CN104793679A - 一种可编程高电压源装置 - Google Patents

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杨俊民
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Abstract

本发明公开了一种可编程高电压源装置,包括运算放大器、数字电位计、电阻、第一MOS管、第二MOS管、二极管、电源输入端、电源输出端,所述运算放大器包括输入正极端、输入负极端、输出端,数字电位计包括信号输入端、电位计输出端,所述电源输入端与接地之间串联有数字电位计,电位计输出端与输入正极端相连接,输入负极端与电源输出端相连接,输出端与第二MOS管G极相连接,第二MOS管S极与接地相连,第一MOS管串联在电源输入端、电源输出端,第一MOS管G极与第二MOS管D极相连接,所述与第一MOS管的D极与G极之间并联。本发明低噪声、低漂移输出电压和高电流,电源输出精确。

Description

一种可编程高电压源装置
技术领域
本发明涉及一种可编程高电压源装置,属于电路技术领域。
背景技术
目前,现有的具有升压电流输出的可编程高电压源,结构比较复杂,且分辨率不高,成本高。
发明内容
目的:为了克服现有技术中存在的不足,本发明提供一种可编程高电压源装置。
技术方案:为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案为:
一种可编程高电压源装置,包括运算放大器、数字电位计、电阻、第一MOS管、第二MOS管、二极管、电源输入端、电源输出端,所述运算放大器包括输入正极端、输入负极端、输出端,数字电位计包括信号输入端、电位计输出端,所述电源输入端与接地之间串联有数字电位计,电位计输出端与输入正极端相连接,输入负极端与电源输出端相连接,输出端与第二MOS管G极相连接,第二MOS管S极与接地相连,第一MOS管串联在电源输入端、电源输出端,第一MOS管G极与第二MOS管D极相连接,所述与第一MOS管的D极与G极之间并联,所述第一MOS管、第二MOS管的D极与S极之间均逆向并联有二极管。
所述运算放大器采用OP184。
所述数字电位计采用AD5292。
作为优选方案,所述第一MOS管设置为PMOS管。
作为优选方案,所述第二MOS管设置为NMOS管。
有益效果:本发明提供的一种可编程高电压源装置,提供10位分辨率,输出电压范围为0-30V,能够提供最大2.5A的输出电流。本结构低噪声、低漂移输出电压和高电流,电源输出精确。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作更进一步的说明。
如图1所示,一种可编程高电压源装置,包括运算放大器1、数字电位计2、电阻3、第一MOS管4、第二MOS管5、二极管6、电源输入端7、电源输出端8,所述运算放大器1包括输入正极端11、输入负极端12、输出端13,数字电位计2包括信号输入端21、电位计输出端22,所述电源输入端7与接地之间串联有数字电位计2,电位计输出端22与输入正极端11相连接,输入负极端12与电源输出端7相连接,输出端13与第二MOS管5G极相连接,第二MOS管5S极与接地相连,第一MOS管4串联在电源输入端7、电源输出端13,第一MOS管4G极与第二MOS管5D极相连接,所述与第一MOS管4的D极与G极之间并联,所述第一MOS管4、第二MOS管5的D极与S极之间均逆向并联有二极管6。
所述运算放大器1采用OP184。
所述数字电位计2采用AD5292。
作为优选方案,所述第一MOS管4设置为PMOS管。
作为优选方案,所述第二MOS管5设置为NMOS管。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出:对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (5)

1.一种可编程高电压源装置,包括运算放大器、数字电位计、电阻,其特征在于:还包括第一MOS管、第二MOS管、二极管、电源输入端、电源输出端,所述运算放大器包括输入正极端、输入负极端、输出端,数字电位计包括信号输入端、电位计输出端,所述电源输入端与接地之间串联有数字电位计,电位计输出端与输入正极端相连接,输入负极端与电源输出端相连接,输出端与第二MOS管G极相连接,第二MOS管S极与接地相连,第一MOS管串联在电源输入端、电源输出端,第一MOS管G极与第二MOS管D极相连接,所述与第一MOS管的D极与G极之间并联,所述第一MOS管、第二MOS管的D极与S极之间均逆向并联有二极管。
2.根据权利要求1所述的一种可编程高电压源装置,其特征在于:所述运算放大器采用OP184。
3.根据权利要求1所述的一种可编程高电压源装置,其特征在于:所述数字电位计采用AD5292。
4.根据权利要求1所述的一种可编程高电压源装置,其特征在于:所述第一MOS管设置为PMOS管。
5.根据权利要求1所述的一种可编程高电压源装置,其特征在于:所述第二MOS管设置为NMOS管。
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