CN104994674B - 一种等离子体引弧电源的控制电路 - Google Patents

Abstract

一种等离子体引弧电源的控制电路，涉及到一种高压电源控制电路，由电阻、电容器、二极管和与非门电路组成，与非门电路包括振荡门、延迟门、第一输出门和第二输出门，振荡门的第一输入端构成振荡电阻和振荡电容器的接入端，振荡门的第二输入端构成控制输入端，振荡门的输出端连接到延迟门的第一输入端，死区控制电阻连接到延迟电容器和延迟门的第二输入端，延迟门的输出端通过隔离二极管连接到第一输出门的输入端，第一输出门的输出端构成前半周信号输出端；振荡门的输出端和延迟电容器分别通过隔离二极管连接到第二输出门的输入端，第二输出门的输出端构成后半周信号输出端。本发明结构简单、工作可靠、效率高、操作方便和使等离子体喷枪工作稳定。

Description

一种等离子体引弧电源的控制电路

技术领域

本发明涉及到一种电子电路，特别涉及到一种高压电源控制电路。

背景技术

当前，等离子技术已得到广泛的应用，工业上应用于等离子点火、等离子喷涂、金属冶炼、等离子加热制造纳米材料、切割、垃圾焚烧和废物处理等。近几年来，利用等离子体处理危险有害的废弃物和生活垃圾的技术发展很快，等离子体的处理方式和一般的焚烧方式大不一样，等离子体是在电离层或放电现象下所形成的一种状态，伴随着放电现象将会生成了激发原子、激发分子、离解原子、游离原子团、原子或分子离子群的活性化学物以及它们与其它的化学物碰撞而引起的反应。在等离子体发生器中，放电作用使得工作气分子失去外层电子而形成离子状态，经相互碰撞而产生高温，等离子体火炬的中心温度可高达摄氏5万度以上，火炬边缘温度也可达到3千度以上，被处理的垃圾废物受到高温高压的等离子体冲击时，其分子、原子将会重新组合而生成新的物质，从而使有害物质变为无害物质。利用等离子体喷枪把水蒸汽气化剂加热分解后再喷入生活垃圾气化炉内或煤气化炉内与焦炭进行化学反应，所发生的反应是放热反应，可以为气化炉提供原料烘干和热解所需的热量，从而使气化炉不需输入空气或氧气，生产的合成气中氢气的分数比例高，废气的含量低，可作为生产甲醇的原料气利用。因此，用等离子体喷枪加热分解水蒸汽做气化剂来气化煤或垃圾将成为今后的首选。

等离子热解水制氢技术是最近几年提出来的水制氢候选技术之一，因为水是一种相当稳定的物质，在常压条件下，温度在2000K时水分子几乎不分解，2500K时有25%的水发生分解，3400～3500K时氢气和氧气的摩尔分数达到最大，分别为18%和6%，当温度达到4200K时，水分子将全部分解为氢气、氢、氧气、氧和氢氧原子团，一般的加热方式难以达到这么高的温度，而使用等离子体喷枪则很容易做到。

一般等离子体喷枪的电弧作用在喷枪之外，而用于分解水蒸汽的等离子体喷枪与一般等离子体喷枪不同，为了实现把水分子分解为氢和氧，提高水分子的分解率，用于分解水蒸汽的等离子体喷枪其电弧作用在喷枪的内部，并且是多级电弧串联，高温等离子体电弧的能量集中作用在喷枪内的水分子上，使水分子很容易分解，分解效率高。这类等离子体喷枪需要高压电源进行引弧，使喷枪内产生等离子体电弧。

发明内容

本发明的目的是提供一种用于内电弧等离子体喷枪的引弧电源的控制电路，电路结构简单、工作可靠、效率高和操作方便。

本发明的一种等离子体引弧电源的控制电路，主要由电阻、电容器、二极管和与非门电路组成，其特征是与非门电路包括振荡门IC1、延迟门IC2、第一输出门IC3和第二输出门IC4，其中，振荡门IC1的第一输入端构成振荡电阻R1和振荡电容器C1的接入端，振荡门IC1的第二输入端构成控制输入端，振荡门IC1的输出端连接到延迟门IC2的第一输入端、第一隔离二极管VD2的阳极和死区控制电阻R3的第一脚，死区控制电阻R3的第二脚连接到延迟电容器C2的第一脚、延迟门IC2的第二输入端、钳位二极管VD1的阳极和第二隔离二极管VD3的阳极，延迟电容器C2的第二脚连接到地线；延迟门IC2的输出端连接到第三隔离二极管VD4的阳极，第三隔离二极管VD4的阴极连接到第一输出门IC3的二个输入端，第一输出门IC3的输出端构成振荡周期的前半周信号输出端；第一隔离二极管VD2的阴极和第二隔离二极管VD3的阴极连接到第二输出门IC4的二个输入端，第二输出门IC4的输出端构成振荡周期的后半周信号输出端。

本发明中，在电路中或在电路的外围有振荡电阻R1、振荡电容器C1和电位器RP，振荡门IC1的输出端连接到振荡电阻R1的第二脚和电位器RP的左端，振荡电阻R1的第一脚连接到振荡门IC1的第一输入端和振荡电容器C1的第二脚，振荡电容器C1的第一脚连接到地线；当在电路中或在电路的外围有电位器RP时，电位器RP连接为可变电阻方式，振荡门IC1的输出端通过电位器RP连接到死区控制电阻R3的第一脚；在控制电路中有工作电源输入端9和过流保护电路，过流保护电路由第一负载电阻R4、偏置电阻R5、第二负载电阻R6、取样二极管VD7、第一反相三极管VT1、第二反相三极管VT2、第四隔离二极管VD5和第五隔离二极管VD6构成；与非门电路的电源端、第一负载电阻R4的第一脚和第二负载电阻R6的第一脚连接到工作电源输入端9，与非门电路的接地端连接到地线；取样二极管VD7的阴极构成电流取样信号输入端，取样二极管VD7的阳极通过偏置电阻R5连接到第一反相三极管VT1的基极，第一反相三极管VT1的集电极连接到第一负载电阻R4的第二脚和第二反相三极管VT2的基极，第二反相三极管VT2的集电极连接到第二负载电阻R6的第二脚、第四隔离二极管VD5的阳极和第五隔离二极管VD6的阳极，第一反相三极管VT1的发射极和第二反相三极管VT2的发射极连接到地线，第四隔离二极管VD5的阴极连接到第一输出门IC3的二个输入端，第五隔离二极管VD6的阴极连接到第二输出门IC4的二个输入端；电路中有控制接口8，钳位二极管VD1的阴极和振荡门IC1的第二输入端连接到控制接口8，在振荡门IC1的第二输入端与地线之间有第一傍路电阻R2；在第一输出门IC3的二个输入端与地线之间有第二傍路电阻R7；在第二输出门IC4的二个输入端与地线之间有第三傍路电阻R8。

本发明在等离子体喷枪的引弧电源中应用，等离子体喷枪的引弧需数万至数十万伏的高压电源，为高频化的开关型电源，所述的高频工作频率为10-100KHz，高频开关电源具有高效率和小型化的特点。等离子体喷枪的引弧电源主要由电源输入电路、控制电路和功率升压电路组成，其中，功率升压电路由功率开关管和升压变压器构成，功率开关管包括上功率开关管和下功率开关管，升压变压器包括初级低压线圈和次级高压线圈。工作时，控制电路使上功率开关管和下功率开关管交替导通，使得升压变压器的初级低压线圈中流过交变电流，次级高压线圈便感应产生数万至数十万伏的高电压。

上述的发明中，振荡门IC1产生的振荡频率由振荡电阻R1和振荡电容器C1的值确定，即f=1/1.4RC，振荡门IC1的输出为高低电平交替的矩形脉冲波。为了获取使上功率开关管和下功率开关管交替导通的开关信号，在本发明中，利用延迟门IC2和第一输出门IC3构成的二级串联电路来获取振荡周期的前半周信号，用来驱动上功率开关管，利用第二输出门IC4来获取振荡周期的后半周信号，用来驱动下功率开关管，第一输出门IC3和第二输出门IC4交替输出开关信号，从而使上功率开关管和下功率开关管交替导通。

为了避免上功率开关管和下功率开关管共态导通而造成损坏，本发明具有死区控制时间，所述死区控制时间为输出开关信号的占空时间,应略大于功率开关管的存储时间。由死区控制电阻R3和延迟电容器C2的值确定第一输出门IC3输出前半周开关信号的占空时间和第二输出门IC4输出后半周开关信号的占空时间，使延迟电容器C2的充电时间或放电时间小于振荡频率的1/2周期；当振荡门IC1输出端的矩形脉冲波呈高电平时，高电平通过死区控制电阻R3对延迟电容器C2进行充电，在延迟电容器C2的充电电压低于2/3工作电压时，延迟门IC2的输出端为高电平，把第一输出门IC3的输出端锁死在低电平，使上功率开关管截止，直至延迟电容器C2的充电电压达到2/3工作电压时，延迟门IC2的输出端反转为低电平，使第一输出门IC3输出开关信号，上功率开关管导通，这时，上功率开关管的导通时间已获取延时，其延时时间即为振荡周期的前半周死区时间；当振荡门IC1输出端的矩形脉冲波呈高电平或延迟电容器C2的电压高于2/3工作电压时，振荡门IC1输出端的高电平通过第一隔离二极管VD2输入到第二输出门IC4的二个输入端，或延迟电容器C2上的高电平通过第二隔离二极管VD3输入到第二输出门IC4的二个输入端，把第二输出门IC4的输出端锁死在低电平，使下功率开关管截止；当振荡门IC1输出端的矩形脉冲波呈低电平时，延迟电容器C2通过死区控制电阻R3进行放电，在延迟电容器C2的残余电压高于1/3工作电压时，第二输出门IC4的输出端仍锁死在低电平，下功率开关管保持截止，直至延迟电容器C2放电至小于1/3工作电压时，使第二输出门IC4的输出端反转为高电平，下功率开关管导通，这时，下功率开关管的导通时间已获取延时，其延时时间即为振荡周期的后半周死区时间。本发明中，延迟门IC2为与非门电路，只有当振荡门IC1的输出端与延迟电容器C2的正极同时为高电平时，延迟门IC2的输出端才能反转为低电平，才能使第一输出门IC3的输出端输出开关信号，而延迟电容器C2的正极只能在设定充电至2/3工作电压的时间达到后才能呈高电平，因此，本发明对第一输出门IC3输出的开关信号所设置的死区控制电路是可靠的；只有当振荡门IC1的输出端与延迟电容器C2的正极同时为低电平时，第二输出门IC4的输出端才能输出开关信号，而延迟电容器C2的正极只能在设定放电至1/3工作电压的时间达到后才能呈低电平，因此，本发明对第二输出门IC4输出的开关信号所设置的死区控制电路也是可靠的，可以有效避免上功率开关管和下功率开关管共态导通。

为了避免功率开关管过流损坏，当流过功率开关管的电流达到给定值时，取样电流通过取样二极管VD7使第一反相三极管VT1导通、第二反相三极管VT2截止，第二反相三极管VT2的集电极反转为高电平，高电平分别通过第四隔离二极管VD5和第五隔离二极管VD6使第一输出门IC3的输出端及第二输出门IC4的输出端呈低电平，使上功率开关管和下功率开关管截止，实现逐周过流保护。

本发明中，通过在振荡门IC1的输出端与死区控制电阻R3的第一脚之间设置电位器RP的措施来实现输出高压电的幅度调节。电位器RP连接为可变电阻的方式，用来调节延迟电容器C2的充电或放电时间，从而在具有死区控制时间的基础上调节输出开关信号的占空时间，以此调节功率开关管的导通时间，从而调节升压变压器的磁能，使升压变压器次级高压线圈的电压幅度受到调节，操作方便，以适应等离子体喷枪引弧的需要。

本发明中，振荡门IC1为与非门电路，只有当振荡门IC1的二个输入端同为高电平的时刻，振荡门IC1的输出端才会呈低电平，否则，振荡门IC1的输出端恒定为高电平，振荡门IC1将停止振荡。本发明把振荡门IC1的第二输入端设为控制端，用来控制引弧电源的开/关或暂停。应用时，外接暂停开关K，当暂停开关K连接地线时，振荡门IC1的第二输入端为低电平，振荡门IC1停止振荡且振荡门IC1的输出端呈高电平，高电平通过第一隔离二极管VD2输入到的第二输出门IC4的二个输入端，使第二输出门IC4的输出端为低电平，下功率开关管截止，由于暂停开关K连接地线，延迟电容器C2的正极通过钳位二极管VD1被钳位在低电平，延迟门IC2的输出端呈高电平，使第一输出门IC3的输出端为低电平，上功率开关管截止，从而使引弧电源关闭。当把暂停开关K连接到工作电源上时，振荡门IC1的第二输入端为高电平，振荡门IC1按设定的频率进行振荡，引弧电源正常工作。

本发明中，电路结构中采用以与非门电路为主控元件，与非门电路为数字化的集成电路，非常适合矩形脉冲波的形成和控制，其产生的开关信号用来驱动功率开关管也非常匹配，CMOS数字集成电路还是一种微功耗元件，具有电源电压工作范围宽、抗干扰能力强、输入阻抗高、电路接口简单、工作可靠和使用寿命长的特点，具体实施时，振荡门IC1、延迟门IC2、第一输出门IC3和第二输出门IC4共用一只四组二输入的与非门集成电路，具体型号为CC4011的CMOS数字集成电路。本发明中，把振荡门IC1输出的矩形脉冲波中高电平波顶和低电平波底分解为二路相互交替的矩形开关信号，电路结构明晰，二路开关信号翻转分明，控制有序；利用数字电路的特点，采把振荡门IC1输出的矩形脉冲波经延迟电容器C2充电延的措施来控制输出开关信号的死区时间，使得结构简单和措施可靠。由于本发明应用CMOS数字集成电路的非门电路为主控元件，因此，本发明具有结构简单、工作可靠、效率高和操作方便的特点，当在内电弧等离子体喷枪的高频引弧电源中应用时，使内电弧等离子体喷枪工作稳定。

本发明的有益效果是：提供的一种专用于等离子体喷枪引弧电源的控制电路，使高频引弧电源结构简单、工作可靠、效率高、操作方便和使等离子体喷枪工作稳定。

附图说明

附图1是本发明的一种等离子体引弧电源的控制电路图。

附图2是本发明的控制电路在等离子体引弧电源中应用的电路图。

图中：R1.振荡电阻，R2.第一傍路电阻，R3.死区控制电阻，R4.第一负载电阻，R5.偏置电阻，R6.第二负载电阻，R7.第二傍路电阻，R8.第三傍路电阻，R9.保险电阻，R10.降压电阻，R11.第一偏压电阻，R12.第二偏压电阻，R13.第一限流电阻，R14.第二限流电阻，R15.第一驱动电阻，R16.取样电阻，R17.第二驱动电阻，R18.保护电阻，RP.电位器，C1.振荡电容器，C2.延迟电容器，C3.第一滤波电容器，C4.第二滤波电容器，C5.抗干扰电容器，VD1.钳位二极管，VD2.第一隔离二极管，VD3.第二隔离二极管，VD4.第三隔离二极管，VD5.第四隔离二极管，VD6.第五隔离二极管，VD7.取样二极管，VD8-VD11.桥式整流电路，VD12.稳压二极管，VT1.第一反相三极管，VT2.第二反相三极管，VT3.第一驱动三极管，VT4.第二驱动三极管，VT5.第三驱动三极管，VT6.第四驱动三极管，VT7.上功率开关管，VT8.下功率开关管，IC1.振荡门，IC2.延迟门，IC3.第一输出门，IC4.第二输出门，DC.直流电源，VCC.工作电源，T.升压变压器，K.暂停开关，1.振荡端接口，2.调节出线接口，3.调节回线接口，4.前半周信号输出接口，5.后半周信号输出接口，6.电流取样信号输入接口，7.地线接口，8.控制接口，9.工作电源输入端，10.第一交流电接入端，11.第二交流电接入端，12.第一高压输出端，13.第二输出高压端。

具体实施方式

实施例1 图1所示的实施方式中，一种等离子体引弧电源的控制电路主要由电阻、电容器、二极管和与非门电路组成，其中，与非门电路包括振荡门IC1、延迟门IC2、第一输出门IC3和第二输出门IC4，振荡门IC1的第一输入端构成振荡电阻R1和振荡电容器C1的接入端，振荡门IC1的第二输入端构成控制输入端，振荡门IC1的输出端连接到振荡电阻R1的第二脚、电位器RP的左端、延迟门IC2的第一输入端和第一隔离二极管VD2的阳极振荡电阻R1的第一脚连接到振荡门IC1的第一输入端和振荡电容器C1的第二脚，振荡电容器C1的第一脚连接到地线，延迟门IC2的输出端连接到第三隔离二极管VD4的阳极，电位器RP的中心端和右端连接到死区控制电阻R3的第一脚，死区控制电阻R3的第二脚连接到延迟电容器C2的第一脚、延迟门IC2的第二输入端、钳位二极管VD1的阳极和第二隔离二极管VD3的阳极，延迟电容器C2的第二脚连接到地线；第三隔离二极管VD4的阴极连接到第一输出门IC3的二个输入端，第一输出门IC3的输出端构成振荡周期的前半周信号输出端；第一隔离二极管VD2的阴极和第二隔离二极管VD3的阴极连接到第二输出门IC4的二个输入端，第二输出门IC4的输出端构成振荡周期的后半周信号输出端。本实施例中，由第一负载电阻R4、偏置电阻R5、第二负载电阻R6、取样二极管VD7、第一反相三极管VT1、第二反相三极管VT2、第四隔离二极管VD5和第五隔离二极管VD6构成过流保护电路，取样二极管VD7的阴极构成电流取样信号输入端，取样二极管VD7的阳极通过偏置电阻R5连接到第一反相三极管VT1的基极，第一反相三极管VT1的集电极连接到第一负载电阻R4的第二脚和第二反相三极管VT2的基极，第二反相三极管VT2的集电极连接到第二负载电阻R6的第二脚、第四隔离二极管VD5的阳极和第五隔离二极管VD6的阳极，第一反相三极管VT1的发射极和第二反相三极管VT2的发射极连接到地线，第四隔离二极管VD5的阴极连接到第一输出门IC3的二个输入端，第五隔离二极管VD6的阴极连接到第二输出门IC4的二个输入端，与非门电路的电源端、第一负载电阻R4的第一脚和第二负载电阻R6的第一脚连接到工作电源输入端，与非门电路的接地端连接到地线；电路中有控制接口8，钳位二极管VD1的阴极和振荡门IC1的第二输入端连接到控制接口8；在振荡门IC1的第二输入端与地线之间有第一傍路电阻R2；在第一输出门IC3的二个输入端与地线之间有第二傍路电阻R7；在第二输出门IC4的二个输入端与地线之间有第三傍路电阻R8。本实施例中，振荡门IC1、延迟门IC2、第一输出门IC3和第二输出门IC4共用一只型号为CC4011的四组二输入与非门CMOS数字集成电路，取样二极管VD7选用1.2V的稳压二极管。本实施例的电路在等离子体喷枪的引弧电源中直接应用或制成控制模块，控制模块在高频引弧电源中应用或在其他开关电源上应用，当把本实施例的电路制成控制模块时，振荡电阻R1、振荡电容器C1、电位器RP和暂停开关K作为控制模块的外围元件，在控制模块上有振荡端接口1、调节出线接口2、调节回线接口3、前半周信号输出接口4、后半周信号输出接口5、电流取样信号输入接口6、地线接口7、控制接口8和工作电源输入端9，其中，振荡端接口1与振荡门IC1的第一输入端接通，调节出线接口2与振荡门IC1的输出端接通，调节回线接口3与死区控制电阻R4的第一脚接通，前半周信号输出接口4与第一输出门IC3的输出端接通，后半周信号输出接口5与第二输出门IC4的输出端接通，电流取样信号输入接口6与取样二极管VD7的阴极接通，地线接口7与控制模块内部的地线接通，控制接口8与振荡门IC1的第二输入端及钳位二极管VD1的阴极接通，工作电源输入端9与第一负载电阻R4的第一脚、第二负载电阻R6的第一脚及与非门电路的电源端接通。

实施例2 图2所示的实施方式中，由第一实施例的电路制成的控制模块在高频引弧电源中应用，高频引弧电源主要由电源输入电路、控制模块和功率升压电路组成，其中，控制模块的内部电路与第一实施例的相同，不再赘述。电源输入电路由第一交流电接入端10、第二交流电接入端11、保险电阻R9、桥式整流电路VD8-VD11、第一滤波电容器C3、降压电阻R10、第二滤波电容器C4和稳压二极管VD12组成，功率升压电路由第一驱动三极管VT3、第二驱动三极管VT4、第三驱动三极管VT5、第四驱动三极管VT6、上功率开关管VT7、下功率开关管VT8、升压变压器T、第一高压输出端12和第二输出高压端13组成，第一驱动三极管VT3和第三驱动三极管VT5为NPN型的高频三极管，第二驱动三极管VT4和第四驱动三极管VT6为PNP型的高频三极管，上功率开关管VT7和下功率开关管VT8为功率MOS场效应晶体管或绝缘栅双极型晶体管；第一交流电接入端10通过保险电阻R9连接到桥式整流电路VD8-VD11的一个交流输入端，第二交流电接入端11连接到桥式整流电路VD8-VD11的另一个交流输入端，桥式整流电路VD8-VD11的正极连接到第一滤波电容器C3的正极后构成直流电源DC，第一滤波电容器C3的负极和桥式整流电路VD8-VD11的负极连接到地线；直流电源DC通过降压电阻R10连接到第二滤波电容器C4的正极和稳压二极管VD12的阴极构成工作电源VCC，第二滤波电容器C4的负极和稳压二极管VD12的阳极连接到地线；控制模块的工作电源输入端9连接到工作电源VCC，控制模块的地线接口7连接到地线；控制模块的振荡端接口1外接振荡电阻R1和振荡电容器C1，振荡电阻R1连接在振荡端接口1与调节出线接口2之间，调节出线接口2和调节回线接口3之间外接电位器RP；控制模块的控制接口8通过暂停开关K连接到地线或工作电源VCC；控制模块的前半周信号输出接口4通过第一偏压电阻R11连接到第一驱动三极管VT3的基极和第二驱动三极管VT4的基极，第一驱动三极管VT3的发射极连接到第二驱动三极管VT4的发射极和第一驱动电阻R15的第一脚，第二驱动三极管VT4的集电极连接到地线，第一驱动三极管VT3的集电极连接到第二限流电阻R14的第二脚；控制模块的后半周信号输出接口5通过第二偏压电阻R12连接到第三驱动三极管VT5的基极和第四驱动三极管VT6的基极，第三驱动三极管VT5的发射极连接到第四驱动三极管VT6的发射极和第二驱动电阻R17的第一脚，第四驱动三极管VT6的集电极连接到地线，第三驱动三极管VT5的集电极连接到第一限流电阻R13的第二脚；第一限流电阻R13的第一脚和第二限流电阻R14的第一脚连接到工作电源VCC；第一驱动电阻R15的第二脚连接到上功率开关管VT7的栅极，上功率开关管VT7的漏极连接到升压变压器T初级线圈的上端，第二驱动电阻R17的第二脚连接到下功率开关管VT8的栅极，下功率开关管VT8的漏极连接到升压变压器T初级线圈的下端，升压变压器T初级线圈的中心端连接到直流电源DC，上功率开关管VT7的源极和下功率开关管VT8的源极连接到取样电阻R16的第二脚和保护电阻R18的第二脚，取样电阻R16的第一脚连接到地线，保护电阻R18的第一脚连接到抗干扰电容器C5的一端和控制模块的电流取样信号输入接口6，抗干扰电容器C5的另一端连接到地线。

上述的实施例在内电弧等离子体喷枪系统中应用，当振荡电阻R1取值为5KΩ、振荡电容器C1取值为0.0033uF时，振荡门IC1输出频率为43KHz的矩形脉冲波。工作时，控制模块的前半周信号输出接口4和后半周信号输出接口5交替输出开关信号，分别控制上功率开关管VT7和下功率开关管VT8交替导通或截止，使得升压变压器的初级低压线圈中流过交变电流，次级高压线圈便感应产生数万至数十万伏的高电压。通过调节电位器RP的阻值来调节第一输出门IC3和第二输出门IC4输出开关信号的占空比，来调整升压变压器次级高压线圈的电压，使之适合内电弧等离子体喷枪的引弧要求。

Claims (7)

1.一种等离子体引弧电源的控制电路，主要由电阻、电容器、二极管和与非门电路组成，其特征是与非门电路包括振荡门（IC1）、延迟门（IC2）、第一输出门（IC3）和第二输出门（IC4），其中，振荡门（IC1）的第一输入端构成振荡电阻（R1）和振荡电容器（C1）的接入端，振荡门（IC1）的第二输入端构成控制输入端，振荡门（IC1）的输出端连接到延迟门（IC2）的第一输入端、第一隔离二极管（VD2）的阳极和死区控制电阻（R3）的第一脚，死区控制电阻（R3）的第二脚连接到延迟电容器（C2）的第一脚、延迟门（IC2）的第二输入端、钳位二极管（VD1）的阳极和第二隔离二极管（VD3）的阳极，延迟电容器（C2）的第二脚连接到地线；延迟门（IC2）的输出端连接到第三隔离二极管（VD4）的阳极，第三隔离二极管（VD4）的阴极连接到第一输出门（IC3）的二个输入端，第一输出门（IC3）的输出端构成振荡周期的前半周信号输出端；第一隔离二极管（VD2）的阴极和第二隔离二极管（VD3）的阴极连接到第二输出门（IC4）的二个输入端，第二输出门（IC4）的输出端构成振荡周期的后半周信号输出端。

2.根据权利要求1所述的一种等离子体引弧电源的控制电路，其特征是在电路中或在电路的外围有振荡电阻（R1）、振荡电容器（C1）和电位器（RP），振荡门（IC1）的输出端连接到振荡电阻（R1）的第二脚和电位器（RP）的左端，振荡电阻（R1）的第一脚连接到振荡门（IC1）的第一输入端和振荡电容器（C1）的第二脚，振荡电容器（C1）的第一脚连接到地线；当在电路中或在电路的外围有电位器（RP）时，电位器（RP）连接为可变电阻方式，振荡门（IC1）的输出端通过电位器（RP）连接到死区控制电阻（R3）的第一脚。

3.根据权利要求1所述的一种等离子体引弧电源的控制电路，其特征是在控制电路中有工作电源输入端（9）和过流保护电路，过流保护电路由第一负载电阻（R4）、偏置电阻（R5）、第二负载电阻（R6）、取样二极管（VD7）、第一反相三极管（VT1）、第二反相三极管（VT2）、第四隔离二极管（VD5）和第五隔离二极管（VD6）构成；与非门电路的电源端、第一负载电阻（R4）的第一脚和第二负载电阻（R6）的第一脚连接到工作电源输入端（9），与非门电路的接地端连接到地线；取样二极管（VD7）的阴极构成电流取样信号输入端，取样二极管（VD7）的阳极通过偏置电阻（R5）连接到第一反相三极管（VT1）的基极，第一反相三极管（VT1）的集电极连接到第一负载电阻（R4）的第二脚和第二反相三极管（VT2）的基极，第二反相三极管（VT2）的集电极连接到第二负载电阻（R6）的第二脚、第四隔离二极管（VD5）的阳极和第五隔离二极管（VD6）的阳极，第一反相三极管（VT1）的发射极和第二反相三极管（VT2）的发射极连接到地线，第四隔离二极管（VD5）的阴极连接到第一输出门（IC3）的二个输入端，第五隔离二极管（VD6）的阴极连接到第二输出门（IC4）的二个输入端。

4.根据权利要求1所述的一种等离子体引弧电源的控制电路，其特征是电路中有控制接口（8），钳位二极管（VD1）的阴极和振荡门（IC1）的第二输入端连接到控制接口（8）。

5.根据权利要求1所述的一种等离子体引弧电源的控制电路，其特征是在振荡门（IC1）的第二输入端与地线之间有第一傍路电阻（R2）。

6.根据权利要求1所述的一种等离子体引弧电源的控制电路，其特征是在第一输出门（IC3）的二个输入端与地线之间有第二傍路电阻（R7）。

7.根据权利要求1所述的一种等离子体引弧电源的控制电路，其特征是在第二输出门（IC4）的二个输入端与地线之间有第三傍路电阻（R8）。