CN104542213A - 一种霍山石斛树培方法 - Google Patents

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    • A01G31/00—Soilless cultivation, e.g. hydroponics

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  • Environmental Sciences (AREA)
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Abstract

本发明公开了一种霍山石斛树培方法，将霍山石斛植株固定在树干上，将藓苔类植物放置水中使其浸透，然后按2-3株霍山石斛植株为1？整株固定在树皮上，用浸透的苔藓将霍山石斛植株根部包裹起来，使用草绳捆绑固定，捆绑位置为其植株的根部处，露出根部以上，以利于发芽，让其根系顺着树木的纹路生长，霍山石斛通过吸收树木所带来的养分生长，最后根部嵌入到树木中使其和树木生长为一体。本发明通过在树干上种植霍山石斛，霍山石斛充分植入树干表面，由于树叶的光合作用产生有机营养，通过树皮的运输，一方面能够保证在树上种植的霍山石斛有充分的有机营养，另一方面不削去树皮，保护了树木的生长，保证树木健康的成长。

Description

一种霍山石斛树培方法
技术领域
本发明属于植物培育领域，具体涉及一种霍山石斛树培方法。
背景技术
霍山石斛是传统名贵中药，自古以来被认为是滋阴补益的珍品。早在1400 多年前的《神农本草经》和400 多年前的《本草纲目》等古籍中，就有霍山石斛具有滋阴生津等功效的记载。利用现代的医学手段也证实霍山石斛含有霍山石斛碱、霍山石斛次碱等生物碱及次甲基霍山石斛素、霍山石斛醌、挥发油和多糖等成分。霍山石斛主要分布在海拔600-2500m 的山谷半阴湿林中树上或林缘岩石上，要求的生态环境比较特殊，而且霍山石斛坐果率低，种子不易发芽，自然繁殖率极低；又因森林遭受破坏，生存环境恶化，加上人们长期的采挖，野生霍山石斛资源愈来愈稀少，种源已临枯竭，处于濒临灭绝的境地。在《中国植物红皮书》（1991 年出版）中被列为濒危种。因此发展霍山石斛的人工栽培成为保护和利用霍山石斛资源的必然之路。
各地有不同的种植方法，主要有大棚种植和绑在树上种植，绑在树上种植优点是透水不易烂根，病、虫、鼠、草危害少，品质较好，但保水肥条件差，成材时间缓慢产量少；由于绑在树上种植含有诸多优点，越来越多的药材种植户开始使用此方法，但是大多都是削去树皮，再添加基质底肥和营养成分，大量削去树皮这样一方面对树木造成损伤，另一方面不能充分利用树木中的营养成分，而是自己添加营养成分，提高了生产成本，降低了种植的经济性。
发明内容
本发明的目的是提供一种霍山石斛树培方法。
本发明通过以下技术方案实现：
一种霍山石斛树培方法，以树木为霍山石斛的种植载体，将霍山石斛栽种在树木上进行立体栽培；将霍山石斛植株固定在树干上，将藓苔类植物放置水中使其浸透，然后按2-3株霍山石斛植株为1 整株固定在树皮上，用浸透的苔藓将霍山石斛植株根部包裹起来，使用草绳捆绑固定，捆绑位置为其植株的根部处，露出根部以上，以利于发芽，让其根系顺着树木的纹路生长，霍山石斛通过吸收树木所带来的养分生长，最后根部嵌入到树木中使其和树木生长为一体。
进一步地，选择茎干健壮、树冠较茂盛、树皮较厚、多纵裂沟以及纹路大的杨树作为种植载体，栽培前，将树的杂枝和向侧边延伸的树枝进行修剪处理，使栽培霍山石斛的树干处透光度达 30% 。
进一步地，所述种植载体的杨树上端设有滴灌装置。
进一步地，所述整株种植的上下间隔距离为50-60cm，茎干圆周上左右间隔距离为20-30cm。
进一步地，所述整株种植上下两行呈间隔交错排列。
本发明的有益效果：本发明通过在树干上种植霍山石斛，霍山石斛充分植入树干表面，由于树叶的光合作用产生有机营养，通过树皮的运输，一方面能够保证在树上种植的霍山石斛有充分的有机营养，另一方面不削去树皮，保护了树木的生长，保证树木健康的成长。
同时还具有以下优点：1.栽培过程中，霍山石斛较少发生病虫害，无需使用农药，大大提高了霍山石斛的食用安全性，同时实现了安全高效栽培，既有利于对濒危绝迹的野生霍山石斛资源的保护，又促进了以霍山石斛原料的中药企业的发展，能带来良好的生态效应、经济效应和社会效应；2.避免了大棚种植的水涝烂根和病、虫、鼠、草的危害，最大限度的满足了霍山石斛的生长条件，水肥的合理供应，达到霍山石斛的高品质种植，在树上种植对霍山石斛起到遮阴保湿的作用，实现了集约化与仿野生种植的统一，具有管理科学、操作方便、成活率高、产品质量佳、生长快、可控性强等优点。
具体实施方式
一种霍山石斛树培方法，以树木为霍山石斛的种植载体，将霍山石斛栽种在树木上进行立体栽培；将霍山石斛植株固定在树干上，将藓苔类植物放置水中使其浸透，然后按3株霍山石斛植株为1 整株固定在树皮上，用浸透的苔藓将霍山石斛植株根部包裹起来，使用草绳捆绑固定，捆绑位置为其植株的根部处，露出根部以上，以利于发芽，让其根系顺着树木的纹路生长，霍山石斛通过吸收树木所带来的养分生长，最后根部嵌入到树木中使其和树木生长为一体。
进一步地，选择茎干健壮、树冠较茂盛、树皮较厚、多纵裂沟以及纹路大的杨树作为种植载体，栽培前，将树的杂枝和向侧边延伸的树枝进行修剪处理，使栽培霍山石斛的树干处透光度达 30% 。
进一步地，所述种植载体的杨树上端设有滴灌装置。
进一步地，所述整株种植的上下间隔距离为55cm，茎干圆周上左右间隔距离为25cm。
进一步地，所述整株种植上下两行呈间隔交错排列。

Claims (5)

1.一种霍山石斛树培方法，以树木为霍山石斛的种植载体，将霍山石斛栽种在树木上进行立体栽培；其特征在于：将霍山石斛植株固定在树干上，将藓苔类植物放置水中使其浸透，然后按2-3株霍山石斛植株为1 整株固定在树皮上，用浸透的苔藓将霍山石斛植株根部包裹起来，使用草绳捆绑固定，捆绑位置为其植株的根部处，露出根部以上，以利于发芽，让其根系顺着树木的纹路生长，霍山石斛通过吸收树木所带来的养分生长，最后根部嵌入到树木中使其和树木生长为一体。
2.根据权利要求1 所述的霍山石斛树培方法，其特征在于：选择茎干健壮、树冠较茂盛、树皮较厚、多纵裂沟以及纹路大的杨树作为种植载体，栽培前，将树的杂枝和向侧边延伸的树枝进行修剪处理，使栽培霍山石斛的树干处透光度达 30% 。
3.根据权利要求1 所述的霍山石斛树培方法，其特征在于：所述种植载体的杨树上端设有滴灌装置。
4.根据权利要求1 所述的霍山石斛树培方法，其特征在于：所述整株种植的上下间隔距离为50-60cm，茎干圆周上左右间隔距离为20-30cm。
5.根据权利要求5 所述的霍山石斛树培方法，其特征在于：所述整株种植上下两行呈间隔交错排列。
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