CN105032518B - 微流控芯片散热装置及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种微流控芯片散热装置及其制作方法，所述装置用于为所述微流控芯片的产热区域进行散热，所述装置包括灌注有高热导率液体的高热导率微流道，所述高热导率微流道与所述产热区域之间具有微尺度间隔。本发明利用灌注高热导率液体的微流道实现微流控芯片的散热，尤其适用于低热导率微流控芯片片内微小区域的强化传热。产热区域温度升高时，装置在产热区域附近的高热导率液体会快速吸收产热区域热量，同时将这些热量快速传导至芯片片内更大的空间，在芯片表面自然对流作用下，片内产热可自然消除。本发明的微流控芯片散热装置具有结构简单、制作方便、成本低廉、集成性好等诸多优点，更重要的是容易实现片内微小区域传热的各向异性强化。

Description

微流控芯片散热装置及其制作方法

技术领域

本发明属于微流控技术领域，更具体涉及一种微流控芯片散热装置及其制作方法。

背景技术

在微流控芯片分析中，执行样本试剂在微流道内输运、混合、分离、反应等操作的微元器件(微泵、微阀、微混合器、微分离器、微反应器等)，通常伴随有热量的产生。这些热量对样本试剂微流体具有加热作用，使微流体温度上升。样本试剂温度升高而偏离理想生化温度，将会使微流控分析效率下降，甚至失败。例如，在高电压电渗驱动的微流控细胞培养芯片中，电渗微泵正、负微电极之间会产生明显电流焦耳热，使细胞液实际的培养温度高于理想培养温度。而细胞培养温度过高会导致细胞内某些功能蛋白质变性，这样细胞也就无法进行正常的生化反应及分析。上述现象在低热导率材质微流控芯片中尤为明显，如PDMS、PMMA微流控芯片。

由于PDMS、PMMA热导率非常低(0.1～0.2W/mK)，PDMS、PMMA材质微流控芯片片内微小区域的产热往往难以通过芯片表面自然对流换热来消除。要彻底消除片内微小区域产热，目前最为常用的方法是芯片表面强迫散热。这类方法多采用风扇、半导体制冷片、冷水浴等对芯片外部表面进行冷却降温，使得芯片表面与芯片内部之间温差增大，由此芯片内部向外部散发的热量就会增加，芯片内部温度也就会得到降低。芯片片外强迫散热属整体控温方法，虽能够有效降低片内微小区域温度，但同时也使片内其它微小区域温度下降，另外片外强迫散热装置不利于芯片的集成和微型化，且能耗大。

另外，通过提高低热导率材质微流控芯片的热导率是强化微流控芯片内部传热、消除产热的有效途径。高热导率材质微流控芯片的优势在于，芯片内部局部区域产热能够快速传导至芯片外表面并通过自然对流散热方式就可使芯片内维持理想生化分析温度，而无需芯片外部强迫散热装置。通过在低热导率微流控芯片材料中掺杂高热导率粉末材料是目前用于提高微流控芯片热导率的有效途径。例如，在液态PDMS中均匀掺杂一定比例的铜、银、石墨等微米纳米颗粒，混合物固化后即可用于制作高热导率材质微流控芯片。这种方法方便、快捷，且利于芯片集成，但掺杂有高热导率材料的芯片基体材料在导电、润湿、电渗、电润湿、透水透气等性质方面同样会发生改变，很大程度上限制了原有芯片材料的应用范围和效果。另外，通过提高芯片材质热导率来实现微流控芯片片内强化传热也属于整体控温方法，若片内有多个微小区域需独立进行强化传热的操控，该方法无法实现。

因此，对产热型生化微流控芯片，特别是低热导率材质微流控芯片，为使微流控芯片获得样本试剂高效生化反应的理想温度环境，进行合理的散热设计是十分必要的。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是如何实现对微流控芯片的小区域散热，同时不影响微流控芯片的理化性质。

(二)技术方案

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种微流控芯片散热装置，用于为所述微流控芯片的产热区域进行散热，所述装置包括灌注有高热导率液体的高热导率微流道，所述高热导率微流道与所述产热区域之间具有微尺度间隔。

优选地，所述高热导率微流道与所述产热区域之间通过微尺度薄膜形成所述微尺度间隔。

优选地，所述高热导率微流道包括第一传热区域、灌注入口和灌注出口；所述第一传热区域包括一段子流道或多段首尾依次连接的子流道，并且所述多段首尾连接的子流道平行间隔排列，所述灌注入口与所述多段首尾连接的子流道的第一段子流道连接，所述灌注出口与所述多段首尾连接的子流道的最后一段子流道连接。

优选地，所述装置包括两个所述高热导率微流道，两个所述高热导率微流道的所述第一传热区域对称分布于与所述产热区域的两侧。

优选地，两个所述第一传热区域对称分布于与所述产热区域同一水平面的两侧，并且与所述产热区域等高，或者两个所述第一传热区域对称分布于所述产热区域的上侧或下侧。

优选地，两个所述第一传热区域的所述子流道均与所述产热区域的长边平行，或者两个所述第一传热区域的所述子流道均与所述产热区域的长边方向成第一预定夹角，或者两个所述第一传热区域的所述子流道均与竖直方向平行，或者两个所述第一传热区域的所述子流道均与竖直方向成第二预定夹角。

优选地，所述第一传热区域用第二传热区域代替，所述第二传热区域包括一段子流道或多段子流道，所述多段子流道平行间隔排列，并且每一段所述子流道的一端均与所述灌注入口，另一端均与所述灌注出口连接。

优选地，所述第一传热区域用第三传热区域代替，所述第三传热区域包括多段交错连通的子流道。

优选地，所述高热导率液体包括室温下为液态的金属汞、室温下为液态的金属镓、室温下为液态的镓合金、高热导率离子液体、高热导率电解质溶液以及高热导率银浆溶液。

优选地，所述灌注入口和灌注出口均采用橡胶密封，并且所述灌注入口和灌注出口采用微机械加工方法制作。

一种微流控芯片散热装置的制作方法，用于制作上述装置，所述方法包括以下步骤：

所述高热导率微流道与所述产热区域的样本试剂微流道同步制作。

(三)有益效果

本发明提供了一种微流控芯片散热装置及其制作方法，本发明利用灌注高热导率液体的微流道实现微流控芯片的散热，本发明的装置尤其适用于低热导率微流控芯片片内微小区域的强化传热，本发明的用于强化微小区域传热的高热导率微流道集成设置在微流控芯片上，可以与产热区域内样本试剂微流道同步设计、制作，两者处于同一水平上、等高，也可以设置在样本试剂微流道上下两侧。高热导率微流道与产热区域内样本试剂微流道始终保持非接触，可在中间设置微尺度薄膜间隙隔开。高热导率液体通过简单的注射方法由微流道灌注入口灌入微流道形成片内高热导率区域，而多余高热导率液体则由微流道灌注出口流出。产热区域温度升高时，装置在产热区域附近的高热导率液体会快速吸收产热区域热量，同时将这些热量快速传导至芯片片内更大的空间。由于高热导率液体区域(第一传热区域、第二传热区域或第三传热区域)远大于产热区域，高热导率液体区域会将产热区域产热吸收传导至更大面积芯片表面。此时，在芯片表面自然对流作用下，片内产热可自然消除。由于该发明装置通过高热导率微流道将片内微小区域产热快速吸收并传导至芯片表面，并在芯片表面自然对流作用下消除片内微小区域产热，而无需片外强迫散热装置。因而，本发明的微流控芯片散热装置具有结构简单、制作方便、成本低廉、集成性好等诸多优点，更重要的是容易实现片内微小区域传热的各向异性强化。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明中一个较佳实施例一的微流控芯片散热装置的结构示意图；

图2为本发明中一个较佳实施例二的微流控芯片散热装置的结构示意图；

图3为本发明中一个较佳实施例三的微流控芯片散热装置的结构示意图；

图4为本发明中一个较佳实施例四的微流控芯片散热装置的俯视图；

图5为本发明中一个较佳实施例四的微流控芯片散热装置的侧视图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不能用来限制本发明的范围。

一种微流控芯片散热装置，用于为所述微流控芯片的产热区域进行散热，其特征在于，所述装置包括灌注有高热导率液体的高热导率微流道，所述高热导率微流道与所述产热区域之间具有微尺度间隔。所述产热区域的形状可为直线形，也可为圆环形、矩形、圆形等。优选地，所述高热导率微流道与所述产热区域之间通过微尺度薄膜形成所述微尺度间隔，上述微尺度间隔用于隔离高热导率微流道与产热区域，是两者不接触。

所述高热导率液体通过注射方法灌入高热导率微流道形成片内高热导率区域，以强化片内局部微小区域导热，降低此区域内的温度梯度。高热导率微流道与产热区域保持非接触，二者之间由微尺度薄膜间隙隔开。

高热导率微流道设置在产热区域两侧时可与产热区域内样本试剂微流道设置在同一水平面且等高。高热导率液体微流道设置在产热区域上下侧时，两个强化传热区域可通过并联方式接入相同液体灌注入口或出口。

高热导率微流道可采用微机械加工方法(MEMS)或刻蚀方法(Lithography)加工制作。

本发明的装置适用于低热导率材质PDMS、PMMA等制成的微流控芯片。本发明的装置实现工艺简单、成本较低，有利于微流控芯片的集成和微型化，更重要的是容易实现微流控芯片片内微小区域各向异性传热的强化。本发明的装置可用于片上电渗/电泳/电润湿驱动、片上细胞培养/蛋白质热聚焦、片上连续流PCR等微流控装置。

进一步地，所述高热导率微流道包括第一传热区域、灌注入口和灌注出口；所述第一传热区域包括一段子流道或多段首尾依次连接的子流道，并且所述多段首尾连接的子流道平行间隔排列，所述灌注入口与所述多段首尾连接的子流道的第一段子流道连接，所述灌注出口与所述多段首尾连接的子流道的最后一段子流道连接。

高热导率液体经灌注入口灌入高热导率微流道，多余高热导率液体由灌注出口流出。灌注填满高热导率液体后，灌注入口和灌注出口采用硅橡胶密封。

进一步地，所述装置包括两个所述高热导率微流道，两个所述高热导率微流道的所述第一传热区域对称分布于与所述产热区域的两侧。

进一步地，两个所述第一传热区域对称分布于与所述产热区域同一水平面的两侧，并且与所述产热区域等高，或者两个所述第一传热区域对称分布于所述产热区域的上侧或下侧。

进一步地，两个所述第一传热区域的所述子流道均与所述产热区域的长边平行，或者两个所述第一传热区域的所述子流道均与所述产热区域的长边方向成第一预定夹角(0-90°)，或者两个所述第一传热区域的所述子流道均与竖直方向平行，或者两个所述第一传热区域的所述子流道均与竖直方向成第二预定夹角(0-90°)。

进一步地，所述第一传热区域用第二传热区域代替，所述第二传热区域包括一段子流道或多段子流道，所述多段子流道平行间隔排列，并且每一段所述子流道的一端均与所述灌注入口，另一端均与所述灌注出口连接。

进一步地，所述第一传热区域用第三传热区域代替，所述第三传热区域包括多段交错连通的子流道。假设由N(N为大于零的整数)个横向高热导率微流道和M(M为大于零的整数)个竖向高热导率液体微流道错设置形成强化传热区域。

进一步地，所述高热导率液体包括所室温下为液态的高热导率液体材料，所述高热导率液体材料可以为室温液态金属汞、镓或镓合金，也可以为高热导率离子液体、电解质溶液、银浆等材料。

进一步地，所述灌注入口和灌注出口采用微机械加工方法制作。

本发明公开了一种微流控芯片散热装置的制作方法，用于制作上述装置，所述方法包括以下步骤：所述高热导率微流道与所述产热区域的样本试剂微流道同步制作。

以下以几个实施例进行详细的说明。

实施例一

如图1所示，本实施例提微流控芯片散热装置，包括产热区域1和高热导率微流道2。在本实施例中，产热区域1为从上向下看为矩形状。高热导率微流道2横向平行串联设置(对段子流道首尾连接)，形成强化传热区域3(第一传热区域)。两个强化传热区域3对称设置在产热区域1两侧，强化传热区域3与产热区域1处于同一水平面、等高，同时两者中间由微尺度薄膜6形成间隙隔开，该间隙尺寸不大于高热导率微流道2的宽度。本实施例提供的微流控芯片散热装置有利于产热区域1热量沿水平横向方向传导扩散。应当理解，图1中的强化传热区域3还可以设置成与水平横向方向保持一定倾角(0-90°)，以使产热区域3热量沿某一特定方向传导扩散。

具体地，N(N为大于零的整数)段子流道横向平行串联设置，形成强化传热区域3。高热导率微流道2内通过注射方法灌注充满高热导率的液体材料，高热导率液体材料经灌注入口4流进微流道，多余高热导率液体材料从灌注出口5流出。填充完高热导率液体材料，灌注入口4和灌注出口5采用硅橡胶密封。应当理解，本发明实施例中N(N为大于零的整数)个子流道还可以横向平行并联(各段子流道均与灌注入口和灌注出口连接)设置形成强化传热区域(第二传热区域)3，与N(N为大于零的整数)个子流道横向平行串联设置形成强化传热区域3所取得的效果基本相同。

优先地，强化传热区域3设置为串联连接，以易于灌注填充高热导率液体。

本实施例中高热导率液体为室温下为液态的流体，例如汞、镓或镓基合金、离子液体、电解质溶液等，本实施例不做限定。

可选地，高热导率微流道2、灌注入口4和灌注出口5，微尺度薄膜6的间隙采用微机械加工方法制作、封装。例如，应用磨具在聚合物材料(PDMS)上形成高热导率微流道2、灌注入口4和灌注出口5，从而制造出微流控芯片散热装置。这样，制造工艺简单，成本低易于推广。

需要说明的是，图1中的强化传热区域3还可以设计成其它结构形式，以适用于不同结构形状产热的不同强化传热需求，如将强化传热区域3内的N(N为大于零的整数)个高热导率液体微流道2设置成以产热区域1为圆心，同时半径不同的半圆弧状强化传热区域3。

本实施例提供的微流控芯片散热装置与现有的在芯片外部布置强迫散热装置(风扇、半导体制冷片、冷水浴等)相比，结构简单、制作方便、成本低廉、集成性好。而相比通过掺杂高热导率粉末来提高芯片热导率的方法，本实施例提供的微流控芯片散热装置可实现微小区域传热的各向异性强化，同时液体强化传热区域对片内样本试剂微流体无任何物理、化学方面的影响。

实施例二

如图2所示，本实施例提供的微流控芯片散热装置，包括产热区域1和高热导率微流道2。在本实施例中，产热区域1从上向下看为矩形状。高热导率微流道2竖向平行串联设置，形成强化传热区域3(第一传热区域)。两个强化传热区域3对称设置在产热区域1两侧，强化传热区域3与产热区域1处于同一水平、等高，同时两者之间由微尺度间隙(如设置微尺度薄膜6)隔开，该间隙尺寸不大于高热导率微流道2宽度。本实施例提供的微流控芯片散热装置有利于产热区域1热量沿竖向水平方向传导扩散。应当理解，图2中的强化传热区域3还可以设置成与竖向方向保持一定倾角(0-90°)，以使产热区域3热量沿某一特定方向传导扩散。

具体地，N(N为大于零的整数)个子道竖向平行串联设置，形成强化传热区域3。高热导率微流道2内通过注射方法灌注充满高热导率的液体材料，高热导率液体材料经灌注入口4流进微流道，多余高热导率液体材料从灌注出口5流出。填充完高热导率液体材料，灌注入口4和灌注出口5采用硅橡胶密封。应当理解，本发明实施例中N(N为大于零的整数)个子流道还可以竖向平行并联设置形成强化传热区域3(第二导热区域)，与N(N为大于零的整数)个子流道竖向平行串联设置形成强化传热区域3所取得的效果基本相同。

优先地，强化传热区域3设置为串联连接，以易于灌注填充高热导率液体。

本实施例中高热导率液体为室温下为液态的流体，例如汞、镓或镓基合金、离子液体、电解质溶液等，本实施例不做限定。

可选地，高热导率液体微流道2，灌注入口4和灌注出口5，微尺度薄膜间隙6采用微机械加工方法制作、封装。例如，应用磨具在聚合物材料(PDMS)上形成高热导率微流道2，灌注入口4和灌注出口5，从而制造出微流控芯片散热装置。这样，制造工艺简单，成本低易于推广。

需要说明的是，图2中的强化传热区域3还可以设计成其它结构形式，以适用于不同结构形状产热的不同强化传热需求，如将强化传热区域3内的N(N为大于零的整数)个子流道设置成与竖向方向保持不同倾角(0-90°)，以产热区域1为圆心的放射状强化传热区域3。

本实施例提供的微流控芯片散热装置与现有的在芯片外部布置强迫散热装置(风扇、半导体制冷片、冷水浴等)相比，结构简单、制作方便、成本低廉、集成性好。而相比通过掺杂高热导率粉末来提高芯片热导率的方法，本实施例提供的微流控芯片散热装置可实现微小区域传热的各向异性强化，同时液体强化传热区域对片内样本试剂微流体无任何物理、化学方面的影响。

实施例三

如图3所示，本实施例提供的微流控芯片散热装置，包括产热区域1和高热导率微流道2。在本实施例中，产热区域1为从上向下看为矩形状。高热导率微流道2横竖交错垂直设置，形成强化传热区域3(第三导热区域)。两个强化传热区域3对称设置在产热区域1两侧，强化传热区域3与产热区域1处于同一水平、等高，同时两者之间由微尺度薄膜6形成间隙隔开，该间隙尺寸不大于高热导率微流道2宽度。应当理解，图3中的强化传热区域3还可以设置成与竖向或横向方向保持一定倾角(0-90°)，以使产热区域3热量沿某一特定方向传导扩散。

具体地，N(N为大于零的整数)个竖向子流道与M个(M为大于零的整数)横向子流道交错垂直设置，形成强化传热区域3。高热导率微流道2内通过注射方法灌注充满高热导率的液体材料，高热导率液体材料经灌注入口4流进微流道，多余高热导率液体材料从灌注出口5流出。填充完高热导率液体材料，灌注入口4和灌注出口5采用硅橡胶密封。

本实施例中高热导率液体为室温下为液态的流体，例如汞、镓或镓基合金、离子液体、电解质溶液等，本实施例不做限定。

可选地，高热导率微流道2，灌注入口4和灌注出口5，微尺度薄膜间隙6采用微机械加工方法制作、封装。例如，应用磨具在聚合物材料(PDMS)上形成高热导率微流道2，灌注入口4和灌注出口5，从而制造出微流控芯片散热装置。这样，制造工艺简单，成本低易于推广。

需要说明的是，图1中的强化传热区域3还可以设计成其它结构形式，以适用于不同结构形状产热的不同强化传热需求。本发明实施例中N(N为大于零的整数)个竖向子流道与M个(M为大于零的整数)横向子流道还可以交错倾斜(倾角小于90°)设置，形成强化传热区域3。

本实施例提供的微流控芯片散热装置与现有的在芯片外部布置强迫散热装置(风扇、半导体制冷片、冷水浴等)相比，结构简单、制作方便、成本低廉、集成性好。而相比通过掺杂高热导率粉末来提高芯片热导率的方法，本实施例提供的微流控芯片散热装置可实现微小区域传热的各向异性强化，同时液体强化传热区域对片内样本试剂微流体无任何物理、化学方面的影响。

在实施例一、二和三中，高热导率体微流道2设置在产热区域1两侧，两者处于同一水平面、等高，中间由薄膜间隙隔开。这三种实施例对大高宽比(高窄)产热区域的散热具有显著效果。而对于小高宽比(扁平)产热区域，这三种实施例的散热效果不明显。因此，实施例一、二和三优先用于大高宽比(高窄)产热区域的散热装置。

实施例四

如图4、5所示，本实施例提供的适于小高宽比(扁平)产热的微流控芯片散热装置，该装置同样包括产热区域1和高热导率微流道2。本实施例与实施三的唯一区别在于，高热导率微流道2设置在产热区域1上下侧，与产生区域1内样本试剂微流道处在不同水平面，强化传热区域3(第三传热区域)与产热区域1之间由微尺度薄膜6间隙隔开，该间隙尺寸不大于高热导率微流道2宽度。本实施例中，高热导率微流道2形成的强化传热区域与实施例3相似，此处不予详述。当然，热导率微流道2形成的强化传热区域还可以采用与实施例一、二相似的结构形式。

高热导率微流道2内通过注射方法灌注充满高热导率的液体材料，高热导率液体材料经灌注入口4流进微流道，多余高热导率液体材料从灌注出口5流出。填充完高热导率液体材料，灌注入口4和灌注出口5采用硅橡胶密封。

本实施例中高热导率液体为室温下为液态的流体，例如汞、镓或镓基合金、离子液体、电解质溶液等，本实施例不做限定。

可选地，高热导率微流道2，灌注入口4和灌注出口5，薄微尺度薄膜间隙6采用微机械加工方法制作、封装例如，应用磨具在聚合物材料(PDMS)上形成高热导率微流道2，灌注入口4和灌注出口5，从而制造出微流控芯片散热装置。这样，制造工艺简单，成本低易于推广。

本实施例提供的微流控芯片散热装置与现有的在芯片外部布置强迫散热装置(风扇、半导体制冷片、冷水浴等)相比，结构简单、制作方便、成本低廉、集成性好。而相比通过掺杂高热导率粉末来提高芯片热导率的方法，本实施例提供的微流控芯片散热装置可实现微小区域传热的各向异性强化，同时液体强化传热区域对片内样本试剂微流体无任何物理、化学方面的影响。

以上实施方式仅用于说明本发明，而非对本发明的限制。尽管参照实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，对本发明的技术方案进行各种组合、修改或者等同替换，都不脱离本发明技术方案的精神和范围，均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。

Claims (7)

1.一种微流控芯片散热装置，用于为所述微流控芯片的产热区域进行散热，其特征在于，所述装置包括灌注有高热导率液体的高热导率微流道，所述高热导率微流道与所述产热区域之间具有微尺度间隔；

所述高热导率微流道包括第一传热区域、灌注入口和灌注出口；所述第一传热区域包括一段子流道或多段首尾依次连接的子流道，并且所述多段首尾连接的子流道平行间隔排列，所述灌注入口与所述多段首尾连接的子流道的第一段子流道连接，所述灌注出口与所述多段首尾连接的子流道的最后一段子流道连接；

所述装置包括两个所述高热导率微流道，两个所述高热导率微流道的所述第一传热区域对称分布于与所述产热区域的两侧；其中，两个所述第一传热区域对称分布于与所述产热区域同一水平面的两侧，并且与所述产热区域等高，或者两个所述第一传热区域对称分布于所述产热区域的上侧或下侧。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述高热导率微流道与所述产热区域之间通过微尺度薄膜形成所述微尺度间隔。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，两个所述第一传热区域的所述子流道均与所述产热区域的长边平行，或者两个所述第一传热区域的所述子流道均与所述产热区域的长边方向成第一预定夹角，或者两个所述第一传热区域的所述子流道均与竖直方向平行，或者两个所述第一传热区域的所述子流道均与竖直方向成第二预定夹角。

4.根据权利要求1或3所述的装置，其特征在于，所述第一传热区域用第二传热区域代替，所述第二传热区域包括一段子流道或多段子流道，所述多段子流道平行间隔排列，并且每一段所述子流道的一端均与所述灌注入口，另一端均与所述灌注出口连接。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一传热区域用第三传热区域代替，所述第三传热区域包括多段交错连通的子流道。

6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述高热导率液体包括室温下为液态的金属汞、室温下为液态的金属镓、室温下为液态的镓合金、高热导率离子液体、高热导率电解质溶液以及高热导率银浆溶液；所述灌注入口和灌注出口均采用橡胶密封，并且所述灌注入口和灌注出口采用微机械加工方法制作。

7.一种微流控芯片散热装置的制作方法，用于制作权利要求1至6任一项所述的装置，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

所述高热导率微流道与所述产热区域的样本试剂微流道同步制作。