CN104953830A - 一种升压电路及电源开关 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种升压电路及电源开关，该升压电路包括至少第一升压子电路及第二升压子电路，第一升压子电路与第二升压子电路包括相同的元件且元件之间的连接关系相同，第一升压子电路的第一输入端及第二输入端分别接收第一电压及第二电压，第一参考电压端接收第一参考电压，第一输入端连接第一电容至第二单向导通单元的正极，第二单向导通单元的负极连接第一输出端，第二输入端电连接第一单向导通单元的正极，第一单向导通单元的负极电连接第二单向导通单元的正极，第一参考电压端电连接第二电容至第一输出端。采用本发明实施例，可以节约电源开关驱动电路的成本。

Description

一种升压电路及电源开关

技术领域

本发明涉及电子电路领域，尤其涉及一种升压电路及电源开关。

背景技术

根据现今电子电路领域的工艺水平，N型金属氧化物半导体薄膜场效应晶体管(N-Mental-Oxide-Semiconductor，NMOS)的通态电阻比P型金属氧化物半导体薄膜场效应晶体管(N-Mental-Oxide-Semiconductor，PMOS)的通态电阻低，因此，在电流较大的电子开关应用场合，普遍采用NMOS场效应晶体管做电源的电子开关。

对NMOS场效应晶体管形成的电源开关而言，要求GS(栅极-源极)电压大于开启电压，这就意味着，栅极电平要高于其所控制的电源电平。现有技术中，往往需要一组更高电平的电源，经芯片的通用输入/输出(General Purpose InputOutput，GPIO)端口控制后引入到NMOS的栅极，从而实现电子开关功能。这种做法的缺点是，需要更高电平的电源，投资的成本较高。

具体发明内容

本发明实施例提供了一种升压电路及电源开关，在NMOS场效应晶体管作为电源开关的电路中，在NMOS场效应晶体管输出端口，通过增加少数外围元器件即可对NMOS场效应晶体管的输出端产生一个高电平，从而实现电源的开关驱动，不需要单独的一组高电平的电源，减少了投资成本，且使用电容对电容进行充电，电荷损失小，效率高。

本发明实施例第一方面提供了一种升压电路，升压电路包括：

至少第一升压子电路及第二升压子电路，所述第一升压子电路与所述第二升压子电路包括相同的元件且元件之间的连接关系相同，所述第一升压子电路包括第一输入端、第二输入端、第一参考电压端、第一输出端、第一电容、第二电容、第一单向导通单元及第二单向导通单元，所述第一单向导通单元及所述第二单向导通单元分别包括正极和负极，且在所述正极电压大于所述负极电压时导通，在所述正极电压小于所述负极电压时截止，所述第一输入端及所述第二输入端分别用于接收第一电压及第二电压，所述第一参考电压端用于接收第一参考电压，所述第一输入端连接所述第一电容至所述第二单向导通单元的正极，所述第二单向导通单元的负极连接所述第一输出端，所述第二输入端电连接所述第一单向导通单元的正极，所述第一单向导通单元的负极电连接所述第二单向导通单元的正极，所述第一参考电压端电连接所述第二电容至所述第一输出端，所述第二升压子电路包括第一输入端、第二输入端及第一输出端，所述第二升压子电路的第一输入端及第二输入端分别连接所述第一升压子电路的第一输入端及第一输出端，所述第二升压子电路的第一输出端作为所述升压电路的输出端以输出输出电压。

结合第一方面，在第一种可能的实现方式中，所述第一单向导通单元及所述第二单向导通单元为二极管，所述第一单向导通单元及所述第二单向导通单元的正极为所述二极管的正极，所述第一单向导通单元及所述第二单向导通单元的负极为所述二极管的负极。

结合第一方面，在第二种可能的实现方式中，所述第一输入端接收的所述第一电压可以由矩形信号、锯齿波信号、三角波信号中的一种或几种组合信号产生。

结合第一方面的第二种可能的实现方式，在第一方面的第三种可能的实现方式中，所述矩形信号的占空比为50％。

本发明实施例第二方面公开了一种电源开关，电源开关包括：

升压电路及场效应晶体管，所述升压电路包括至少第一升压子电路及第二升压子电路，所述第一升压子电路与所述第二升压子电路包括相同的元件且元件之间的连接关系相同，所述第一升压子电路包括第一输入端、第二输入端、第一参考电压端、第一输出端、第一电容、第二电容、第一单向导通单元及第二单向导通单元，所述第一单向导通单元及所述第二单向导通单元分别包括正极和负极，且在所述正极电压大于所述负极电压时导通，在所述正极电压小于所述负极电压时截止，所述第一输入端及所述第二输入端分别用于接收第一电压及第二电压，所述第一参考电压端用于接收第一参考电压，所述第一输入端连接所述第一电容至所述第二单向导通单元的正极，所述第二单向导通单元的负极连接所述第一输出端，所述第二输入端电连接所述第一单向导通单元的正极，所述第一单向导通单元的负极电连接所述第二单向导通单元的正极，所述第一参考电压端电连接所述第二电容至所述第一输出端，所述第二升压子电路包括第一输入端、第二输入端及第一输出端，所述第二升压子电路的第一输入端及第二输入端分别连接所述第一升压子电路的第一输入端及第一输出端，所述第二升压子电路的第一输出端作为所述升压电路的输出端以输出输出电压，所述输出电压用于控制所述场效应晶体管的导通或截止。

结合第二方面，在第一种可能的实现方式中，所述第一单向导通单元及所述第二单向导通单元为二极管，所述第一单向导通单元及所述第二单向导通单元的正极为所述二极管的正极，所述第一单向导通单元及所述第二单向导通单元的负极为所述二极管的负极。

结合第二方面，在第二种可能的实现方式中，所述第一输入端接收的所述第一电压可以由矩形信号、锯齿波信号、三角波信号中的一种或几种组合信号产生。

结合第二方面的第二种可能的实现方式，在第二方面的第三种可能的实现方式中，所述矩形信号的占空比为50％。

结合第二方面，在第四种可能的实现方式中，所述场效应晶体管包括栅极、源极及漏极，所述栅极电连接至所述升压电路的输出端。

结合第二方面，在第五种可能的实现方式中，所述场效应晶体管为N型金属氧化物半导体薄膜场效应晶体管。

采用本发明实施例，具有以下有益效果：在NMOS场效应晶体管作为电源开关的电路中，在NMOS场效应晶体管输出端口，通过增加少数外围元器件即可对NMOS场效应晶体管的输出端产生一个高电平，从而实现电源的开关驱动，不需要单独的一组高电平的电源，减少了投资成本，且使用电容对电容进行充电，电荷损失小，效率高。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例、描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种升压电路的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种电源开关的结构示意图。

实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

下面将结合图1至图2对本发明实施例提供的一种升压电路及电源开关进行描述。

请参阅图1，图1是本发明实施例提供的一种升压电路的结构示意图。所述升压电路包括至少第一升压子电路及第二升压子电路，在本实施例中以所述升压电路1包括第一升压子电路11及第二升压子电路12为例进行描述。所述第一升压子电路11及所述第二升压子电路12包括相同的元件且元件之间的连接关系相同。所述第一升压子电路11包括第一输入端111、第二输入端VDD、第一参考电压端112、第一输出端113、第一电容C1、第二电容C2、第一单向导通单元D1及第二单向导通单元D2。所述第一单向导通单元D1及所述第二单向导通单元D2分别包括正极和负极，且在所述正极电压大于所述负极电压时导通，在所述正极电压小于所述负极电压时截止。所述第一输入端111接收外部信号产生的第一电压，所述第二输入端VDD连接电源，接收第二电压，所述第一参考电压端112用于接收第一参考电压，所述第一输入端111连接所述第一电容C1至所述第二单向导通单元D2的正极，所述第二单向导通单元D2的负极连接所述第一输出端113，所述第二输入端VDD电连接所述第一单向导通单元D1的正极，所述第一单向导通单元D1的负极电连接所述第二单向导通单元D2的正极，所述第一参考电压端112电连接所述第二电容C2至所述第一输出端113。所述第二升压子电路12包括第一输入端121、第二输入端122、第二参考电压端123、第一输出端124、第三电容C3、第四电容C4、第三单向导通单元D3及第四单向导通单元D4。所述第三单向导通单元D3及所述第四单向导通单元D4分别包括正极和负极，且在所述正极电压大于所述负极电压时导通，在所述正极电压小于所述负极电压时截止。所述第二升压子电路12的第一输入端121与所述第一升压子电路11的第一输入端111连接，接收外部信号产生的第一电压，所述第二升压子电路12的第二输入端122与所述第一升压子电路11的第一输出端113连接，接收所述第一升压子电路11的输出电压，所述第二参考电压端123接收第二参考电压，所述第二升压子电路12的第一输入端121连接所述第三电容C3至所述第四单向导通单元D4的正极，所述第四单向导通单元D4的负极连接所述第一输出端124，所述第二升压子电路12的第二输入端122电连接所述第三单向导通单元D3的正极，所述第三单向导通单元D3的负极电连接所述第四单向导通单元D4的正极，所述第二参考电压端123电连接所述第四电容C4至所述第一输出端124。所述第二升压子电路12的第一输出端124作为所述升压电路1的输出端以输出加倍后的电压。

优选地，所述第一升压子电路11的第一单向导通单元D1、所述第一升压子电路11的第二单向导通单元D2、所述第二升压子电路12的第三单向导通单元D3及所述第二升压子电路12的第四单向导通单元D4为二极管。所述第一单向导通单元D1、所述第二单向导通单元D2、所述第三单向导通单元D3及所述第四单向导通单元D4分别包括正极和负极。所述第一单向导通单元D1、所述第二单向导通单元D2、所述第三单向导通单元D3及所述第四单向导通单元D4的正极为所述二极管的正极，所述第一单向导通单元D1、所述第二单向导通单元D2、所述第三单向导通单元D3及所述第四单向导通单元D4的负极为所述二极管的负极。且在所述第一单向导通单元D1正极电压大于所述第一单向导通单元D1负极电压时所述第一单向导通单元D1导通，在所述第一单向导通单元D1正极电压小于所述第一单向导通单元D1负极电压时所述第一单向导通单元D1截止。在所述第二单向导通单元D2正极电压大于所述第二单向导通单元D2负极电压时所述第二单向导通单元D2导通，在所述第二单向导通单元D2正极电压小于所述第二单向导通单元D2负极电压时所述第二单向导通单元D2截止。在所述第三单向导通单元D3正极电压大于所述第三单向导通单元D3负极电压时所述第三单向导通单元D3导通，在所述第三单向导通单元D3正极电压小于所述第三单向导通单元D3负极电压时所述第三单向导通单元D3截止，在所述第四单向导通单元D4正极电压大于所述第四单向导通单元D4负极电压时所述第四单向导通单元D4导通，在所述第四单向导通单元D4正极电压小于所述第四单向导通单元D4负极电压时所述第四单向导通单元D4截止。

更加优选地，所述第一升压子电路11的第一输入端111以及所述第二升压子电路的第一输入端121接收的外部输入的电压为外部脉冲信号产生的电压，并通过所述第二输入端VDD连接电源，对所述第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3和第四电容C4进行充放电以使所述第一升压子电路11的第一输出端113以及所述第二升压子电路12的第一输出端124获取加倍的电压。其中所述外部脉冲信号可以包括但不限于矩形信号、锯齿波信号和三角波信号。

更加优选地，为了便于描述，将所述第一升压子电路11的第一输入端111与所述第二升压子电路12的第一输入端121的公共节点命名为A点，将所述第一升压子电路11的第一电容C1与所述第一升压子电路11的第一单向导通单元D1的公共节点命名为B点，将所述第一升压子电路11的第二单向导通单元D2与所述第二电容C2的公共节点命名为C点，将所述第二升压子电路12的第三电容C3与所述第三单向导通单元D3的公共节点命名为D点，将所述第二升压子电路12的第四单向导通单元D4与所述第四电容C4的公共节点命名为E点。当所述第一升压子电路11的第一输入端111以及所述第二升压子电路12的第一输入端121未接收到外部输入的信号时，通过所述第一升压子电路11的第二输入端VDD以及所述第一升压子电路11的第一单向导通单元D1、第二单向导通单元D2、所述第二升压子电路12的第三单向导通单元D3、第四单向导通单元D4使得所述公共节点A点、公共节点B点、公共节点C点、公共节点D点以及公共节点E点的电压均约为VDD。

更加优选地，当所述第一升压子电路11的第一输入端111以及所述第二升压子电路12的第一输入端121接收到输入的外部脉冲信号中的第一个高电平信号时，通过接收到的外部高电平信号对所述第一升压子电路11的第一电容C1以及所述第二升压子电路12的第三电容C3充电，通过所述第一单向导通单元D1、第二单向导通单元D2、第三单向导通单元D3、第四单向导通单元D4、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3和第四电容C4提升所述公共节点B点、公共节点C点、公共节点D点以及公共节点E点的电压。

更加优选地，当所述第一升压子电路11的第一输入端111以及所述第二升压子电路12的第一输入端121接收到输入的外部脉冲信号中的第一个低电平信号时，通过所述第一升压子电路11的第二单向导通单元D2以及所述第二升压子电路12的第四单向导通单元D4的单向导通特性，将所述公共节点C点以及所述公共节点E点获取的加倍之后的电压固定，以使加倍之后的公共节点C点以及所述公共节点E点的电压维持不变。

更加优选地，所述第一升压子电路11的第一输入端111以及所述第二升压子电路12的第一输入端121反复接收输入的外部脉冲信号中的高电平信号和低电平信号，每经过一个脉冲信号的周期，所述公共节点C点以及所述公共节点E点的电压都会提升一定的幅度，直至所述公共节点E点的电压为两倍外部脉冲信号的最大逻辑电平值与VDD之和。

本实施例为本发明升压电路的典型实施例，包括两个升压子电路，即第一升压子电路11及第二升压子电路12，在其他一些可执行的方案中，还可以包括两个以上的升压子电路，每一个升压子电路都包括一个单向导通单元和对应的电容。以所述第一升压子电路11为例，所述第一单向导通单元D1以及所述第二单向导通单元D2具体单向导电性，所述第一单向导通单元D1以及所述第二单向导通单元D2起到正向导通，反向截止的作用，所述第一电容C1起到充放电的作用，所述第二电容C2起到储存电荷的作用。以所述第一输入端111接收的所述第一电压由方波信号产生为例，所述第一输入端111未接收到外部的方波信号(占空比可以不是50％)时，所述第二输入端VDD通过第一单向导通单元D1使所述公共节点B点电平约等于VDD电平，通过所述第二单向导通单元D2使所述公共节点C点电平约等于所述公共节点B点电平，也是约等于VDD电平。当所述第一输入端111接收到所述方波信号的第一个上跳沿时，利用所述第一电容C1的充电特性，所述公共节点B点电平会瞬间抬升，并通过所述第二单向导通单元D2给所述第二电容C2充电，以抬高所述公共节点C点电平。一段时间后，当所述第一输入端111接收到第一个方波信号的下跳沿时，利用所述第一电容C1的放电特性，使所述公共节点B点电平下降，但由于所述公共节点B点与所述第二输入端VDD相连，因此所述公共节点B点的电压值被钳位在VDD电平，利用所述第二单向导通单元D2反向截止特性，使所述公共节点C点维持电平不变。后续每个方波周期，所述公共节点C点电平都会抬升一些，直到所述公共节点C点的电平值约等于电源VDD电平与方波信号的逻辑电平之和。

以所述第一升压子电路11以及所述第二升压子电路12为例，单向导通单元具体单向导电性，所述第一升压子电路11的所述第一单向导通单元D1、所述第二单向导通单元D2、所述第二升压子电路12的所述第三单向导通单元D3以及所述第四单向导通单元D4起到正向导通，反向截止的作用，所述第一升压子电路11的第一电容C1、所述第二升压子电路12的所述第三电容C3起到充放电的作用，所述第一升压子电路11的所述第二电容C2起到储存电荷并放电的作用，所述第二升压子电路12的第四电容C4起到储存电荷的作用。以所述第一升压子电路11的第一输入端111和所述第二升压子电路12的第一输入端121接收的所述第一电压由方波信号产生为例，且所述第一升压子电路11的第一输入端111和第二升压子电路12的第一输入端121的公共节点为A点，当所述公共节点为A点未接收到外部的方波信号(占空比可以不是50％)时，所述第一升压子电路11的第二输入端VDD通过所述第一升压子电路11的第一单向导通单元D1使所述公共节点B点电平约等于VDD电平，通过所述第一升压子电路11的第二单向导通单元D2使所述公共节点C点电平约等于所述公共节点B点电平，也是约等于VDD电平，通过所述第二升压子电路12的第三单向导通单元D3使所述公共节点D点电平约等于所述公共节点C点电平，也是约等于VDD电平，通过所述第二升压子电路12的第四单向导通单元D4使所述公共节点E点电平约等于所述公共节点D点电平，也是约等于VDD电平。当所述公共节点A点接收到方波信号的第一个上跳沿时，利用所述第一升压子电路11的第一电容C1的充电特性，所述公共节点B点电平会瞬间抬升，并通过所述第一升压子电路11的第二单向导通单元D2给所述第一升压子电路11的第二电容C2充电，以抬高所述公共节点C点电平，通过所述第二升压子电路12的第三单向导通单元D3给所述第三电容C3充电，以抬高所述公共节点D点电平，通过所述第二升压子电路12的第四单向导通单元D4给所述第二电容C4充电，以抬高所述公共节点E点电平。一段时间后，当所述公共节点A点接收到第一个方波信号的下跳沿时，利用所述第一升压子电路11的第一电容C1的放电特性，使所述公共节点B点电平下降，但由于所述公共节点B点与第二输入端VDD相连，因此所述公共节点B点的电压值被钳位在VDD电平，利用所述第二单向导通单元D2反向截止特性，使所述公共节点C点维持电平不变，利用所述第二升压子电路12的第三电容C3的放电特性，使所述公共节点D点电平下降，所述第一升压子电路11的第二电容C2利用所述第二升压子电路12的第三单向导通单元D3正向导通特性，向所述第二升压子电路12的第三电容C3充电，使所述公共节点D点的电压值大于最开始的电压值VDD，利用所述第二升压子电路12的第四单向导通单元D4反向截止特性，使所述公共节点E点维持电平不变。后续每个方波周期，所述公共节点E点电平都会抬升一些，直到所述公共节点E点的电平值约等于电源VDD电平与两倍方波信号的逻辑电平之和，从而使所述公共节点E点获得加倍的电压，所述第二升压子电路12的第四电容C4的端电压可以作为其它设备的驱动电源输出。

本发明实施例中，升压电路获取的加倍电压与升压子电路的数量成正比，每一升压子电路包括一个单向导通单元和对应的电容，当升压电路中包括两个升压子电路时，升压电路的输出端产生的电压为电源VDD电平与两倍方波信号的逻辑电平之和，当升压电路中包括三个升压子电路时，升压电路的输出端产生的电压为电源VDD电平与三倍方波信号的逻辑电平之和，以此类推。

本发明实施例中，所述第一升压子电路11的第一输入端111以及所述第二升压子电路12的第一输入端121接收的所述第一电压可以由矩形信号、锯齿波信号、三角波信号中的一种或几种组合信号产生，所述矩形信号中的高电平信号包括但不限于：最大的逻辑电平信号或上升沿信号。

本发明提出的升压电路利用单向导通单元和电容，产生加倍的电压，作为电源开关的驱动，投资成本低。

请参阅图2，图2是本发明实施例提供的一种电源开关的结构示意图。本实施例中所描述的电源开关2，包括升压电路21及场效应晶体管22，所述场效应晶体管22与所述升压电路21的输出端连接，所述升压电路21对所述场效应晶体管22进行电压驱动，所述升压电路21的结构可参考图1实施例对应的升压电路1的描述，在此不再赘述。其中，本发明实施例中的场效应晶体管22包括但不限于NMOS场效应晶体管。

本实施例中的升压电路21的工作原理及结构与图1中的升压电路1相同，可以理解地，所述升压电路21所包括的升压子电路的数量可视所述场效应晶体管22的漏极电压VCC_IN的值进行调整。以所述场效应晶体管22为NMOS场效应晶体管为例，所述NMOS场效应晶体管的栅极G连接所述升压电路21的电压输出端，所述升压电路21输出的加倍的电压作为所述NMOS场效应晶体管的驱动电压，以供控制所述NMOS场效应晶体管的导通或截止。若所述NMOS场效应晶体管漏极D电连接的电源VCC_IN的值与电源VDD的值相等时，则若所述升压电路1包括两个升压子电路，所述升压电路1输出端产生的电平值为两倍外部脉冲信号的最大逻辑电平值与VDD之和，则所述NMOS管的栅源电压为两倍外部脉冲信号的最大逻辑电平值，当外部脉冲信号的最大逻辑电平值较大时，即可保证以NMOS场效应晶体管作电源开关的正常驱动，且驱动后可以保障NMOS场效应晶体管的通态电阻较小。

本发明提出的电源开关不要求单独的高电平电源，无需增加控制端口，仅通过在NMOS场效应晶体管的输出端增加少量单向导通单元和电容，就可以产生较高的NMOS场效应晶体管栅源驱动电压，从而得到较好的电源开关NMOS场效应晶体管通态电阻参数。

采用本发明实施例，在NMOS场效应晶体管作为电源开关的电路中，在NMOS场效应晶体管输出端口，通过增加少数外围元器件即可对NMOS场效应晶体管的输出端产生一个高电平，从而实现电源的开关驱动，不需要单独的一组高电平的电源，减少了投资成本，且使用电容对电容进行充电，电荷损失小，效率高。

以上所揭露的仅为本发明较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。

Claims (10)

1.一种升压电路，其特征在于，所述升压电路包括至少第一升压子电路及第二升压子电路，所述第一升压子电路与所述第二升压子电路包括相同的元件且元件之间的连接关系相同，所述第一升压子电路包括第一输入端、第二输入端、第一参考电压端、第一输出端、第一电容、第二电容、第一单向导通单元及第二单向导通单元，所述第一单向导通单元及所述第二单向导通单元分别包括正极和负极，且在所述正极电压大于所述负极电压时导通，在所述正极电压小于所述负极电压时截止，所述第一输入端及所述第二输入端分别用于接收第一电压及第二电压，所述第一参考电压端用于接收第一参考电压，所述第一输入端连接所述第一电容至所述第二单向导通单元的正极，所述第二单向导通单元的负极连接所述第一输出端，所述第二输入端电连接所述第一单向导通单元的正极，所述第一单向导通单元的负极电连接所述第二单向导通单元的正极，所述第一参考电压端电连接所述第二电容至所述第一输出端，所述第二升压子电路包括第一输入端、第二输入端及第一输出端，所述第二升压子电路的第一输入端及第二输入端分别连接所述第一升压子电路的第一输入端及第一输出端，所述第二升压子电路的第一输出端作为所述升压电路的输出端以输出输出电压。

2.如权利要求1所述的升压电路，其特征在于，所述第一单向导通单元及所述第二单向导通单元为二极管，所述第一单向导通单元及所述第二单向导通单元的正极为所述二极管的正极，所述第一单向导通单元及所述第二单向导通单元的负极为所述二极管的负极。

3.如权利要求1所述的升压电路，其特征在于，所述第一输入端接收的所述第一电压可以由矩形信号、锯齿波信号、三角波信号中的一种或几种组合信号产生。

4.如权利要求3所述的升压电路，其特征在于，所述矩形信号的占空比为50％。

5.一种电源开关，其特征在于，所述电源开关包括升压电路及场效应晶体管，所述升压电路包括至少第一升压子电路及第二升压子电路，所述第一升压子电路与所述第二升压子电路包括相同的元件且元件之间的连接关系相同，所述第一升压子电路包括第一输入端、第二输入端、第一参考电压端、第一输出端、第一电容、第二电容、第一单向导通单元及第二单向导通单元，所述第一单向导通单元及所述第二单向导通单元分别包括正极和负极，且在所述正极电压大于所述负极电压时导通，在所述正极电压小于所述负极电压时截止，所述第一输入端及所述第二输入端分别用于接收第一电压及第二电压，所述第一参考电压端用于接收第一参考电压，所述第一输入端连接所述第一电容至所述第二单向导通单元的正极，所述第二单向导通单元的负极连接所述第一输出端，所述第二输入端电连接所述第一单向导通单元的正极，所述第一单向导通单元的负极电连接所述第二单向导通单元的正极，所述第一参考电压端电连接所述第二电容至所述第一输出端，所述第二升压子电路包括第一输入端、第二输入端及第一输出端，所述第二升压子电路的第一输入端及第二输入端分别连接所述第一升压子电路的第一输入端及第一输出端，所述第二升压子电路的第一输出端作为所述升压电路的输出端以输出输出电压，所述输出电压用于控制所述场效应晶体管的导通或截止。

6.如权利要求5所述的电源开关，其特征在于，所述第一单向导通单元及所述第二单向导通单元为二极管，所述第一单向导通单元及所述第二单向导通单元的正极为所述二极管的正极，所述第一单向导通单元及所述第二单向导通单元的负极为所述二极管的负极。

7.如权利要求5所述的电源开关，其特征在于，所述第一输入端接收的所述第一电压可以由矩形信号、锯齿波信号、三角波信号中的一种或几种组合信号产生。

8.如权利要求7所述的电源开关，其特征在于，所述矩形信号的占空比为50％。

9.如权利要求5所述的电源开关，其特征在于，所述场效应晶体管包括栅极、源极及漏极，所述栅极电连接至所述升压电路的输出端。

10.如权利要求5所述的电源开关，其特征在于，所述场效应晶体管为N型金属氧化物半导体薄膜场效应晶体管。