CN104867416B - 显示面板及其制作方法以及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种显示面板及其制作方法以及显示装置，该显示基板包括：顶发射AMOLED显示基板；设置在AMOLED显示基板之上的常白模式反射式静态显示基板；切换元件，根据接收到的第一指令开启顶发射AMOLED显示基板，关闭常白模式反射式静态显示基板，根据接收到的第二指令开启常白模式反射式静态显示基板，关闭顶发射AMOLED显示基板。通过将常白模式反射式静态显示基板制作在顶发射AMOLED显示基板之上，可以在一个操作面上切换反射式静态基板以实现在强光下的良好显示效果，或切换顶发射AMOLED显示基板以实现观看彩色内容，操作方便，结构简单。

Description

显示面板及其制作方法以及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示面板、一种显示面板制作方法和显示装置。
背景技术
近年来随着智能手机、平板电脑等移动终端的普及，较小尺寸的显示屏获得了广泛的应用，主要集中于AMOLED(有源矩阵有机发光二极体)显示、LTPS(低温多晶硅)-LCD显示、高分辨率a-Si(非晶硅)LCD显示等。人们的生活习惯也随着智能手机等的普及而发生了较大的改变，长时间的使用观看造成了眼睛的疲劳并引起身体不适，尤其户外条件下的阅读不佳更是加重了眼睛的疲劳度。虽然市场上也有保护眼睛的反射式电子纸等显示产品，但由于无法实现彩色显示，造成观看视频/网页效果不佳，而市场受到了很大限制。
鉴于以上的使用习惯冲突，某些厂家提出了同时具备彩色显示和黑白显示的双模式显示产品。例如俄罗斯总统送给我国习主席的YotaPhone 2智能手机，一侧是5英寸的Super AMOLED全高清屏幕，另一侧为4.7英寸分辨率为960X540的反射式电子纸屏幕。这种结构在观看两种屏幕时需要翻面显示，操作复杂，而且在观看一个面时，容易对另一个面造成损伤。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，在显示装置的一面实现反射式显示和彩色显示。
为此目的，本发明提出了一种显示面板，包括：
顶发射AMOLED显示基板；
设置在所述顶发射AMOLED显示基板之上的常白模式反射式静态显示基板；
切换元件，根据接收到的第一指令开启所述顶发射AMOLED显示基板，关闭所述常白模式反射式静态显示基板，根据接收到的第二指令开启所述常白模式反射式静态显示基板，关闭所述顶发射AMOLED显示基板。
优选地，所述顶发射AMOLED显示基板包括：
第一电极，用于驱动所述顶发射AMOLED显示基板中的有机发光层，以及为所述常白模式反射式静态显示基板提供反射光线。
优选地，所述顶发射AMOLED显示基板还包括：
第一基底，其中，所述第一电极设置于所述第一基底之上，
其中，所述有机发光层设置在所述第一电极之上；
第二电极，设置于所述有机发光层之上；
封装层，设置于所述第二电极之上。
优选地，所述有机发光层的厚度小于预设厚度。
优选地，所述常白模式反射式静态显示基板包括：
偏振片，用于遮蔽或透过所述顶发射AMOLED显示基板射出的光线，或者遮蔽或透过所述常白模式反射式静态显示基板射出的光线。
优选地，所述常白模式反射式静态显示基板还包括：
第二基底，设置在所述封装层之上；
薄膜晶体管，设置在所述第二基底之上；
液晶层，设置在所述薄膜晶体管之上，
其中，所述偏振片设置在所述液晶层之上。
优选地，所述第二基底的相位延迟量小于预设值。
优选地，还包括：
粘结层，设置在所述第二基底和所述封装层之间，用于粘结所述第二基底和所述封装层。
优选地，还包括：
触控基板，设置在所述顶发射AMOLED显示基板之下或设置在所述常白模式反射式静态显示基板之上，
其中，当所述触控基板设置在所述顶发射AMOLED显示基板之下时，所述常白模式反射式静态显示基板还包括：
第三基底，设置在所述偏振片之上；
保护层，设置在所述第三基底之上。
优选地，所述常白模式反射式静态显示基板还包括：
平坦层，设置在所述第二基底与所述薄膜晶体管之间。
优选地，所述常白模式反射式静态显示基板还包括：
阻挡层，设置在所述第二基底之下。
优选地，所述平坦层、第二基底、阻挡层、封装层、第二电极和有机发光层的厚度之和为35至60微米。
优选地，所述常白模式反射式静态显示基板还包括：
彩膜层，设置在所述液晶层与所述偏振片之间。
本发明还提出了一种显示装置，包括上述任一项所述的显示面板。
本发明还提出了一种显示面板制作方法，包括：
形成顶发射AMOLED显示基板；
在所述顶发射AMOLED显示基板之上形成常白模式反射式静态显示基板，
其中，所述顶发射AMOLED显示基板在切换元件接收到第一指令时开启，在所述切换元件接收到第二指令时关闭，所述常白模式反射式静态显示基板在切换元件接收到所述第一指令时关闭，在所述切换元件接收到所述第二指令时开启。
优选地，所述形成顶发射AMOLED显示基板包括：
形成第一电极，用于驱动所述顶发射AMOLED显示基板中的有机发光层，以及为所述常白模式反射式静态显示基板提供反射光线。
优选地，所述形成顶发射AMOLED显示基板还包括：
在形成所述第一电极之前形成第一基底，其中，所述第一电极设置于所述第一基底之上；
在所述第一电极之上形成所述有机发光层；
在所述有机发光层之上形成第二电极；
在所述第二电极之上形成封装层。
优选地，所述在所述顶发射AMOLED显示基板之上形成常白模式反射式静态显示基板包括：
形成偏振片，用于遮蔽或透过所述顶发射AMOLED显示基板射出的光线，或者遮蔽或透过所述常白模式反射式静态显示基板射出的光线。
优选地，所述在所述顶发射AMOLED显示基板之上形成常白模式反射式静态显示基板还包括：
在所述封装层之上形成第二基底；
在所述第二基底之上形成薄膜晶体管；
在所述薄膜晶体管之上形成液晶层，
其中，在形成所述液晶层之后形成所述偏振片。
优选地，所述在所述顶发射AMOLED显示基板之上形成常白模式反射式静态显示基板还包括：
通过机械摩擦或光照辐射在所述液晶层两侧分别形成取向层。
优选地，形成薄膜晶体管包括：
在200℃以下形成所述薄膜晶体管。
优选地，还包括：
在形成所述第二基底之前，在所述封装层之上形成粘结层，用于粘结所述第二基底和所述封装层。
优选地，还包括：
在形成所述顶发射AMOLED显示基板之前形成触控基板，或在形成所述常白模式反射式静态显示基板之后形成触控基板，
其中，若在形成所述顶发射AMOLED显示基板之前形成触控基板，则形成所述常白模式反射式静态显示基板还包括：
在所述偏振片之上形成第三基底；
在所述第三基底之上形成保护层。
优选地，在形成所述液晶层之前还包括：
在所述第二基底之上形成平坦层。
优选地，形成所述常白模式反射式静态显示基板还包括：
在形成所述第二基底之前，在所述封装层之上形成阻挡层。
根据上述技术方案，通过将常白模式反射式静态显示基板制作在顶发射AMOLED显示基板之上，可以在一个操作面上切换反射式静态基板以实现在强光下的良好显示效果，或切换顶发射AMOLED显示基板以实现观看彩色内容，操作方便，结构简单。
附图说明
通过参考附图会更加清楚的理解本发明的特征和优点，附图是示意性的而不应理解为对本发明进行任何限制，在附图中：
图1示出了根据本发明一个实施例的显示基板的结构示意图；
图2示出了根据本发明一个实施例的显示基板的俯视结构示意图；
图3示出了图2中虚线内的具体结构示意图；
图4示出了根据本发明一个实施例的显示基板的具体结构示意图；
图5示出了根据本发明又一个实施例的显示基板的具体结构示意图；
图6示出了根据本发明一个实施例的平坦层和阻挡层的具体结构示意图；
图7示出了根据本发明又一个实施例的显示基板的具体结构示意图；
图8示出了根据本发明一个实施例的显示面板制作方法的示意流程图；
图9示出了根据本发明一个实施例的形成顶发射AMOLED显示基板的示意流程图；
图10示出了根据本发明一个实施例的形成常白模式反射式静态显示基板的示意流程图。
附图标号说明：
1-顶发射AMOLED显示基板；11-第一基底；12-第一电极；13-有机发光层；14-第二电极；15-封装层；2-常白模式反射式静态显示基板；21-第二基底；22-液晶层；23-彩膜层；24-偏振片；25-第三基底；26-平坦层；27-阻挡层；3-粘结层。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
如图1所示，根据本发明一个实施例的显示面板，包括：
顶发射AMOLED显示基板1；
设置在顶发射AMOLED显示基板1之上的常白模式反射式静态显示基板2；
切换元件，根据接收到的第一指令开启顶发射AMOLED显示基板1，关闭常白模式反射式静态显示基板2，根据接收到的第二指令开启常白模式反射式静态显示基板2，关闭顶发射AMOLED显示基板1。
通过将常白模式反射式静态显示基板2制作在顶发射AMOLED显示基板1之上，可以在一个操作面上切换观看两个显示基板，操作方便，结构简单。而且在使用常白模式反射式静态显示基板2时，无需背光源，降低显示能耗，并且经过反射后的光过滤掉了大量的高能量穿透性强的光谱，因为能量高穿透性强的光基本上不反射，所以经过反射后的光对眼睛伤害很低，具有护眼效果。
例如用户在户外光线较强的环境中，可以开启常白模式反射式静态显示基板2显示内容，并关闭顶发射AMOLED显示基板1，在室内环境光线较弱的环境中，可以开启顶发射AMOLED显示基板1显示彩色内容，并关闭常白模式反射式静态显示基板2。方便用户进行根据需要选择显示基板，观看方式更加灵活，切换显示基板的操作更加简便。
如图2和图3所示，常白模式反射式静态显示基板2设置在顶发射AMOLED显示基板1之上，并且可以设置常白模式反射式静态显示基板2的面积略小于顶发射AMOLED显示基板1的面积，以增强结构的稳定性。
优选地，顶发射AMOLED显示基板1的分辨率为300ppi(单位面积像素数量)，常白模式反射式静态显示基板2的分辨率为50-150ppi，其中的黑矩阵较宽。
如图4所示，优选地，顶发射AMOLED显示基板1包括：
第一电极12，用于驱动顶发射AMOLED显示基板1中的有机发光层13，以及为常白模式反射式静态显示基板2提供反射光线。
通过顶发射AMOLED显示基板1的第一电极12，例如阳极，驱动顶发射AMOLED显示基板1中的有机发光层13，并为常白模式反射式静态显示基板2提供反射光线，减少了在常白模式反射式静态显示基板2中设置反射层，减少了面板中的层结构，降低了面板厚度。
优选地，顶发射AMOLED显示基板1还包括：
第一基底11，其中，第一电极12设置于第一基底11之上，
其中，有机发光层13设置在第一电极12之上；
第二电极14，设置于有机发光层13之上；
封装层15，设置于第二电极14之上。
优选地，有机发光层13的厚度小于预设厚度。
有机发光层13一般透光性较弱，通过将有机发光层13的厚度设置得较薄，可以保证有机发光层13具有较高的透光性，以使得从常白模式反射式静态显示基板2射入的光线能够顺利到达第一电极12，并被第一电极12反射，从而实现常白模式反射式静态显示基板2的反射式显示。
优选地，常白模式反射式静态显示基板2包括：
偏振片24，用于遮蔽或透过顶发射AMOLED显示基板射1出的光线，或者遮蔽或透过常白模式反射式静态显示基板2射出的光线。
通过常白模式反射式静态显示基板2中的偏振片24(例如圆偏振片)，遮蔽或透过顶发射AMOLED显示基板1射出的光线，或常白模式反射式静态显示基板2射出的光线，减少了在顶发射AMOLED显示基板1中设置偏振片，减少了面板中的层结构，降低了面板厚度。
优选地，常白模式反射式静态显示基板2还包括：
第二基底21，设置在封装层15之上，厚度可以为5-30微米；
薄膜晶体管(图中未示出)，设置在第二基底21之上，薄膜晶体管主要包括栅极、源极、漏极和有源层等结构，其中栅极设置在第二基底21之上，栅极之上设置有栅绝缘层，源极、漏极和有源层设置在栅绝缘层之上，漏极还连接至像素电极；
液晶层22，设置在薄膜晶体管之上，在液晶层22之上还设置有公共电极，另外在液晶层的两侧还设置有取向层，取向层的材料可以为聚酰亚胺，其中，偏振片24设置在液晶层22之上，当液晶层22之上还设置有公共电极时，偏振片24设置在公共电极之上，液晶在像素电极和公共电极被施加电压时发生偏转。
优选地，第二基底21的相位延迟量小于预设值。将第二基底21的相位延迟量设置的较小，可以减少对通过第二基底21的光线的影响，例如可以选用纤维增强复合材料(即FRP)。
如图5所示，优选地，还包括：
粘结层3，设置在第二基底21和封装层15之间，用于粘结第二基底21和封装层15。提高顶发射AMOLED显示基板1和常白模式反射式静态显示基板2的结合牢固程度。
优选地，还包括：
触控基板(图中未示出)，设置在顶发射AMOLED显示基板1之下或设置在常白模式反射式静态显示基板2之上，
其中，当触控基板设置在顶发射AMOLED显示基板1之下时，常白模式反射式静态显示基板2还包括：
第三基底25，设置在偏振片24之上；
保护层(图中未示出)，设置在第三基底25之上。
当触控基板设置在常白模式反射式静态显示基板2之上时，触控基板位于显示面板的最外侧，可以起到常白模式反射式静态显示基板2的上基底和保护层的作用。在当触控基板设置在顶发射AMOLED显示基板1之下时，常白模式反射式静态显示基板2位于显示面板的最外侧，需要设置上基底(即第三基底25)来夹持液晶层22，以及设置保护层来避免内部结构受损。
如图6所示，优选地，常白模式反射式静态显示基板2还包括：
平坦层26，设置在第二基底21与薄膜晶体管之间。平坦层26可以为常白模式反射式静态显示基板2中薄膜晶体管的制作提供平坦的环境。
优选地，常白模式反射式静态显示基板2还包括：
阻挡层27，设置在第二基底21之下。阻挡层27可以阻隔水分和氧气，提高对顶发射AMOLED显示基板1的封装效果。
优选地，平坦层26、第二基底21、阻挡层27、封装层15、第二电极14和有机发光层13的厚度之和为35至60微米。
第一电极12作为常白模式反射式静态显示基板的反射层，在与液晶层距离较大时，其反射的光线偏转角度较大，容易发生漏光。而将平坦层26、第二基底21、阻挡层27、封装层15、有机发光层13和第二电极14的厚度之和为35至60微米之间，可以保证第一电极12反射的光线在经过这些层之后偏转角度较小，从而减少漏光现象。
如图7所示，优选地，常白模式反射式静态显示基板2还包括：
彩膜层23，设置在液晶层22与偏振片24之间。
若需要常白模式反射式静态显示基板2实现彩色显示，可以在液晶层22上设置彩膜层23，但是需要将平坦层26、第二基底21、阻挡层27、封装层15、有机发光层13和第二电极14的厚度之和为35至60微米之间，以保证第一电极12反射的光线在经过这些层之后偏转角度较小，从而减少反射光线从彩膜层23射出时发生的混色现象。
本发明还提出了一种显示装置，包括上述任一项的显示面板。
需要说明的是，本实施例中的显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
如图8所示，本发明还提出了一种显示面板制作方法，包括：
S1，形成顶发射AMOLED显示基板1；
S2，在顶发射AMOLED显示基板1之上形成常白模式反射式静态显示基板2，
其中，顶发射AMOLED显示基板1在切换元件接收到第一指令时开启，在切换元件接收到第二指令时关闭，常白模式反射式静态显示基板2在切换元件接收到第一指令时关闭，在切换元件接收到第二指令时开启。
如图9所示，优选地，形成顶发射AMOLED显示基板包括：
S12，形成第一电极12，用于驱动顶发射AMOLED显示基板1中的有机发光层13，以及为常白模式反射式静态显示基板2提供反射光线。
优选地，形成顶发射AMOLED显示基板1还包括：
S11，在形成第一电极12之前形成第一基底11，其中，第一电极12设置于第一基底11之上；
S13，在第一电极12之上形成有机发光层13；
S14，在有机发光层13之上形成第二电极14；
S15，在第二电极14之上形成封装层15。
如图10所示，优选地，在顶发射AMOLED显示基板1之上形成常白模式反射式静态显示基板2包括：
S24，形成偏振片24，用于遮蔽或透过顶发射AMOLED显示基板1射出的光线，或者遮蔽或透过常白模式反射式静态显示基板射2出的光线。
优选地，在AMOLED显示基板1之上形成常白模式反射式静态显示基板2还包括：
S21，在封装层15之上形成第二基底21；
S22，在第二基底21之上形成薄膜晶体管；
S23，在薄膜晶体管之上形成液晶层22，
其中，在形成液晶层22之后形成偏振片24。
优选地，在顶发射AMOLED显示基板1之上形成常白模式反射式静态显示基板2还包括：
通过机械摩擦或光照辐射在所述液晶层两侧分别形成取向层。由于机械摩擦和光照辐射形成取向层的工艺可以不在高温环境下进行，因此能够避免对第二基底21造成损伤。当然，在第二基底21可承受温度较高的情况下，也可以根据需要选择等离子体辐射等方式来形成取向层。
优选地，形成薄膜晶体管包括：
在200℃以下形成薄膜晶体管。
由于需要将第二基底21的相位延迟量设置的较低，以减少其对透过光线的影响，而相位延迟量较低的基底材料耐温较低，可耐温度约在200℃，因此在第二基底21上形成薄膜晶体管(TFT)时，需要控制工艺温度在200℃以下，以避免对第二基底21造成损伤。并且在制作液晶层22的取向层时，可以选用低温固化材料，固化温度小于或等于200℃，以避免固化过程中对第二基底21造成损伤。
其中，低温制作的薄膜晶体管可以是a-Si TFT、有机TFT、低温氧化物TFT或者溶液型半导体TFT等。
优选地，还包括：
在形成第二基底21之前，在封装层15之上形成粘结层3，用于粘结第二基底21和封装层15。
优选地，还包括：
在形成顶发射AMOLED显示基板1之前形成触控基板，或在形成常白模式反射式静态显示基板2之后形成触控基板，
其中，若在形成顶发射AMOLED显示基板1之前形成触控基板，则形成常白模式反射式静态显示基板2还包括：
S25，在偏振片24之上形成第三基底25；
S26，在第三基底25之上形成保护层。
优选地，在形成液晶层22之前还包括：
在第二基底21之上形成平坦层26。
优选地，形成常白模式反射式静态显示基板2还包括：
在形成第二基底21之前，在封装层15之上形成阻挡层27。
其中，上述流程所采用的形成工艺例如可包括：沉积、溅射等成膜工艺和刻蚀等构图工艺。
以上结合附图详细说明了本发明的技术方案，考虑到现有技术中，在观看反射式屏幕和AMOLED屏幕时需要翻面显示，操作复杂，而且在观看一个面时，容易对另一个面造成损伤。通过本申请的技术方案，通过将常白模式反射式静态显示基板制作在顶发射AMOLED显示基板之上，可以在一个操作面上切换反射式静态基板以实现在强光下的良好显示效果，或切换顶发射AMOLED显示基板以实现观看彩色内容，操作方便，结构简单。
需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间惟一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
在本发明中，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (15)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
顶发射AMOLED显示基板；
设置在所述顶发射AMOLED显示基板之上的常白模式反射式静态显示基板；
切换元件，根据接收到的第一指令开启所述顶发射AMOLED显示基板，关闭所述常白模式反射式静态显示基板，根据接收到的第二指令开启所述常白模式反射式静态显示基板，关闭所述顶发射AMOLED显示基板，
所述顶发射AMOLED显示基板包括：
第一电极，用于驱动所述顶发射AMOLED显示基板中的有机发光层，以及为所述常白模式反射式静态显示基板提供反射光线，
第一基底，其中，所述第一电极设置于所述第一基底之上，
其中，所述有机发光层设置在所述第一电极之上；
第二电极，设置于所述有机发光层之上；
封装层，设置于所述第二电极之上，
所述有机发光层的厚度小于预设厚度，
所述常白模式反射式静态显示基板包括：
第二基底，设置在所述封装层之上；
薄膜晶体管，设置在所述第二基底之上；
平坦层，设置在所述第二基底与所述薄膜晶体管之间；
阻挡层，设置在所述第二基底之下；
其中，所述平坦层、第二基底、阻挡层、封装层、第二电极和有机发光层的厚度之和为35至60微米。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述常白模式反射式静态显示基板包括：
偏振片，用于遮蔽或透过所述顶发射AMOLED显示基板射出的光线，或者遮蔽或透过所述常白模式反射式静态显示基板射出的光线。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述常白模式反射式静态显示基板还包括：
液晶层，设置在所述薄膜晶体管之上，
其中，所述偏振片设置在所述液晶层之上。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第二基底的相位延迟量小于预设值。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，还包括：
粘结层，设置在所述第二基底和所述封装层之间，用于粘结所述第二基底和所述封装层。
6.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，还包括：
触控基板，设置在所述顶发射AMOLED显示基板之下或设置在所述常白模式反射式静态显示基板之上，
其中，当所述触控基板设置在所述顶发射AMOLED显示基板之下时，所述常白模式反射式静态显示基板还包括：
第三基底，设置在所述偏振片之上；
保护层，设置在所述第三基底之上。
7.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述常白模式反射式静态显示基板还包括：
彩膜层，设置在所述液晶层与所述偏振片之间。
8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至7中任一项所述的显示面板。
9.一种显示面板制作方法，其特征在于，包括：
形成顶发射AMOLED显示基板；
在所述顶发射AMOLED显示基板之上形成常白模式反射式静态显示基板，
其中，所述顶发射AMOLED显示基板在切换元件接收到第一指令时开启，在所述切换元件接收到第二指令时关闭，所述常白模式反射式静态显示基板在切换元件接收到所述第一指令时关闭，在所述切换元件接收到所述第二指令时开启，
所述形成顶发射AMOLED显示基板包括：
形成第一电极，用于驱动所述顶发射AMOLED显示基板中的有机发光层，以及为所述常白模式反射式静态显示基板提供反射光线，
在形成所述第一电极之前形成第一基底，其中，所述第一电极设置于所述第一基底之上；
在所述第一电极之上形成所述有机发光层；
在所述有机发光层之上形成第二电极；
在所述第二电极之上形成封装层，
其中，所述有机发光层的厚度小于预设厚度，
所述在所述顶发射AMOLED显示基板之上形成常白模式反射式静态显示基板还包括：
在所述封装层之上形成第二基底；
在所述第二基底之上形成薄膜晶体管；
在所述薄膜晶体管之上形成液晶层，
在形成所述液晶层之前还包括：在所述第二基底之上形成平坦层，
在形成所述第二基底之前，在所述封装层之上形成阻挡层，
其中，所述平坦层、第二基底、阻挡层、封装层、第二电极和有机发光层的厚度之和为35至60微米。
10.根据权利要求9所述的显示面板制作方法，其特征在于，所述在所述顶发射AMOLED显示基板之上形成常白模式反射式静态显示基板包括：
形成偏振片，用于遮蔽或透过所述顶发射AMOLED显示基板射出的光线，或者遮蔽或透过所述常白模式反射式静态显示基板射出的光线。
11.根据权利要求10所述的显示面板制作方法，其特征在于，所述在所述顶发射AMOLED显示基板之上形成常白模式反射式静态显示基板还包括：
在形成所述液晶层之后形成所述偏振片。
12.根据权利要求11所述的显示面板制作方法，其特征在于，所述在所述顶发射AMOLED显示基板之上形成常白模式反射式静态显示基板还包括：
通过机械摩擦或光照辐射在所述液晶层两侧分别形成取向层。
13.根据权利要求11所述的显示面板制作方法，其特征在于，形成薄膜晶体管包括：
在200℃以下形成所述薄膜晶体管。
14.根据权利要求11所述的显示面板制作方法，其特征在于，还包括：
在形成所述第二基底之前，在所述封装层之上形成粘结层，用于粘结所述第二基底和所述封装层。
15.根据权利要求11所述的显示面板制作方法，其特征在于，还包括：
在形成所述顶发射AMOLED显示基板之前形成触控基板，或在形成所述常白模式反射式静态显示基板之后形成触控基板，
其中，若在形成所述顶发射AMOLED显示基板之前形成触控基板，则形成所述常白模式反射式静态显示基板还包括：
在所述偏振片之上形成第三基底；
在所述第三基底之上形成保护层。
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