中，上述步骤S310、S320及S330的步骤为用以说明，本发明实施例不以此为限。并且，上述步骤S310、S320及S330的细节可参照图1及图2实施例所述，在此则不再赘述。

综上所述，本发明实施例的存储器装置及其诊断方法，其依据输入数据写入相对应的两笔数据至储存区域，并且同时读取相对应的两笔数据，以判断储存区域是否损坏，并据此提供状态判断信号。因此，可通过状态判断信号提示使用者存储器装置的储存区域是否损坏。

虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视后附的权利要求所界定者为准。

Claims (15)

1.一种存储器装置，其特征在于，包括：

一数据储存单元，具有一第一储存区域及一第二储存区域；以及

一数据控制单元，耦接该数据储存单元，当该数据控制单元设定为一读取状态且接收一位址信号时，该数据控制单元依据该位址信号存取该第一储存区域以取得一第一读取数据，并且依据该位址信号存取该第二储存区域以取得一第二读取数据，该数据控制单元依据该第一读取数据及该第二读取数据判断该第一储存区域及该第二储存区域是否损坏，并且对应地提供一状态判断信号。

2.如权利要求1项所述的存储器装置，其特征在于，该数据控制单元提供该第一读取数据及该第二读取数据的其中之一作为一输出数据。

3.如权利要求1项所述的存储器装置，其特征在于，当该数据控制单元设定为一写入状态且接收该位址信号及一输入数据时，该数据控制单元依据该输入数据产生一第一写入数据及一第二写入数据，该数据控制单元依据该位址信号将该第一写入数据写入该第一储存区域，并且依据该位址信号将该第二写入数据写入该第二储存区域。

4.如权利要求3项所述的存储器装置，其特征在于，该数据控制单元接收一控制信号以设定为该读取状态或该写入状态。

5.如权利要求4项所述的存储器装置，其特征在于，该数据控制单元包括：

一诊断电路，耦接该数据储存单元，当该数据控制单元为该读取状态时，接收该第一读取数据及该第二读取数据，用以比较该第一读取数据及该第二读取数据以判断该第一储存区域及该第二储存区域是否损坏，以对应地提供该状态判断信号，并且提供该第一读取数据及该第二读取数据的其中之一作为一输出数据；以及

一数据传输电路，耦接该诊断电路及该数据储存单元，当该数据控制单元为该读取状态时，该数据传输电路提供该输出数据，当该数据控制单元为该写入状态时，该数据传输电路依据该输入数据产生该第一写入数据及该第二写入数据，并且依据该位址信号将该第一写入数据写入该第一储存区域，以及依据该位址信号将该第二写入数据写入该第二储存区域。

6.如权利要求1项所述的存储器装置，其特征在于，该数据储存单元包括：

一记忆胞阵列，具有该第一储存区域及该第二储存区域；

一列解码器，耦接该数据控制单元及该记忆胞阵列，以受控于该数据控制单元启动该记忆胞阵列中对应该位址信号的一记忆胞列；

一行解码器，耦接该数据控制单元及该记忆胞阵列，以受控于该数据控制单元启动该记忆胞列中对应该位址信号的多个记忆胞；以及

一感测放大器，耦接该记忆胞阵列，当该数据控制单元为该写入状态时，该感测放大器将该第一写入数据及该第二写入数据写入启动的该些记忆胞，当该数据控制单元为该读取状态时，该感测放大器依据启动的该些记忆胞的电压电平提供该第一读取数据及该第二读取数据。

7.如权利要求1项所述的存储器装置，其特征在于，该第一读取数据及该第二读取数据对应相同的数据。

8.如权利要求7项所述的存储器装置，其特征在于，当该第一读取数据完全相同于该第二读取数据时，该数据控制单元判定该第一储存区域及该第二储存区域未损坏，当该第一读取数据未完全相同于该第二读取数据时，该数据控制单元判定该第一储存区域及该第二储存区域为损坏。

9.如权利要求1项所述的存储器装置，其特征在于，该第二读取数据为该第一读取数据的同位位元。

10.如权利要求9项所述的存储器装置，其特征在于，当该第一读取数据的同位位元相同于该第二读取数据时，该数据控制单元判定该第一储存区域及该第二储存区域未损坏，当该第一读取数据的同位位元不同于该第二读取数据时，该数据控制单元判定该第一储存区域及该第二储存区域为损坏。

11.一种存储器装置的诊断方法，该存储器装置具有一第一储存区域及一第二储存区域，其特征在于，包括：

判断该存储器装置是否处于一读取状态；

当该存储器装置为该读取状态时，依据一位址信号存取该第一储存区域以取得一第一读取数据，并且依据该位址信号存取该第二储存区域以取得一第二读取数据；以及

依据该第一读取数据及该第二读取数据判断该第一储存区域及该第二储存区域是否损坏，并且对应地提供一状态判断信号。

12.如权利要求11项所述的存储器装置的诊断方法，其特征在于，该第一读取数据及该第二读取数据对应相同的数据。

13.如权利要求12项所述的存储器装置的诊断方法，其特征在于，依据该第一读取数据及该第二读取数据判断该第一储存区域及该第二储存区域是否损坏的步骤包括：

当该第一读取数据完全相同于该第二读取数据时，判定该第一储存区域及该第二储存区域未损坏；以及

当该第一读取数据未完全相同于该第二读取数据时，判定该第一储存区域及该第二储存区域为损坏。

14.如权利要求11项所述的存储器装置的诊断方法，其特征在于，该第二读取数据为该第一读取数据的同位位元。

15.如权利要求14项所述的存储器装置的诊断方法，其特征在于，依据该第一读取数据及该第二读取数据判断该第一储存区域及该第二储存区域是否损坏的步骤包括：

当该第一读取数据的同位位元相同于该第二读取数据时，判定该第一储存区域及该第二储存区域未损坏；以及

当该第一读取数据的同位位元不同于该第二读取数据时，判定该第一储存区域及该第二储存区域为损坏。