CN104811148A

CN104811148A - 负电阻产生器、包含负电阻的负载以及放大器的负载

Info

Publication number: CN104811148A
Application number: CN201410044088.7A
Authority: CN
Inventors: 苏烜毅
Original assignee: Realtek Semiconductor Corp
Current assignee: Realtek Semiconductor Corp
Priority date: 2014-01-29
Filing date: 2014-01-29
Publication date: 2015-07-29

Abstract

本发明揭示负电阻产生器、包含负电阻的负载以及放大器的负载，包含：一第一信号端用来耦接一第一信号，该第一信号包含一第一交流成份与一第一直流成份；一第二信号端用来耦接一第二信号，该第二信号包含一第二交流成份与一第二直流成份；一第一晶体管包含一第一高电位电极、一第一低电位电极与一第一栅极，该第一高电位电极耦接该第一信号端；一第二晶体管，包含一第二高电位电极、一第二低电位电极与一第二栅极，该第二高电位电极耦接该第二信号端；一电源电路，一端耦接该第一低电位电极与该第二低电位电极，另一端耦接一接地端；一第一直流电平决定电路耦接于该第一信号端与该第二栅极之间；一第二直流电平决定电路耦接于该第二信号端与该第一栅极之间。

Description

负电阻产生器、包含负电阻的负载以及放大器的负载

技术领域

本发明是关于电阻产生器以及包含电阻产生器的负载，尤其是关于负电阻产生器与包含负电阻的负载。

背景技术

一个理想电感相较于电阻具有无直流传输损耗的特性，因此，在某些电路设计里，将电感而非电阻作为负载能够改善电路运作的线性度。举例而言，于设计一低杂讯放大器（Low Noise Amplifier,LNA）时，电感可用于匹配输入阻抗并作为负载之用，藉此改善放大器的线性度。然而，如图1a所示，一个实际的电感是非理想的，通常由电感值L与寄生电阻的电阻值Rs串联组成，如将图1a的电感值L与电阻值Rs以并联的电感值L与电阻值Rp来表示（如图1b所示），电阻值Rs与电阻值Rp间的关系会如下列式子所示：

Rp＝[(ωL)²]/Rs＝Rs×Q² （式一）

其中Q＝(ωL)/Rs，代表电感（由串联的电感值L与电阻值Rs表示时）的品质因素，通常而言，Q值愈大代表寄生电阻Rs愈小，意味着直流损耗愈少，电感愈臻理想，然而由于集成电路中Q值与电感的大小正相关，且愈大的电感会耗用愈多的电路面积，使得电路成本增加，因此Q值的大小必须于效能与成本间做取舍。另外，当电感作为负载时，为了在特定频率下得到较高的信号增益，常见的技术为将电感与电容C并联（如图1c所示），藉此在电感中的电感值L与电容C共振（Resonant）时，抵销二者的交流阻抗，此时，负载的阻抗值会等效于电感的寄生电阻值Rp（如图1c所示），进一步而言，若寄生电阻值Rp（代表负载的阻抗值）愈大，信号增益（例如转导增益gm乘以负载的阻抗值Rp）也会愈大，但若欲增加电阻值Rp，由于电阻值Rp与Q值正相关（如式一所示），因此增加电阻值Rp也会耗用更多电路面积，同样会使电路成本增加，如此一来设计者再度面临效能与成本间的两难抉择。

鉴于上述，为了在成本考量下改善Q值与提高图1c的负载的阻抗值，有一种现有技术是将该负载并联一主动元件所构成的负电阻，藉此获得较佳的Q值与等效负载阻抗值，然而此种技术架构下的晶体管工作区容易因较大的交流信号摆幅而由饱合区进入线性区，从而影响线性度，因此仍有改进的必要。相关现有技术可由以下论文得知：Ching-Cheng Tien.“WLAN802.11a VCO design with novel tank resonator”,Department of ElectricalEngineering,Chung Hua University,2004。

发明内容

鉴于现有技术的不足，本发明的一目的在于提供一种负电阻产生器、包含负电阻的负载以及放大器的负载，以解决现有技术的问题。

本发明揭示了一种负电阻产生器，能够减少晶体管的工作区由饱合区进入线性区的情形，从而改善采用此负电阻产生器的电路的线性度。依据本发明的一实施例，所述负电阻产生器包含：一第一信号端，用来耦接一第一信号，其中该第一信号包含一第一交流成份与一第一直流成份；一第二信号端，用来耦接一第二信号，其中该第二信号包含一第二交流成份与一第二直流成份；一第一晶体管，包含一第一高电位电极、一第一低电位电极与一第一栅极，其中该第一高电位电极耦接该第一信号端；一第二晶体管，包含一第二高电位电极、一第二低电位电极与一第二栅极，其中该第二高电位电极耦接该第二信号端；一电源电路，其一端耦接该第一低电位电极与该第二低电位电极，另一端耦接一电压端；一第一直流电平决定电路，耦接于该第一信号端与该第二栅极之间，用来依据一第一直流电压与该第一交流成份提供一第二栅极电压予该第二栅极，其中该第二栅极电压小于该第一信号的电压；以及一第二直流电平决定电路，耦接于该第二信号端与该第一栅极之间，用来依据一第二直流电压与该第二交流成份提供一第一栅极电压予该第一栅极，其中该第一栅极电压小于该第二信号的电压。

本发明亦揭示了一种包含负电阻的负载，能够提供较佳的负载特性。所述包含负电阻的负载的一实施例包括：一第一信号端，用来耦接一第一信号，其中该第一信号包含一第一交流成份与一第一直流成份；一第二信号端，用来耦接一第二信号，其中该第二信号包含一第二交流成份与一第二直流成份；一共振电路，耦接于该第一与第二信号端之间，包含一电感与一电容并联在一起；以及一负电阻产生器。该负电阻产生器包含：一第一晶体管，包含一第一高电位电极、一第一低电位电极与一第一栅极，其中该第一高电位电极耦接该第一信号端；一第二晶体管，包含一第二高电位电极、一第二低电位电极与一第二栅极，其中该第二高电位电极耦接该第二信号端；一电源电路，其一端耦接该第一低电位电极与该第二低电位电极，另一端耦接一电压端；一第一直流电平决定电路，耦接于该第一信号端与该第二栅极之间，用来依据一第一直流电压与该第一交流成份提供一第二栅极电压予该第二栅极，其中该第二栅极电压小于该第一信号的电压；以及一第二直流电平决定电路，耦接于该第二信号端与该第一栅极之间，用来依据一第二直流电压与该第二交流成份提供一第一栅极电压予该第一栅极，其中该第一栅极电压小于该第二信号的电压。

本发明进一步揭示了一种放大器的负载，能够改善放大器的线性度。所述放大器的负载的一实施例包含：一第一放大器输出端，用来输出一第一信号，其中该第一信号包含一第一交流成份与一第一直流成份；一第二放大器输出端，用来输出一第二信号，其中该第二信号包含一第二交流成份与一第二直流成份，且为该第一信号的反相信号；一共振电路，耦接于该第一与第二放大器输出端之间，包含一电感与一电容并联在一起；以及一负电阻产生器。该负电阻产生器包含：一第一晶体管，包含一第一高电位电极、一第一低电位电极与一第一栅极，其中该第一高电位电极耦接该第一放大器输出端；一第二晶体管，包含一第二高电位电极、一第二低电位电极与一第二栅极，其中该第二高电位电极耦接该第二放大器输出端；一电源电路，其一端耦接该第一低电位电极与该第二低电位电极，另一端耦接一电压端；一第一直流电平决定电路，耦接于该第一放大器输出端与该第二栅极之间，用来依据一第一直流电压与该第一交流成份提供一第二栅极电压予该第二栅极；以及一第二直流电平决定电路，耦接于该第二放大器输出端与该第一栅极之间，用来依据一第二直流电压与该第二交流成份提供一第一栅极电压予该第一栅极。

有关本发明的特征、实作与功效，兹配合图式作较佳实施例详细说明如下。

附图说明

图1a为一非理想电感的示意图；

图1b为图1a的等效电路图；

图1c为现有技术的共振电路的示意图；

图2为本发明的负电阻产生器的一实施例的示意图；

图3为图2的第一与第二直流电平决定电路的一范例的示意图；

图4为图2的第一与第二直流电平决定电路的另一范例的示意图；

图5为本发明的包含负电阻的负载的一实施例的示意图；及

图6为本发明的放大器的负载的一实施例的示意图。

其中，附图标记说明如下：

L 电感值

Rs 电阻值

Rp 电阻值

C 电容

S1 第一信号

S2 第二信号

DCS1 第一直流电平决定电路

DCS2 第二直流电平决定电路

G1 第一栅极

G2 第二栅极

VG1 第一栅极电压

VG2 第二栅极电压

200 负电阻产生器

210 第一信号端

220 第二信号端

230 第一晶体管

240 第二晶体管

250 电源电路

260 第一直流电平决定电路

270 第二直流电平决定电路

310 第三晶体管

320 第一电流源电路

330 第四晶体管

340 第二电流源电路

410 第一电容

420 第一直流电平产生电路

430 第二电容

440 第二直流电平产生电路

500 包含负电阻的负载

510 第一信号端

520 第二信号端

530 共振电路

60 放大器

600 放大器的负载

610 第一放大器输出端

620 第二放大器输出端

630 共振电路

具体实施方式

以下说明内容的技术用语世参照本技术领域的习惯用语，如本说明书对部分用语有加以说明或定义，该部分用语的解释以本说明书的说明或定义为准。

本发明的揭示内容包含负电阻产生器（Negative Resistance Generator）、包含负电阻的负载以及放大器的负载，能够减少晶体管的工作区由饱合区进入线性区的情形，从而改善线性度。该些装置发明可应用于一集成电路（例如一放大器、一振荡器或其它需要较佳线性度的电路）或一系统装置（例如一无线通讯装置），且在实施为可能的前提下，本技术领域技术人员能够依本说明书的揭示内容选择等效的元件来实现本发明。由于本发明的装置所包含的部分元件单独而言可能为已知元件，因此在不影响该装置发明的充分揭示及可实施性的前提下，以下说明对于已知元件的细节将予以节略。另外，在实施为可能的前提下，本技术领域人员可依本发明的揭示内容及自身的需求选择性地实施任一实施例的部分或全部技术特征，或者选择性地实施多个实施例的部分或全部技术特征的组合，藉此增加本发明实施时的弹性。

请参阅图2，其是本发明的负电阻产生器的一实施例的示意图。如图2所示，本实施例的负电阻产生器200包含：一第一信号端210；一第二信号端220；一第一晶体管230；一第二晶体管240；一电源电路250；一第一直流电平决定电路（DCS1）260以及一第二直流电平决定电路（DCS2）270。所述第一信号端210用来耦接一第一信号S1包含一第一交流成份与一第一直流成份。所述第二信号端220用来耦接一第二信号S2包含一第二交流成份与一第二直流成份，本实施例中，第二信号S2为第一信号S1的反相信号，然在实施为可能的前提下，其它信号关系亦得为本发明所采用。所述第一晶体管230包含一第一高电位电极、一第一低电位电极与一第一栅极G1，其中第一高电位电极耦接第一信号端210，本实施例中，第一晶体管230为NMOS晶体管，因此第一高电位电极为漏极，第一低电位电极为源极，然而第一晶体管230亦可采PMOS晶体管，此时第一高电位电极为源极，第一低电位电极为漏极。所述第二晶体管240包含一第二高电位电极、一第二低电位电极与一第二栅极G2，其中第二高电位电极耦接第二信号端220，本实施例中，第二晶体管240为NMOS晶体管，然而，类似地，第二晶体管240亦可采PMOS晶体管。所述电源电路250于本实施例中为一电流源电路，其一端耦接前述第一与第二低电位电极，另一端耦接一电压端（例如一接地端），然而在实施为可能的前提下，该电源电路250亦可为一电压源电路或一电压端。所述第一直流电平决定电路260耦接于第一信号端210与第二栅极G2之间，用来依据一第一直流电压与第一信号S1的交流成份提供一第二栅极电压VG2予第二栅极G2，其中第二栅极电压VG2于本实施例中小于第一信号S1的电压，藉此提高第二晶体管240耐受第一信号S1与第二信号S2的摆幅（Swings）的能力，亦即减少第二晶体管240的工作区由饱合区（当NMOS晶体管导通时V_DS＞V_GS－V_th，或PMOS晶体管导通时V_SD＞V_SG＋V_th）进入线性区（当NMOS晶体管导通时V_DS＜V_GS－V_th，或PMOS晶体管导通时V_SD＜V_SG＋V_th）的情形，以提高电路运作的线性度。最后，所述第二直流电平决定电路270耦接于该第二信号端220与该第一栅极G1之间，用来依据一第二直流电压与前述第二交流成份提供一第一栅极电压VG1予第一栅极G1，其中第一栅极电压VG1小于第二信号S2的电压，藉此提高第一晶体管230耐受第二信号S2与第一信号S1的摆幅的能力，以避免第一晶体管230的工作区由饱合区进入线性区。

请参阅图3，其是图2的第一与第二直流电平决定电路260、270的一实施例的示意图。如图3所示，本实施例中第一与第二直流电平决定电路260、270均为源极跟随器，更精确地说，第一直流电平决定电路260包含一第三晶体管310与一第一电流源电路320，而第二直流电平决定电路270包含一第四晶体管330与一第二电流源电路340。所述第三晶体管310包含一第三高电位电极、一第三低电位电极与一第三栅极G3，其中第三高电位电极耦接一负载电路（Load）350、第三低电位电极耦接第二栅极G2、第三栅极G3耦接第一信号端210，且第三栅极G3与该第三低电位电极的电压差即为前述第一直流电压DC1。所述第一电流源电路320的一端耦接第三低电位电极，另一端耦接至一第一电压端（例如一接地端），该第一电流源电路320用来与第一信号S1以及负载电路350一同决定第三晶体管310的工作区域，于本实施例中是用来使第三晶体管310的工作区域为饱合区。另外，所述第四晶体管330包含一第四高电位电极、一第四低电位电极与一第四栅极G4，其中第四高电位电极耦接负载电路350、第四低电位电极耦接第一栅极G1、该第四栅极G4耦接该第二信号端220，且第四栅极G4与该第四低电位电极的电压差即为前述第二直流电压DC2。所述第二电流源电路340的一端耦接第四低电位电极，另一端耦接至一第二电压端（例如一接地端），该第二电流源电路340用来与该第二信号S2以及负载电路350一同决定第四晶体管330的工作区域，于本实施例中是用来使第四晶体管330的工作区域为饱合区。请注意，由于本实施例的晶体管均为NMOS晶体管，因此上述第一栅极电压VG1等于该第二信号S2（亦即第二晶体管240的漏极电压）减去第二直流电压DC2，第二栅极电压VG2等于该第一信号S1（亦即第一晶体管230的漏极电压）减去第一直流电压DC1，由于在漏极电压条件相同的情况下，较小的栅极电压有助于晶体管工作在饱合区，故采用本实施例的电路能够藉此改善线性度。

请参阅图4，其是图2的第一与第二直流电平决定电路260、270的另一实施例的示意图。如图4所示，本实施例中第一直流电平决定电路260包含：一第一电容410，耦接于该第一信号端与该第二栅极G2之间，用来阻断第一信号S1的直流成份；以及一第一直流电平产生电路420，耦接于第一电容410与一第一电压端（例如一接地端）之间，用来提供第一直流电压DC1（例如不小于第二栅极G2与第二低电位电极的直流电压差的电压）予第二晶体管240的栅极G2，藉此在阻断第一信号S1的直流成份的同时，确保第二晶体管240能够工作在饱合区，其中第一直流电压DC1与第一信号S1的交流成份构成第二晶体管240的栅极电压VG2。另外，第二直流电平决定电路270包含：一第二电容430，耦接于第二信号端与该第一栅极G1之间，用来隔绝第二信号S2的直流成份；以及一第二直流电平产生电路440，耦接于第二电容430与一第二电压端（例如一接地端）之间，用来提供第二直流电压DC2（例如不小于第一栅极G1与第一低电位电极的直流电压差的电压）予第一晶体管230的栅极G1，藉此在隔绝第二信号S2的直流成份的同时，确保第一晶体管230能够工作在饱合区，其中第二直流电压DC2与第二信号S2的交流成份构成第一晶体管230的栅极电压VG1。

请注意，图2至图4的实施例的电路是采对称式的设计，因此该些实施例中，第一直流电压DC1与第二直流电压DC2相同，第一直流电平决定电路260与第二直流电平决定电路270相同，其余可以此类推；然而，在实施为可能的前提下，本发明亦可采用非对称式的电路设计。另请注意，前述实施例的晶体管虽以NMOS晶体管为例，然而在实施为可能的前提下，本领域技术人员可依据本说明书的揭示选择其它类型的晶体管来实施本发明。

除前述的负电阻产生器外，本发明亦揭示一种包含该负电阻产生器的负载，能够提供较佳的负载特性，藉此改善采用本负载的电路的线性度。请参阅图5，所述负载500的一实施例包含：一第一信号端510，用来耦接一第一信号S1，其中该第一信号S1包含一第一交流成份与一第一直流成份；一第二信号端520，用来耦接一第二信号S2，其中该第二信号S2包含一第二交流成份与一第二直流成份；一共振电路530，耦接于第一信号端510与第二信号端520之间，包含一电感与一电容并联在一起；以及一负电阻产生器200，以并联方式耦接共振电路530，并包含如图2所示的电路与运作条件或其等效电路与运作条件。由于本技术领域技术人员能够通过图2至图4的揭示内容来推得图5的实施例的细节与变化，因此在不影响图5的实施例的揭示要求与可实施性的前提下，重复及冗余的说明在此予以节略。

另外，如图6所示，本发明进一步揭示一种放大器的负载600，可应用于一放大器60（Amp）（例如一低杂讯放大器），包含：一第一放大器输出端610，用来输出一第一信号S1，其中该第一信号S1包含一第一交流成份与一第一直流成份；一第二放大器输出端620，用来输出一第二信号S2，其中该第二信号S2包含一第二交流成份与一第二直流成份，且在本实施例中为第一信号的反相信号；一共振电路630，耦接于第一放大器输出端610与第二放大器输出端620之间，包含一电感与一电容并联在一起；以及一负电阻产生器200，以并联方式耦接共振电路630，并包含如图2所示的电路与运作条件或其等效电路与运作条件。类似地，由于本技术领域技术人员能够通过图2至图4的揭示内容来推得图6的实施例的细节与变化，因此在不影响图6的实施例的揭示要求与可实施性的前提下，重复及冗余的说明在此予以节略。

前揭图式中，部分电压端点虽未标示电压，然此是本技术领域人士可依本发明的揭示及本领域的常用技术手段来决定，故本说明书不予赘述。另外，图示中，元件的形状、尺寸、比例等仅为示意，是供本技术领域技术人员了解本发明之用，非用以限制本发明。

综上所述，本发明的负电阻产生器、包含负电阻的负载以及放大器的负载包含至少下列优点：减少晶体管的工作区由饱合区进入线性区的情形，藉此提高采用本发明的电路的线性度；其二，设计不复杂，实施容易，无需耗费高额的设计与生产成本即可实现；其三，解决现有技术必须在效能与成本间取舍的难题。

虽然本发明的实施例如上所述，然而该些实施例并非用来限定本发明，本技术领域技术人员可依据本发明的明示或隐含的内容对本发明的技术特征施以变化，凡此种种变化均可能属于本发明所寻求的专利保护范畴，换言之，本发明的专利保护范围须视本说明书的权利要求范围所界定者为准。

Claims

1.一种负电阻产生器，包含：

一第一信号端，用来耦接一第一信号，其中该第一信号包含一第一交流成份与一第一直流成份；

一第二信号端，用来耦接一第二信号，其中该第二信号包含一第二交流成份与一第二直流成份；

一第一晶体管，包含一第一高电位电极、一第一低电位电极与一第一栅极，其中该第一高电位电极耦接该第一信号端；

一第二晶体管，包含一第二高电位电极、一第二低电位电极与一第二栅极，其中该第二高电位电极耦接该第二信号端；

一电源电路，其一端耦接该第一低电位电极与该第二低电位电极，另一端耦接一电压端；

一第一直流电平决定电路，耦接于该第一信号端与该第二栅极之间，用来依据一第一直流电压与该第一交流成份提供一第二栅极电压予该第二栅极，其中该第二栅极电压小于该第一信号的电压；以及

一第二直流电平决定电路，耦接于该第二信号端与该第一栅极之间，用来依据一第二直流电压与该第二交流成份提供一第一栅极电压予该第一栅极，其中该第一栅极电压小于该第二信号的电压。

2.如权利要求1的负电阻产生器，其中该第一直流电压不小于该第二栅极与该第二低电位电极的直流电压差，且该第二直流电压不小于该第一栅极与该第一低电位电极的直流电压差。

3.如权利要求1或2的负电阻产生器，其中该第一直流电平决定电路包含：

一第三晶体管，包含一第三高电位电极、一第三低电位电极与一第三栅极，其中该第三高电位电极耦接一负载电路、该第三低电位电极耦接该第二栅极且该第三栅极耦接该第一信号端，且该第三栅极与该第三低电位电极的电压差为该第一直流电压；以及

一第一电流源电路，其一端耦接该第三低电位电极，另一端耦接至一第一电压端，该第一电流源电路用来与该第一信号以及该负载电路一同决定该第三晶体管的工作区域，

以及该第二直流电平决定电路包含：

一第四晶体管，包含一第四高电位电极、一第四低电位电极与一第四栅极，其中该第四高电位电极耦接该负载电路、该第四低电位电极耦接该第一栅极且该第四栅极耦接该第二信号端，且该第四栅极与该第四低电位电极的电压差为该第二直流电压；以及

一第二电流源电路，其一端耦接该第四低电位电极，另一端耦接至一第二电压端，该第二电流源电路用来与该第二信号以及该负载电路一同决定该第四晶体管的工作区域，

其中该第一栅极电压等于该第二信号减去该第二直流电压，该第二栅极电压等于该第一信号减去该第一直流电压。

4.如权利要求1或2的负电阻产生器，其中该第一直流电平决定电路包含：

一第一电容，耦接于该第一信号端与该第二栅极之间；以及

一第一直流电平产生电路，耦接于该第一电容与一第一电压端之间，用来提供该第一直流电压，其中该第一直流电压与该第一交流成份构成该第二栅极电压，

以及该第二直流电平决定电路包含：

一第二电容，耦接于该第二信号端与该第一栅极之间，

一第二直流电平产生电路，耦接于该第二电容与一第二电压端之间，用来提供该第二直流电压，其中该第二直流电压与该第二交流成份构成该第一栅极电压。

5.如权利要求1的负电阻产生器，其中该第一信号为该第二信号的反相信号。

6.如权利要求1的负电阻产生器，其中该第一与第二直流电平决定电路均为源极跟随器。

7.一种包含负电阻的负载，包含：

一共振电路，耦接于该第一与第二信号端之间，包含一电感与一电容并联在一起；以及

一负电阻产生器，包含：

8.如权利要求7的包含负电阻的负载，其中该第一信号为该第二信号的反相信号。

9.如权利要求7的包含负电阻的负载，其中该第一与第二直流电平决定电路均为源极跟随器。

10.如权利要求7的包含负电阻的负载，其中该第一直流电压不小于该第二栅极与该第二低电位电极的直流电压差，且该第二直流电压不小于该第一栅极与该第一低电位电极的直流电压差。

11.如权利要求7或10的包含负电阻的负载，其中该第一直流电平决定电路包含：

以及该第二直流电平决定电路包含：

其中该第一栅极电压为该第二信号减去该第二直流电压，该第二栅极电压为该第一信号减去该第一直流电压。

12.如权利要求7或10的包含负电阻的负载，其中该第一直流电平决定电路包含：

一第一电容，耦接于该第一信号端与该第二栅极之间；以及

以及该第二直流电平决定电路包含：

一第二电容，耦接于该第二信号端与该第一栅极之间，

13.一种放大器的负载，包含：

一第一放大器输出端，用来输出一第一信号，其中该第一信号包含一第一交流成份与一第一直流成份；

一第二放大器输出端，用来输出一第二信号，其中该第二信号包含一第二交流成份与一第二直流成份；

一共振电路，耦接于该第一与第二放大器输出端之间，包含一电感与一电容并联在一起；以及

一负电阻产生器，包含：

一第一晶体管，包含一第一高电位电极、一第一低电位电极与一第一栅极，其中该第一高电位电极耦接该第一放大器输出端；

一第二晶体管，包含一第二高电位电极、一第二低电位电极与一第二栅极，其中该第二高电位电极耦接该第二放大器输出端；

一第一直流电平决定电路，耦接于该第一放大器输出端与该第二栅极之间，用来依据一第一直流电压与该第一交流成份提供一第二栅极电压予该第二栅极；以及

一第二直流电平决定电路，耦接于该第二放大器输出端与该第一栅极之间，用来依据一第二直流电压与该第二交流成份提供一第一栅极电压予该第一栅极。

14.如权利要求13的放大器的负载，其中该第一栅极电压小于该第二信号的电压，且该第二栅极电压小于该第一信号的电压。

15.如权利要求13或14的放大器的负载，其中该第一直流电压不小于该第二栅极与该第二低电位电极的直流电压差，且该第二直流电压不小于该第一栅极与该第一低电位电极的直流电压差。