CN104849240B - 一种光透过率检测装置和方法 - Google Patents

Abstract

本发明的实施例提供一种光透过率检测装置和方法，涉及生产测试制造技术领域，能够直接检测阵列基板的光透过率，解决了现有工艺中只有完成对盒之后才能检测阵列基板的光透过率的问题，保证了生产的正常进行，降低了成产成本。该装置包括：封闭箱体包括可开合的门体，封闭箱体不透光；光源设置在封闭箱体内部；光电池设置在封闭箱体内部，且与光源相对设置；基板放置部件设置在光电池与光源之间；处理器与光电池连接，用于根据光电池输出的第一光强度信息和第二光强度信息获取待检测基板的光透过率；第一光强度信息是光源发出的光未经待检测基板的强度，第二光强度信息是光源发出的光经过待检测基板后的强度。

Description

一种光透过率检测装置和方法

技术领域

本发明涉及生产测试技术领域，尤其涉及一种光透过率检测装置和方法。

背景技术

随着研发技术的深入和用户需求的增加，在生产阵列基板的时候，会进行设计上的改变或者新材料、新工艺的应用。为了检测新设计、新材料或新工艺形成的阵列基板的效果，则需要对阵列基板进行光透过率的测试。

在目前的生产过程中，对于阵列基板的检测仅限于电学特性的检测，在阵列基板和另一基板对盒后，才进行光学性能检测。这样，如果阵列基板存在由于工艺不良导致光学性能恶化的问题，需要在对盒形成显示面板之后才可以检测出来，整个显示面板都将不可用，造成生产材料的浪费，增加生产成本，影响生产进度。

发明内容

本发明的实施例提供一种光透过率检测装置和方法，能够实现直接检测阵列基板的光透过率，解决了现有工艺中只有阵列基板完成对盒之后才能检测阵列基板的光透过率的问题，保证了生产的正常进行，降低了成产成本。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面，提供一种光透过率检测装置，所述装置包括：光源、封闭箱体、光电池、基板放置部件和处理器，其中：

所述封闭壳体包括可开合的门体，且所述封闭箱体不透光；

所述光源设置在所述封闭箱体内部；

所述光电池设置在所述封闭箱体内部，且与所述光源相对设置；

所述基板放置部件设置在所述光电池与所述光源之间；

所述处理器与所述光电池连接，用于根据所述光电池输出的第一光强度信息和第二光强度信息获取待检测基板的光透过率；其中，所述第一光强度信息用于表明所述光源发出的光未经待检测基板的强度，所述第二光强度信息用于表明所述光源发出的光经过待检测基板后的强度。

可选的，所述基板放置部件包括：卡槽，其中：

所述卡槽设置在所述封闭箱体上；所述卡槽用于将所述待检测基板固定在所述封闭箱体中。

可选的，所述卡槽包括：第一卡槽和第二卡槽，其中：

所述第一卡槽和所述第二卡槽固定设置在所述封闭箱体上，且相对设置；

所述待检测基板能够卡接在所述第一卡槽和所述第二卡槽中。

可选的，所述封闭箱体包括活动板，所述光源设置在所述活动板上；

所述装置还包括升降控制部件，其中：

所述升降控制部件与所述活动板连接，用于控制所述活动板沿所述封闭箱体的内壁升降。

可选的，所述装置还包括：静电去除部件，其中：

所述静电去除部件设置在所述封闭箱体中，且位于所述封闭箱体的主体部靠近所述门体的位置上，以便于所述待检测基板出入所述封闭箱体时可以经过所述静电去除部件；其中，所述封闭箱体的主体部为所述封闭箱体除所述门体以外的部分。

可选的，所述升降控制部件为伺服电机。

可选的，所述处理器为光电池测试仪。

可选的，所述光源包括点光源；

或者，所述光源为面光源，所述光电池为光电池阵列。

可选的，所述光电池的光谱范围为400～1100nm。

第二方面，提供一种光透过率检测方法，所述方法应用于权利要求1～8任一所述的光透过率检测装置，所述方法包括：

未放置待检测基板时，获取光源发出的光线直接照射到所述光透过率检测装置中的光电池上，所述光电池输出的第一光强度信息；

放置待检测基板时，获取光线透过所述待检测基板后照射到所述光透过率检测装置中的光电池上，所述光电池输出的第二光强度信息；

根据所述第一光强度信息和所述第二光强度信息，计算得到所述待检测基板的光透过率。

可选的，根据所述第一光强度信息和所述第二光强度信息，计算得到所述待检测基板的光透过率，包括：

计算所述第一光强度信息和所述第二光强度信息的比值，根据所述比值得到所述待检测基板的光透过率。

本发明的实施例提供的光透过率检测装置和方法，该装置包括光源、封闭箱体、光电池、基板放置部件和处理器，封闭箱体包括可开合的门体，且封闭箱体不透光；光源设置在封闭箱体内部；光电池设置在封闭箱体内部，且光源相对设置；基板放置部件设置在光电池与光源之间；处理器与光电池连接，用于根据光电池输出的第一光强度信息和第二光强度信息获取待检测基板的光透过率。这样，采用本发明中提供的光透过率检测装置，直接将待检测基板放置在该光透过率检测装置基板放置部件上，打开光源就可以直接对阵列基板的光透过率进行检测，通过处理器的处理就可以得到待检测基板的光透过率，能够实现直接检测阵列基板的光透过率，解决了现有工艺中只有阵列基板完成对盒之后才能检测阵列基板的光透过率的问题，保证了生产的正常进行，降低了成产成本。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明的实施例提供的一种光透过率检测装置的结构示意图；

图2为本发明的实施例提供的另一种光透过率检测装置的结构示意图；

图3为本发明的实施例提供的又一种光透过率检测装置的结构示意图；

图4为本发明的实施例提供的一种光透过率检测方法的流程示意图。

附图标记：1-光源；2-封闭箱体；21-活动板；3-光电池；4-基板放置部件；41-卡槽；411-第一卡槽；412-第二卡槽；5-处理器；6-门体；7-升降控制部件；8-静电去除部件。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明的实施例提供一种光透过率检测装置，参照图1所示，该装置包括：光源1、封闭箱体2、光电池3、基板放置部件4和处理器5，其中：

封闭箱体2包括可开合的门体6，且封闭箱体2不透光。

光源1设置在封闭箱体2内部。

光电池3设置在封闭箱体2内部，且与光源1相对设置。

基板放置部件4设置在光电池3与光源1之间。

处理器5与光电池3连接，用于根据光电池输出的第一光强度信息和第二光强度信息获取待检测基板的光透过率。

其中，第一光强度信息用于表明光源发出的光未经待检测基板的强度，第二光强度信息用于表明光源发出的光经过待检测基板后的强度。

具体的，第一光强度信息可以是第一短路电流，第二光强度信息可以是第二短路电流，因为短路电流与入射光强度成正比，因此可以直接计算第一短路电流和第二短路电流的比值，该比值即为待检测基板的光透过率。

需要说明的是，图1中只是示例性的说明封闭箱体、光源、基板放置部件的位置和形状，并没有限定封闭箱体一定是如图1中所示的结构，在具体的应用中只要是能够满足本实施例中的各个部件的设置原则的结构均可以适用。

光电池具体的可以为晶硅太阳能电池；光源可以是点光源或者面光源，具体可以根据实际的需求来确定；在进行待检测基板的光透过率检测的时候，光源发出的光线的强度可以是预先设定好的；当光源为面光源的时候，光电池为太阳能电池阵列。

本发明的实施例提供的光透过率检测装置，该装置包括光源、封闭箱体、光电池、基板放置部件和处理器，封闭箱体包括可开合的门体，且封闭箱体不透光；光源设置在封闭箱体内部；光电池设置在封闭箱体内部，且光源相对设置；基板放置部件设置在光电池与光源之间；处理器与光电池连接，用于根据光电池输出的第一光强度信息和第二光强度信息获取待检测基板的光透过率。这样，采用本发明中提供的光透过率检测装置，直接将待检测基板放置在该光透过率检测装置基板放置部件上，打开光源就可以直接对阵列基板的光透过率进行检测，通过处理器的处理就可以得到待检测基板的光透过率，能够实现直接检测阵列基板的光透过率，解决了现有工艺中只有阵列基板完成对盒之后才能检测阵列基板的光透过率的问题，保证了生产的正常进行，降低了成产成本。

进一步，如图2中所示，基板放置部件4包括：卡槽41，

卡槽41设置在封闭箱体2上，卡槽41用于将待检测基板固定在封闭箱体中。

具体的，如图2中所示，卡槽41包括第一卡槽411和第二卡槽412，其中：

第一卡槽411和第二卡槽412固定设置在封闭箱体上，且相对设置。

待检测基板能够卡接在第一卡槽411和第二卡槽412中。

其中，如图2中所示，第一卡槽和第二卡槽可以是只设置在封闭箱体的左右两侧的侧壁表面上；或者，第一卡槽和第二卡槽也可以是设置在封闭箱体的左右两侧和与左右两侧相邻的侧壁的表面上；在实际的应用中，可以根据具体的需求和成本等选择适当的方式来设计。

进一步，如图3中所示，封闭箱体2包括活动板21，光源1设置在活动板上。此时，该光透过率检测装置还包括升降控制部件7，其中：

升降控制部件7与活动板21连接，用于控制活动板21沿封闭箱体2的内壁升降。

具体的，本发明中提供的光透过率检测装置中的光源可以在升降控制部件的控制下通过活动板的升降来实现光源的升降，在待检测基板进行光透过率检测的时候，可以根据实际的需求调节光源与待检测基板之间的距离；同时，光源发出的光线的强度也是可以控制的。

具体的，升降控制部件7可以为伺服电机。

光电池的光谱范围可以为400～1100nm。在进行待检测基板的光透过率的检测中，可以根据太阳能电池阵列实际能够转换的光谱范围设置光源发出的光线的强度和波长。

进一步，该光透过率检测装置还包括：静电去除部件8(图中未示出)，其中：

静电去除部件8设置在封闭箱体中，且位于封闭箱体的主体部靠近门体的位置上，以便于待检测基板出入封闭箱体时可以经过静电去除部件。

封闭箱体的主体部为封闭箱体除门体以外的部分。

处理器7为光电池测试仪(太阳能电池测试仪)。

具体的，静电去除部件可以是去静电离子棒；这样，可以去除待检测基板在进行光透过率检测的过程中产生的静电，避免待检测基板发生静电击穿，保证了待检测基板的性能不受影响。

具体的，以光电池为光电池阵列为例进行说明，首先在未放置基板时开启该光透过率检测装置，光源发出的光线直接照射到太阳能电池阵列上，太阳能电池阵列将光转换为电能之后，输出电性能数据并传输到太阳能电池测试仪中，太阳能电池测试仪分析得到的电性能数据，得到第一短路电流；之后，在基板放置部件放置待检测基板之后，开启该光透过率检测装置，光源发出的光线通过待检测基板之后照射到太阳能电池阵列上，太阳能电池阵列将光转换为电能之后，输出电性能数据并传输到太阳能电池测试仪中，太阳能电池测试仪分析得到的电性能数据，得到第二短路电流；由于短路电流与入射光强度成正比，因此太阳能电池测试仪直接计算第一短路电流和第二短路电流的比值，即可以得到待检测基板的光透过率。

需要说明的是，可以在光透过率检测装置的封闭箱体的下表面上设置支撑气缸，这样可以使得光透过率检测装置放置的更加平稳，保证测试结果更加准确；其中，支撑气缸的数量不做限定，可以根据具体的需求进行设定。

本发明的实施例提供的光透过率检测装置，该装置包括光源、封闭箱体、光电池、基板放置部件和处理器，封闭箱体包括可开合的门体，且封闭箱体不透光；光源设置在封闭箱体内部；光电池设置在封闭箱体内部，且光源相对设置；基板放置部件设置在光电池与光源之间；处理器与光电池连接，用于根据光电池输出的第一光强度信息和第二光强度信息获取待检测基板的光透过率。这样，采用本发明中提供的光透过率检测装置，直接将待检测基板放置在该光透过率检测装置基板放置部件上，打开光源就可以直接对阵列基板的光透过率进行检测，通过处理器的处理就可以得到待检测基板的光透过率，能够实现直接检测阵列基板的光透过率，解决了现有工艺中只有阵列基板完成对盒之后才能检测阵列基板的光透过率的问题，保证了生产的正常进行，降低了成产成本。

本发明的实施例提供一种光透过率检测方法，参照图4所示，该方法包括以下步骤：

101、未放置待检测基板时，获取光源发出的光线直接照射到光透过率检测装置中的光电池上，光电池输出的第一光强度信息。

102、放置待检测基板时，获取光线透过待检测基板后照射到光透过率检测装置中的光电池上，光电池输出的第二光强度信息。

103、根据第一光强度信息和第二光强度信息，计算得到待检测基板的光透过率。

具体的，步骤103计算得到待检测基板的光透过率可以通过以下步骤来实现：

计算第一光强度信息和第二光强度信息的比值，根据该比值得到待检测基板的光透过率。

其中，第一光强度信息可以是第一短路电流，第二光强度信息可以是第二短路电流，由于短路电流与入射光强度成正比，因此可以直接计算第一短路电流和第二短路电流的比值，该比值即为待检测基板的光透过率。

本发明的实施例提供的光透过率检测方法，通过本发明中提供的光透过率检测装置获取未放置待检测基板时光线直接照射到光电池后输出的第一光强度信息和放置待检测基板时光线透过待检测基板之后照射到光电池后输出的第二光强度信息，并根据得到的第一光强度信息和第二光强度信息计算得到待检测基板的光透过率；这样，采用本发明中提供的光透过率检测方法，可以直接得到待检测基板的光透过率，能够实现直接检测阵列基板的光透过率，解决了现有工艺中只有阵列基板完成对盒之后才能检测阵列基板的光透过率的问题，保证了生产的正常进行，降低了成产成本。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种光透过率检测装置，其特征在于，所述装置包括：光源、封闭箱体、光电池、基板放置部件和处理器，其中：

所述封闭箱体包括可开合的门体，且所述封闭箱体不透光；

所述光源设置在所述封闭箱体内部；

所述光电池设置在所述封闭箱体内部，且与所述光源相对设置；

所述基板放置部件设置在所述光电池与所述光源之间；

所述处理器与所述光电池连接，用于根据所述光电池输出的第一光强度信息和第二光强度信息获取待检测基板的光透过率；其中，所述第一光强度信息用于表明所述光源发出的光未经待检测基板的强度，所述第二光强度信息用于表明所述光源发出的光经过待检测基板后的强度；

所述基板放置部件包括：卡槽，其中：所述卡槽设置在所述封闭箱体上；所述卡槽用于将所述待检测基板固定在所述封闭箱体中。

2.根据权利要求1所述的光透过率检测装置，其特征在于，所述卡槽包括：第一卡槽和第二卡槽，其中：

所述第一卡槽和所述第二卡槽固定设置在所述封闭箱体上，且相对设置；

所述待检测基板能够卡接在所述第一卡槽和所述第二卡槽中。

3.根据权利要求1所述的光透过率检测装置，其特征在于，所述封闭箱体包括活动板，所述光源设置在所述活动板上；

所述装置还包括升降控制部件，其中：

所述升降控制部件与所述活动板连接，用于控制所述活动板沿所述封闭箱体的内壁升降。

4.根据权利要求1所述的光透过率检测装置，其特征在于，

所述装置还包括：静电去除部件，其中：

所述静电去除部件设置在所述封闭箱体中，且位于所述封闭箱体的主体部靠近所述门体的位置上，以便于所述待检测基板出入所述封闭箱体时可以经过所述静电去除部件；其中，所述封闭箱体的主体部为所述封闭箱体除所述门体以外的部分。

5.根据权利要求3所述的光透过率检测装置，其特征在于，所述升降控制部件为伺服电机。

6.根据权利要求1所述的光透过率检测装置，其特征在于，所述处理器为光电池测试仪。

7.根据权利要求1所述的光透过率检测装置，其特征在于，所述光源包括点光源；

或者，所述光源为面光源，所述光电池为光电池阵列。

8.根据权利要求1～3任一所述的光透过率检测装置，其特征在于，所述光电池的光谱范围为400～1100nm。

9.一种光透过率检测方法，其特征在于，所述方法应用于权利要求1～8任一所述的光透过率检测装置，所述方法包括：

未放置待检测基板时，获取光源发出的光线直接照射到所述光透过率检测装置中的光电池上，所述光电池输出的第一光强度信息；

放置所述待检测基板时，获取光线透过所述待检测基板后照射到所述光透过率检测装置中的光电池上，所述光电池输出的第二光强度信息；

根据所述第一光强度信息和所述第二光强度信息，计算得到所述待检测基板的光透过率。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一光强度信息和所述第二光强度信息，计算得到所述待检测基板的光透过率，包括：

计算所述第一光强度信息和所述第二光强度信息的比值，根据所述比值得到所述待检测基板的光透过率。