CN105093410B - 一种波导模式转换器 - Google Patents

一种波导模式转换器 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种波导模式转换器，包括：多模波导区域(2)和宽度渐变的沟道波导区域(3)，所述多模波导区域(2)的一端用于连接条形波导(1)，另一端连接所述宽度渐变的沟道波导区域(3)的一个波导端面，所述宽度渐变的沟道波导区域(3)的另一波导端面用于连接沟道波导(4)或条形‑沟道混合型波导(5)，所述宽度渐变的沟道波导区域(3)中的沟道与所述沟道波导(4)或条形‑沟道混合型波导(5)的沟道一一对应。本发明中的波导模式转换器尺寸小，转换效率高，工作带宽宽，工艺容差大，易于加工的特点，在集成光电子领域具有很高的应用价值。

Description

一种波导模式转换器
技术领域
本发明涉及集成光电子器件领域，尤其涉及一种波导模式转换器。
背景技术
沟道波导(Slot waveguide)可以将光场能量限制在低折射率介质(沟道区域)内，因而在集成光电子器件领域具有诸多应用，例如热稳定微环谐振腔(athermal microringresonator)、偏振分束器(polarization beam splitter)、光放大器(opticalamplifier)、非线性光电器件(nonlinear optical devices)、高性能电光调制器(highperformance electro-optic modulator)等功能型器件。然而相比于条形波导(stripwaveguide，～2dB/cm)，沟道波导在传导光场时损耗较大(～10dB/cm)，因此沟道波导在集成光电子器件系统中通常是作为辅助结构，只在器件的功能区域使用。而条形波导(stripwaveguide)则作为集成光电子器件系统中传导光场的基本结构。这使得基于沟道波导的光电子器件必须进行条形波导与沟道波导间的耦合。但由于光场模式分布的不同，条形波导和沟道波导之间无法直接实现高效率的耦合。研究人员已经提出了两种波导模式转换器(mode converter)来解决这一问题，如图7(a)，(b)所示。但是这两种波导模式转换器中都采用了尖锐的楔形结构，因而加工困难。
此外，传统的沟道波导的沟道较窄(通常<100nm，若进一步增加沟道宽度会显著增加沟道波导的损耗)，因而在利用微纳工艺加工制作沟道波导时所要求的工艺精度也较高。为了降低对加工工艺精度的要求，条形-沟道混合型波导(Strip-loaded Slot waveguide)被引入来替代传统的沟道波导。相比于传统沟道波导，条形-沟道混合型波导的特征在于其沟道未完全由上包层材料填充，而是部分由芯区波导材料填充(图5)。这一结构特性使得条形-沟道混合型波导保持了传统沟道波导的特性，如低折射率、低有效热光系数、光场能量部分分布于沟道中等；同时又可以实现较宽的沟道宽度(可>100nm)，从而降低对加工工艺精度的要求。在集成光电子器件系统中需要将条形-沟道混合型波导与条形波导连接起来使用。但条形波导与条形-沟道混合型波导的光场分布存在显著差异(图2和图6)，因此直接连接条形波导和条形-沟道混合型波导将导致较大的损耗。为了解决这一问题就需要采用波导模式转换器(mode converter)来实现两种波导模式之间的高效率转换，以便降低波导连接所带来的损耗。
综上，亟需一种可以将条形波导与沟道波导或条形-沟道混合型波导连接的波导模式转换器，既解决现有技术中的波导模式转换器加工困难的技术问题，也能使相连的两种波导模式之间高效率转换。
发明内容
本发明提供一种波导模式转换器，以解决现有技术中的波导模式转换器加工困难的技术问题，也能使相连的两种波导模式之间高效率转换。
本发明提供一种波导模式转换器，包括：
多模波导区域和宽度渐变的沟道波导区域，所述多模波导区域的一端用于连接条形波导，另一端连接所述宽度渐变的沟道波导区域的一个波导端面，所述宽度渐变的沟道波导区域的另一波导端面用于连接沟道波导或条形-沟道混合型波导，所述宽度渐变的沟道波导区域中的沟道与所述沟道波导或条形-沟道混合型波导的沟道一一对应。
进一步地，
所述宽度渐变的沟道波导区域包括一个或多个沟道。
进一步地，
所述多模波导区域为矩形。
进一步地，
所述宽度渐变的沟道波导区域宽度线性渐变，即为梯形沟道波导区域；或宽度渐变的沟道波导区域宽度非线性渐变。
进一步地，
所述波导模式转换器为非良导体材料波导，或非良导体材料与金属结合的表面等离子体波导。
进一步地，所述表面等离子体波导为：
非良导体材料表面覆盖一层金属的表面等离子体波导。
进一步地，
所述非良导体材料为电介质、半导体或有机物。
进一步地，
所述电介质为二氧化硅、二氧化钛或氧化镓；
和/或，所述半导体为硅、锗、氮化硅或三五族光电子化合物材料。
进一步地，
所述三五族光电子化合物材料为磷化铟或氮化镓。
进一步地，所述表面等离子体波导为：
硅或二氧化硅表面覆盖一层银或金的表面等离子体波导。
可见，本发明提供的波导模式转换器利用多模干涉结构的自镜像原理可以实现超低损耗的条形波导与沟道波导或条形-沟道混合型波导间的模式转换。本发明中的波导模式转换器尺寸小，转换效率高，工作带宽宽，工艺容差大，易于加工的特点，在集成光电子领域具有很高的应用价值。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是条形波导的结构示意图；
图2是条形波导模式光场能流密度分布图；
图3是沟道波导的结构示意图；
图4是沟道波导模式光场能流密度分布图；
图5是条形-沟道混合型波导的结构示意图；
图6是条形-沟道混合型波导模式光场能流密度分布图；
其中，在图1-图6中，包层以“101”标注出，波导以“102”标注出，衬底以“103”标注出；
图7是现有技术中两种波导模式转换器的结构示意图；
图8是本发明实施例波导模式转换器的实施例一的基本结构示意图；
图9现有技术中的两种波导模式转换器与本发明实施例一所提供的波导模式转换器结构对比示意图；
图10是本发明实施例一中波导模式转换器的光场能流密度分布示意图；
图11是本发明实施例一中仿真及测量得到的条形波导和沟道波导耦合效率与波导模式转换器长度的关系；
图12是本发明实施例一中测量得到的条形波导和沟道波导耦合效率与光波波长的关系；
图13是本发明实施例一中仿真得到的条形波导和沟道波导耦合效率随结构参数尺寸变化的关系；
图14是本发明实施例波导模式转换器的实施例二的基本结构示意图；
图15是本发明实施例二中波导模式转换器的光场能流密度分布示意图；
图16是本发明实施例二中仿真得到的条形波导和条形-沟道混合型波导模式转换效率与波导模式转换器长度L的关系；
图17是本发明实施例二中仿真得到的条形波导和条形-沟道混合型波导模式转换效率随结构参数尺寸变化的关系；
图18是本发明实施例二中仿真得到的条形波导和条形-沟道混合型波导模式转换效率与光波波长的关系。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图1、图3和图5示出了集成光电子系统中常用的3种波导结构：条形波导、沟道波导、条形-沟道混合型波导。由图2、图4、图6可见条形波导模式的光场能流密度的分布为高斯型，而其余两种为非高斯型。因此直接连接条形波导和条形-沟道混合型波导或沟道波导将导致较大的损耗。为了解决这一问题就需要采用波导模式转换器(mode converter)来实现不同波导模式之间的高效率转换，以便降低波导连接所带来的损耗。而研究人员已经提出了如图7(a)，(b)所示的两种波导模式转换器(mode converter)来解决条形波导和沟道波导的连接问题。但是这两种波导模式转换器中都采用了尖锐的楔形结构，因而加工困难。本发明提供一种模式转换器用于实现条形波导与条形-沟道混合型波导或条形波导与沟道波导之间高效率模式转换，并且解决加工困难的问题。如下，简述本发明的两个实施例。
实施例一
图8示出了本发明实施例一中的波导模式转换器的结构示意图，参见图8，本发明实施例一中的波导模式转换器包括：
多模波导区域2和宽度渐变的沟道波导区域3，所述多模波导区域2的一端用于连接条形波导1，另一端连接所述宽度渐变的沟道波导区域3的一个波导端面，所述宽度渐变的沟道波导区域3的另一波导端面用于连接沟道波导4，所述宽度渐变的沟道波导区域3中的沟道与所述沟道波导4的沟道一一对应。
在本实施例一的具体应用中，沟道波导4可以包括一个或多个沟道。相应地，宽度渐变的沟道波导区域3中也可以包括一个沟道或多个沟道与其一一对应。
可选地，多模波导区域2可以为矩形。而宽度渐变的沟道波导区域3的宽度可以线性渐变，即为梯形沟道波导区域，其可以为等腰梯形或非等腰梯形；也可以非线性渐变，如抛物线型渐变、二次函数型渐变、双曲线线型渐变或指数函数型渐变。
其中，波导模式转换器可以利用多模干涉结构的自镜像原理以实现条形波导1和沟道波导4之间的模式转换。
可选地，波导模式转换器可以为非良导体材料波导，或非良导体材料与金属结合的表面等离子体波导。
可选地，表面等离子体波导可以为：非良导体材料表面覆盖一层金属的表面等离子体波导。
其中，非良导体材料可以为电介质、半导体或有机物。具体地，电介质可以为二氧化硅、二氧化钛或氧化镓；和/或，半导体可以为硅、锗、氮化硅或三五族光电子化合物材料。
其中，三五族光电子化合物材料可以为磷化铟或氮化镓。
可选地，表面等离子体波导可以为：硅或二氧化硅表面覆盖一层银或金的表面等离子体波导。
图9示出目前已有的两种波导模式转换器(a)、(b)与本实施例一中的波导模式转换器(c)按实际尺寸比例的对比示意图。现有技术中的这两种方案虽然都可以实现条形波导与沟道波导间模式的转换，但由图9可见它们都采用了十分尖锐的楔形结构，这种尖锐的楔形结构在集成光电子器件的加工工艺中非常难以加工。而本发明实施例一所提供的波导模式转换器(c)由于没有采用尖锐的楔形结构因而更加易于加工。同时，根据对比可以发现本发明实施例一所提供的结构尺寸更小，因此更易于集成。
图10中以上包层覆盖空气的绝缘上硅(silicon-on-insulator，SOI)材料为例，通过三维全波矢量有限元方法(3D full vector finite element method，FEM)数值仿真示出了结构中光场能流的分布情况。由图10可见，光场从条形波导以TE极化的基模入射到波导模式转换器中，逐渐转换为沟道波导TE极化的基模。同时沟道波导也可以通过波导模式转换器将模式转换为条形波导的基模。为了进一步分析条形波导与沟道波导通过本实施例一中的波导模式转换器进行耦合的耦合效率(Coupling efficiency)。本实施例一展示以绝缘上硅材料为例进行加工测试的两波导的耦合性能。其中加工中采用的结构参数为：绝缘体上硅顶硅厚度为250nm；条形波导的宽度为400nm；沟道波导的总宽度为620nm；沟道宽度为100nm，位于沟道波导中心；波导模式转换器多模区域长度和宽度分别为Lmmi＝1.38μm，Wmmi＝1.24μm。不同长度(L)的波导模式转换器被加工来分析模式转换器长度(L)对波导耦合效率的影响。
图11展示了测量及仿真得到的条形波导与沟道波导通过本实施例一的波导模式转换器进行耦合的耦合效率随波导模式转换器长度(L)的变化关系。由图11可见，测量结果与仿真结果十分吻合。且测量结果和仿真结果都表明：1)当波导模式转换器很短时(<2μm),两波导的耦合效率很低，约为80％；2)但当波导模式转换器长度从2μm增加到4μm时，耦合效率迅速增加，达到98％(测量结果为97％)；3)当波导模式转换器长度大于4μm时，耦合效率不再增加。由此可见，采用大于4μm长的波导模式转换器即可实现高达98％的条形波导与沟道波导耦合效率，结构十分小巧，有利于集成。以下以6μm长的波导模式转换器为例，进一步分析其工作带宽及工艺容差特性。
图12展示了当入射光波长在1450nm至1580nm范围内变化时，测量得到的条形波导与沟道波导耦合效率。由图12可见，在这130nm宽的光谱范围内，测量得到的耦合效率没有明显的降低，一直保持在97％左右。这130nm的光谱范围涵盖了光通信领域的S波段、C波段以及部分的L波段，而集成光电子系统通常只需工作在C波段。由此可见本实施例一提供的波导模式转换器具有很宽的工作带宽，足以满足集成光电子系统的应用。
图13通过改变波导模式转换器的尺寸来模拟实际加工中工艺误差造成的加工尺寸不精准。由图13可见在多模区域宽度和长度偏离设定尺寸±60nm的范围内，条形波导与沟道波导的耦合效率降低了不到2％。而目前的集成光电子器件主流加工工艺中加工此类无尖锐楔形结构的器件时通常都可以将加工误差控制在±30nm以内，因此本实施例一器件的工艺容差足以满足集成光电子器件加工的需求。
可见，本发明实施例一至少具有如下有益效果：
本发明实施例一提供的波导模式转换器利用多模干涉结构的自镜像原理可以实现超低损耗的条形波导与沟道波导间的模式转换。本发明实施例一中的波导模式转换器尺寸小，转换效率高，工作带宽宽，工艺容差大，易于加工的特点，在集成光电子领域具有很高的应用价值。
实施例二
图14示出了本发明实施例二中的波导模式转换器的结构示意图，本发明实施例二中的波导模式转换器包括：
多模波导区域2和宽度渐变的沟道波导区域3，所述多模波导区域2的一端用于连接条形波导1，另一端连接所述宽度渐变的沟道波导区域3的一个波导端面，所述宽度渐变的沟道波导区域3的另一波导端面用于连接条形-沟道混合型波导5，所述宽度渐变的沟道波导区域3中的沟道与所述条形-沟道混合型波导5的沟道一一对应。
在本实施例二的具体应用中，条形-沟道混合型波导5可以包括一个或多个沟道。相应地，宽度渐变的沟道波导区域3中也可以包括一个沟道或多个沟道与其一一对应。
可选地，多模波导区域2可以为矩形。而宽度渐变的沟道波导区域3的宽度可以线性渐变，即为梯形沟道波导区域，其可以为等腰梯形或非等腰梯形；也可以非线性渐变，如抛物线型渐变、二次函数型渐变、双曲线线型渐变或指数函数型渐变。
其中，波导模式转换器可以利用多模干涉结构的自镜像原理以实现条形波导1和条形-沟道混合型波导5之间的模式转换。
可选地，波导模式转换器可以为非良导体材料波导，或非良导体材料与金属结合的表面等离子体波导。
可选地，表面等离子体波导可以为：非良导体材料表面覆盖一层金属的表面等离子体波导。
其中，非良导体材料可以为电介质、半导体或有机物。具体地，电介质可以为二氧化硅、二氧化钛或氧化镓；和/或，半导体可以为硅、锗、氮化硅或三五族光电子化合物材料。
其中，三五族光电子化合物材料可以为磷化铟或氮化镓。
可选地，表面等离子体波导可以为：硅或二氧化硅表面覆盖一层银或金的表面等离子体波导。
图15中以上包层覆盖二氧化硅的绝缘上硅材料为例，通过三维全波矢量有限元方法数值仿真示出了结构中光场能流的分布情况。由图15可见，光场从条形波导以TE极化的基模入射到波导模式转换器中，逐渐转换为条形-沟道混合型波导TE极化的基模。同时条形-沟道混合型波导也可以通过波导模式转换器将模式转换为条形波导的基模。为了进一步分析条形波导与条形-沟道混合型波导通过本实施例二中的波导模式转换器进行耦合的耦合效率，本实施例二展示以绝缘上硅材料为例进行加工测试的两波导的耦合性能。其中加工中采用的结构参数为：绝缘体上硅顶硅厚度为220nm；条形波导的宽度为500nm；条形-沟道混合型波导的总宽度为700nm；沟道宽度为200nm，位于条形-沟道混合型波导中心；沟道底部被硅材料填充的厚度为60nm；波导模式转换器多模区域长度和宽度分别为Lmmi＝1.40μm，Wmmi＝1.25μm。
从图15的尺寸标注中还可以看出一旦所需进行模式转换的两种波导结构参数确定了，本发明实施例二只需要3个结构参数就能确定其尺寸。即波导模式转换器多模区域长度Lmmi和宽度Wmmi，模式转换器的总长度L。接下来分析一下这三个结构参数对模式转换效率的影响。
图16展示了波导模式转换器长度(L)对条形波导与条形-沟道混合型波导模式转换效率的影响。由图16可见：1)当波导模式转换器很短时(<2μm)，两波导的模式转换效率很低，约为84％；2)但当波导模式转换器长度从2μm增加到4μm时，耦合效率迅速增加，达到98.7％；3)当波导模式转换器长度大于4μm时，模式效率不再增加。由此可见，采用大于4μm长的波导模式转换器即可实现高达98.7％的条形波导与条形-沟道混合型波导模式转换效率，结构十分小巧，有利于集成。以下以4μm长的波导模式转换器为例，进一步分析其工艺容差特性及工作带宽。
图17通过改变波导模式转换器的尺寸来模拟实际加工中工艺误差造成的加工尺寸不精准。由图17可见，在多模区域宽度和长度偏离设定尺寸±60nm的范围内，条形波导与条形-沟道混合型波导的耦合效率降低了不到2％。而目前的集成光电子器件主流加工工艺中加工此类无尖锐楔形结构的器件时通常都可以将加工误差控制在±30nm以内，因此本实施例器件的工艺容差足以满足集成光电子器件加工的需求。
图18展示了当入射光波长在1450nm至1650nm范围内变化时，条形波导与条形-沟道混合型波导的模式转换效率。由图18可见，在200nm宽的光谱范围内，仿真得到的耦合效率没有明显的降低，一直保持在95％以上。这200nm的光谱范围涵盖了光通信领域的S波段、C波段、L波段以及部分U波段，而集成光电子系统通常只需工作在C波段。由此可见本实施例二提供的波导模式转换器具有很宽的工作带宽，足以满足集成光电子系统的应用。
可见，本发明实施例二至少具有如下有益效果：
本发明实施例二提供的波导模式转换器利用多模干涉结构的自镜像原理可以实现超低损耗的条形波导与条形-沟道混合型波导间的模式转换。本发明实施例二中的波导模式转换器尺寸小，转换效率高，工作带宽宽，工艺容差大，易于加工的特点，在集成光电子领域具有很高的应用价值。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (8)

1.一种波导模式转换器，其特征在于，包括：
多模波导区域(2)和宽度渐变的沟道波导区域(3)，所述多模波导区域(2)的一端用于连接条形波导(1)，另一端连接所述宽度渐变的沟道波导区域(3)的一个波导端面，所述宽度渐变的沟道波导区域(3)的另一波导端面用于连接沟道波导(4)，所述宽度渐变的沟道波导区域(3)中的沟道与所述沟道波导(4)的沟道一一对应；所述多模波导区域(2)为矩形，所述宽度渐变的沟道波导区域(3)宽度线性渐变，即为梯形沟道波导区域。
2.根据权利要求1所述的波导模式转换器，其特征在于：
所述宽度渐变的沟道波导区域(3)包括一个或多个沟道。
3.根据权利要求1所述的波导模式转换器，其特征在于：
所述波导模式转换器为非良导体材料波导，或非良导体材料与金属结合的表面等离子体波导。
4.根据权利要求3所述的波导模式转换器，其特征在于，所述表面等离子体波导为：
非良导体材料表面覆盖一层金属的表面等离子体波导。
5.根据权利要求3或4所述的波导模式转换器，其特征在于：
所述非良导体材料为电介质、半导体或有机物。
6.根据权利要求5所述的波导模式转换器，其特征在于：
所述电介质为二氧化硅、二氧化钛或氧化镓；
所述半导体为硅、锗、氮化硅或三五族光电子化合物材料。
7.根据权利要求6所述的波导模式转换器，其特征在于：
所述三五族光电子化合物材料为磷化铟或氮化镓。
8.根据权利要求4所述的波导模式转换器，其特征在于，所述表面等离子体波导为：
硅或二氧化硅表面覆盖一层银或金的表面等离子体波导。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105093402A (zh) * 2015-08-26 2015-11-25 北京大学 对温度不敏感的阵列波导光栅
CN105093570B (zh) * 2015-08-28 2018-06-05 北京大学 对温度不敏感的光学滤波器及装置
CN106990478B (zh) * 2017-04-27 2020-01-03 北京大学 一种光偏振旋转器
JP7103268B2 (ja) * 2019-02-22 2022-07-20 日本電信電話株式会社 解析装置および解析方法
CN111580216A (zh) * 2020-06-11 2020-08-25 山东明灿光电科技有限公司 一种平面光波导芯片及波导型单模光纤激光器
CN112394450B (zh) * 2020-12-01 2021-09-03 北京邮电大学 模式转换器及其制造方法
CN113740962B (zh) * 2021-09-07 2023-01-03 中山大学 一种波导结构中抑制菲涅耳反射的结构
CN114243244B (zh) * 2021-12-14 2023-04-11 中国电子科技集团公司第十三研究所 低气压条件下高频大功率波导同轴转换器

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102759776A (zh) * 2012-07-10 2012-10-31 东北大学 一种具有高耦合效率的光子晶体槽波导结构
CN103513333A (zh) * 2013-10-25 2014-01-15 东南大学 一种硅基纳米线混合十字交叉器
CN204009131U (zh) * 2014-08-25 2014-12-10 北京大学 一种波导模式转换器
CN204882930U (zh) * 2015-08-20 2015-12-16 北京大学 一种波导模式转换器

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6928200B2 (en) * 2002-10-07 2005-08-09 Intel Corporation Ultra-thin polarization mode converters based on liquid crystal materials
US8282882B2 (en) * 2010-08-23 2012-10-09 Swapnajit Chakravarty Photonic crystal slot waveguide miniature on-chip absorption spectrometer

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102759776A (zh) * 2012-07-10 2012-10-31 东北大学 一种具有高耦合效率的光子晶体槽波导结构
CN103513333A (zh) * 2013-10-25 2014-01-15 东南大学 一种硅基纳米线混合十字交叉器
CN204009131U (zh) * 2014-08-25 2014-12-10 北京大学 一种波导模式转换器
CN204882930U (zh) * 2015-08-20 2015-12-16 北京大学 一种波导模式转换器

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Optimizing SOI Slot Waveguide Fabrication Tolerances and Strip-Slot Coupling for Very Efficient Optical Sensing;Vittorio M. N. Passaro and Mario La Notte;《Sensors》;20120223;第12卷(第3期);第3页第6段至第6页第2段，图1、2 *
Strip-slot waveguide mode converter based on symmetric multimode interference;Qingzhong Deng, Lu Liu, Xinbai Li, Zhiping Zhou;《OPTICS LETTERS》;20141001;第39卷(第19期);第1页第2栏第2段至第2页第1栏第1段，图1、2 *

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