CN104883182A - 一种升压异或电路结构 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种升压异或电路结构，其特征在于，主要由两个相互连接的异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2，与异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2的输入端均相连接的电阻R1，与异或门集成芯片U1相并联的反接保护电路，以及与异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2的输出端相连接的升压电路组成。本申请不仅整体结构非常简单，其制作成本和维护成本非常低廉，而且本申请还能彻底解决传统的异或门电路普遍存在的不具有反接保护功能的缺陷。
Description
技术领域
本申请涉及一种电路结构，具体是指一种升压异或电路结构。
背景技术
目前，人们在生活中会用到各种电子设备，而大多数的电子设备中都具有异或门电路，以通过识别高、底电平来对电子设备进行控制。但目前市面上的异或门电路均不具有反接保护功能和升压功能，因此当外接的电源突然出现高底电平转换时，其峰值会对异或门电路产生较大的影响，进而影响其识别效果。
发明内容
本申请的目的在于克服目前的异或门电路不具有反接保护功能和升压功能的缺陷，提供一种结构简单，具有良好反接保护功能和升压功能的一种升压异或电路结构。
本申请通过以下技术方案来实现：一种升压异或电路结构，主要由两个相互连接的异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2，与异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2的输入端均相连接的电阻R1，与异或门集成芯片U1相并联的反接保护电路，以及与异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2的输出端相连接的升压电路组成。
进一步地，所述的反接保护电路由一端与异或门集成芯片U1的输入端相连接、另一端经二极管D3、继电器K后与异或门集成芯片U1的输出端相连接的熔断器F，以及与继电器K相并联的二极管D4组成，且所述继电器K的常开触点则与电阻R1相串接。
所述的升压电路由相互串接的电阻R2和储能电容C，以及一端连接在电阻R2和储能电容C之间的双向触发二极管DB和二极管D2组成，所述异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2的输出端则分别与电阻R2的两端相连接。
为了较好的实现本申请，所述电阻R1的阻抗与电阻R2的阻抗相等。
本申请与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：
(1)本申请不仅整体结构非常简单，其制作成本和维护成本非常低廉，而且本申请还能彻底解决传统的异或门电路普遍存在的不具有反接保护功能的缺陷。
(2)本申请具有升压功能，能确保在电压不高的时候也能正常使用，从而扩大使用范围。
附图说明
图1为本申请的电路结构示意图。
具体实施方式
下面结合实施例对本申请作进一步地详细说明，但本申请的实施方式不限于此。
实施例
如图1所示，本申请的升压异或电路结构主要由两个相互连接的异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2，与异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2的输入端均相连接的电阻R1，与异或门集成芯片U1相并联的反接保护电路，以及与异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2的输出端相连接的升压电路组成。
如图所示，该反接保护电路由一端与异或门集成芯片U1的输入端相连接、另一端经二极管D3、继电器K后与异或门集成芯片U1的输出端相连接的熔断器F，以及与继电器K相并联的二极管D4组成，且所述继电器K的常开触点则与电阻R1相串接；而该升压电路则由相互串接的电阻R2和储能电容C，以及一端连接在电阻R2和储能电容C之间的双向触发二极管DB和二极管D2组成。
连接时，异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2的输出端分别与电阻R2的两端相连接，即电阻R2介于异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2的输出端之间。为了确保使用效果，该电阻R1的阻抗与电阻R2的阻抗相等，其最佳阻抗为5.6KΩ。
Claims (4)
1.一种升压异或电路结构，其特征在于，主要由两个相互连接的异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2，与异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2的输入端均相连接的电阻R1，与异或门集成芯片U1相并联的反接保护电路，以及与异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2的输出端相连接的升压电路组成。
2.根据权利要求1所述的一种升压异或电路结构，其特征在于，所述的反接保护电路由一端与异或门集成芯片U1的输入端相连接、另一端经二极管D3、继电器K后与异或门集成芯片U1的输出端相连接的熔断器F，以及与继电器K相并联的二极管D4组成，且所述继电器K的常开触点则与电阻R1相串接。
3.根据权利要求2所述的一种升压异或电路结构，其特征在于，所述的升压电路由相互串接的电阻R2和储能电容C，以及一端连接在电阻R2和储能电容C之间的双向触发二极管DB和二极管D2组成，所述异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2的输出端则分别与电阻R2的两端相连接。
4.根据权利要求3所述的一种升压异或电路结构，其特征在于，所述电阻R1的阻抗与电阻R2的阻抗相等。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN201510284733.7A CN104883182A (zh) | 2015-05-26 | 2015-05-26 | 一种升压异或电路结构 |
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| CN201510284733.7A CN104883182A (zh) | 2015-05-26 | 2015-05-26 | 一种升压异或电路结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN104883182A true CN104883182A (zh) | 2015-09-02 |
Family
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Family Applications (1)
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| CN201510284733.7A Pending CN104883182A (zh) | 2015-05-26 | 2015-05-26 | 一种升压异或电路结构 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN104883182A (zh) |
Citations (3)
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| CN202798668U (zh) * | 2012-08-25 | 2013-03-13 | 成都方拓科技有限公司 | 一种异或门振荡电路 |
| CN202798667U (zh) * | 2012-08-25 | 2013-03-13 | 成都方拓科技有限公司 | 一种基于谐振保护的异或门电路结构 |
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- 2015-05-26 CN CN201510284733.7A patent/CN104883182A/zh active Pending
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Addressee: Sun Jingchun Document name: Notification that Application Deemed to be Withdrawn |
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| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |