CN104640266B - 一种调光电路 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种调光电路，包括：电容降压电路、控制电路以及照明光源，其中：所述电容降压电路用于将市变交流电降压并转换成直流电，为所述控制电路供电；所述控制电路与所述电容降压电路和所述照明光源相连，用于控制所述照明光源的发光亮度，实现调光功能；所述照明光源包括至少一个发光二极管，用于生成照明光。采用本发明实施例，可以通过简单的电路使发光二极管的亮度逐渐变暗或逐渐变亮，实现调光功能。

Description

一种调光电路

技术领域

本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种调光电路。

背景技术

随着人工照明技术的发展，对光源进行调光控制，使光源按照各种方式或规律发光成为可能，各式各样的调光灯具应运而生。目前灯具的调光电路多采用集成芯片，使得电路结构复杂，成本高昂。对人们的日常生活而言，往往对调光没有高精度的需求，此时采用结构复杂且昂贵的高精度调光灯具容易造成浪费。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种调光电路，可以使发光二极管的亮度逐渐变暗或逐渐变亮，实现调光功能。

为了解决上述技术问题，本发明的实施例提供的调光电路，包括：电容降压电路、控制电路以及照明光源，其中：

所述电容降压电路用于将市变交流电降压并转换成直流电，为所述控制电路供电；

所述控制电路与所述电容降压电路和所述照明光源相连，用于控制所述照明光源的发光亮度，实现调光功能；

所述照明光源包括至少一个发光二极管，用于生成照明光。

作为一种可行的实施方式，所述控制电路包括：：MOS管、第一电阻、第一电容、第一开关、第二开关以及可控硅，其中：

所述MOS管的栅极分别接所述第一开关的一端和所述第一电容的一端，所述MOS管的源极分别接所述可控硅的控制极和所述第一电阻的一端，所述MOS管的漏极接所述电容降压电路的第一输出端；

所述第一电阻的另一端和所述第一电容的另一端分别接所述电容降压电路的第二输出端；

所述第一开关的另一端接所述电容降压电路的第一输出端；

所述第二开关并联在所述第一电容的两端；

所述可控硅的阳极接所述照明光源的负极，所述可控硅的阴极接所述电容降压电路的第二输出端。

作为一种可行的实施方式，所述控制电路还包括第一稳压管和第二稳压管，其中：

所述第一稳压管和所述第二稳压管反向串联，所述第一稳压管的阴极与所述第二稳压管的阴极相连，所述第一稳压管的阳极与所述第二稳压管的阳极分别接所述第一电容的两端。

作为一种可行的实施方式，所述控制电路还包括第二电阻、第三电阻、第四电阻以及第五电阻，其中：

所述第二电阻接在所述MOS管的源极与所述可控硅的控制极之间；

所述第三电阻接在所述MOS管的漏极与所述电容降压电路的第一输出端之间；

所述第四电阻接在所述第一开关的另一端与所述第三电阻和所述电容降压电路的第一输出端的公共节点之间；

所述第五电阻接在所述第二开关与所述电容降压电路的第二输出端之间。

作为一种可行的实施方式，所述电容降压电路包括第二电容、第一二极管以及第二二极管，其中：

所述第二电容的一端接所述照明光源的正极，所述第二电容的另一端分别接所述第一二极管的阳极和所述第二二极管的阴极；

所述第一二极管的阴极作为所述电容降压电路的第一输出端；

所述第二二极管的阳极作为所述电容降压电路的第二输出端并接地。

作为一种可行的实施方式，所述电容降压电路还包括第三电容，所述第三电容跨接在所述电容降压电路的第一输出端和所述电容降压电路的第二输出端之间。

作为一种可行的实施方式，所述电容降压电路还包括第三稳压管，所述第三稳压管的阴极接所述第一二极管的阴极，所述第三稳压管的阳极接地。

作为一种可行的实施方式，所述MOS管为N沟道增强型MOS管。

作为一种可行的实施方式，所述可控硅为单向可控硅。

作为一种可行的实施方式，当所述照明光源包括至少两个发光二极管时，所述至少两个发光二极管正向串联。

本发明实施例具有如下优点或有益效果：

本发明实施例的调光电路包括电容降压电路、控制电路以及照明光源，其中电容降压电路利用电容器的容抗和二极管的整流特性，将市电转换成低压直流电，供后级电路使用，控制电路利用可控硅的可控整流特性，通过逐渐改变可控硅的导通角来逐渐改变与其相连的照明光源的亮度，从而实现调光功能。该电路由分立器件组成，无需使用集成电路芯片，电路结构简单，成本低廉，易于普及。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明的调光电路的一实施例的结构示意图；

图2是本发明的调光电路的一实施例的电路图；

图3是本发明的调光电路的另一实施例的电路图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参见图1，为本发明的调光电路的一实施例的结构示意图。如图1所示，该调光电路可包括电容降压电路1、控制电路2以及照明光源3，其中：电容降压电路1用于将市变交流电降压并转换成直流电；控制电路2与电容降压电路1和照明光源3相连，用于控制照明光源的发光亮度，实现调光功能；照明光源3包括至少一个发光二极管，用于生成照明光。

具体实现中，当照明光源3包括至少两个发光二极管时，该至少两个发光二极管正向串联后接在接在市电输入线和控制电路2之间。

请进一步参考图2，为本发明的调光电路的一实施例的电路图。如图2所示，该调光电路的电容降压电路1包括第二电容C2、第一二极管D1以及第二二极管D2，其中：第二电容C2的一端接照明光源3的正极，第二电容C2的另一端分别接第一二极管D1的阳极和第二二极管D2的阴极；第一二极管D1的阴极作为电容降压电路的第一输出端；第二二极管D2的阳极作为电容降压电路的第二输出端并接地。

该调光电路的控制电路2包括MOS管Q1、第一电阻R1、第一电容C1、第一开关S1、第二开关S2以及可控硅SCR1，其中：MOS管Q1的栅极分别接第一开关S1的一端和第一电容C1的一端，MOS管Q1的源极分别接可控硅SCR1的控制极和第一电阻R1的一端，MOS管Q1的漏极接电容降压电路的1第一输出端；第一电阻R1的另一端和第一电容C1的另一端分别接电容降压电路1的第二输出端；第一开关S1的另一端接电容降压电路1的第一输出端；第二开关S2并联在第一电容C1的两端；可控硅SCR1的阳极接照明光源3的负极，可控硅SCR1的阴极接电容降压电路1的第二输出端。具体实现中，MOS管Q1为N沟道增强型MOS管，可控硅SCR1为单向可控硅。作为一种可行的实施方式，第一开关S1和第二开关S2可选用轻触式开关。

该调光电路的照明光源3包括至少两个发光二极管，该至少两个发光二极管正向串联，接在市电输入线和控制电路2之间。

具体实施中，电容降压电路利用电容器的容抗和二极管的整流特性，将市电转换成低压直流电，供后级电路使用，控制电路利用可控硅的可控整流特性，通过逐渐改变可控硅的导通角来逐渐改变与其相连的照明光源的亮度，从而实现调光功能。该电路由分立器件组成，无需使用集成电路芯片，电路结构简单，成本低廉，易于普及。

请进一步参阅图3，为本发明的调光电路的另一实施例的电路图。如图3所示，在图2所示电路的基础上，作为一些可行的实施方式，该调光电路还可包括下述电路结构中的一种或者多种。

1、该调光电路的电容降压电路1还可包括第三电容C3，所述第三电容C3跨接在所述电容降压电路1的第一输出端和所述电容降压电路1的第二输出端之间。具体实现中，第三电容C3用于滤波，可以选用电解电容。若第三电容C3是电解电容，则第三电容C3的正极接电容降压电路1的第一输出端，负极接电容降压电路1的第二输出端。

2、该调光电路的电容降压电路1还可包括第三稳压管ZD3，所述第三稳压管ZD3的阴极接所述第一二极管D1的阴极，所述第三稳压管ZD3的阳极接地。具体实现中，第三稳压管用于限制电容降压电路1的输出电压，保护控制电路2。

3、该调光电路的控制电路2还可包括第一稳压管ZD1和第二稳压管ZD2，其中：所述第一稳压管ZD1和所述第二稳压管ZD2反向串联，所述第一稳压管ZD1的阴极与所述第二稳压管ZD2的阴极相连，所述第一稳压管ZD1的阳极与所述第二稳压管ZD2的阳极分别接所述第一电容的两端。具体实现中，第一稳压管和第二稳压管用于限制MOS管Q1的栅极电位，防止MOS管Q1的栅极被击穿。

4、该调光电路的控制电路2还可包括第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4以及第五电阻R5，其中：所述第二电阻R2接在所述MOS管的源极与所述可控硅的控制极之间；所述第三电阻R3接在所述MOS管的漏极与所述电容降压电路的第一输出端之间；所述第四电阻R4接在所述第一开关S1的另一端与所述第三电阻R3和所述电容降压电路1的第一输出端的公共节点之间；所述第五电阻R5接在所述第二开关S2与所述电容降压电路1的第二输出端之间。具体实现中，第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4和第五电阻R5均用于分压。

具体实现中，本发明实施例的电路的工作原理大致如下：

当按下第一开关时，市电经电容降压电路降压整流滤波后对第一电容充电，使MOS管的栅极电位逐渐上升，MOS管的导电沟道逐渐增大，漏源极间的电流随之增大，从而使可控硅的导通角变大，使市电一个周期内照明光源回路导通的时间变长，体现为照明光源的发光亮度逐渐增大；当按下第二开关时，第一电容放电，MOS管的栅极电位逐渐下降，可控硅的导通角变小，因此照明光源的发光亮度逐渐减小；当第一开关和第二开关均没被按下时，第一电容无法充放电，MOS管截止，可控硅的导通角不变，因此照明光源维持原来的状态。

以上所述的实施方式，并不构成对该技术方案保护范围的限定。任何在上述实施方式的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在该技术方案的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种调光电路，其特征在于，包括：电容降压电路、控制电路以及照明光源，其中：

所述电容降压电路用于将市变交流电降压并转换成直流电，为所述控制电路供电；

所述控制电路包括：MOS管、第一电阻、第一电容、第一开关、第二开关、第一稳压管、第二稳压管以及可控硅，其中，所述MOS管的栅极分别接所述第一开关的一端和所述第一电容的一端，所述MOS管的源极分别接所述可控硅的控制极和所述第一电阻的一端，所述MOS管的漏极接所述电容降压电路的第一输出端，所述第一电阻的另一端和所述第一电容的另一端分别接所述电容降压电路的第二输出端，所述第一开关的另一端接所述电容降压电路的第一输出端，所述第二开关并联在所述第一电容的两端，所述可控硅的阳极接所述照明光源的负极，所述第一稳压管和所述第二稳压管反向串联，所述第一稳压管的阴极与所述第二稳压管的阴极相连，所述第一稳压管的阳极与所述第二稳压管的阳极分别接所述第一电容的两端，所述可控硅的阴极接所述电容降压电路的第二输出端，所述控制电路用于控制所述照明光源的发光亮度，实现调光功能；

所述照明光源包括至少一个发光二极管，用于生成照明光，其中，所述照明光源直接由所述市变交流电供电。

2.根据权利要求1所述的调光电路，其特征在于，所述控制电路还包括第二电阻、第三电阻、第四电阻以及第五电阻，其中：

所述第二电阻接在所述MOS管的源极与所述可控硅的控制极之间；

所述第三电阻接在所述MOS管的漏极与所述电容降压电路的第一输出端之间；

所述第四电阻接在所述第一开关的另一端与所述第三电阻和所述电容降压电路的第一输出端的公共节点之间；

所述第五电阻接在所述第二开关与所述电容降压电路的第二输出端之间。

3.根据权利要求1所述的调光电路，其特征在于，所述电容降压电路包括第二电容、第一二极管以及第二二极管，其中：

所述第二电容的一端接所述照明光源的正极，所述第二电容的另一端分别接所述第一二极管的阳极和所述第二二极管的阴极；

所述第一二极管的阴极作为所述电容降压电路的第一输出端；

所述第二二极管的阳极作为所述电容降压电路的第二输出端并接地。

4.根据权利要求3所述的调光电路，其特征在于，所述电容降压电路还包括第三电容，所述第三电容跨接在所述电容降压电路的第一输出端和所述电容降压电路的第二输出端之间。

5.根据权利要求3所述的调光电路，其特征在于，所述电容降压电路还包括第三稳压管，所述第三稳压管的阴极接所述第一二极管的阴极，所述第三稳压管的阳极接地。

6.根据权利要求1-5任一项所述的调光电路，其特征在于，所述MOS管为N沟道增强型MOS管。

7.根据权利要求1-5任一项所述的调光电路，其特征在于，所述可控硅为单向可控硅。

8.根据权利要求1-5任一项所述的调光电路，其特征在于，当所述照明光源包括至少两个发光二极管时，所述至少两个发光二极管正向串联。