CN105039914A - 一种多弧离子镀加速系统 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及多弧离子镀技术领域,特指一种多弧离子镀加速系统。其特征在于:所述的分离器通道采取截面为圆的圆弧形弯曲通道,沿离子束前进方向,在分离器通道外表面均匀分布若干组磁力线圈,每一组磁力线圈在分离器通道外表面沿着圆截面均匀分布,同一圆截面上各个磁力线圈之间采用连接导线首尾相连,不同圆截面上的成组磁力线圈也采用连接导线一对一相互连接;磁力线圈在圆弧形弯曲通道内部能够产生与弯曲通道平行的磁场;所述的分离器通道内侧还均匀分布着屏蔽棒,对不带电微观和较大宏观颗粒起到很好的捕捉作用,使得不带电微观和较大宏观颗粒被过滤到通道壁上,不进入后续的蒸发器中影响所镀涂层表面粗糙度。
Description
技术领域
本发明涉及多弧离子镀技术领域,特指一种多弧离子镀加速系统,为弯曲磁场离子弧源加速系统,是一种用于消除多弧离子镀涂层表面液态大颗粒的加速装置。
背景技术
随着工业技术的迅速发展,切削加工技术不断进步,机床的切削速度不断提高,高速切削机床和加工中心应用广泛;在高速切削前提下,为了使得加工精度得到保证,加工周期缩短,工效提高,以及避免后工序产生加工变形,希望能对更高硬度的材料进行切削加工,甚至取消后硬化工序,也需要更高性能的刀具;普通硬质合金和高速钢不能满足这些要求,因此,20世纪70年代末TiN涂层刀具应运而生,九十年代得到迅速推广和发展,目前己发展到纳米级多元、超多层的复合涂层阶段。
多弧离子镀是目前应用最为广泛的镀涂层工艺之一,相对于溅射和蒸镀工艺,它具有效率高、界面结合强度高、沉积速率高等一系列优点;然而,它却存在涂层表面有液态大颗粒产生的缺陷,这些大颗粒不仅影响了涂层表面粗糙度,而还成为了涂层失效的发源地。
发明内容
本发明提供了一种弯曲磁场离子弧源加速系统,可以消除涂层表面液态大颗粒,所制备的涂层具有良好的表面粗糙度。
本发明的弯曲磁场离子弧源加速系统包括真空室、分离器通道和蒸发器,真空室底端和分离器通道起始端齐平,分离器通道起始端设有离子束通道入口,分离器通道尾端设有蒸发器,其特征在于:所述的分离器通道采取截面为圆的圆弧形弯曲通道,沿离子束前进方向,在分离器通道外表面均匀分布若干组磁力线圈,每一组磁力线圈在分离器通道外表面沿着圆截面均匀分布,同一圆截面上各个磁力线圈之间采用连接导线首尾相连,不同圆截面上的成组磁力线圈也采用连接导线一对一相互连接;磁力线圈在圆弧形弯曲通道内部能够产生与弯曲通道平行的磁场;所述的分离器通道内侧还均匀分布着屏蔽棒,对不带电微观和较大宏观颗粒起到很好的捕捉作用,使得不带电微观和较大宏观颗粒被过滤到通道壁上,不进入后续的蒸发器中影响所镀涂层表面粗糙度。
进一步地,所述的真空室采取真空泵或者其他手段抽取空气,控制真空室压强在4×10-3Pa以内。
进一步地,磁力线圈为3组。
进一步地,每组磁力线圈为8个。
进一步地,与弯曲通道平行的磁场的磁场感应强度为50-100mT。
主要由离子束通道入口,真空室,真空室壁,磁力线圈,蒸发器,屏蔽棒和分离器通道组成。
所述的真空室采取真空泵或者其他手段抽取空气,控制真空室压强在4×10-3Pa以内。
所述的分离器通道采取截面为圆的圆弧形弯曲通道,并且在通道外面沿着圆截面均匀分布着8个磁力线圈,同一圆截面上各个磁力线圈之间采用连接导线首尾相连,不同圆截面上的成组磁力线圈也采用连接导线相互连接;所述的磁力线圈是采用同一规格铜质导线缠绕而成,磁力线圈在圆弧形弯曲通道内部能够产生与弯曲通道平行的磁场,通电后其磁场感应强度为50-100mT。
同时,所述的分离器通道内侧还均匀分布着屏蔽棒,在弯曲通道平行的磁场和屏蔽棒的协同作用下,对不带电微观和较大宏观颗粒起到很好的捕捉作用,使得不带电微观和较大宏观颗粒被过滤到通道壁上,不进入后续的蒸发器中影响所镀涂层表面粗糙度。
附图说明
图1弯曲磁场离子弧源加速系统示意图。
1-通道入口;2-真空室;3-真空室壁;4-磁力线圈;5-蒸发器;6-屏蔽棒;7-离子束;8-分离器通道。
图2磁力线圈在分离器截面分布示意图。
4-磁力线圈;8-分离器通道;9-连接导线
图3本发明生成TiAlSiN涂层的表面形貌;(a)使用本装置前涂层表面形貌(b)使用本装置后涂层表面形貌。
图4本发明生成TiAlSiN涂层的界面形貌;(a)使用本装置前涂层界面形貌,(b)使用本装置后涂层界面形貌。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明的具体实施方案进行详细的说明。
如图1所示,本发明的弯曲磁场离子弧源加速系统主要由通道入口1,真空室2,真空室壁3,磁力线圈4,蒸发器5,屏蔽棒6和分离器通道8组成。
采用本发明弯曲磁场离子弧源加速系统的工作过程如下:
(1)采取真空泵或者其他手段抽取空气,控制真空室2内压强在4×10-3Pa以内。
(2)以Ti,Al和Si为阴极靶材,利用高压引弧的方法引燃电弧,电弧电流为50-600A,电弧电压为30-60V,等离子束7在真空室2环境下产生,由通道入口1进入弯曲磁场过滤分离器通道8中。
(3)分离器通道8外面沿着同一圆截面上均匀分布着8个磁力线圈4,同一圆截面上各个磁力线圈之间采用连接导线9首尾相连,如图2所示。
(4)同时,不同圆截面上的成组磁力线圈也采用连接导线9相互连接,形成分离器通道8外沿的感应磁场触发源。
(5)磁力线圈4采用同一规格铜质导线缠绕而成,在弯曲磁场过滤分离器通道8内部能够产生与弯曲通道平行的磁场,通电后其磁场感应强度为50-100mT。
(6)在磁力线圈4所产生磁场磁力线约束下,进入分离器通道8的离子束7进入蒸发器5,由蒸发器5为镀涂层提供所需的等离子体,作用时间为2h。
(7)采用本发明的弯曲磁场离子弧源加速系统进行镀涂层处理,能够显著改善涂层表面粗糙度,提高所镀涂层的表面质量;一般多弧离子镀涂层表面形貌如图3(a)所示,涂层表面表面粗糙有液滴,使用本装置后涂层表面形貌如图3(b)所示,涂层表面细小致密无液滴;常规多弧离子镀涂层界面形貌如图4(a)所示,使用本装置后涂层界面形貌如图4(b)所示,由图3和图4对比可知,使用本发明的弯曲磁场离子弧源加速系统能够有效减少涂层的液滴,大幅度提高涂层质量。
Claims (5)
1.一种多弧离子镀加速系统,包括真空室、分离器通道和蒸发器,真空室底端和分离器通道起始端齐平,分离器通道起始端设有离子束通道入口,分离器通道尾端设有蒸发器,其特征在于:所述的分离器通道采取截面为圆的圆弧形弯曲通道,沿离子束前进方向,在分离器通道外表面均匀分布若干组磁力线圈,每一组磁力线圈在分离器通道外表面沿着圆截面均匀分布,同一圆截面上各个磁力线圈之间采用连接导线首尾相连,不同圆截面上的成组磁力线圈也采用连接导线一对一相互连接;磁力线圈在圆弧形弯曲通道内部能够产生与弯曲通道平行的磁场;所述的分离器通道内侧还均匀分布着屏蔽棒,对不带电微观和较大宏观颗粒起到很好的捕捉作用,使得不带电微观和较大宏观颗粒被过滤到通道壁上,不进入后续的蒸发器中影响所镀涂层表面粗糙度。
2.如权利要求1所述的一种多弧离子镀加速系统,其特征在于:所述的真空室采取真空泵或者其他手段抽取空气,控制真空室压强在4×10-3Pa以内。
3.如权利要求1所述的一种多弧离子镀加速系统,其特征在于:磁力线圈为3组。
4.如权利要求1所述的一种多弧离子镀加速系统,其特征在于:每组磁力线圈为8个。
5.如权利要求1所述的一种多弧离子镀加速系统,其特征在于:与弯曲通道平行的磁场的磁场感应强度为50-100mT。
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