CN104966873A - 基于缺陷微带结构和缺陷地结构的双频带带阻滤波器 - Google Patents

Abstract

本发明公开了基于缺陷微带结构和缺陷地结构的双频带带阻滤波器，包括：介质基板(1)、设于介质基板(1)底面上的金属镀层接地板(2)及设于介质基板(1)上面的金属微带线(3)，接地板(2)和微带线(3)上均刻蚀有δ形缺陷结构。本发明通过利用刻蚀有δ形缺陷结构的接地板和微带线构成双频带带阻滤波器，从而可以有效提高双频带带阻滤波器的选择特性；此外，本发明双频带带阻滤波器的两个阻带的中心频率可以通过改变缺陷微带结构和缺陷地结构的长度实现独立调节，两个带宽可以通过改变缺陷微带结构和缺陷地结构的缝隙宽度实现独立调节。

Description

基于缺陷微带结构和缺陷地结构的双频带带阻滤波器

技术领域

本发明涉及一种双频带带阻滤波器，尤其是一种基于缺陷微带结构和缺陷地结构的双频带带阻滤波器。

背景技术

在射频微波系统中，高性能的带阻滤波器可以用来抑制噪声，保证有用信号的高效传输。传统的带阻滤波器都是通过并联开路枝节来实现的，但是开路枝节带阻滤波器的面积往往很大，不能满足目前微波器件小型化的要求。因此后续的研究人员又提出了多种带阻滤波器结构，包括耦合结构带阻滤波器、渐变阶梯阻抗谐振器滤波器、M形缺陷微带结构滤波器和pi形缺陷微带结构带阻滤波器。还有研究人员将缺陷微带结构和耦合馈电的螺旋形谐振器结构相结合设计出了双频带带阻滤波器。U形缺陷结构和T形缺陷结构同样被用来设计双频带带阻滤波器。

众所周知，缺陷地结构是在地平面上刻蚀缺陷结构，由于缺陷结构的存在，地平面的电流被扰乱，使得地平面的等效电容和等效电感增加。自提出缺陷地结构的定义后，陆续出现了各种各样的缺陷地结构。缺陷微带结构和缺陷地结构相似，同样通过在微带线上刻蚀缺陷结构扰乱微带线上的电流分布，从而使得微带线上的等效电容和等效电感增加。因此缺陷微带结构和缺陷地结构都具有慢波特性和带阻特性，其中，慢波特性可以用来实现滤波器的小型化设计，带阻特性可以用来实现阻带滤波器设计。缺陷微带结构和缺陷地结构的带阻特性取决于缺陷结构的形状和大小。但是利用缺陷结构设计的现有的双频带带阻滤波器，体积仍然较大，而且两个阻带的中心频率及带宽相互关联，调节其中一个中心频率时另一个中心频率也发生变化，调节其中一个带宽时另一个带宽也发生变化，无法实现独立调节；此外，现有的双频带带阻滤波器的选择特性仍有待提高，因此，需要研究人员进一步探索研究。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种基于缺陷微带结构和缺陷地结构的双频带带阻滤波器，它可以有效解决现有技术中存在的问题，尤其是现有的双频带带阻滤波器的选择特性仍有待提高的问题。

为解决上述技术问题，本发明采用如下的技术方案：基于缺陷微带结构和缺陷地结构的双频带带阻滤波器，包括：介质基板、设于介质基板底面上的金属镀层接地板及设于介质基板上面的金属微带线，所述的接地板和微带线上均刻蚀有δ形缺陷结构。

上述的基于缺陷微带结构和缺陷地结构的双频带带阻滤波器中，所述的接地板和微带线上均刻蚀有多个δ形缺陷结构，接地板上的多个δ形缺陷结构级联，微带线上的多个δ形缺陷结构级联，从而可以增大双频带带阻滤波器的带宽，同时保证其具有较好的选择特性。

本发明中，所述的接地板和微带线上刻蚀的δ形缺陷结构的个数根据实际所需滤波器的带宽来决定，比如需要带宽较宽时则考虑较多个缺陷结构级联，需要带宽较窄时则考虑较少个缺陷结构级联，且由于本发明中的双频带带阻滤波器可以实现单独调节2个带宽，因而接地板和微带线上刻蚀的δ形缺陷结构的个数根据带宽要求可以不同。

优选的，所述的接地板和微带线上均刻蚀有2个δ形缺陷结构，从而可以使得双频带带阻滤波器的带宽较大、选择特性比较好，同时滤波器的体积比较小。

前述的基于缺陷微带结构和缺陷地结构的双频带带阻滤波器中，所述的δ形缺陷结构为δ形槽，包括A槽线、B槽线、C槽线、D槽线、E槽线、F槽线和G槽线，所述的B槽线的两端分别与A槽线和C槽线的一端连接，D槽线的两端分别与E槽线的一端及C槽线的另一端连接，F槽线的两端分别与G槽线的一端及E槽线的另一端连接；所述的A槽线、C槽线、E槽线和G槽线之间相互平行，D槽线分别与B槽线和F槽线平行；所述的B槽线分别与A槽线和C槽线垂直，D槽线分别与C槽线和E槽线垂直，F槽线分别与E槽线和G槽线垂直。利用该δ形缺陷结构最终制得的双频带带阻滤波器的选择特性较好，结构更紧凑，体积更小。

优选的，所述的A槽线、C槽线和E槽线的长度相同；B槽线和F槽线的长度相同，从而可以使制备得到的双频带带阻滤波器的体积较小，选择性能较好，同时方便调节和分析。

更优选的，所述的A槽线与C槽线之间的垂直距离、G槽线的另一端和D槽线之间的垂直距离、C槽线与G槽线之间的垂直距离以及G槽线与E槽线之间的垂直距离均相等。从而使制备得到的双频带带阻滤波器的体积较小，选择性能较好，同时方便调节和分析。

本发明中，通过调节接地板和微带线上的A槽线、C槽线或E槽线的长度分别实现对两个阻带中心频率的大小进行独立调节。

本发明中，所述的A槽线、B槽线、C槽线、D槽线、E槽线、F槽线和G槽线的线宽均相同，通过调节接地板和微带线上的槽线线宽分别实现对两个阻带带宽的大小进行独立调节。

更优选的，所述的介质基板的介电常数为2.65，介质基板的厚度为1.6mm；微带线的宽度为4.3mm，对应阻抗为50欧姆；对于接地板，所述的线宽为0.5mm，A槽线与C槽线之间的垂直距离、G槽线的另一端和D槽线之间的垂直距离、C槽线与G槽线之间的垂直距离以及G槽线与E槽线之间的垂直距离均为0.5mm，A槽线、C槽线或E槽线的长度为9mm；2个接地板之间的距离为3mm；对于微带线，所述的线宽为0.4mm，A槽线与C槽线之间的垂直距离、G槽线的另一端和D槽线之间的垂直距离、C槽线与G槽线之间的垂直距离以及G槽线与E槽线之间的垂直距离均为0.4mm，A槽线、C槽线或E槽线的长度为6mm；2个接地板之间的距离为4mm，从而可以制备得到性能优良的双频带带阻滤波器，且该双频带带阻滤波器在第一个阻带中，从3.19GHz到3.41GHz，插入损耗小于-20dB，回拨损耗大于-0.9dB；在第二个阻带中，回拨损耗小于-30dB，回拨损耗大于-1dB；而且有三个反射零点，分别位于3.09GHz,4.65GHz和5.34GHz，因而选择性能非常好。

所述的金属镀层接地板和金属微带线的材料采用铜或者是铜上面镀金，从而使其具备较好的导电性能。

与现有技术相比，本发明通过利用刻蚀有δ形缺陷结构的接地板和微带线构成双频带带阻滤波器，该双频带带阻滤波器在每一个阻带外都具有反射零点，从而有效提高了双频带带阻滤波器的选择特性；另外，本发明双频带带阻滤波器的两个阻带的中心频率可以通过改变缺陷微带结构和缺陷地结构的长度实现独立调节，两个带宽可以通过改变缺陷微带结构和缺陷地结构的缝隙宽度实现独立调节，从而使得该双频带带阻滤波器更适合实际应用；此外，本发明通过级联两个δ形缺陷微带结构和级联两个δ形缺陷地结构设计双频带带阻滤波器，有三个反射零点位于阻带外，从而进一步改进了滤波器的性能，提高了滤波器的选择特性。最后，本发明中的双频带带阻滤波器结构紧凑，滤波电路相对于现有的T形缺陷结构、U形缺陷结构、π形缺陷结构更小，可以更好的满足滤波器小型化的要求。此外，本发明中，所述的介质基板的介电常数为2.65，介质基板的厚度为1.6mm；微带线的宽度为4.3mm，对应阻抗为50欧姆；对于接地板，所述的线宽为0.5mm，A槽线与C槽线之间的垂直距离、G槽线的另一端和D槽线之间的垂直距离、C槽线与G槽线之间的垂直距离以及G槽线与E槽线之间的垂直距离均为0.5mm，A槽线、C槽线或E槽线的长度为9mm；2个接地板之间的距离为3mm；对于微带线，所述的线宽为0.4mm，A槽线与C槽线之间的垂直距离、G槽线的另一端和D槽线之间的垂直距离、C槽线与G槽线之间的垂直距离以及G槽线与E槽线之间的垂直距离均为0.4mm，A槽线、C槽线或E槽线的长度为6mm；2个接地板之间的距离为4mm，从而可以制备得到性能优良的双频带带阻滤波器，且该双频带带阻滤波器在第一个阻带中，从3.19GHz到3.41GHz，插入损耗小于-20dB，回拨损耗大于-0.9dB；在第二个阻带中，回拨损耗小于-30dB，回拨损耗大于-1dB；而且有三个反射零点，分别位于3.09GHz,4.65GHz和5.34GHz，因而选择性能非常好。此外，本发明中的δ形缺陷结构与现有的U形缺陷结构相比，由于δ形缺陷结构在同样长度a的情况下总长度较大，因此，实现同样的带阻滤波器时，δ形缺陷结构的面积更小，更符合滤波器小型化的要求。

为了验证上述效果，本发明人还进行了以下试验研究：

1、δ形缺陷结构和谐振特性

本发明提出的δ形缺陷结构由δ形缺陷微带结构和δ形缺陷地结构组成，所述的δ形缺陷微带结构如图1所示，δ形缺陷地结构如图2所示；采用的介质基板的介电常数为2.65，介质基板的厚度为1.6mm。在图1中，所述的微带线的宽度为4.3mm，对应的阻抗为50欧姆，其他的参数为：a1＝6mm，b1＝0.4mm，c1＝0.4mm；图2中，a2＝9mm，b2＝0.5mm，c2＝0.5mm。通过电磁仿真软件HFSS仿真分析谐振器的谐振特性。结果表明：如图3、图4所示(其中，横坐标是频率，单位是吉赫兹，纵坐标是插入损耗S21，单位是dB)，当a1增加时，第二个谐振频率向低频移动，第一个谐振频率基本上不变；当a2增加时，第一个谐振频率向低频移动，第二个谐振频率基本上不变，也就是说第一个谐振频率取决于a2，第二个谐振频率取决于a1，本发明的双频带带阻滤波器实现了两个谐振频率的独立调节。

2、滤波器设计

采用缺陷微带结构和缺陷地结构并联的方式设计双频带带阻滤波器，该滤波器是双面并联结构，不会增加滤波器的面积。通过级联两个δ形缺陷微带结构和级联两个δ形缺陷地结构设计双频带带阻滤波器。如图5、图6所示，两个δ形缺陷微带结构之间的间距是k1＝4mm，两个缺陷地结构之间的间距是k2＝3mm。双频带带阻滤波器的中心频率(即谐振频率)可以通过改变谐振器长度a1和a2实现独立调节。另外，发明人对双频带带阻滤波器的两个阻带带宽进行了研究，结果表明：如图7(其中，c1为0.4毫米对应的仿真结果是虚线，c1为0.5毫米对应的仿真结果是实线(其中c2保持不变)，横坐标是频率，单位是GHz，纵坐标是幅度，单位是dB)、图8(其中，c2为0.4毫米对应的仿真结果是虚线，c2为0.5毫米对应的仿真结果是实线(其中c1保持不变)，横坐标是频率，单位是GHz，纵坐标是幅度，单位是dB)所示，双频带带阻滤波器的阻带带宽与缝隙宽度相关，随着c1的增加，第二个阻带带宽也增加，而第一个阻带带宽基本上不变；随着c2的增加，第一个阻带带宽增加，而第二个阻带带宽基本上不变，也就是说，第一个阻带带宽取决于c2，第二个阻带带宽取决于c1。

3、仿真和测试

为了验证仿真结果，发明人制作并且测试了本发明提出的滤波器。测试结果表明：如图9(其中，虚线是仿真结果，实线是测试结果)所示，在第一个阻带中，从3.19GHz到3.41GHz，插入损耗小于-20dB，回拨损耗大于-0.9dB；在第二个阻带中，回拨损耗小于-30dB，回拨损耗大于-1dB。有三个反射零点，分别位于3.09GHz,4.65GHz和5.34GHz，因而滤波器的选择特性较好，且体积较小。仿真结果和测试结果基本上一致。小的频率偏移，插入损耗和回拨损耗的差别是由于制作上的误差造成的。

此外，经试验研究表明：利用1个δ形缺陷微带结构级联1个δ形缺陷地结构设计的双频带带阻滤波器(如图11所示)，其不具有反射零点，因而滤波器的选择性稍差；通过级联两个δ形缺陷微带结构和级联两个δ形缺陷地结构设计双频带带阻滤波器，有三个反射零点位于阻带外，滤波器的选择特性较好，且体积较小；通过级联两个以上δ形缺陷微带结构和级联两个以上δ形缺陷地结构设计双频带带阻滤波器(如图10所示的级联三个δ形缺陷微带结构和级联三个δ形缺陷地结构设计双频带带阻滤波器)，不仅会导致体积增加，同时增加的结构在改善阻带内性能的同时造成了阻带外性能的恶化。因此，通过级联两个δ形缺陷微带结构和级联两个δ形缺陷地结构设计双频带带阻滤波器的选择特性最好，同时体积较小。

附图说明

图1是δ形缺陷微带结构的示意图；

图2是δ形缺陷地结构的示意图；

图3不同长度a1对应的缺陷微带结构的插入损耗仿真结果示意图(其中a2保持不变)；

图4是不同长度a2对应的缺陷地结构的插入损耗仿真结果示意图(其中a1保持不

变)；图5是两个δ形缺陷微带结构级联示意图；

图6是两个δ形缺陷地结构级联示意图；

图7是c1为不同大小时对应的仿真结果示意图(其中c2保持不变)；

图8是c2为不同大小时对应的仿真结果示意图(其中c1保持不变)；

图9是级联两个δ形缺陷微带结构和级联两个δ形缺陷地结构设计的双频带带阻滤波器的谐振特性仿真结果和测试结果对比图；

图10是级联三个δ形缺陷微带结构和级联三个δ形缺陷地结构设计双频带带阻滤波器的谐振特性仿真结果示意图；

图11为利用一个δ形缺陷微带结构和一个δ形缺陷地结构设计的双频带带阻滤波器的谐振特性仿真结果示意图；

图12是本发明的双频带带阻滤波器的主视图。

附图标记：1-介质基板，2-接地板，3-微带线，101-A槽线，102-B槽线，103-C槽线，104-D槽线，105-E槽线，106-F槽线，107-G槽线。

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的说明。

具体实施方式

本发明的实施例1：基于缺陷微带结构和缺陷地结构的双频带带阻滤波器，如图1、图2、图5、图6、图12所示，包括：介质基板1、设于介质基板1底面上的金属镀层接地板2及设于介质基板1上面的金属微带线3，所述的接地板2和微带线3上均刻蚀有δ形缺陷结构。所述的接地板2和微带线3上均刻蚀有2个δ形缺陷结构，接地板2上的2个δ形缺陷结构级联，微带线3上的2个δ形缺陷结构级联。所述的δ形缺陷结构为δ形槽，包括A槽线101、B槽线102、C槽线103、D槽线104、E槽线105、F槽线106和G槽线107，所述的B槽线102的两端分别与A槽线101和C槽线103的一端连接，D槽线104的两端分别与E槽线105的一端及C槽线103的另一端连接，F槽线106的两端分别与G槽线107的一端及E槽线105的另一端连接；所述的A槽线101、C槽线103、E槽线105和G槽线107之间相互平行，D槽线104分别与B槽线102和F槽线106平行；所述的B槽线102分别与A槽线101和C槽线103垂直，D槽线104分别与C槽线103和E槽线105垂直，F槽线106分别与E槽线105和G槽线107垂直。所述的A槽线101、C槽线103和E槽线105的长度相同；B槽线102和F槽线106的长度相同。所述的A槽线101与C槽线103之间的垂直距离、G槽线107的另一端和D槽线104之间的垂直距离、C槽线103与G槽线107之间的垂直距离以及G槽线107与E槽线105之间的垂直距离均相等。通过调节接地板2和微带线3上的A槽线101、C槽线103或E槽线105的长度分别实现对两个阻带中心频率的大小进行独立调节。所述的A槽线101、B槽线102、C槽线103、D槽线104、E槽线105、F槽线106和G槽线107的线宽均相同，通过调节接地板2和微带线3上的槽线线宽分别实现对两个阻带带宽的大小进行独立调节。所述的介质基板1的介电常数为2.65，介质基板1的厚度为1.6mm；微带线3的宽度为4.3mm，对应阻抗为50欧姆；对于接地板2，所述的线宽为0.5mm，A槽线101与C槽线103之间的垂直距离或者G槽线107的另一端和D槽线104之间的垂直距离为0.5mm，A槽线101、C槽线103或E槽线105的长度为9mm；2个接地板2之间的距离为3mm；对于微带线3，所述的线宽为0.4mm，A槽线101与C槽线103之间的垂直距离或者G槽线107的另一端和D槽线104之间的垂直距离为0.4mm，A槽线101、C槽线103或E槽线105的长度为6mm；2个接地板2之间的距离为4mm；所述的金属镀层接地板和金属微带线的材料采用铜或者是铜上面镀金。

实施例2：基于缺陷微带结构和缺陷地结构的双频带带阻滤波器，包括：介质基板1、设于介质基板1底面上的金属镀层接地板2及设于介质基板1上面的金属微带线3，所述的接地板2和微带线3上均刻蚀有δ形缺陷结构。所述的接地板2和微带线3上均刻蚀有2个δ形缺陷结构，接地板2上的2个δ形缺陷结构级联，微带线3上的2个δ形缺陷结构级联。所述的δ形缺陷结构为δ形槽，包括A槽线101、B槽线102、C槽线103、D槽线104、E槽线105、F槽线106和G槽线107，所述的B槽线102的两端分别与A槽线101和C槽线103的一端连接，D槽线104的两端分别与E槽线105的一端及C槽线103的另一端连接，F槽线106的两端分别与G槽线107的一端及E槽线105的另一端连接；所述的A槽线101、C槽线103、E槽线105和G槽线107之间相互平行，D槽线104分别与B槽线102和F槽线106平行；所述的B槽线102分别与A槽线101和C槽线103垂直，D槽线104分别与C槽线103和E槽线105垂直，F槽线106分别与E槽线105和G槽线107垂直。所述的A槽线101、C槽线103和E槽线105的长度相同；B槽线102和F槽线106的长度相同。所述的A槽线101与C槽线103之间的垂直距离、G槽线107的另一端和D槽线104之间的垂直距离、C槽线103与G槽线107之间的垂直距离以及G槽线107与E槽线105之间的垂直距离均相等。通过调节接地板2和微带线3上的A槽线101、C槽线103或E槽线105的长度分别实现对两个阻带中心频率的大小进行独立调节。所述的A槽线101、B槽线102、C槽线103、D槽线104、E槽线105、F槽线106和G槽线107的线宽均相同，通过调节接地板2和微带线3上的槽线线宽分别实现对两个阻带带宽的大小进行独立调节。

实施例3：基于缺陷微带结构和缺陷地结构的双频带带阻滤波器，包括：介质基板1、设于介质基板1底面上的金属镀层接地板2及设于介质基板1上面的金属微带线3，所述的接地板2和微带线3上均刻蚀有δ形缺陷结构。所述的δ形缺陷结构为δ形槽，包括A槽线101、B槽线102、C槽线103、D槽线104、E槽线105、F槽线106和G槽线107，所述的B槽线102的两端分别与A槽线101和C槽线103的一端连接，D槽线104的两端分别与E槽线105的一端及C槽线103的另一端连接，F槽线106的两端分别与G槽线107的一端及E槽线105的另一端连接；所述的A槽线101、C槽线103、E槽线105和G槽线107之间相互平行，D槽线104分别与B槽线102和F槽线106平行；所述的B槽线102分别与A槽线101和C槽线103垂直，D槽线104分别与C槽线103和E槽线105垂直，F槽线106分别与E槽线105和G槽线107垂直。所述的A槽线101、C槽线103和E槽线105的长度相同；B槽线102和F槽线106的长度相同。所述的A槽线101与C槽线103之间的垂直距离、G槽线107的另一端和D槽线104之间的垂直距离、C槽线103与G槽线107之间的垂直距离以及G槽线107与E槽线105之间的垂直距离均相等。通过调节接地板2和微带线3上的A槽线101、C槽线103或E槽线105的长度分别实现对两个阻带中心频率的大小进行独立调节。所述的A槽线101、B槽线102、C槽线103、D槽线104、E槽线105、F槽线106和G槽线107的线宽均相同，通过调节接地板2和微带线3上的槽线线宽分别实现对两个阻带带宽的大小进行独立调节。

Claims (10)

1.基于缺陷微带结构和缺陷地结构的双频带带阻滤波器，其特征在于，包括：介质基板(1)、设于介质基板(1)底面上的金属镀层接地板(2)及设于介质基板(1)上面的金属微带线(3)，所述的接地板(2)和微带线(3)上均刻蚀有δ形缺陷结构。

2.根据权利要求1所述的基于缺陷微带结构和缺陷地结构的双频带带阻滤波器，其特征在于，所述的接地板(2)和微带线(3)上均刻蚀有多个δ形缺陷结构，接地板(2)上的多个δ形缺陷结构级联，微带线(3)上的多个δ形缺陷结构级联。

3.根据权利要求2所述的基于缺陷微带结构和缺陷地结构的双频带带阻滤波器，其特征在于，所述的接地板(2)和微带线(3)上均刻蚀有2个δ形缺陷结构。

4.根据权利要求1～3任一项所述的基于缺陷微带结构和缺陷地结构的双频带带阻滤波器，其特征在于，所述的δ形缺陷结构为δ形槽，包括A槽线(101)、B槽线(102)、C槽线(103)、D槽线(104)、E槽线(105)、F槽线(106)和G槽线(107)，所述的B槽线(102)的两端分别与A槽线(101)和C槽线(103)的一端连接，D槽线(104)的两端分别与E槽线(105)的一端及C槽线(103)的另一端连接，F槽线(106)的两端分别与G槽线(107)的一端及E槽线(105)的另一端连接；所述的A槽线(101)、C槽线(103)、E槽线(105)和G槽线(107)之间相互平行，D槽线(104)分别与B槽线(102)和F槽线(106)平行；所述的B槽线(102)分别与A槽线(101)和C槽线(103)垂直，D槽线(104)分别与C槽线(103)和E槽线(105)垂直，F槽线(106)分别与E槽线(105)和G槽线(107)垂直。

5.根据权利要求4所述的基于缺陷微带结构和缺陷地结构的双频带带阻滤波器，其特征在于，所述的A槽线(101)、C槽线(103)和E槽线(105)的长度相同；B槽线(102)和F槽线(106)的长度相同。

6.根据权利要求5所述的基于缺陷微带结构和缺陷地结构的双频带带阻滤波器，其特征在于，所述的A槽线(101)与C槽线(103)之间的垂直距离、G槽线(107)的另一端和D槽线(104)之间的垂直距离、C槽线(103)与G槽线(107)之间的垂直距离以及G槽线(107)与E槽线(105)之间的垂直距离均相等。

7.根据权利要求5或6所述的基于缺陷微带结构和缺陷地结构的双频带带阻滤波器，其特征在于，通过调节接地板(2)和微带线(3)上的A槽线(101)、C槽线(103)或E槽线(105)的长度分别实现对两个阻带中心频率的大小进行独立调节。

8.根据权利要求5或6所述的基于缺陷微带结构和缺陷地结构的双频带带阻滤波器，其特征在于，所述的A槽线(101)、B槽线(102)、C槽线(103)、D槽线(104)、E槽线(105)、F槽线(106)和G槽线(107)的线宽均相同，通过调节接地板(2)和微带线(3)上的槽线线宽分别实现对两个阻带带宽的大小进行独立调节。

9.根据权利要求6所述的基于缺陷微带结构和缺陷地结构的双频带带阻滤波器，其特征在于，所述的介质基板(1)的介电常数为2.65，介质基板(1)的厚度为1.6mm；微带线(3)的宽度为4.3mm，对应阻抗为50欧姆；对于接地板(2)，所述的线宽为0.5mm，A槽线(101)与C槽线(103)之间的垂直距离、G槽线(107)的另一端和D槽线(104)之间的垂直距离、C槽线(103)与G槽线(107)之间的垂直距离以及G槽线(107)与E槽线(105)之间的垂直距离均为0.5mm，A槽线(101)、C槽线(103)或E槽线(105)的长度为9mm；2个接地板(2)之间的距离为3mm；对于微带线(3)，所述的线宽为0.4mm，A槽线(101)与C槽线(103)之间的垂直距离、G槽线(107)的另一端和D槽线(104)之间的垂直距离、C槽线(103)与G槽线(107)之间的垂直距离以及G槽线(107)与E槽线(105)之间的垂直距离均为0.4mm，A槽线(101)、C槽线(103)或E槽线(105)的长度为6mm；2个接地板(2)之间的距离为4mm。

10.根据权利要求1所述的基于缺陷微带结构和缺陷地结构的双频带带阻滤波器，其特征在于，所述的金属镀层接地板(2)和金属微带线(3)的材料采用铜或者是铜上面镀金。