CN105004441A - 一种采用二极管做传感器的温度测试电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种采用二极管做传感器的温度测试电路,包括恒流源电路及用于作为温度传感器使用的二极管电路,所述恒流源电路与二极管电路连接,所述的二极管电路包括硅二极管组,且硅二极管组的负极与恒流源电路连接,硅二极管组的正极与供电电源连接;利用硅二极管的温度特性制成的传感器电路,用于对温度进行测试,整个电路具有设计简单、科学合理等特性。
Description
技术领域
本发明涉及传感技术领域,具体的说,是一种采用二极管做传感器的温度测试电路。
背景技术
温度(temperature)是表示物体冷热程度的物理量,微观上来讲是物体分子热运动的剧烈程度。温度只能通过物体随温度变化的某些特性来间接测量,而用来量度物体温度数值的标尺叫温标。它规定了温度的读数起点(零点)和测量温度的基本单位。国际单位为热力学温标(K)。目前国际上用得较多的其他温标有华氏温标(°F)、摄氏温标(°C)和国际实用温标。从分子运动论观点看,温度是物体分子运动平均动能的标志。温度是大量分子热运动的集体表现,含有统计意义。对于个别分子来说,温度是没有意义的。根据某个可观察现象(如水银柱的膨胀),按照几种任意标度之一所测得的冷热程度。
温度,根据某个可观察现象(如水银柱的膨胀),按照几种任意标度之一所测得的冷热程度。温度是物体内分子间平动动能的一种表现形式。分子运动愈快,即温度愈高,物体愈热;分子运动愈慢,即温度愈低,物体愈冷。从分子运动论观点看,温度是物体分子运动平均平动动能的标志,温度是分子热运动的集体表现,含有统计意义。
对于真空而言,温度就表现为环境温度,是物体在该真空环境下,物体内分子间平均动能的一种表现形式。物体在不同热源辐射下的不同真空里,物体的温度是不同的,这一现象为真空环境温度。比如,物体在离太阳较近的太空中,温度较高;物体在离太阳较远的太空中,反之,温度较低。这是太阳辐射对太空环境温度的影响。
发明内容
本发明的目的在于提供一种采用二极管做传感器的温度测试电路,利用硅二极管的温度特性制成的传感器电路,用于对温度进行测试,整个电路具有设计简单、科学合理等特性。
本发明通过下述技术方案实现:一种采用二极管做传感器的温度测试电路,包括恒流源电路及用于作为温度传感器使用的二极管电路,所述恒流源电路与二极管电路连接,所述的二极管电路包括硅二极管组,且硅二极管组的负极与恒流源电路连接,硅二极管组的正极与供电电源连接。
进一步的为更好的实现本发明,所述恒流源电路包括双路运算放大器IC1、晶体管VT1、输入偏置电路,所述输入偏置电路与双路运算放大器IC1的正极输入端连接,所述双路运算放大器IC1的输出端与晶体管VT1的基极连接,所述晶体管VT1的集电极与硅二极管组的负极连接,所述晶体管VT1的发射极与双路运算放大器IC1的负极输入端连接。
进一步的为更好的实现本发明,所述输入偏置电路包括稳压二极管VD1及电阻R1,所述电阻R1分别连接双路运算放大器IC1的正极和硅二极管组的正极;所述稳压二极管VD1的负极连接在双路运算放大器IC1的正极输入端,且稳压二极管VD1的正极通过电阻R2与晶体管VT1的发射极连接。
进一步的为更好的实现本发明,所述双路运算放大器IC2采用TA75458,所述电阻R1采用1KΩ电阻,所述电阻R2采用1.2KΩ电阻,所述晶体管VT1采用NON三极管2SC1815。
进一步的为更好的实现本发明,所述硅二极管组包括相互串联的硅二极管D1及硅二极管D2。
进一步的为更好的实现本发明,还包括输出放大电路,所述输出放大电路包括双路运算放大器IC2,所述双路运算放大器IC2的负极输入端连接供电电源;所述双路运算放大器的正极输入端连接硅二极管组的负极;所述双路运算放大器IC2的正极输入端与输出端之间连接有电阻R5。
进一步的为更好的实现本发明,所述双路运算放大器IC2的负极输入端通过电阻R3连接供电电源;所述双路运算放大器的正极输入端通过电阻R4连接硅二极管组的负极。
进一步的为更好的实现本发明,在所述双路运算放大器IC2的负极输入端于地之间还连接有电阻R6。
进一步的为更好的实现本发明,所述双路运算放大器IC1采用TA75458,所述电阻R3采用10KΩ电阻,所述电阻R4采用10KΩ电阻,所述电阻R5采用100KΩ电阻,所述电阻R6采用100KΩ电阻。
进一步的为更好的实现本发明,所述供电电源采用+12V电源。
本发明与现有技术相比,具有以下优点及有益效果:
本发明利用硅二极管的温度特性制成的传感器电路,用于对温度进行测试,整个电路具有设计简单、科学合理等特性。
附图说明
图1为本发明的原理图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步地详细说明,但本发明的实施方式不限于此。
实施例1:
一种采用二极管做传感器的温度测试电路,利用硅二极管的温度特性制成的传感器电路,用于对温度进行测试,整个电路具有设计简单、科学合理等特性,如图1所示,特别设置有下述结构:包括恒流源电路及用于作为温度传感器使用的二极管电路,所述恒流源电路与二极管电路连接,所述的二极管电路包括硅二极管组,且硅二极管组的负极与恒流源电路连接,硅二极管组的正极与供电电源连接。
实施例2:
本实施例是在上述实施例的基础上进一步优化,进一步的为更好的实现本发明,如图1所示,所述恒流源电路包括双路运算放大器IC1、晶体管VT1、输入偏置电路,所述输入偏置电路与双路运算放大器IC1的正极输入端连接,所述双路运算放大器IC1的输出端与晶体管VT1的基极连接,所述晶体管VT1的集电极与硅二极管组的负极连接,所述晶体管VT1的发射极与双路运算放大器IC1的负极输入端连接。
实施例3:
本实施例是在上述任一实施例的基础上进一步优化,进一步的为更好的实现本发明,如图1所示,所述输入偏置电路包括稳压二极管VD1及电阻R1,所述电阻R1分别连接双路运算放大器IC1的正极和硅二极管组的正极;所述稳压二极管VD1的负极连接在双路运算放大器IC1的正极输入端,且稳压二极管VD1的正极通过电阻R2与晶体管VT1的发射极连接。
实施例4:
本实施例是在上述任一实施例的基础上进一步优化,进一步的为更好的实现本发明,如图1所示,所述双路运算放大器IC2采用TA75458,所述电阻R1采用1KΩ电阻,所述电阻R2采用1.2KΩ电阻,所述晶体管VT1采用NON三极管2SC1815。
实施例5:
本实施例是在上述任一实施例的基础上进一步优化,进一步的为更好的实现本发明,如图1所示,所述硅二极管组包括相互串联的硅二极管D1及硅二极管D2。
实施例6:
本实施例是在上述任一实施例的基础上进一步优化,进一步的为更好的实现本发明,如图1所示,还包括输出放大电路,所述输出放大电路包括双路运算放大器IC2,所述双路运算放大器IC2的负极输入端连接供电电源;所述双路运算放大器的正极输入端连接硅二极管组的负极;所述双路运算放大器IC2的正极输入端与输出端之间连接有电阻R5。
实施例7:
本实施例是在上述任一实施例的基础上进一步优化,进一步的为更好的实现本发明,如图1所示,所述双路运算放大器IC2的负极输入端通过电阻R3连接供电电源;所述双路运算放大器的正极输入端通过电阻R4连接硅二极管组的负极。
实施例8:
本实施例是在上述任一实施例的基础上进一步优化,进一步的为更好的实现本发明,如图1所示,在所述双路运算放大器IC2的负极输入端于地之间还连接有电阻R6。
实施例9:
本实施例是在上述任一实施例的基础上进一步优化,进一步的为更好的实现本发明,如图1所示,所述双路运算放大器IC1采用TA75458,所述电阻R3采用10KΩ电阻,所述电阻R4采用10KΩ电阻,所述电阻R5采用100KΩ电阻,所述电阻R6采用100KΩ电阻。
实施例10:
本实施例是在上述任一实施例的基础上进一步优化,进一步的为更好的实现本发明,如图1所示,所述供电电源采用+12V电源。
以上所述,仅是本发明的较佳实施例,并非对本发明做任何形式上的限制,凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化,均落入本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种采用二极管做传感器的温度测试电路,其特征在于:包括恒流源电路及用于作为温度传感器使用的二极管电路,所述恒流源电路与二极管电路连接,所述的二极管电路包括硅二极管组,且硅二极管组的负极与恒流源电路连接,硅二极管组的正极与供电电源连接。
2.根据权利要求1所述的一种采用二极管做传感器的温度测试电路,其特征在于:所述恒流源电路包括双路运算放大器IC1、晶体管VT1、输入偏置电路,所述输入偏置电路与双路运算放大器IC1的正极输入端连接,所述双路运算放大器IC1的输出端与晶体管VT1的基极连接,所述晶体管VT1的集电极与硅二极管组的负极连接,所述晶体管VT1的发射极与双路运算放大器IC1的负极输入端连接。
3.根据权利要求2所述的一种采用二极管做传感器的温度测试电路,其特征在于:所述输入偏置电路包括稳压二极管VD1及电阻R1,所述电阻R1分别连接双路运算放大器IC1的正极和硅二极管组的正极;所述稳压二极管VD1的负极连接在双路运算放大器IC1的正极输入端,且稳压二极管VD1的正极通过电阻R2与晶体管VT1的发射极连接。
4.根据权利要求3所述的一种采用二极管做传感器的温度测试电路,其特征在于:所述双路运算放大器IC2采用TA75458,所述电阻R1采用1KΩ电阻,所述电阻R2采用1.2KΩ电阻,所述晶体管VT1采用NON三极管2SC1815。
5.根据权利要求1所述的一种采用二极管做传感器的温度测试电路,其特征在于:所述硅二极管组包括相互串联的硅二极管D1及硅二极管D2。
6.根据权利要求1-5任一项所述的一种采用二极管做传感器的温度测试电路,其特征在于:还包括输出放大电路,所述输出放大电路包括双路运算放大器IC2,所述双路运算放大器IC2的负极输入端连接供电电源;所述双路运算放大器的正极输入端连接硅二极管组的负极;所述双路运算放大器IC2的正极输入端与输出端之间连接有电阻R5。
7.根据权利要求6所述的一种采用二极管做传感器的温度测试电路,其特征在于:所述双路运算放大器IC2的负极输入端通过电阻R3连接供电电源;所述双路运算放大器的正极输入端通过电阻R4连接硅二极管组的负极。
8.根据权利要求7所述的一种采用二极管做传感器的温度测试电路,其特征在于:在所述双路运算放大器IC2的负极输入端于地之间还连接有电阻R6。
9.根据权利要求5所述的一种采用二极管做传感器的温度测试电路,其特征在于:所述双路运算放大器IC1采用TA75458,所述电阻R3采用10KΩ电阻,所述电阻R4采用10KΩ电阻,所述电阻R5采用100KΩ电阻,所述电阻R6采用100KΩ电阻。
10.根据权利要求1所述的一种采用二极管做传感器的温度测试电路,其特征在于:所述供电电源采用+12V电源。
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